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Die Erfindung betrifft eine Multifunktions-RF-Schaltung.
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Radarsysteme mit RF-Schaltungen (Radiofrequenz-Schaltungen) sind nicht nur in Bezug auf Automobilanwendungen von Bedeutung, sondern in zunehmendem Maße auch für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Ein typisches Einsatzgebiet stellt beispielsweise die Abstandssteuerung und Überwachung dar.
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Bekannte Radarimplementierungen, z. B. basierend auf dem FMCW(Frequency Modulated Continuous Wave)-Verfahren, weisen diskrete Komponenten auf, die ein Übersprechen zwischen Hochfrequenzsignalen innerhalb des Systems mit sich bringen. Darüber hinaus sind Montage und Test derartiger bekannter Radarsysteme aufwändig und generieren Kosten.
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US 2002/0101284 A1 beschreibt einen hocheffizient schaltenden Leistungsverstärker zum Verstärken eines Hochfrequenz-Eingangssignals mit wenigstens einer Grundfrequenz; dieser eignet sich zum Treiben einer Last. Der Verstärker enthält aktive Hochgeschwindigkeits-Bauelemente und ein Hybrid-Klasse-E/F-Lastnetzwerk. Das aktive Bauelement enthält eine Schaltungskomponente, die im Wesentlichen als Schalter wirkt, sowie eine parasitäre Kapazität parallel zur Schaltungskomponente.
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Ein Radarsystem mit RF-Schaltungen und verbessertem Integrationsgrad wäre sehr wünschenswert.
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Die Erfindung schlägt hierzu eine Multifunktions-RF-Schaltung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 vor. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
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Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft eine Multifunktions-RF-Schaltung mit einem ersten Verstärkerzweig mit einem ersten Eingang und einem ersten Ausgang, einem zweiten Verstärkerzweig mit einem zweiten Eingang und einem zweiten Ausgang, wenigstens einer ersten Induktivität, wenigstens einer zweiten Induktivität, wenigstens einem Kondensator und wenigstens einem Tiefpassfilter, wobei die wenigstens eine erste Induktivität, der wenigstens eine Kondensator und die wenigstens eine zweite Induktivität in dieser Reihenfolge zwischen dem ersten Ausgang und dem zweiten Ausgang verbunden sind, die wenigstens eine erste Induktivität und die wenigstens eine zweite Induktivität ein übereinstimmendes Layout haben, so dass die zweite Induktivität zur ersten Induktivität identisch ist und der Tiefpassfilter an den ersten Ausgang und an den zweiten Ausgang angeschlossen ist.
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Der wenigstens eine Kondensator ist vorzugsweise als Kondensator ausgelegt, der näherungsweise einen Kurzschluss, d. h. einen sehr geringen Widerstand, in Bezug auf einen Frequenzbereich eines von den Verstärkerzweigen zu verstärkenden ersten Signals aufweist, z. B. eines an ein Zielobjekt zu übermittelnden RF-Signals eines Radarsystems. Zudem sollte der wenigstens eine Kondensator ebenso einen sehr hohen Widerstand in Bezug auf eine Grenzfrequenz des Tiefpassfilters aufweisen, um nicht ein vom Tiefpassfilter weiterzuleitendes Signal vorab zu dämpfen. Somit sollte der AC(Wechselstrom)-Widerstand des wenigstens einen Kondensators größtmöglich in Bezug auf die Grenzfrequenz sein.
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Das von den ersten und zweiten Verstärkerzweigen zu verstärkende erste Signal kann beispielsweise von einem Voltage Controlled Oscillator (VCO, spannungsgesteuerter Oszillator) erzeugt werden. Das verstärkte erste Signal kann einer Antennenschaltung zugeführt werden, um als Transmissionssignal an ein Zielobjekt übermittelt zu werden und ebenso das Reflexionssignal vom Zielobjekt empfangen zu werden.
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Das Reflexionssignal wird mit dem verstärkten ersten Signal an den Ausgängen der Verstärkerzweige zur weiteren Verarbeitung überlagert.
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Der erste Verstärkerzweig und der zweite Verstärkerzweig können eine Verstärkerschaltung, z. B. einen differentiellen rauscharmen Verstärker (differential low noise amplifier, LNA) darstellen.
