JP5318083B2 - E/f級スイッチング電力増幅器 - Google Patents

E/f級スイッチング電力増幅器 Download PDF

Info

Publication number
JP5318083B2
JP5318083B2 JP2010292272A JP2010292272A JP5318083B2 JP 5318083 B2 JP5318083 B2 JP 5318083B2 JP 2010292272 A JP2010292272 A JP 2010292272A JP 2010292272 A JP2010292272 A JP 2010292272A JP 5318083 B2 JP5318083 B2 JP 5318083B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
load
harmonic
harmonics
fundamental frequency
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2010292272A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011101408A5 (ja
JP2011101408A (ja
Inventor
デービッド キー,スコット
アオキ,イチロー
ハジミリ,セイェド−アリ
ビー. ラトリッジ,デービッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
California Institute of Technology CalTech
Original Assignee
California Institute of Technology CalTech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by California Institute of Technology CalTech filed Critical California Institute of Technology CalTech
Publication of JP2011101408A publication Critical patent/JP2011101408A/ja
Publication of JP2011101408A5 publication Critical patent/JP2011101408A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5318083B2 publication Critical patent/JP5318083B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2173Class D power amplifiers; Switching amplifiers of the bridge type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2176Class E amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

本発明は、高効率の電力増幅器に関するものであり、より具体的には、新たなクラスのスイッチング電力増幅器であって、E級と逆F級(F-1級)のハイブリッド電力増幅器に関するものである。
電力増幅器は、回路トポロジーと動作原理に関連した根本的特徴に基づき、A、AB、B、C、D、E、F、S等の幾つかの異なるカテゴリーによって分類される。各クラスは、例えば、線形性、電力効率、帯域幅、周波数応答等の動作特徴において相対的な長所と短所があり、使用条件に基づいて選ばれる。
より具体的には、線形増幅器、スイッチング増幅器又は両者の組み合わさったものとして作動する能動素子(例えば、トランジスタ、真空管)を用いて、RF電力増幅は実現できる。線形増幅器(例えば、A級及びB級)は、入力信号と直流(DC)供給電力から、無線周波数(RF)出力を生成するには不十分であるため、能動素子を線形増幅器として作動させることは、高い効率性を要する電力増幅装置には理想的な解決策ではない。むしろ、能動素子をスイッチとして作動させるよう設計することが望ましい。というのも、動作のこのモードでは、その時間の大半で素子は飽和状態又は遮断状態であり、従って、素子を、損失が遙かに多い動作領域の外側に保持することで、比較的僅かな電力が消耗される。携帯通信装置(例えば、携帯電話)や高出力産業用発電機(例えば、プラズマドライバや放送送信装置)等の多数の応用において、電力消費量と損失量が低いことは重要であり、高効率のスイッチング増幅器は、それが実現する性能及びコスト優位性の故に、魅力的な解決策である。
図1は、従来のRF送信システム(1)用に設計された一般のスイッチング電力増幅器(6)の構成を簡略化したブロック図である。該システムは、ドライバ(4)と、スイッチ(5)及び負荷ネットワーク(7)を具えた電力増幅器(6)と、負荷(8)とから構成される。増幅すべき入力信号(2)は、ドライバ部(4)に入力され、増幅器中の能動素子(5)を制御する。能動素子は、ドライバによって適切に駆動されると、実質的にスイッチとして作動し、単一極、単投スイッチとして表される。能動素子は、dc電源(3)によって駆動され、負荷ネットワーク(7)の入力部に接続された出力部を有する。負荷ネットワーク(7)の出力部は、アンテナ等の負荷(8)に接続される。スイッチ(5)が、所望の出力周波数又は基本周波数f0にて周期的に稼動している場合、dcエネルギーは、このスイッチング周波数及びその調波のacエネルギーに変換される。負荷ネットワーク(7)は、1又は2以上のフィルタを用いて、スイッチング動作によって生じる電力損失(即ち、素子の効率)を制御し、負荷での調波(harmonic overtones)のレベルを減衰させ、及び/又はインピーダンス変換を与える。負荷ネットワークの設計によって、スイッチング増幅器(6)中の電圧及び電流の挙動が決まり、それによって増幅器を表す動作クラスが決定される。
しかしながら、高周波で高効率のスイッチング動作を実現することは、能動素子における限られたスイッチング時間と、パッケージに起因する寄生インピーダンスの故に、困難であった。それにも拘わらず、公知の種類の電力増幅器の中で、高い動作周波数にて電力効率の高い増幅を要する場合には、明らかに最適な公知の種類は、E及びF級の増幅器である。
E級増幅器
E級増幅器は、他の種類のスイッチング増幅器で発生するスイッチング電力損失、即ち容量性の放電に関連した損失の主な原因を実質上取り除くことにより、高周波数にて高い効率を達成する。殆どのあらゆるスイッチングモード電力増幅器において、キャパシタンスCsが、事実上、電源スイッチをシャントする。最小の場合、このキャパシタンスは、回路部品(トランジスタ)及び配線の固有の寄生キャパシタンスCoutである。回路設計者は、追加キャパシタンスを追加することを意図的に望むであろう。他の種類のスイッチング増幅器(E級増幅器は除く)において、このシャントキャパシタンスは、一般的に望ましくない。その理由は、スイッチ及びそのシャントキャパシタンスに亘る電圧がゼロでないときにスイッチが入ると、充電済のキャパシタンスに貯えられていたエネルギーは、熱となって失われるからである。エネルギーは、Cs2/2であって、Csは、スイッチをシャントする容量であり、Vは、スイッチが閉じられているときのスイッチに亘る(従ってキャパシタンスに亘る)電圧である。スイッチング周波数がf0である場合、電力損失はCs20/2となる。電力損失は、スイッチング周波数に直接的に比例する点に留意されたい。従って、高周波電力増幅器にとっては、この電力損失は深刻な不利益となり、しばしば電力損失構造の主要因となりうる。更に、スイッチがこのキャパシタを放電している間、スイッチは、キャパシタ電圧と放電電流の両方を同時に受ける。同時的な電圧及び電流が十分大きい場合、それらは、パワートランジスタの破壊的な損傷及び/又は性能低下を惹き起こす可能性がある。
これらの問題は、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)動作、即ちスイッチを入れるときは、スイッチに亘る電圧が実質的にゼロになることを要求すること、を確認することにより回避できる。この様なE級増幅器の特徴によって、この容量を負荷ネットワーク中に使用し、スイッチングデバイスの閉動作の直前にキャパシタ電圧がゼロとなるよう負荷ネットワークを設計することにより、性能を深刻に低下させることなく、このクラスを、スイッチングデバイスの出力キャパシタンスに直ちに適応させることができる。
スイッチを入れることに関する問題に加えて、電源スイッチを切る(開く)ことは、本質的に、スイッチを高電圧及び高電流(従って、更なる電力損失とデバイスへの無理)に同時に晒すことになる。幸い、ターンオン損失とは違って、この損失機構は、より速いデバイスを選ぶこと、或いは、デバイスのターンオフ時間を削減するためにデバイスの駆動レベルを十分増大させることにより、任意に小さくすることができる。ZCS(ゼロ電流スイッチング)動作、即ちトランジスタの電源が切れる直前にデバイスの電流はゼロとなり、ターンオフ損失が取り除かれる動作、を実現するスイッチング増幅器の設計は可能であるが、ZVS及びZCS状態を同時に実現することは不可能であると考えられている。ターンオフ損失は、他の手段で削減できるが、ターンオン損失は、スイッチング電圧及びキャパシタンスCsにのみ従属しており、それは能動素子の固有の特性のため、任意的に削減することはできない。それ故、ZVSスイッチングは、現代的な高速デバイスを使用した高効率動作には最適であると考えられている。回路部品の相対値(スイッチキャパシタンスCs、負荷抵抗RL及び負荷インダクタンスLLを含む)を適切に選ぶことにより、結果としてE級は、ZVSスイッチングを可能にし、非常に簡単な回路を使用してスイッチング損失を削減する。
