DE102015212090B9 - System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator - Google Patents

System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator Download PDF

Info

Publication number
DE102015212090B9
DE102015212090B9 DE102015212090.2A DE102015212090A DE102015212090B9 DE 102015212090 B9 DE102015212090 B9 DE 102015212090B9 DE 102015212090 A DE102015212090 A DE 102015212090A DE 102015212090 B9 DE102015212090 B9 DE 102015212090B9
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
oscillator
coupled
tank circuit
fet
bipolar transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102015212090.2A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102015212090B4 (de
DE102015212090A1 (de
Inventor
Andrea Bevilacqua
Marc Tiebout
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of DE102015212090A1 publication Critical patent/DE102015212090A1/de
Publication of DE102015212090B4 publication Critical patent/DE102015212090B4/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102015212090B9 publication Critical patent/DE102015212090B9/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1256—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a variable inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B1/00—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
    • H03B5/1215—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45278—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using BiFET transistors as the active amplifying circuit

Abstract

Oszillator, welcher Folgendes umfasst:eine Tankschaltung undeine Oszillatorkernschaltung, welche mehrere über Kreuz geschaltete Verbundtransistoren umfasst, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind, wobei jeder der mehreren Verbundtransistoren einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer Source-Elektrode, welche mit einer Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist, umfasst, wobei eine Drain-Elektrode des FETs mit einem Kollektor des Bipolartransistors gekoppelt ist.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft allgemein eine elektronische Vorrichtung und insbesondere ein System und ein Verfahren für einen Oszillator.
  • HINTERGRUND
  • Anwendungen im Millimeterwellen-Frequenzbereich haben in den letzten paar Jahren infolge der schnellen Fortentwicklung in Technologien kostengünstiger Halbleiter in der Art von Siliciumgermanium-(SiGe)-Prozessen und komplementären Metall-Oxid-Halbleiter-(CMOS - complementary metal-oxide semiconductor)-Prozessen mit feiner Geometrie erhebliches Interesse gewonnen. Die Verfügbarkeit schneller Bipolar- und Metall-Oxid-Halbleiter-(MOS)-Transistoren hat zu einem wachsenden Bedarf an integrierten Schaltungen für Millimeterwellenanwendungen bei 60 GHz, 77 GHz und 80 GHz und auch über 100 GHz hinaus geführt. Diese Anwendungen umfassen beispielsweise Automobilradarsysteme und Kommunikationssysteme mit mehreren Gigabits.
  • Bei einigen Radarsystemen wird der Abstand zwischen dem Radar und einem Ziel durch Senden eines frequenzmodulierten Signals, Empfangen einer Reflexion des frequenzmodulierten Signals und Bestimmen des Abstands auf der Grundlage der zeitlichen Verzögerung und/oder der Frequenzdifferenz zwischen dem Senden und dem Empfang des frequenzmodulierten Signals bestimmt. Die Auflösung, Genauigkeit und Empfindlichkeit des Radarsystems können teilweise vom Phasenrauschverhalten und von der Frequenzagilität der Frequenzerzeugungsschaltung des Radars abhängen, welche im Allgemeinen einen HF-Oszillator und Schaltungen, welche die Frequenz des HF-Oszillators steuern, aufweist. Einer der Faktoren, der das Phasenrauschverhalten beeinflusst, ist die Amplitude des durch den HF-Oszillator erzeugten Oszillationssignals. Allerdings kann bei vielen HF-Oszillatoren die Sättigung aktiver Vorrichtungen, die für das Erzeugen der Oszillationen verwendet werden, die Amplitude des Oszillationssignals beschränken.
  • Die US 2003 / 0 112 069 A1 bezieht sich auf einen exponentiellen Transkonduktanzverstärker.