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Die Grenzfrequenz des Tiefpassfilters wird geeignet gewählt, um Hochfrequenzteile der an den ersten und zweiten Ausgängen überlagerten Signale von einem niederfrequenten Signalteil, der von weiteren Schaltungskomponenten zur Gewinnung von Information im Hinblick auf das vom Radarsystem detektierte Zielobjekt verarbeitet wird, zu trennen.
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Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform sind der erste Verstärkerzweig, der zweite Verstärkerzweig, die wenigstens eine erste Induktivität, die wenigstens eine zweite Induktivität, der wenigstens eine Kondensator und der Tiefpassfilter in einen einzelnen Halbleiterchip integriert. Als Material des Halbleiterchips kann beispielsweise Silizium dienen. Jedoch können weitere Materialien wie Ge, SiGe, oder Verbindungshalbleiter (z. B. GaAs) ebenso genutzt werden. Die Multifunktions-RF-Schaltung kann in einer CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)-Technologie realisiert sein. Jedoch können ebenso weitere für RF-Anwendungen geeignete Halbleitertechnologien verwendet werden.
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Vorteilhafterweise weist der wenigstens eine Kondensator eine Kapazität im Bereich von 1 pF bis 200 pF auf. Dadurch wird es möglich, die Verstärkungseigenschaften der Verstärkerzweige aufrechtzuerhalten und weiterhin einen Kurzschluss im Hinblick auf ein niederfrequentes Signal, das in nachfolgenden Auswertungsstufen verarbeitet werden soll, zu vermeiden.
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Bei einer weiteren Ausführungsform weist der Tiefpassfilter eine Grenzfrequenz im Bereich von 1 kHz bis 2 GHz auf. Somit lässt sich ein niederfrequentes Signal im Bereich von kHz bis MHz von höherfrequenten Signalen im Bereich von einigen bis einigen zehn GHz trennen, und damit kann eine vorteilhafte Signalverarbeitung im Radarsystem erzielt werden.
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Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform weist die Multifunktions-RF-Schaltung wenigstens ein erstes ESD-Element auf, das an einen Knoten zwischen der wenigstens einen ersten Induktivität und dem wenigstens einen Kondensator angeschlossen ist, und diese weist außerdem wenigstens ein zweites ESD-Element auf, das an einen Knoten zwischen dem wenigstens einen Kondensator und der wenigstens einen zweiten Induktivität angeschlossen ist, wobei das wenigstens eine erste ESD-Element einen übereinstimmenden Aufbau zum wenigstens einen zweiten ESD-Element hat. Somit sind die ESD-Elemente symmetrisch zwischen dem ersten Ausgang und dem zweiten Ausgang platziert. Jedes der ESD-Elemente kann eine Anode und eine Kathode aufweisen und aus wenigstens einem Element der Gruppe bestehend aus Diode, Transistor und Thyristor aufgebaut sein. Falls das ESD-Element einem Transistor entspricht, kann dieser ein Bipolartransistor sein, der während eines ESD-Ereignisses an seiner Basis angesteuert wird, wobei Kollektor und Emitter als Anode und Kathode (oder umgekehrt herum) wirken. Jedoch ist es ebenso möglich, einen Kurzschluss zwischen Basis und Emitter oder Kollektor bereitzustellen und so Anode und Kathode zu realisieren. Es ist weiterhin möglich, einen ggNMOS(Grounded Gate n-Kanal-MOS)-Transistor zu verwenden, dessen Source mit einer die Source umgebenden Wanne kurzgeschlossen ist und dessen Drain einen weiteren Anschluss des ESD-Elements bildet. Das wenigstens eine erste und das wenigstens eine zweite ESD-Element sind an den entsprechenden Knoten mit ihren Anoden angeschlossen. Jedoch ist es ebenso möglich, diese ESD-Elemente mit ihren Kathoden an den entsprechenden Knoten anzuschließen. Ob die Anode oder die Kathode mit dem entsprechenden Knoten verbunden wird, hängt von dem über die ESD-Elemente zu schützenden Schaltungspfad ab, z. B. den Chip-Pads, zwischen denen diese ESD-Elemente platziert sind.
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Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform weist die Multifunktions-RF-Schaltung einen Widerstand auf, der zwischen den ersten Eingang und den ersten Ausgang geschaltet ist, und diese weist außerdem einen weiteren Widerstand auf, der zwischen den zweiten Eingang und den zweiten Ausgang geschaltet ist. Diese beiden Widerstände sind identisch und stellen eine Rückkopplung zwischen Eingang und Ausgang der Verstärkerzweige bereit, um beispielsweise eine Eingangsimpedanz der Verstärkerzweige anzupassen. Darüber hinaus verbessern diese Widerstände ebenso die Linearität der Verstärkerschaltung.