従って、比較的簡単な回路トポロジーを用いて、(a)スイッチシャントキャパシタンスをネットワークの一部に組み込み、有害な影響を計算に入れて、それを最小にし、(b)スイッチターンオフ後の過渡応答により、スイッチが次に入る際、スイッチ電圧はゼロ(又は略ゼロ)に戻る共振負荷ネットワークを使用することによって、E級動作は、電力損失とデバイスへの無理を少なくする。一般的なE級増幅回路の概要は、図2の簡略図に示されている。電力増幅器(10)は、スイッチングデバイス(12)と負荷ネットワーク(20)を有している。DC電力は、チョーク(14)を介してデバイス(12)に供給される。ネットワークは、夫々LL(26)及びRL(28)で表されるRL負荷に直列接続された、簡単なフィルタ(24)を有している。E級のデバイスとして、フィルタは、基本周波数では短絡回路、全ての調波では開回路の機能を果たす。能動素子(12)の固有シャントキャパシタンスCout(例えば、3端子トランジスタの陽極と陰極の間)は、キャパシタCs(22)の一部又は全部としてネットワークに組み込まれ、該キャパシタは、設計者によって加えられた追加キャパシタンスを有している。従って、負荷ネットワークに向かうインピーダンスZinは、f0では、Zin=(RL+jω0L)||(1/jω0s)であり、これは、もし適切に設計されておれば、実質的には誘導性負荷(即ち、抵抗及びインダクタンスの両方からなる負荷)である。即ちZin=Reff+jω0effであり、全ての調波では、Zin=1/jωCsである。基本周波数での負荷のインダクタンスは、容量Cs及び有効負荷抵抗Reffと相対して適切な大きさの場合には、基本周波数での調波要素の位相補正を行ない、それによってZVS動作が達成される。
F及びF -1 級増幅器
F級は、スイッチング型増幅器の、もう一つの周知の級である。F級増幅器は、複数の共振器の負荷ネットワークを用いて、能動素子の出力電圧波形及び/又は電流波形の調波成分を制御することにより、効率を向上させる。F級回路を実現する際、能動素子は、主にスイッチとして作動し、負荷ネットワークは、一般に、基本周波数の偶数調波のときには短絡回路インピーダンス、基本周波数の奇数調波のときには開回路インピーダンスを生じるよう設計されている。
能動素子(トランジスタ)の出力電圧が、飽和状態(小さい抵抗)から遮断(大きい抵抗)電圧へ、急速に駆動される場合、F級増幅器の効果的な動作が実現する。動作に際して、能動素子と出力ネットワークの組合せによって、素子が飽和状態の際に半正弦波電流が生成される。N次調波までの全ての奇数調波でQ値が高い共振回路は、しばしば幾つかの並列LCフィルタを具えており、それらの周波数にて、高いインピーダンスを能動素子に与えることにより、出力電圧中に可能な奇数調波成分を作り出す。これらの奇数調波電圧の合計と、基本周波数出力電圧は、効果的に出力電圧波形を平らにする。この結果、より高い効率と、より高い出力が組み合わされる。加えて、共振回路がN次調波までの全ての偶数調波まで与えられるので、これらの周波数にて能動素子は短絡され、それによって電流波形は略半正弦となり、更には、出力に何らの減少もなく効率が増大する。Q値が高いフィルタ回路は、基本周波数に同調されて、負荷で調波を拒絶し、正弦波の出力信号を発する。この構造では、奇数調波で共振回路が示す高インピーダンスの短絡を回避するため、デバイスの固有寄生キャパシタンスを小さく保たねばならない。この問題は、前記キャパシタンスを負荷ネットワークと共振させることによって多少は小さくすることができるが、この技術は更にネットワークの複雑さを増す。加えて、能動素子が非常に激しく駆動されて急速に切り替わる場合は、F級の動作の利点を達成するためには、多数の調波が同調されねばならない。これらの制約の結果、F級は通常、動作の周波数に比してトランジスタ速度が相対的に遅い応用でのみ使用され、比較的小さい(即ち、低キャパシタンス)素子を用いているため、同調する必要のある調波はほんの少しとなり、キャパシタンスの効果は小さくなる。
従来のF級増幅器の変形として、調波でインピーダンスを反転させることがある。つまり、負荷ネットワークは、N次調波までの偶数調波毎に開回路インピーダンスをもたらし、N次調波までの奇数調波毎に短絡回路インピーダンスをもたらすように設計される。この様な増幅器は、逆F級又はF-1級増幅器と呼ばれ、その実施例の1つが図3に図式化されて示されている。具体的には、このF-1増幅器(40)は、スイッチングデバイス(42)と負荷ネットワーク(50)を有し、該負荷ネットワークは、スイッチの出力部と直列のフィルタ(46)、抵抗負荷(52)、及び該負荷(52)と並列の第2フィルタ(48)で構成されている。直列配置のフィルタ(46)は、偶数調波に対しては比較的開回路インピーダンスを呈し、他の全ての調波に対しては短絡回路インピーダンスを呈する。並列フィルタ(48)は、全ての奇数調波に対しては比較的短絡回路インピーダンスを呈し、その他の場合は、開回路インピーダンスを呈する。つまり、負荷ネットワークを覗くインピーダンスZinは、f0では、Zin=RL、全ての偶数調波では、Zin=∞(開放)、全ての奇数調波では、Zin=0(短絡)である。この増幅器のクラスは、F級の利点の多くを有し、更にはZVS動作に近い特性を有するが、この特質は、寄生デバイスキャパシタンスCoutが大きいと達成し難い。F-1級は長年、殆ど無視されてきたが、幾つかの最近の研究により、このクラスの動作は、最新の半導体デバイスを用いるF級と較べても遜色がないことが判明している。
E級とF級の電力増幅器の性能を比較した場合、F級増幅器を上回るE級増幅器の顕著な利点は、その回路トポロジーであり、これは、スイッチングデバイスの出力寄生キャパシタンスを回路の一部に組み入れるものである。従って、E級増幅器は、F級やF-1級の如きクラスの増幅器で発生するような寄生キャパシタの充放電による電力効率の損失はない。F級やF-1級の如きクラスの増幅器では、このキャパシタの影響を考慮することはなく、このキャパシタの影響を減ずるために精巧な共振回路を必要ともしない。加えて、前記の通り、E級構造は比較的簡単で、単に数個の部品(F級構造よりもフィルタが少なくとも1つ少ない)から構成されている。E級構造は、F級及びF-1級構造とは異なり、この簡単な回路を有する動作級から完全で確実な利点を受け取るが、F級及びF-1級による実施では、理想的なF級の性能に近づけるために、より多数の回路要素を組み込まねばならない。他方では、陽極(即ち、トランジスタドレイン又はコレクタ)電圧波形及び電流波形の形式によって、F級増幅器は、同じ供給条件で同じトランジスタを使用している場合には、E級増幅器よりも著しく高い電力を供給し、より高い効率を約束する。この利点を得るには、F級及びF-1級の回路は、かなり複雑で、E級デバイスよりも多くの部品を使うことになる。
従って、高周波数にて高い電力を非常に効率的に供給でき、E級及びF級増幅器の両方の最良の特徴を幾つか組み入れた電力増幅器が大いに望まれる。
本発明は、これらのニーズに対応するものであり、少なくとも1つの基本周波数を含む高周波入力信号を増幅するための高性能スイッチング電力増幅器に属しており、負荷を駆動するように作られている。該増幅器は、高速能動素子、及びハイブリッドE/F級負荷ネットワークを含んでいる。能動素子は、事実上スイッチとして動作するスイッチ要素、及び該スイッチ要素と並列に存在する寄生キャパシタンスCoutを含んでいる。ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、能動素子に接続されている。
ある実施例では、能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも一方に、実質的に存在する全ての調波周波数において、ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、各基本周波数にて実質上の誘導性負荷と、N次調波までの、各基本周波数に対する所定数NEの偶数調波にて実質上の開回路と、N次調波までの、各基本周波数に対する所定数NOの奇数調波にて実質上の短絡回路と、N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と、をスイッチ要素に与えるように構成されている。この実施例において、N≧3且つ1≦NE+NO≦N−2である。したがって、該増幅器は、E級増幅器とF級増幅器の両方の特性を具えている。より具体的な例を挙げると、NE=1ならば、NO>0である。
より具体的には、負荷ネットワークは、入力ポートと出力ポートとを有する2ポートフィルタネットワークを含んでおり、入力ポートは、寄生出力キャパシタンスCoutと並列に能動素子に接続されており、出力ポートは、負荷に接続されている。該負荷ネットワークは、f1からf2までの基本周波数範囲を有する入力信号の広帯域同調を行うようにも作られている。但し、f2<3f1、である。
本発明の他の幅広い実施例において、能動素子に接続されたハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、動作の基本周波数で実質的な誘導性負荷、基本周波数の所定数の偶数調波で、実質的な開回路、基本周波数の所定数の奇数調波で実質的な短絡回路、及び残りの調波で実質的な容量性インピーダンス負荷を、能動素子に与えるように構成されている。
本発明のさらに別の実施例において、ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに事実上存在する全ての調波周波数で、動作の各基本周波数で、能動素子の実質的にゼロ電圧スイッチング(ZVS)動作をもたらす実質上の誘導性負荷と、各基本周波数の所定数NEの偶数調波で、大きさが1/(2πfCS)より実質的に大きいインピーダンスと、各基本周波数の所定数NOの奇数調波で、大きさが1/(2πfCS)より実質的に小さいインピーダンスと、各基本周波数の残りの調波で、1/jωCSにほぼ等しいインピーダンスとを、スイッチ要素に与えるように構成されている。Cs=Cout+Cadded、但しCadded≧0であり、NE≧0、NO≧0である。同調される調波の総数、即ちNE+NOは、少なくとも1であり、且つ、能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質上存在する調波周波数の総数より少ない。該ネットワークは、実質的に開回路及び短路回路を提供するために動作する必要がないから、前述の例と同様に、該ネットワークは、かなりの程度簡単化される。
本発明のさらに別の実施例において、複数の能動素子の高効率スイッチング電力増幅器を開示しており、これら電力増幅器は、少なくとも1つの基本周波数を含む高周波入力信号を増幅し、負荷を駆動するように作られている。この場合、寄生出力キャパシタンスCout1を有しており、事実上スイッチとして動作するように作られた第1高速能動素子と、寄生出力キャパシタンスCout2を有しており、事実上スイッチとして動作するように作られた第2高速能動素子とが、ハイブリッド3ポートE/F級負荷ネットワークと共に供給される。該ネットワークは、第1能動素子に接続された第1ポートと、第2能動素子に接続された第2ポートと、負荷に接続された第3ポートとを有しているので、第1及び第2能動素子がプッシュプル式構成で駆動される場合、該ネットワークは、全ての調波周波数で、実質上の抵抗負荷と直列の実質上の誘導性負荷と、N次調波までの、各基本周波数に対する1又は2以上の偶数調波で実質上の開回路と、N次調波までの、各基本周波数に対する1又は2以上の奇数調波で実質上の短絡回路と、N次調波までの残りの調波で実質上の容量性インピーダンス負荷を与える有効な入力インピーダンスと、をスイッチ要素に示す。