  • Die US 2006 / 0 238 266 A1 bezieht sich auf einen spannungsgesteuerten Oszillator unter Verwendung einer kapazitiven Degeneration.
  • KURZFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Oszillator eine Tankschaltung und eine Oszillatorkernschaltung mit mehreren über Kreuz geschalteten Verbundtransistoren, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind. Jeder der mehreren Verbundtransistoren umfasst einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET - field effect transistor) mit einer Source-Elektrode, die mit der Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist.
  • Figurenliste
  • Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfindung und ihrer Vorteile wird nun auf die folgenden Beschreibungen in Zusammenhang mit der anliegenden Zeichnung Bezug genommen. Es zeigen:
    • 1 einen herkömmlichen Oszillator,
    • 2 eine Ausführungsform eines Oszillators,
    • 3 einen Oszillator gemäß einer weiteren Ausführungsform,
    • die 4a-b Oszillatoren gemäß weiteren Ausführungsformen,
    • 5 ein Radarsystem unter Verwendung einer Ausführungsform eines Oszillators,
    • 6 ein Flussdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens und
    • 7 eine als Beispiel dienende Stromquelle, die verwendet werden kann, um eine Stromquelle in Ausführungsformen von Oszillatoren zu implementieren.
  • Entsprechende Zahlen und Symbole in den verschiedenen Figuren beziehen sich im Allgemeinen auf entsprechende Teile, sofern nichts anderes angegeben ist. Die Figuren sind gezeichnet, um die relevanten Aspekte der Ausführungsformen klar zu veranschaulichen, und sie sind nicht notwendigerweise maßstabsgerecht gezeichnet. Um bestimmte Ausführungsformen klarer zu erläutern, kann ein Buchstabe, der Variationen der gleichen Struktur, des gleichen Materials oder des gleichen Prozessschritts angibt, einer Figurnummer folgen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die Herstellung und Verwendung der gegenwärtig bevorzugten Ausführungsformen werden nachstehend detailliert erörtert. Es ist jedoch zu verstehen, dass die vorliegende Erfindung viele anwendbare Erfindungskonzepte vorsieht, die in einer breiten Vielfalt spezifischer Zusammenhänge verwirklicht werden können. Die spezifischen erörterten Ausführungsformen dienen lediglich der Erläuterung spezifischer Wege zur Herstellung und Verwendung der Erfindung und schränken den Schutzumfang der Erfindung nicht ein.
  • Die vorliegende Erfindung wird mit Bezug auf bevorzugte Ausführungsformen in einem spezifischen Zusammenhang, einem System und einem Verfahren für einen Oszillator in der Art eines spannungsgesteuerten Oszillators (VCO - voltage-controlled oscillator), beschrieben. Die Erfindung kann auch auf Systeme und Anwendungen angewendet werden, die HF-Oszillatoren verwenden, wie allgemeine Radarsysteme und Drahtloskommunikationssysteme.
  • Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung verwendet ein Oszillator mit einem geringen Phasenrauschen einen Oszillatorkern, der unter Verwendung einer Verbundvorrichtung implementiert ist, welche einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) in der Art eines Metall-Oxid-Halbleiter-FETs aufweist. Die Source-Elektrode des FETs ist mit der Basiselektrode des Bipolartransistors in der Verbundvorrichtung gekoppelt, um dabei zu helfen, dass verhindert wird, dass der Bipolartransistor in Sättigung geht.
  • Allgemein kann das Phasenrauschen eines HF-Oszillators als Funktion des Frequenzversatzes Δω heuristisch unter Verwendung der Leeson-Gleichung beschrieben werden: L ( Δ ω ) = F k T 2 P s i g [ 1 + ( ω c 2 Q Δ ω ) 2 ] ,
    Figure DE102015212090B9_0001
    wobei F der Rauschfaktor der aktiven Vorrichtungen innerhalb der Oszillatorschaltung ist, k die Boltzman-Konstante ist, T die Temperatur in Grad Kelvin ist, Psig die Signalleistung im Tank oder Resonator des Oszillators ist, ωc die Eckfrequenz für Funkelrauschen ist, Q der Qualitätsfaktor des Tanks oder Resonators des Oszillators ist und Δω den Frequenzversatz repräsentiert. Anhand der Leeson-Gleichung ist ersichtlich, dass das Phasenrauschen umgekehrt proportional zur Signalleistung Psig ist. Demgemäß kann das Phasenrauschen eines Oszillators bei den meisten Ausführungsformen verringert werden, wenn die Oszillationsamplitude erhöht wird.