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Eine weitere Ausführungsform der Erfindung gibt eine Multifunktions-RF-Schaltung an, bei der der erste Verstärkerzweig einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor aufweist, der zweite Transistor komplementär und in Serie zum ersten Transistor ausgebildet ist und der erste und der zweite Transistor gemeinsam ansteuerbar sind, wobei der erste Ausgang zwischen dem ersten und dem zweiten Transistor angeordnet ist und wobei der zweite Verstärkerzweig einen dritten Transistor und einen vierten Transistor aufweist, der vierte Transistor komplementär und in Serie zum dritten Transistor ausgebildet ist und der dritte und der vierte Transistor gemeinsam ansteuerbar sind und wobei der zweite Ausgang zwischen dem dritten und dem vierten Transistor angeordnet ist.
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In vorteilhafter Weise weist der erste Verstärkerzweig einen übereinstimmenden Aufbau zum zweiten Verstärkerzweig auf, und die ersten und zweiten Verstärkerzweige sind in übereinstimmender Weise zwischen eine hohe und eine niedrige Versorgungsspannung angeschlossen. Somit stimmt der erste Transistor mit dem dritten Transistor überein, und der zweite Transistor stimmt mit dem vierten Transistor überein.
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Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind der erste Transistor und der dritte Transistor als n-Kanal MOSFETs ausgebildet, und der zweite Transistor und der vierte Transistor sind als p-Kanal MOSFETs ausgebildet.
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Alternativ hierzu können der erste Transistor und der dritte Transistor als npn-Bipolartransistoren ausgebildet sein, und der zweite Transistor sowie der vierte Transistor können als pnp-Bipolartransistoren ausgebildet sein.
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Falls die ersten bis vierten Transistoren als MOSFETs ausgebildet sind, ist ein gemeinsamer Zugriff auf die ersten und zweiten Transistoren sowie auf die dritten und vierten Transistoren beispielsweise über einen gemeinsamen Anschluss von deren jeweiligen Gates möglich. Falls die ersten bis vierten Transistoren als Bipolartransistoren ausgebildet sind, kann ein gemeinsamer Zugriff auf den ersten und zweiten Transistor sowie auf den dritten und vierten Transistor beispielsweise durch Verbinden der Basen der entsprechenden Transistoren erfolgen.
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Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist der wenigstens eine Kondensator zwei übereinstimmende und in Serie geschaltete Kondensatoren auf, die Multifunktions-RF-Schaltung weist zudem einen zusätzlichen Kondensator auf, der an einen Knoten zwischen den beiden übereinstimmenden Kondensatoren angeschlossen ist. Der zusätzliche Kondensator ermöglicht eine Verbesserung der Common-Mode-Stabilität.
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In einer bevorzugten Ausführungsform weist der zusätzliche Kondensator eine Kapazität im Bereich von 1 pF bis 1000 pF auf.
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Bei einer weiteren Ausführungsform ist der Tiefpassfilter als LC-Tiefpassfilter ausgebildet.
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Die nachfolgenden begleitenden Abbildungen dienen der Erläuterung von Ausführungsformen der Erfindung und stellen gemeinsam mit der Figurenbeschreibung die Prinzipien der Erfindung dar. Die Elemente in den Figuren sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu zueinander dargestellt. Übereinstimmende Bezugskennzeichen in den verschiedenen Figuren kennzeichnen übereinstimmende oder ähnliche Teile.
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1 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung.
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2 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
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3 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung.
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4 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung.
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5 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung.
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6 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung.
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1 zeigt eine schematische Darstellung einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Die Multifunktions-RF-Schaltung als auch die in 2–6 gezeigten Ausführungsformen können beispielsweise einen Teil eines Radarsystems darstellen.
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In 1 weist die Multifunktions-RF-Schaltung einen ersten Verstärkerzweig 1 als auch einen zweiten Verstärkerzweig 2 auf. Beide Verstärkerzweige 1, 2 sind in übereinstimmender Weise zwischen einer hohen Versorgungsspannung 3 und einer niedrigen Versorgungsspannung 4 angeschlossen. Der erste Verstärkerzweig weist einen ersten Eingang 5 als auch einen ersten Ausgang 6 auf. Entsprechend weist der zweite Verstärkerzweig 2 einen zweiten Eingang 7 als auch einen zweiten Ausgang 8 auf.