このプッシュプル増幅器のより詳細な実施において、増幅器は、2つの能動素子の出力及び負荷に接続されている変圧器をさらに含んでおり、それによって、負荷は、変圧器を介して2つの能動素子の出力からdc絶縁される。
本発明の一側面の詳細な実施例では、準E/F3級高効率増幅器を開示しており、該高効率増幅器は、少なくとも1つの基本周波数を含む入力信号を増幅し、負荷を駆動するように作られている。この増幅器は、実質的にスイッチとして動作するスイッチ要素と、該スイッチ要素と並列に存在する寄生キャパシタンスCoutとを含む高速能動素子を含んでおり、基本周波数の2次調波で共振するLC並列タンク回路を含んでいる。該能動素子は、LC並列タンク回路を通じて、負荷へ直列接続されている。
能動素子でRF信号を増幅する方法も開示する。該方法は、実質的にスイッチとして動作するスイッチ要素と、該スイッチ要素と並列な寄生キャパシタンスCoutとを具える能動素子で、信号を増幅する工程と、増幅された信号を同調し、基本周波数で、スイッチ要素に実質上の誘導性負荷を与える工程と、増幅された信号を同調し、選択された偶数調波で、能動素子に実質上の開回路を与える工程と、増幅された信号を同調し、選択された奇数調波で、能動素子に実質上の短絡回路を与える工程と、増幅された信号を同調し、非選択調波について能動素子に実質上の容量性負荷を与える工程と、を含んでいる。
本発明の増幅器のハイブリッドE/F級負荷ネットワークに関し、幾つかの詳細な実施例を開示する。ある実施例において、該ネットワークは、能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに事実上存在する全ての調波周波数で、各基本周波数で実質上の誘導性負荷と、2次調波で実質上の開回路と、N≧3であるN次調波までの残りの調波で実質上の容量性インピーダンス負荷とを、スイッチ要素に与えるように構成されている。
別の実施例において、該ネットワークは、各基本周波数で実質的な誘導性負荷、3次調波で実質的な短絡回路、及びN≧3であるN次調波までの残りの調波で、実質的な容量性インピーダンス負荷を、スイッチ要素に与えるように構成されている。
第3の詳細な実施例において、ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、各基本周波数で実質上の誘導性負荷と、3次調波で実質上の短絡回路と、2次調波で実質上の開回路と、N≧4であるN次調波までの残りの調波で、実質的な容量性インピーダンス負荷とを、スイッチ要素に与えるように構成されている。
第4の詳細な実施例において、ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、各基本周波数で実質上の誘導性負荷と、4次調波で実質上の開回路と、N≧4であるN次調波までの残りの調波で、実質的な容量性インピーダンス負荷とを、スイッチ要素に与えるように構成されている。
第5の詳細な実施例において、ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、各基本周波数で実質上の誘導性負荷と、2次及び4次調波で実質上の開回路と、N≧4であるN次調波までの残りの調波で、実質上の容量性インピーダンス負荷とを、スイッチ要素に与えるように構成されている。
第6実施例において、ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、各基本周波数で実質上の誘導性負荷と、3次調波で実質上の短絡回路と、4次調波で実質上の開回路と、N≧4であるN次調波までの残りの調波で、実質上の容量性インピーダンス負荷とを、スイッチ要素に与えるように構成されている。
第7の詳細な実施例において、ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、各基本周波数で実質上の誘導性負荷と、3次調波で実質上の短絡回路と、2次及び4次調波で実質上の開回路と、N≧5であるN次調波までの残りの調波で、実質上の容量性インピーダンス負荷とを、スイッチ要素に与えるように構成されている。
第8の詳細な実施例において、ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、各基本周波数で実質上の誘導性負荷と、N≧5であるN次調波までの全ての奇数調波で実質上の短絡回路と、N≧5であるN次調波までの残り調波で、実質上の容量性インピーダンス負荷とを、スイッチ要素に与えるように構成されている。
9番目に開示する詳細な実施例において、ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、各基本周波数で実質的な誘導性負荷、N次調波までの全ての奇数調波で実質上の短絡回路と、N次調波までの、各基本周波数に対する所定数NEの偶数調波で実質的な開回路と、N次調波までの残りの調波で実質的な容量性インピーダンス負荷とを、スイッチ要素に与えるように構成されている。但し、N≧5且つ0<NE≦(N−2)/2である。
本発明の他の特徴及び利点は、発明の原理を例証として示している添付図面と併せて、下記の詳細な説明から明らかとなるであろう。
負荷に接続されたスイッチング電力−増幅器を組み入れている、従来のRF電力伝達装置を簡略化したブロック図である。 従来のE級電力増幅回路の概念ブロック図である。 従来のF-1級電力増幅回路の概念ブロック図である。 図4は、本発明の新規なE/F級電力増幅器の1つの回路トポロジーを示す概念ブロック図である。 図4Bは、調波同調を実現するために2つの共振器を使用している、新規なE/F3級増幅器の望ましい一実施例の概略図である。 図4Cは、調波同調を実現するために2つの共振器を使用している、新規なE/F2,3級増幅器の望ましい一実施例の概略図である。 図4Dは、調波同調を実現するために2重共振フィルタを使用している、新規なE/F2,3級増幅器の望ましい一実施例の概略図である。 プッシュプル式増幅器を使用している、本発明の新規なE/Fodd級増幅器の望ましい一実施例の概念図である。 図5に示したE/Fodd級プッシュプル式増幅回路に代わる設計の概念図であって、負荷は、変圧器を介して回路に結合されている。 図5に示した回路の改良形である、E/Fx,odd級プッシュプル式増幅器の概念図であって、偶数調波同調が含まれている。 図5に示したプッシュプル式増幅回路のさらに別の改良形であって、E/F2,odd級に対する級の増幅器の概念図であって、偶数調波同調が含まれている。 本発明に従って設計された、新規な準E/F級増幅器回路の概念図である。
本発明は、従来のE級及びF-1級増幅器が有する優れた特徴の幾つかを単一設計に組み入れることによって、それら増幅器の何れよりも高性能を実現することを可能にする。
概して、本発明は、E級増幅器の誘導性負荷位相補正技術を利用して、能動素子のかなりの出力キャパシタンスが存在する中でZVSスイッチング条件を実現し、それと同時に、F-1級増幅器の調波同調の利点の幾つかを具える。本発明は、F-1級増幅器(即ち、偶数調波に対しては開回路、奇数調波に対しては短絡回路)のように、調波の幾つかを同調することによって、能動素子の効率及び出力電力の改善を可能とする一方、残りの同調されていない調波が、E級増幅器の場合と同様に、容量性であることを可能にしている。同調されていない調波は容量性であるから、この同調方法により、素子のキャパシタンスは、E級の場合と同様に、容易に回路に組み込まれる。そして、同調回路は、開回路又は短絡回路に同調されるそれら調波についてのみ必要とされるから、回路は比較的簡単な侭とすることが出来る。E級増幅器と同様に、本発明の増幅器は、有限数の要素から成る簡単な回路を使用して100%効率に近づくが、F級及びF-1級の設計では、同調された調波の数が無限数に達したときに100%に近づくことができるにすぎない。さらに、本発明により、基本周波数を同調してZVS動作が可能になり、素子に誘導性負荷(即ちインダクタンスと抵抗の両方から成る負荷)が与えられる。ここで、インダクタンス及び抵抗は、同調されていない調波の容量効果をオフセットし、各サイクルにてスイッチが閉じる直前に電圧がゼロとなるように、キャパシタンスCSに対して適切に大きさが決められている。このインダクタンスは、適切な大きさのインダクタを負荷と直列に設置することによって実現できるが、シャントインダクタ又は伝送線路セグメントのような他の解決手法を使用することもできる。それ故に、それらは本発明の範囲内である。
そのような本発明の望ましい一実施例のトポロジーを、図4に示している。スイッチング電力増幅器(100)は能動素子を含んでいる。能動素子は、事実上スイッチとして動作するスイッチ要素(102)(以下、用語「スイッチ」は、事実上スイッチとして動作する能動素子の一部を意味するために、「スイッチ要素」と置き換え可能に使用される)と、スイッチ要素と並列に存在する寄生キャパシタンスCoutとを含んでいる。下記の本発明の実施例のすべてにおいて、与えられるインピーダンスは、能動素子のスイッチ要素に関しており、それ故に、素子の固有寄生キャパシタンスを含んでいる、と理解されるべきである。さらに、能動素子なる用語は、FET又はCMOSトランジスタのような任意の適した3端子能動素子を含む、もっとも広い意味で理解されるべきである。
該素子は、出力回路負荷ネットワーク(110)に接続されている。該ネットワークは、「負性キャパシタンス」フィルタ(107)と直列に存在する偶数調波フィルタ(108)を含んでいる。これらフィルタは、スイッチ(102)、及び(スイッチの固有キャパシタンスCoutに等しい、或いはCout+付加キャパシタンス(added capacitance)である)Csで示されるシャントキャパシタンス(106)と並列に存在する。さらに、該ネットワーク(110)は、スイッチと並列に存在している奇数調波フィルタ(111)と、スイッチの出力と直列に存在する基本周波数フィルタ(112)と、主抵抗負荷(116)に対して直列に存在する負荷及び付加インダクタンスLL(114)とを含んでいる。偶数調波フィルタ(108)は、選択された偶数調波にて実質的な短絡回路であり、それら以外では開回路になっている。したがって、これら調波において、これらの調波でインピーダンスが−1/jωCSである「負性キャパシタンス」フィルタ(107)は、インピーダンスが1/jωCSであるシャントキャパシタンスCs(106)と並列に存在するから、これらの2要素を合わせたインピーダンスは開回路にほぼ等しい。奇数調波フィルタ(111)は、選択された奇数調波で実質的な短絡回路であり、それら以外では開回路になっていて、これら調波で能動素子を短絡している。直列の基本周波数フィルタ(112)は、基本周波数でスイッチに対して短絡回路であり、それ例外では開回路となる。インダクタLL(114)で示される位相制御インダクタンスは、抵抗器RL(116)で示される抵抗負荷と直列に配置されている。
総合すれば、図4で見られるように、このネットワークは、基本周波数で実質的な誘導性負荷(Zin=(RL+jω0L)‖(1/jω0S)=Reff+jω0eff)を、任意の数の予め選択された偶数調波で実質的な開回路(Zin=∞)を、任意の数の予め選択された奇数調波で実質的な接地に短絡する回路(Zin=0)を、及び残りの調波で接地に対する容量性インピーダンス(Zin=1/jωCS)を示す。
この新規な技術及びトポロジーを使用する電力増幅器は、E/F級増幅器に分類されるであろう。このトポロジーは、一群の増幅器を含むので、特定の実施は、E/Fn1,n2,n3,etc.級として示される。ここで、様々な下付き文字は、増幅器の負荷ネットワークがF-1級インピーダンスを有している調波を示す数である。例えば、E/F2,3,5級は、基本波で誘導性負荷、2次調波で開回路、第3及び第5調波で短絡回路、及び残りの調波で容量性負荷を、能動素子に示す負荷ネットワークを具えた増幅器を表す。
この新規な級の増幅器の利点は多数あり、次のものを含む。(a)同様なE級増幅器と比較して、より高効率及び/又は高出力である。(b)同様なF級又はF-1級増幅器と比較して、回路の複雑性は低減され、効率及び/又は出力がそれと同等か又は上回っている。(c)同様なE級増幅器と比較して、DC電圧に対するピーク電圧が減衰する。(d)同様なE級増幅器と比較して、DC電流に対するピーク電流が減衰する。及び(e)F級又はF-1級増幅器とは異なり、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)を同時に実現しながら、スイッチの寄生キャパシタを回路に組み込むことが可能になる。
さらに、制御される偶数及び奇数調波の数は調整されてもよい。高次調波は、低次調波より、効率に及ぼす影響が小さい傾向にあること、そして限定された能動素子スイッチング速度が、高周波調波要素の生成を効果的に減少させることを理解すると、本発明のE/F級スイッチング電力増幅器は、出力回路に接続されたスイッチングデバイスを含み、該出力回路は、基本周波数で誘導性負荷を、N次調波に到るまでの選択された偶数調波で開回路を、N次調波までの選択された奇数調波で接地に短絡する回路を、及びN次調波までの残りの調波で容量性負荷を示す。N次調波を越えるときの出力回路のインピーダンスは、任意のインピーダンスである。但し、Nは3又はそれより大きい数である。
本発明の利点は、従来のE級及びF級(及び/又はF-1級)電力増幅器の性能特性に対して評価される、と理解されるべきである。性能は、一般的に、同調された調波が完全に短絡又は開放されたときが最良であるが、この条件は、通常、実際に実現することは出来ず、設計者は、インピーダンスの大きさを可能な限り減らし、又は増すことに夫々徹しなくてはならない。ゆえに、本発明は、概して、図4に関連して説明したもの以外のインピーダンスを示す負荷ネットワークを幅広く考慮している。したがって、例えば、図4のフィルタ(108)(111)(112)は、次のものを示すように設計されている。(a)選択された偶数調波で、E級増幅器によって示されるものより大きいインピーダンス(Zin>1/jωCS)(但し、無限である必要はない)、(b)選択された奇数調波でE級増幅器によって示されるものより小さいインピーダンス(Zin)(Zin<1/jωCS)、及び残りの調波でE級のような容量性インピーダンス(Zin≒1/jωCS)。さらに、基本周波数での誘導性負荷の抵抗及びインダクタンスは、ZVSスイッチング条件を実現するように選択されている。そのような増幅器は、「準E/F級」電力増幅器に分類される。当該分野の専門家であれば、これらの増幅器は、少ない要素及び低品質の要素を使用できるから、図4に示すような、同様な対応するE/F級増幅器より容易に設計及び実行できる、と理解すべきである。それらの増幅器は、能動素子の効率と出力以外の設計因子(例えば、利用可能な要素寸法、要素の低い品質係数など)が負荷ネットワークの要件に適合している時など、幾つかの応用については、「真の」E/F級増幅器より優れた性能をもたらすことさえできる。
具体的な実施形態
本発明の新規な回路トポロジーは、種々の回路に実施される。図4に示すような単一能動素子型の設計は、極めて簡単な方法でE/F設計を実施するために使用され得る。例えば、E/F3増幅器を構成するために、図4Bに示すような回路が利用される。該回路は、シャントキャパシタンスCS(106')と並列に存在する能動素子(102')を具えている。これら(106')(102')には、3次調波を短絡するために同調された直列LC共振器(111')が接続されており、さらに、基本周波数で共振するように同調された第2の直列LC共振器(112')を介して、誘導性負荷が接続されている。該誘導性負荷は、駆動される負荷RL(116')及び位相補正インダクタLL(114')から成る。チョーク(104')は、dc電源機構への接続を行う。したがって、該回路は、3次調波で短絡回路、基本波で誘導性負荷、及び残りの調波で容量性インピーダンスを与えることにより、E/F3条件を満たす。キャパシタンスCSは、設計者によって加えられる明示的な要素ではなくともよいが、能動素子の寄生的出力キャパシタンスの一部又は全体を成す、と理解されるべきである。勿論、この回路の多くの変形物は、例えば、基本周波数共振器(112')と位相補正インダクタLL(114')を組み合わせて1つの要素にし、それによって要素の総数を減らすことなどは、当該分野の専門家によって容易に考案されるものである。
図4Cは、単一能動素子型の設計に関する他の例を示しており、この場合はE/F2,3の実施形態である。この回路は、キャパシタンスCSに接続された能動素子(102'')及び3つの共振回路から成る。第1共振回路は、3次調波に同調された直列LCフィルタ(111'')であって、この周波数で能動素子を短絡できるようにしたものである。第2共振回路も、2次調波に同調された直列LC共振器(113'')であって、該共振器は、値が1/4ω0 2Sであるインダクタ(115)と直列に能動素子に接続されている。この回路は、2次調波の周波数でキャパシタンスCSと共振することによって、2次調波で開回路を能動素子に与える。第3回路は、基本周波数に同調された直列LC共振器(112'')であって、該共振器には、インダクタンスLL(114'')及び駆動される抵抗負荷RL(116'')から成る誘導性負荷に接続されている。チョーク(104'')は、dc電源への接続を行う。したがって、該回路は、2次調波で能動素子を開放すること、3次調波で能動素子を短絡すること、基本波で誘導性負荷を与えること、及び残りの調波で容量性インピーダンスを与えることによって、E/F2,3条件を満たす。また、キャパシタンスCSは、設計者によって加えられる明示的な要素ではないが、能動素子の寄生出力キャパシタンスの一部又は全体を成す、と理解されるべきである。
先の2つの実施例に示したような直接的な実施は、E/F級増幅器を実施する唯一の手段ではない。例えば、図4Dは、2次及び3次調波の両方の同調を実現するために、2重共振フィルタネットワーク(118)を使用した、E/F2,3のための別の実施例を示している。そのようなフィルタは、本図に示したように、2つのインダクタL1及びL2と、1つのキャパシタC1のみを使用して実行され得る。このネットワークはdc電流の通過も行うから、該ネットワークを能動素子とdc電圧供給源との間に設置することによって、チョークと置き換えることもできる。基本周波数フィルタ、シャントキャパシタンス及び負荷インダクタンスは、図4B及び4C中の等価要素と同様である。
さらに、非常に広範囲に及ぶE/Fの設計は、プッシュプル技術を利用して実現できる。プッシュプル増幅器の偶数及び奇数調波の対称性の違いにより、プッシュプル方法は、偶数及び奇数調波の選択的同調を大幅に簡単化する。図5に概念的に示している、そのような回路の一つにおいて、E/F級増幅器は、プッシュプル構成に接続された2つのスイッチングデバイス(122)(126)を含んでおり、これら各々は、シャントキャパシタ(124)(128)を夫々に有している。抵抗器(132)及びインダクタ(134)で表されている誘導性負荷(130)と、共振回路(140)とは両方とも、これらスイッチ間に接続されている。フィルタ(140)は、(a)全奇数調波に対して2つのスイッチを共に短絡し、(b)基本波で開回路として動作するものであり、(c)残りの調波では任意のインピーダンスを有するように機能する。DC電源を提供するために、1以上のチョーク(142)(144)が、両スイッチに直流を通せるように設置されてもよい。
図5に示した回路の設計、動作及び性能は、プッシュプル式構成に接続された2つのE/F級増幅器の原理に従っており、適当な調波同調を行うために、各々が互いに相手を支援する。スイッチは両方とも、典型的なプッシュプル様式にて、基本周波数で誘導性負荷(130)に接続されており、この周波数での各スイッチのインピーダンスを、誘導性負荷のインピーダンスの2分の1に等しくしている。奇数調波は、フィルタを介して、お互いに対して短絡されるがゆえに、各々は、プッシュプル増幅器の対称性による仮想接地に短絡される。これは容易に理解できる。なぜならば、プッシュプル増幅器の能動素子の奇数調波電圧は、位相が180°異なっていなければならないから、各々が他方に対して短絡される場合、両方ともゼロでなければならないからである。同様に、負荷及び共振器は、差動対称(differential symmetry)を考慮すると、偶数調波で回路から効果的に除去されて、これらの周波数で、各能動素子に、そのシャントキャパシタンスCSのみから成る容量性負荷が残される。これは、プッシュプル増幅器の偶数調波電圧が同位相であり、ゆえに、これら周波数で差動負荷を通る電流はゼロでなければならず、差動負荷は、これら調波について回路に何の作用も有していないからである。したがって、該回路は、全奇数調波で短絡する回路をスイッチに与え、全偶数調波で容量性負荷、及び基本波で誘導性負荷をスイッチに与えることによって、E/F級増幅器の条件を満たす。増幅器が、全奇数調波で接地に短絡する回路のF-1級のインピーダンスを与える負荷ネットワークを有していることを表すために、E/Foddという表示法を提案する。但し、oddの添字は、全奇数調波が短絡されることを意味する。