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Zwischen dem ersten Ausgang 6 und dem zweiten Ausgang 8 sind in folgender Reihenfolge eine erste Induktivität 9, ein Kondensator 10 als auch eine zweite Induktivität 11 geschaltet, wobei die zweite Induktivität 11 identisch zur ersten Induktivität 9 ist, z. B. weisen beide Induktivitäten ein übereinstimmendes Layout auf. Parasitäre Widerstände der ersten und zweiten Induktivität 9, 11 werden mit dem Bezugskennzeichen 12, 13 gekennzeichnet. Ein erstes ESD-Element 14 ist zwischen die niedrige Versorgungsspannung 4 und einen Knoten zwischen der ersten Induktivität 9 und dem Kondensator 10 geschaltet. Ein zweites ESD-Element 15 ist zwischen die niedrige Versorgungsspannung 4 und einen Knoten zwischen der zweiten Induktivität 11 und dem Kondensator 10 geschaltet. Somit entspricht eine Impedanz zwischen dem zweiten Ausgang 8 und der niedrigen Versorgungsspannung 4 der Impedanz zwischen dem ersten Ausgang 6 und der niedrigen Versorgungsspannung 4. Falls ein ESD-Ereignis ein Entladestrom in den ersten Ausgang oder den zweiten Ausgang forciert, stellen das erste und das zweite ESD-Element 14, 15 einen Stromentladepfad zur niedrigen Versorgungsspannung 4 bereit, um weitere Schaltkreiskomponenten, die an die Ausgänge 6, 8 angeschlossen sind, z. B. die Verstärkerzweige, zu schützen.
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Eine Tiefpassfilterschaltung 16 ist an den ersten Ausgang 6 und an den zweiten Ausgang 8 angeschlossen. Weitere Schaltungen können mit dieser Multifunktions-RF-Schaltung verbunden sein, z. B. zum Aufbau eines Radarsystems. Beispielsweise können derartige weitere Schaltungen einen A/D-Konverter, der an den Tiefpassfilter 16 angeschlossen ist, sowie eine Antennenschaltung, die an die ersten und zweiten Ausgänge 6, 8 angeschlossen ist, umfassen. Darüber hinaus kann ein Voltage Controlled Oscillator mit den ersten und zweiten Eingängen 5, 7 zur Bereitstellung eines zu verstärkenden Signals verbunden sein.
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Der Kondensator 10 ist vorzugsweise derart dimensioniert, dass dieser näherungsweise einen AC-Kurzschluss, d. h. einen sehr niedrigen AC-Widerstand, bereitstellt, sofern ein erstes Signal durch die ersten und zweiten Verstärkerzweige 1, 2 verstärkt wird, um dadurch die Verstärkereigenschaften aufrechtzuerhalten. Darüber hinaus sollte der Kondensator 10 einen AC-Kurzschluss im Hinblick auf einen niedrigen Frequenzbereich eines an den ersten und zweiten Ausgängen 6, 8 auftretenden Signals vermeiden. Eine Grenzfrequenz des Tiefpassfilters 16 wird geeignet ausgewählt, um einen niederfrequenten Teil dieses Signals mit Informationsgehalt, z. B. in Bezug auf ein Zielobjekt, von höher frequenteren Frequenzkomponenten des Signals und weiteren an den Ausgängen 6, 8 überlagerten Signalen zu trennen.
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In 2 ist eine schematische Darstellung eines Aufbaus einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Diejenigen Schaltungskomponenten dieser zweiten Ausführungsform, die mit entsprechenden in 1 gezeigten Komponenten übereinstimmen, werden mit denselben Bezugszeichen gekennzeichnet, und auf eine erneute Beschreibung derselbigen wird verzichtet. Statt dessen wird auf die entsprechenden Beschreibungsteile der ersten Ausführungsform verwiesen. Jedoch unterscheidet sich die in 2 gezeigte zweite Ausführungsform von der in 1 gezeigten ersten Ausführungsform dadurch, dass ein drittes ESD-Element 17 zwischen die hohen Versorgungsspannung 3 und einen Knoten zwischen der Induktivität 9 und dem Kondensator 10 geschaltet ist. Darüber hinaus ist ein viertes ESD-Element 18 zwischen die hohe Versorgungsspannung 3 und einen Knoten zwischen der zweiten Induktivität 11 und dem Kondensator 10 geschaltet. Es gilt zu beachten, dass das dritte ESD-Element 17 einen übereinstimmenden Aufbau zum vierten ESD-Element 18 aufweist. Es ist jedoch nicht erforderlich, dass die ersten und zweiten ESD-Elemente 14 und 15 hinsichtlich ihres Aufbaus mit den dritten und vierten ESD-Elementen 17, 18 übereinstimmen, obgleich diese Elemente 14, 15, 17, 18 sich entsprechen können. Die zweite Ausführungsform stellt ein umfangreicheres ESD-Konzept im Vergleich zur in 1 gezeigten erstem Ausführungsform bereit, da zusätzliche Entladepfade über die dritten und vierten ESD-Elemente 17, 18 vorliegen, die im Falle einer ESD-Entladung zwischen den Pads der ersten und zweiten Ausgänge 6, 8 und der hohen Versorgungsspannung 3 wirksam werden.
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In 3 ist eine schematische Darstellung einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung gezeigt. Erneut werden Schaltungskomponenten dieser dritten Ausführungsform, die mit entsprechenden Komponenten der ersten Ausführungsform übereinstimmen, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, und auf eine erneute Wiederholung deren Beschreibung wird verzichtet. Stattdessen wird auf die entsprechenden Beschreibungsteile der ersten Ausführungsform verwiesen. Im Unterschied zur ersten Ausführungsform von 1 weist die dritte Ausführungsform eine Reihenschaltung aus zwei übereinstimmenden Kondensatoren 19, 19' auf, die zwischen die erste Induktivität 9 und die zweite Induktivität 11 geschaltet sind. Zwischen diesen beiden übereinstimmenden Kondensatoren 19, 19' befindet sich ein AC-Masseknoten 20. Dieser Knoten liegt symmetrisch zwischen den ersten und zweiten Ausgängen 6, 8 und erfährt keine Spannungsverschiebung in Bezug auf schwankende AC-Signale zwischen den ersten Eingängen 5, 6. Darüber hinaus ist ein weiterer Kondensator 21 zwischen den AC-Masseknoten 20 und die niedrige Versorgungsspannung 4 geschaltet. Der weitere Kondensator ermöglicht eine Verbesserung der Common-Mode-Stabilität, und seine Kapazität liegt vorzugsweise in einem Bereich von 1 pF bis 1000 pF.
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In 4 ist eine schematische Darstellung einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung gezeigt. Erneut werden Schaltungskomponenten der vierten Ausführungsform, die mit entsprechenden Komponenten der ersten oder dritten Ausführungsform übereinstimmen, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, und auf eine Beschreibung derselbigen wird verzichtet. Stattdessen wird auf die entsprechenden Beschreibungsteile der ersten und dritten Ausführungsformen (siehe ebenso 1, 3) verwiesen. Die vierte Ausführungsform unterscheidet sich von der in 3 gezeigten dritten Ausführungsform dadurch, dass ein drittes ESD-Element 17 zwischen der hohen Versorgungsspannung 3 und einem Knoten zwischen der Induktivität 9 und dem Kondensator 19 geschaltet ist. Darüber hinaus liegt ein viertes ESD-Element 18 zwischen der hohen Versorgungsspannung 3 und einem Knoten zwischen der zweiten Induktivität 11 und dem Kondensator 19'. Es gilt zu beachten, dass das dritte ESD-Element 17 einen zum vierten ESD-Element 18 übereinstimmenden Aufbau aufweist. Es ist jedoch nicht erforderlich, dass die ersten und zweiten ESD-Elemente 14 und 15 hinsichtlich ihres Aufbaus mit den dritten und vierten ESD-Elementen 17, 18 übereinstimmen müssen, obgleich diese Elemente 14, 15, 17, 18 identisch sein können. Die vierte Ausführungsform gibt ein im Vergleich zur in 1 gezeigten ersten Ausführungsform umfangreicheres ESD-Schutzkonzept an, zumal Entladepfade über die dritten und vierten ESD-Elemente 17, 18 bereitgestellt werden, falls eine ESD-Entladung zwischen Pads der ersten und zweiten Ausgänge 6, 8 und der hohen Versorgungsspannung 3 auftreten.
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In 5 ist eine schematische Darstellung einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung gezeigt.
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Die fünfte Ausführungsform entspricht prinzipiell der ersten Ausführungsform. Jedoch sind Schaltungsdetails in Bezug auf den ersten Verstärkerzweig 1, den zweiten Verstärkerzweig 2 als auch die Tiefpassfilterschaltung 16 angegeben.