この回路トポロジーは、幾つかの利点を提供する。比較的少ない回路要素を使用するだけで、この増幅器は、より多くの要素を必要とするシングルエンドのE/F級増幅器と、同様な性能を有するように作られることができる。要素の数は、同調される奇数調波の階数(order)の数とは無関係である。従来のシングルエンドの実施(即ち、単一素子型スイッチング増幅器)であれば、調整される調波の総数に比例して、より多くの同調された要素を必要とする。
さらに、狭帯域の利用に際して、共振器は、簡単な並列接続LC共振器を使って作られる。幾つかの利点は、この簡単化された設計を利用して提供される。第1に、この場合、奇数調波の全てを短絡するために、1つの要素のみが同調される必要がある。シングルエンドの解決手法であれば、これは、短絡される調波数に比例して多くの要素を同調させることを要求するであろう。
第2に、LC並列共振回路の負荷時Q値は、比較的低くてよく、1程度の低さですらある(Qが非常に低い場合において3次調波はあまりよく短絡されず、この事例を準E/F級の設計にしてしまう)。これによって、無負荷時Qが非常に低いインダクタの使用が可能となり、Si(シリコン)基板から作られる集積回路ではどの典型的なインダクタも無負荷時Qが5程度で非常に低く、負荷時Q値が低いフィルタの使用が必要不可欠にされているが、このような集積回路などの用途にもこのトポロジーの使用が可能となる。E級又はF級を使用する従来方法は、負荷時Qが少なくとも3であるフィルタを必要とするのが一般的である。
第3に、負荷中の直列インダクタは、等価の並列インダクタに置換されて、LCタンクに組み込まれてよく、これにより、要素の数がさらに削減される。
図5に示す回路の変形例として、図6は、電力増幅回路(150)のさらに新規な回路トポロジーを示しており、該電力増幅回路(150)は、プッシュプル構造に繋がれた2つのスイッチングデバイス(152)(156)を有するE/F級増幅器である。各々のスイッチングデバイス(152)(156)は、シャントキャパシタ(154)(158)を夫々具えている。具体的には、スイッチ間には、変圧器(170)の1次側と共振回路(160)の両方が接続されている。該共振回路(160)は、全奇数調波で、2つのスイッチを共に短絡し、基本周波数では開回路を示し、残りの調波で任意のインピーダンスを有する。変圧器(172)の2次側に接続されているのは、RL負荷(162)である。DC電位を与えるために、チョーク(174)(又は、1より多くのチョーク)が、両方のスイッチに直流が流れることを可能とするように設置されている。負荷インダクタンス(164)及び共振回路(160)は、適当なインピーダンス変換の後、変圧器の何れかの側、即ち1次側回路(170)又は2次側回路(172)に接続されてよいから、当該技術の専門家であれば、この回路の幾つかの変形例が分かるであろう。さらに、負荷インダクタンスは、共振器インダクタンスに組み入れられ得る。必要に応じて、変圧器の寄生インダクタンスが、共振回路(170)内の要素として負荷インダクタンス(164)に使用されることにより、部品数が減少し、変圧器の寄生インダクタンスを設計に組み入れることが可能になる。
このような増幅器の設計、動作及び性能は、上記のE/Fodd級プッシュプル増幅器の原理に正確に従っている。この設計では、図5に示した設計において説明した総ての利点に加えて、次の利点がある。(a)出力負荷は、スイッチング回路及び電源からDC絶縁されている。(b)出力負荷は、不平衡モードで接続されていてもよい。及び(c)スイッチ出力インピーダンスを負荷インピーダンスに整合することを助けるために、変圧器巻線比(turn ratio)を用いてもよい。
さらに別の実施例では、本発明は、図5及び6に示した回路の各スイッチと並列な追加の同調回路を用いて、多数の偶数調波を選択的に開放できる。図7は、可能な実施方法と共に、これを実現するための回路(180)の概略図を示している。様々な偶数調波で適切な誘導性インピーダンスを呈する回路(210/212)及び(220/222)を、スイッチングデバイス(182)(186)の並列キャパシタンス(184)(188)と並列に夫々追加することによって、E/Fodd級増幅器のコンセプトは、任意の数の偶数調波の開放もできるように拡大され、可能性のある付加的な性能上の利益をもたらす。E/Fn1,n2,...,odd級という表現が、そのような増幅器のために提案される。但し数字の下付き文字は、開放される偶数調波を特定している。図5及び6に示した回路に関して説明した利益に加えて、この改良は、E/Fodd級を越える増大した効率をもたらす。
当該分野の専門家であれば、新しい級の増幅器として、本発明は、事実上無限数の具体的なE/F級ネットワークを包含する、と理解すべきである。しかしながら、実用的な設計を考慮して、本発明は、幾つかの低次調波同調ネットワークを特に説明する。具体的には、これらのネットワークは、次のものを含んでいる。(a)2次調波で実質的な開回路、(b)3次調波で実質的な短絡回路、(c)3次調波で実質的な短絡回路及び2次調波で実質的な開回路、(d)4次調波で実質的な開回路、(e)2次及び4次調波で実質的な開回路、(e)3次調波で実質的な短絡回路及び、4次調波で実質的な開回路、(f)3次調波で実質的な短絡回路及び、2次及び4次調波で実質的な開回路、(g)N次調波までの全奇数調波で実質的な短絡回路、但しNは5以上である、及び(h)N次調波までの全奇数調波で実質的な短絡回路、N次調波までの各基本周波数に対する所定数NEの偶数調波で実質的な開回路、N次調波までの残りの調波で実質的な容量性インピーダンス負荷、ここで、N≧5及び0<NE≦(N−2)/2である。したがって、その他の数の偶数及び/又は奇数調波を同調する多くの他のネットワーク及び関連する回路は、本発明の精神と範囲の範疇内であると理解される。
さらなる改良において、図5に示した増幅器の回路寸法及び損失は、DCフィードチョークを、供給電圧から夫々のスイッチングデバイスまでの2つのインダクタと置き換えることによって低減される。図8に示すように、各インダクタ(230)(232)が、2次調波でスイッチングデバイスの並列キャパシタCs(124')(128')と夫々に共振するように作られている場合、その結果、生じたE/F2,odd級増幅器は、低減されたスイッチ損失と、チョークの直列抵抗によって生じる減少された損失とにより利益を受ける。
本発明のさらに別の実施例において、広帯域のE/Fodd級スイッチング増幅器は、スイッチング周波数がf1からf2但しf2<3f1の範囲に亘って、スイッチに対してE/Fodd級インピーダンスを有するように作られることができる。この回路は、図5に示すように、夫々にシャントキャパシタを有しているプッシュプル構成に接続された2つのスイッチングデバイスを含んでいる。スイッチ間には、抵抗負荷と共振回路の両方が接続されており、該回路は、3f1に等しい或いはそれより大きい全ての周波数のために、2つのスイッチを共に短絡し、f1からf2までZVS要件に適合するために必要とされるインダクタンスを概算する。DC電位を与えるために、1以上のチョークが、両方のスイッチに直流を通せるように設置されてもよい。このように作られて、該回路は、図5に関連して説明したように、f1からf2までのスイッチング周波数範囲に亘って働く。
図9が示すのは、並列キャパシタ(302)を有するスイッチ又はトランジスタ(300)から成る、準E/F3級増幅器の新規な実施例である。それらは、チョーク(304)を介して電源に接続されている。スイッチ又はトランジスタは、2次調波でLC並列共振回路(306)を介して、負荷(310)に直列接続されている。該利用において必要ならば、負荷に対する高次調波干渉を回避するために、フィルタ回路が加えられてもよい。要素の値が適切に調整された後、このトポロジーは、基本周波数で誘電負荷、2次調波で容量性負荷、3次調波で低インピーダンス、及び高次調波で未調整の低いインピーダンスを、スイッチ又はトランジスタに与える。これは、準E/F級増幅器の要件に適合しており、幾つかの利点をもたらす。第1に、この変更が加えられた準E/F級増幅器の回路は、比較的少ない数の要素を使用して実施される。第2に、従来のZVSのF級増幅器と比べると、回路内には同調された要素が唯1つあるだけである。第3に、LC並列共振回路の負荷時Qは、非常に低く、1程度である。これによって、非常に低い無負荷時Qのインダクタの使用が可能となり、どの典型的なインダクタも約5という非常に低い無負荷時Qである、Si(シリコン)基板から作られる集積回路などの用途に、このトポロジーの使用を可能としている。E級又はF級を使用する従来方法では、負荷時Qが少なくとも3であるインダクタを必要とするのが一般的である。さらに、共振タンクは、E級増幅器に見られる典型的な直列LCではなく、並列LCなので、必要とされるインダクタンスは大幅に減少する。これは、インダクタの寸法が、増幅器の寸法と重量を減らす際の制限要素である場合に、魅力的である。
本発明のトポロジーのさらに別の変形例において、本発明のE/F級増幅器は、低出力レベルではA級、A/B級又はB級、高出力レベルではE/Fスイッチングモードといった、線形モードで動作するように同調される。出力及び動作モードは、入力及び/又はバイアス条件を変えることによって変更される。このような具合に、出力が駆動条件によって変調又は変更されることを可能する一方で、高出力でE/F級の高効率の利点を有する増幅器が作られる。
本発明の例示的な実施例を説明してきたが、当該分野の専門家であれば、さらなる改変、変更、及び改良を成し得ることは明白であろう。さらに、前述した回路及びデバイスは、能動スイッチングのスイッチング技術、材料のシステム又は、如何なる特定の速度、周波数範囲或いは動作の電力レベルにも限定されるものではないことが明らかであろう。それどころか、幅広い級の増幅器及び関連するトポロジーを説明してきた。回路と、要素の種類及び値との実際の実施は、当該分野の専門家には明らかであろう。それ故に、本発明は、下記の請求の範囲によってのみ規定される。

Claims (18)

  1. 少なくとも1つの基本周波数を有する高周波入力信号を増幅し、負荷を駆動するように構成された高効率スイッチング電力増幅器であって、
    (a)実質的にスイッチとして作動するスイッチ要素と、該スイッチ要素と並列の寄生キャパシタンスC out とを含む高速能動素子と、
    (b)能動素子に接続されたハイブリッドE/F級負荷ネットワークと、
    を具えており、
    能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、負荷ネットワークは、
    i)各基本周波数にて実質上の誘導性負荷と、
    (ii)N次調波までの、各基本周波数に対する所定数N の偶数調波にて実質上の開回路と、
    (iii)N次調波までの、各基本周波数に対する所定数N の奇数調波にて実質上の短絡回路と、
    (iv)N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と、
    をスイッチ要素に与えるように構成されており、
    但し、N≧3且つ1≦N +N ≦N−2、
    である、高効率スイッチング電力増幅器。
  2. =1の場合、N >0である、請求項1の増幅器。
  3. ハイブリッドE/F級負荷ネットワークは、入力ポートと出力ポートを有する2ポートフィルタネットワークを含んでおり、入力ポートは能動素子に接続され、出力ポートは負荷に接続されている、請求項1の増幅器。
  4. 少なくとも1つの基本周波数を有する高周波入力信号を増幅し、負荷を駆動するように構成された高効率スイッチング電力増幅器であって、
    (a)実質的にスイッチとして作動するスイッチ要素と、該スイッチ要素と並列の寄生キャパシタンスC out とを含む高速能動素子と、
    (b)能動素子に接続されたハイブリッドE/F級負荷ネットワークと、
    を具えており、
    能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、
    負荷ネットワークは、
    (i)動作の基本周波数にて実質上の誘導性負荷と、
    (ii)基本周波数の所定数の偶数調波にて実質上の開回路と、
    (iii)基本周波数の所定数の奇数調波にて実質上の短絡回路と、
    (iv)残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と、
    をスイッチ要素に与えるように構成されている、高効率スイッチング電力増幅器。
  5. 少なくとも1つの基本周波数f を有する高周波入力信号を増幅し、負荷を駆動するように構成された高効率スイッチング電力増幅器であって、
    (a)実質的にスイッチとして作動するスイッチ要素と、該スイッチ要素と並列の寄生キャパシタンスC out とを含む高速能動素子と、
    (b)能動素子に接続され、能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、
    (i)動作の各基本周波数にて、能動素子の実質的なゼロ電圧スイッチング(ZVS)動作をもたらす実質上の誘導性負荷と、
    (ii)各基本周波数の所定数N の偶数調波にて、大きさが1/(2πfC )よりも実質的に大きいインピーダンスと、
    (iii)各基本周波数の所定数N の奇数調波にて、大きさが1/(2πfC )よりも実質的に小さいインピーダンスと、
    (iv)各基本周波数の残りの調波にて、大きさが1/jωC と実質的に同じインピーダンスと、
    をスイッチ要素に与えるように構成されているハイブリッドE/F級負荷ネットワークと、
    を具えており、
    但し、Cs=C out +C added 、C added ≧0であり、
    ≧0、N ≧0であり、
    同調される調波の総数N +N は、少なくとも1つであり、能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する調波周波数の総数より少ない、高効率スイッチング電力増幅器。
  6. 少なくとも1つの基本周波数を有する高周波入力信号を増幅し、負荷を駆動するように構成された高効率スイッチング電力増幅器であって、
    (a)実質的にスイッチとして作動するスイッチ要素と、該スイッチ要素と並列の寄生キャパシタンスC out1 とを含む高速な第1能動素子と、
    (b)実質的にスイッチとして作動するスイッチ要素と、該スイッチ要素と並列の寄生キャパシタンスC out2 とを含む高速な第2能動素子と、
    (c)(i)第1能動素子に接続された第1ポートと、
    (ii)第2能動素子に接続された第2ポートと、
    (iii)負荷に接続された第3ポートと、
    を有するハイブリッド3ポートE/F級負荷ネットワークと、
    を具えており、第1及び第2能動素子がプッシュプル式構成で駆動される場合、該負荷ネットワークは、能動素子のスイッチ要素に対し、
    (i)全ての基本周波数にて、実質上の抵抗負荷と直列の実質上の誘導性負荷と、
    (ii)N次調波までの、各基本周波数に対する1又は2以上の偶数調波では実質上の開回路と、
    (iii)N次調波までの、各基本周波数に対する1又は2以上の奇数調波では実質上の短絡回路と、
    (iv)N次調波までの残りの調波では実質上の容量性インピーダンス負荷と、
    を与える有効な入力インピーダンスを示す、高効率スイッチング電力増幅器。
  7. 変圧器を更に含み、該変圧器は、2つの能動素子の出力部と負荷に接続され、該負荷は、変圧器を介して、2つの能動素子の出力部からdc絶縁するようにされた、請求項6の増幅器。
  8. 負荷ネットワークは、基本周波数がf からf の範囲であって、f ≧f≧f 、但しf <3f である入力信号の広帯域同調を与えるように構成されている、請求項1の増幅器。
  9. 能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、負荷ネットワークは、
    (i)各基本周波数にて実質上の誘導性負荷と、
    (ii)2次調波にて実質上の開回路と、
    (iii)N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と
    をスイッチ要素に与えるように構成されており、但し、N≧3である、請求項1の増幅器。
  10. 能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、負荷ネットワークは、
    i)各基本周波数にて実質上の誘導性負荷と、
    (ii)3次調波にて実質上の短絡回路と、
    iii)N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と、
    をスイッチ要素に与えるように構成されており、但し、N≧3である、請求項1の増幅器。
  11. 能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、負荷ネットワークは、
    (i)各基本周波数にて実質上の誘導性負荷と、
    (ii)3次調波にて実質上の短絡回路と
    (iii)2次調波にて実質上の開回路と、
    (iv)N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と、
    をスイッチ要素に与えるように構成されており、但し、N≧4である、請求項1の増幅器。
  12. 能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、負荷ネットワークは、
    (i)各基本周波数にて実質上の誘導性負荷と
    (ii)4次調波にて実質上の開回路と、
    (iii)N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と、
    をスイッチ要素に与えるように構成されており、但し、N≧4である、請求項1の増幅器。
  13. 能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、負荷ネットワークは、
    (i)各基本周波数ににて実質上の誘導性負荷と、
    (ii)2次及び4次調波にて実質上の開回路と、
    (iii)N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷を、をスイッチ要素に与えるように構成されており、但し、N≧4である、請求項1の増幅器。
  14. 能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、負荷ネットワークは、
    (i)各基本周波数にて実質上の誘導性負荷と、
    (ii)3次調波にて実質上の短絡回路と、
    (iii)4次調波にて実質上の開回路と、
    (iv)N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と、
    をスイッチ要素に与えるように構成されており、但し、N≧4である、請求項1の増幅器。
  15. 能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、負荷ネットワークは、
    (i)各基本周波数にて実質上の誘導性負荷と、
    (ii)3次調波にて実質上の短絡回路と、
    (iii)2次及び4次調波にて実質上の開回路と、
    (iv)N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と、
    をスイッチ要素に与えるように構成されており、但し、N≧5である、請求項1の増幅器。
  16. 能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、負荷ネットワークは、
    (i)各基本周波数にて実質上の誘導性負荷と、
    (ii)N次調波までの全ての奇数調波にて実質上の短絡回路と、
    (iii)N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と、
    をスイッチ要素に与えるように構成されており、但し、N≧5である、請求項1の増幅器。
  17. 能動素子の電圧波形及び電流波形の少なくとも1つに実質的に存在する全ての調波周波数において、負荷ネットワークは、
    (i)各基本周波数にて実質上の誘導性負荷と、
    (ii)N次調波までの全ての奇数調波にて実質上の短絡回路と、
    (iii)N次調波までの、各基本周波数に対する所定数N の偶数調波にて実質上の開回路と、
    (iv)N次調波までの残りの調波にて実質上の容量性インピーダンス負荷と、
    をスイッチ要素に与えるように構成されており、
    但し、N≧5及び0<N ≦(N−2)/2、
    である、請求項1の増幅器。
  18. 実質的にスイッチとして作動するスイッチ要素及び該スイッチ要素と並列の寄生キャパシタンスC out を有する高速能動素子により、RF信号を増幅する方法であって、
    高速能動素子によって信号を増幅する工程と、
    増幅された信号を同調し、基本周波数にて能動素子に実質上の誘導性負荷を与える工程と、
    増幅された信号を同調し、選択した偶数調波にて能動素子に実質上の開回路を与える工程と、
    増幅された信号を同調し、選択した奇数調波にて能動素子に実質上の短絡回路を与える工程と、
    非選択の調波について、能動素子に実質上の容量性負荷を与える工程と、
    を具えるRF信号を増幅する方法。
JP2010292272A 2000-10-10 2010-12-28 E/f級スイッチング電力増幅器 Expired - Lifetime JP5318083B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US23947300P 2000-10-10 2000-10-10
US60/239,473 2000-10-10