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In diesem Zusammenhang weist der erste Verstärkerzweig 1 einen n-Kanal MOSFET als ersten Transistor 22 und einen p-Kanal MOSFET als zweiten Transistor 23 auf. Beide Transistoren 22, 23 sind in Reihe zwischen der hohen Versorgungsspannung 3 und der niedrigen Versorgungsspannung 4 geschaltet. Insbesondere ist eine Source des ersten Transistors 22 mit der niedrigen Versorgungsspannung 4 verbunden, ein Drain des ersten Transistors 22 ist mit dem Drain des zweiten Transistors 23 verbunden. Die Source des zweiten Transistors 23 ist an die hohe Versorgungsspannung 3 angeschlossen. Ein Gate des ersten Transistors 22 ist unmittelbar mit dem Gate des zweiten Transistors 23 verbunden. Somit sind beide Transistoren 22 und 23 über ihre Gates durch den ersten Eingang 5 ansteuerbar. Ein Widerstand 24 ist zwischen den ersten Eingang 5 und den ersten Ausgang 6 geschaltet, wobei der erste Ausgang 6 zwischen den ersten und zweiten Transistoren 22, 23 liegt. Es gilt zu beachten, dass eine Verbindung zwischen dem ersten Verstärkerzweig 1 und einer der Versorgungsspannungen 3, 4 weitere Schaltungskomponenten (nicht dargestellt) enthalten kann. Dies trifft ebenso auf die weiteren Ausführungsformen zu.
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Der zweite Verstärkerzweig 2 ist in übereinstimmender Weise zum ersten Verstärkerzweig 1 zwischen die hohe Versorgungsspannung 3 und die niedrige Versorgungsspannung 4 geschaltet. Der zweite Verstärkerzweig 2 weist einen n-Kanal MOSFET als dritten Transistor 25, einen p-Kanal MOSFET als vierten Transistor 26 sowie einen weiteren Widerstand 27 auf. Die Schaltungselemente 25, 26, 27 stimmen nicht nur mit den entsprechenden Schaltungselementen 22, 23, 24 überein, sondern sind ebenso in derselben Weise angeordnet.
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Der Tiefpassfilter 16 ist als LC-Tiefpassfilter ausgebildet und weist zwei übereinstimmende Induktivitäten 28, 28' als auch einen Filterkondensator 29 auf.
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Der erste Ausgang 6 entspricht einem Hochfrequenzknoten, der dem ersten Verstärkerzweig 1, d. h. dem ersten Transistor 22 und der Tiefpassfilterschaltung 16 gemein ist. Dasselbe trifft auf die Elemente 6, 2, 25, 16 zu. Folglich lässt sich ein unerwünschtes Übersprechen zwischen Hochfrequenzsignalen eines Verstärkers in einem Radarsystem vermeiden.
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In 6 ist eine schematische Darstellung einer Multifunktions-RF-Schaltung gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung gezeigt. Diejenigen Schaltungselemente dieser Ausführungsform, die denjenigen der fünften oder ersten Ausführungsform (siehe 5 und 1) entsprechen, werden mit denselben Bezugszeichen gekennzeichnet, und auf eine Beschreibung derselbigen wird verzichtet. Stattdessen wird auf die entsprechenden Beschreibungsteile der ersten und fünften Ausführungsform verwiesen. Im Unterschied zur in 5 gezeigten fünften Ausführungsform weist die sechste Ausführungsform eine Reihenschaltung von zwei identischen Kondensatoren 19, 19' auf, die zwischen die erste Induktivität 9 und die zweite Induktivität 11 geschaltet sind. Zwischen diesen beiden übereinstimmenden Kondensatoren 19, 19' liegt ein AC-Masseknoten 20. Dieser Knoten liegt symmetrisch zwischen den ersten und zweiten Ausgängen 6, 8 und erfährt keine Spannungsverschiebung im Hinblick auf schwankende AC-Signale zwischen den ersten und zweiten Eingängen 5, 6. Darüber hinaus ist ein weiterer Kondensator 21 zwischen den AC-Masseknoten 20 und die niedrige Versorgungsspannung 4 geschaltet. Der weitere Kondensator ermöglicht eine Verbesserung der Common-Mode-Stabilität, und seine Kapazität liegt vorzugsweise innerhalb eines Bereichs von 1 pF bis 1000 pF.