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002535249A Division JP5255744B2 (ja) 2000-10-10 2001-10-09 E/f級スイッチング電力増幅器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011101408A JP2011101408A (ja) 2011-05-19
JP2011101408A5 JP2011101408A5 (ja) 2012-04-26
JP5318083B2 true JP5318083B2 (ja) 2013-10-16

Family

ID=22902282

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002535249A Expired - Lifetime JP5255744B2 (ja) 2000-10-10 2001-10-09 E/f級スイッチング電力増幅器
JP2010292272A Expired - Lifetime JP5318083B2 (ja) 2000-10-10 2010-12-28 E/f級スイッチング電力増幅器

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002535249A Expired - Lifetime JP5255744B2 (ja) 2000-10-10 2001-10-09 E/f級スイッチング電力増幅器

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6724255B2 (ja)
EP (1) EP1344315B1 (ja)
JP (2) JP5255744B2 (ja)
KR (1) KR100852314B1 (ja)
CN (1) CN1295865C (ja)
AT (1) ATE390755T1 (ja)
AU (1) AU2002213122A1 (ja)
DE (1) DE60133409T2 (ja)
WO (1) WO2002031966A2 (ja)

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7180758B2 (en) * 1999-07-22 2007-02-20 Mks Instruments, Inc. Class E amplifier with inductive clamp
US6856199B2 (en) * 2000-10-10 2005-02-15 California Institute Of Technology Reconfigurable distributed active transformers
WO2002031967A2 (en) 2000-10-10 2002-04-18 California Institute Of Technology Distributed circular geometry power amplifier architecture
US6577199B2 (en) 2000-12-07 2003-06-10 Ericsson, Inc. Harmonic matching network for a saturated amplifier
EP1474864A2 (en) * 2002-02-01 2004-11-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Output circuit for a semiconductor amplifier element
TWI326967B (en) * 2002-03-11 2010-07-01 California Inst Of Techn Differential amplifier
DE10211609B4 (de) * 2002-03-12 2009-01-08 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren und Leistungsverstärker zur Erzeugung von sinusförmigen Hochfrequenzsignalen zum Betreiben einer Last
US6806767B2 (en) * 2002-07-09 2004-10-19 Anadigics, Inc. Power amplifier with load switching circuit
US7555057B2 (en) * 2003-01-17 2009-06-30 Texas Instruments Incorporated Predistortion calibration in a transceiver assembly
US6879209B2 (en) 2003-07-08 2005-04-12 Icefyre Semiconductor Corp. Switched-mode power amplifier using lumped element impedance inverter for parallel combining
GB0404121D0 (en) * 2004-02-25 2004-03-31 Univ Belfast Class E power amplifier circuit and associated transmitter circuits
JP4520204B2 (ja) * 2004-04-14 2010-08-04 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
US7660562B2 (en) * 2004-06-21 2010-02-09 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Combined matching and filter circuit
US7457380B2 (en) * 2004-06-28 2008-11-25 Broadcom Corporation Low noise circuit and applications thereof
WO2006016299A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated f-class amplifier with output parasitic capacitance compensation
US7355470B2 (en) 2006-04-24 2008-04-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning
US7327803B2 (en) 2004-10-22 2008-02-05 Parkervision, Inc. Systems and methods for vector power amplification
US7236053B2 (en) * 2004-12-31 2007-06-26 Cree, Inc. High efficiency switch-mode power amplifier
US7345539B2 (en) 2005-02-10 2008-03-18 Raytheon Company Broadband microwave amplifier
US7315212B2 (en) * 2005-04-13 2008-01-01 International Business Machines Corporation Circuits and methods for implementing transformer-coupled amplifiers at millimeter wave frequencies
US7265619B2 (en) * 2005-07-06 2007-09-04 Raytheon Company Two stage microwave Class E power amplifier
US7548112B2 (en) * 2005-07-21 2009-06-16 Cree, Inc. Switch mode power amplifier using MIS-HEMT with field plate extension
US8013675B2 (en) 2007-06-19 2011-09-06 Parkervision, Inc. Combiner-less multiple input single output (MISO) amplification with blended control
US7911272B2 (en) 2007-06-19 2011-03-22 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including blended control embodiments
US8334722B2 (en) 2007-06-28 2012-12-18 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation and amplification
US7411458B2 (en) 2006-02-01 2008-08-12 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling an output voltage in a power amplifier
JP2009536471A (ja) * 2006-02-10 2009-10-08 エヌエックスピー ビー ヴィ 電力増幅器
US7937106B2 (en) 2006-04-24 2011-05-03 ParkerVision, Inc, Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including architectural embodiments of same
US8031804B2 (en) 2006-04-24 2011-10-04 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF tower transmission, modulation, and amplification, including embodiments for compensating for waveform distortion
DE102006019887B4 (de) * 2006-04-28 2012-09-27 Infineon Technologies Ag Multifunktions-RF-Schaltung
JP4257346B2 (ja) * 2006-06-27 2009-04-22 株式会社東芝 電力増幅器
JP5085179B2 (ja) 2007-04-12 2012-11-28 株式会社東芝 F級増幅回路
WO2008144017A1 (en) 2007-05-18 2008-11-27 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
WO2009005430A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Improved amplifying device
US7710197B2 (en) * 2007-07-11 2010-05-04 Axiom Microdevices, Inc. Low offset envelope detector and method of use
US7489202B1 (en) 2007-08-20 2009-02-10 Freescale Semiconductor, Inc. RF amplifier with stacked transistors, transmitting device, and method therefor
JP2009081605A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Univ Of Electro-Communications 逆f級増幅回路
JP2009130472A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Univ Of Electro-Communications 逆f級増幅回路
US7760018B2 (en) * 2007-12-31 2010-07-20 Tialinx, Inc. High-efficiency switching power amplifiers with low harmonic distortion
US7560994B1 (en) * 2008-01-03 2009-07-14 Samsung Electro-Mechanics Company Systems and methods for cascode switching power amplifiers
US7746173B1 (en) * 2008-04-30 2010-06-29 Triquint Semiconductor, Inc. Power amplifier with output harmonic resonators
WO2009145887A1 (en) 2008-05-27 2009-12-03 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
US8674551B2 (en) * 2008-06-06 2014-03-18 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for contactless power transfer
CN104953965B (zh) * 2008-09-01 2018-07-24 艾利森电话股份有限公司 混合类放大器
US8054135B2 (en) * 2008-12-05 2011-11-08 General Electric Company Class-E amplifier and lighting ballast using the amplifier
KR101042311B1 (ko) * 2009-01-15 2011-06-17 금오공과대학교 산학협력단 가변 역 e-급 증폭기
US20120194070A1 (en) * 2009-09-09 2012-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Operating an electrodeless discharge lamp
US8772975B2 (en) * 2009-12-07 2014-07-08 Qualcomm Incorporated Apparatus and method for implementing a differential drive amplifier and a coil arrangement
US8289085B2 (en) * 2009-12-16 2012-10-16 Auriga Measurement Systems, LLC Amplifier circuit
US8344801B2 (en) * 2010-04-02 2013-01-01 Mks Instruments, Inc. Variable class characteristic amplifier
WO2012000129A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Multi-band power amplifier
KR101314145B1 (ko) 2010-09-02 2013-10-04 삼성전자주식회사 공진 전력 전송 시스템의 전력 변환기 및 공진 전력 전송 장치
WO2012040879A1 (en) * 2010-09-30 2012-04-05 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Multi-band switched-mode power amplifier
WO2012138795A1 (en) * 2011-04-04 2012-10-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Circuits for providing class-e power amplifiers
WO2012139126A1 (en) 2011-04-08 2012-10-11 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
WO2012167111A2 (en) 2011-06-02 2012-12-06 Parkervision, Inc. Antenna control
WO2013066466A2 (en) * 2011-08-12 2013-05-10 Bae Systems Integration And Electronic Systems Integration Inc. Low voltage high efficiency gallium arsenide power amplifier
US8736368B2 (en) * 2011-08-16 2014-05-27 Qualcomm Incorporated Class E amplifier overload detection and prevention
WO2013031865A1 (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 国立大学法人 電気通信大学 高効率電力増幅器
US8717102B2 (en) * 2011-09-27 2014-05-06 Infineon Technologies Ag RF device with compensatory resonator matching topology
JP5773364B2 (ja) * 2011-11-09 2015-09-02 国立大学法人 千葉大学 Em級増幅器
JP6156148B2 (ja) * 2011-11-17 2017-07-05 日本電気株式会社 逆f級増幅回路及び逆f級増幅回路の寄生回路補償方法
US8816769B2 (en) * 2012-07-31 2014-08-26 Intel Mobile Communications GmbH Differential stacked output stage for power amplifiers
GB201215152D0 (en) 2012-08-24 2012-10-10 Imp Innovations Ltd Maximising DC to load efficiency for inductive power transfer
GB201301208D0 (en) * 2012-12-31 2013-03-06 Continental Automotive Systems Turned power amplifier with loaded choke for inductively heated fuel injector
GB201303849D0 (en) * 2012-12-31 2013-04-17 Continental Automotive Systems Tuned power amplifier with multiple loaded chokes for inductively heated fuel injectors
CN103337964A (zh) * 2013-04-27 2013-10-02 南京航空航天大学 一种超高频隔离推挽谐振功率变换器
US9024691B2 (en) * 2013-05-17 2015-05-05 Georgia Tech Research Corporation Adaptive power amplifier and methods of making same
GB201321267D0 (en) 2013-12-02 2014-01-15 Imp Innovations Ltd Inductive power transfer system
CN106415435B (zh) 2013-09-17 2020-08-11 帕克维辛股份有限公司 用于呈现信息承载时间函数的方法、装置和系统
CN103684271A (zh) * 2013-11-22 2014-03-26 小米科技有限责任公司 提高射频功率放大器效率的装置和方法
US10063197B2 (en) 2014-03-05 2018-08-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Circuits for power-combined power amplifier arrays
US9503025B2 (en) 2014-07-11 2016-11-22 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier with termination circuit and resonant circuit
CN105471393B (zh) * 2014-09-12 2018-12-18 通用电气公司 以零电压开关及热平衡控制算法运作的开关放大器
US9614541B2 (en) 2014-10-01 2017-04-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Wireless-transmitter circuits including power digital-to-amplitude converters
US9685910B2 (en) 2014-10-03 2017-06-20 Short Circuit Technologies Llc Transformer based impedance matching network and related power amplifier, ADPLL and transmitter based thereon
US9882587B2 (en) 2015-03-31 2018-01-30 Skyworks Solutions, Inc. Multi-band power amplifier
CN104953966B (zh) * 2015-06-16 2018-05-18 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 一种e类功率放大器的补偿电路及其器件参数获取方法
CN105048971B (zh) * 2015-09-11 2019-03-08 上海无线电设备研究所 基于开关谐振结构的高效率Doherty功率放大器实现方法
US9929704B2 (en) * 2015-12-14 2018-03-27 Qualcomm Incorporated Class E2 amplifier
US10170940B2 (en) * 2016-05-04 2019-01-01 Imperial Innovations Limited Wireless power transfer system
US9673766B1 (en) * 2016-05-18 2017-06-06 Nxp Usa, Inc. Class F amplifiers using resonant circuits in an output matching network
JP2017208729A (ja) * 2016-05-19 2017-11-24 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
JP6787071B2 (ja) * 2016-11-21 2020-11-18 Tdk株式会社 電力変換装置
DE102017208917A1 (de) * 2017-05-26 2018-11-29 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Hochfrequenzverstärkeranordnung und Verfahren zur Auslegung einer Hochfrequenzverstärkeranordnung
JP6812911B2 (ja) * 2017-06-22 2021-01-13 Tdk株式会社 電力変換装置
US10381988B2 (en) * 2017-09-15 2019-08-13 Qualcomm Incorporated Methods and apparatuses for ruggedizing a power amplifier against breakdown using harmonic tuning
US10714985B2 (en) * 2017-10-11 2020-07-14 Spark Connected LLC Wireless power transfer system and method
EP3783788B1 (en) 2018-04-20 2023-05-10 Nissan Motor Co., Ltd. Method for controlling resonant power conversion device, and resonant power conversion device
EP3562036B1 (en) * 2018-04-26 2021-02-24 Nxp B.V. Power amplifier
CN108923755B (zh) * 2018-06-12 2022-01-28 合肥工业大学 一种带减压负载电路的小直流馈电电感e类功率放大器
US10784821B2 (en) 2018-12-19 2020-09-22 Nxp Usa, Inc. High power radio frequency amplifiers and methods of manufacture thereof
US10784822B2 (en) * 2018-12-19 2020-09-22 Nxp Usa, Inc. High power radio frequency amplifiers and methods of manufacture thereof
US11515123B2 (en) * 2018-12-21 2022-11-29 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus and system for modulated plasma systems
KR102501647B1 (ko) * 2019-01-10 2023-02-20 삼성전자 주식회사 출력단에서 발생하는 로컬 주파수 신호를 감소시키기 위한 믹서
US11469724B2 (en) * 2020-11-09 2022-10-11 Aira, Inc. Free-boost class-e amplifier
WO2022265728A2 (en) * 2021-04-25 2022-12-22 University Of Southern California Millimeter-wave class ef power amplifier with concurrent harmonic and subharmonic tuning
CN118157598A (zh) * 2024-03-29 2024-06-07 上海励兆科技有限公司 基于并联谐振单元的功放电路

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3430157A (en) 1966-11-10 1969-02-25 John W Wood High efficiency class c amplifier
US3919656A (en) 1973-04-23 1975-11-11 Nathan O Sokal High-efficiency tuned switching power amplifier
US4667305A (en) * 1982-06-30 1987-05-19 International Business Machines Corporation Circuits for accessing a variable width data bus with a variable width data field
US4607323A (en) 1984-04-17 1986-08-19 Sokal Nathan O Class E high-frequency high-efficiency dc/dc power converter
US4644532A (en) * 1985-06-10 1987-02-17 International Business Machines Corporation Automatic update of topology in a hybrid network
US4717884A (en) 1986-04-14 1988-01-05 Motorola, Inc. High efficiency RF power amplifier
JPH0682998B2 (ja) * 1986-07-30 1994-10-19 日本電信電話株式会社 電力増幅器
US4747100A (en) * 1986-08-11 1988-05-24 Allen-Bradley Company, Inc. Token passing network utilizing active node table
US4864563A (en) * 1989-01-09 1989-09-05 E-Systems, Inc. Method for establishing and maintaining a nodal network in a communication system
US5276912A (en) * 1990-02-06 1994-01-04 Motorola, Inc. Radio frequency power amplifier having variable output power
JPH0732335B2 (ja) * 1990-11-16 1995-04-10 日本電信電話株式会社 高周波増幅器
WO1993026140A1 (en) * 1992-06-05 1993-12-23 Diablo Research Corporation Electrodeless discharge lamp containing push-pull class e amplifier and bifilar coil
US5327337A (en) * 1992-09-01 1994-07-05 Broadcast Electronics, Inc. Resonant push-pull switching power amplifier
JP2831257B2 (ja) * 1994-01-26 1998-12-02 松下電工株式会社 E級プッシュプル電力増幅回路
JP2616464B2 (ja) * 1994-10-31 1997-06-04 日本電気株式会社 高効率電力増幅回路
JPH08148949A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Fujitsu Ltd 高周波増幅器
JP3145640B2 (ja) * 1996-08-16 2001-03-12 日本無線株式会社 スイッチング電力増幅器
DE19731691C1 (de) * 1997-07-23 1998-10-08 Siemens Ag Leistungs-Schaltverstärker
JPH1146122A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Japan Radio Co Ltd スイッチング電力増幅回路
US5969575A (en) * 1997-12-11 1999-10-19 Alcatel Class A/F amplifier having second and third order harmonic input and output filtering and self bias distortion correction
US6285251B1 (en) * 1998-04-02 2001-09-04 Ericsson Inc. Amplification systems and methods using fixed and modulated power supply voltages and buck-boost control
BR9909353A (pt) * 1998-04-02 2000-12-12 Ericsson Inc Amplificador de potência, processo e aparelho para amplificar um sinal de entrada de ca de amplitude variante e fase variante usando uma fonte de alimentação de cc, processos para amplificar um sinal de entrada de amplitude variante e fase variante a um nìvel de potência desejado, para gerar de um sinal de amplitude variante e fase variante, uma pluralidade de sinais de amplitude constante e fase variante, e para sintetizar de uma forma de onda de entrada, uma forma de onda de saìda em uma carga usando uma fonte de alimentação de cc, transmissor para produzir um sinal de saìda de amplitude variante em um nìvel de potência desejado e em uma frequência portadora desejada, de um sinal de entrada de amplitude variante e fase variante, sistema para gerar de um sinal de amplitude variante e fase variante, uma pluralidade de sinais de amplitude constante e fase variante, e, aparelho para sintetizar de uma forma de onda de entrada, uma forma de onda de saìda em uma carga usando uma fonte de alimentação de cc
JP3888785B2 (ja) * 1998-09-28 2007-03-07 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
US6232841B1 (en) * 1999-07-01 2001-05-15 Rockwell Science Center, Llc Integrated tunable high efficiency power amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040004398A (ko) 2004-01-13
US6724255B2 (en) 2004-04-20
JP5255744B2 (ja) 2013-08-07
DE60133409T2 (de) 2008-07-24
US20020101284A1 (en) 2002-08-01
JP2004520730A (ja) 2004-07-08
US20040113689A1 (en) 2004-06-17
JP2011101408A (ja) 2011-05-19
AU2002213122A1 (en) 2002-04-22
EP1344315A2 (en) 2003-09-17
KR100852314B1 (ko) 2008-08-18
EP1344315B1 (en) 2008-03-26
WO2002031966A2 (en) 2002-04-18
CN1295865C (zh) 2007-01-17
DE60133409D1 (de) 2008-05-08
WO2002031966A3 (en) 2002-08-08
ATE390755T1 (de) 2008-04-15
CN1479969A (zh) 2004-03-03
US6784732B2 (en) 2004-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5318083B2 (ja) E/f級スイッチング電力増幅器
JP2011101408A5 (ja)
JP5711354B2 (ja) クラス特性可変増幅器
US9306517B1 (en) Resonant pre-driver for switching amplifier
JP4808814B2 (ja) パワー変換のためのスイッチング式インバータ及びコンバータ
US7265618B1 (en) RF power amplifier having high power-added efficiency
US7046088B2 (en) Power amplifier
JP2012165435A (ja) 2段のマイクロ波のe級電力増幅器
EP2100374B1 (en) Current switched circuit for switch mode power amplifiers
CN100492923C (zh) 可补偿片上lc网络损耗的镜像抑制滤波装置
US8723601B2 (en) Amplifier
WO2009147379A1 (en) Switching power amplifier
Hajimiri et al. Class E/F switching power amplifiers
Kalim et al. Study on CMOS class-E power amplifiers for LTE applications
Mariappan et al. A 1.1-to-2.7 GHz CMOS Power Amplifier with Digitally-Reconfigurable-Impedance Matching-Network (DRIMN) for Wideband Performance optimization
KR20010043427A (ko) 구형파 펄스의 왜곡 및 노이즈를 감소시키는 방법, 왜곡이최소화된 펄스를 발생시키는 회로 및 상기 방법과 회로의사용법
CN118054759A (zh) 一种基于可重构结构的谐波抑制、高效双频放大电路
CN116599477A (zh) 一种宽带高效率ef类功率放大器新型阻抗空间的设计方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120918

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121217

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130611

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130709

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5318083

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250