  • 1 zeigt einen herkömmlichen VCO 100, welcher Bipolartransistoren Qa und Qb und eine Tankschaltung, die unter Verwendung von Induktoren La und Lb und Kondensatoren Cla und C2b implementiert ist, aufweist. Während des Betriebs synthetisieren die Transistoren Qa und Qb einen negativen Widerstand, der parasitären Widerständen im Tank entgegenwirkt und dem Tank Leistung bereitstellt, um Oszillationen aufrechtzuerhalten. Die Kondensatoren C2a und C2b werden verwendet, um die Basen der Transistoren Qa und Qb vorzuspannen. Wenn der Vorstrom erhöht wird, gehen die Transistoren Qa und Qb jedoch in Sättigung und begrenzen die Oszillationsamplitude.
  • Die Oszillationsfrequenz des VCOs 100 ist in etwa: f O S C = 1 2 π L C ,
    Figure DE102015212090B9_0002
    wobei L die Summe der Induktivitäten La und Lb ist und C die Kapazität der in Reihe geschalteten Kondensatoren Cta und Ctb ist.
  • 2 zeigt einen Oszillator 200 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Hier sind die Source-Elektroden der NMOS-Transistoren (NMOS = n-channel metal-oxide semiconductor, n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) Ma und Mb mit den Basen der Transistoren Qa bzw. Qb gekoppelt. Gemäß der dargestellten Ausführungsform sind die Source-Elektroden der NMOS-Transistoren Ma und Mb direkt mit den Basen der Bipolartransistoren Qa bzw. Qb verbunden. Gemäß alternativen Ausführungsformen können jedoch auch andere Elemente zwischen die Source-Elektroden der NMOS-Transistoren Ma und Mb und die Basen der Bipolartransistoren Qa und Qb geschaltet werden. Weil die NMOS-Transistoren Ma und Mb dabei helfen, zu verhindern, dass die Transistoren Qa und Qb in Sättigung gehen, kann eine höhere Oszillationsamplitude unterstützt werden. Zusätzlich hilft die Tatsache, dass MOS-Transistoren bei höheren Drain-Strömen eine höhere Gate-Source-Spannung haben, auch dabei, höhere Oszillationsamplituden und ein geringeres Phasenrauschen zu unterstützen.
  • Wie gezeigt, bilden der Bipolartransistor Qa und der NMOS-Transistor Ma eine Verbundvorrichtung und bilden der Bipolartransistor Qb und der NMOS-Transistor Mb eine andere Verbundvorrichtung, die über Kreuz miteinander geschaltet sind. Ferner ist die Drain-Elektrode des NMOS-Transistors Ma mit dem Kollektor des Bipolartransistors Qa gekoppelt und ist die Drain-Elektrode des NMOS-Transistors Mb mit der Drain-Elektrode des Bipolartransistors Qb gekoppelt. Gemäß einigen Ausführungsformen können abgesehen von npn-Bipolartransistoren andere Transistortypen verwendet werden, um die Bipolartransistoren Qa und Qb zu implementieren, und können abgesehen von NMOS-Transistoren andere Transistortypen verwendet werden, um die FET Ma und Mb zu implementieren. Beispielsweise können die Transistoren Qa und Qb gemäß einigen Ausführungsformen unter Verwendung von pnp-Bipolartransistoren implementiert werden und können die Transistoren Ma und Mb unter Verwendung von PMOS-Transistoren implementiert werden. Gemäß weiteren alternativen Ausführungsformen können die Bulk-Knoten von Ma und Mb mit ihren jeweiligen Source-Knoten statt mit dem Substrat (NMOS) oder mit einem Leistungsversorgungsknoten VCC (PMOS - p-channel metal-oxide semiconductor, p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter)) gekoppelt sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform können die Induktoren La und Lb unter Verwendung verschiedener Typen von Induktoren in der Art diskreter Induktoren, auf dem Chip vorhandener Induktoren, auf dem Chip vorhandener Transformatoren und Übertragungsleitungselementen implementiert sein. Auf dem Chip vorhandene Induktoren können beispielsweise in einer oder mehreren Metallschichten einer integrierten Schaltung hergestellte Spiralinduktoren einschließen. Die einstellbaren Kondensatoren Cta und Ctb können beispielsweise unter Verwendung schaltbarer Kondensatornetze, Varaktordioden und/oder anderer einstellbarer Kondensatorschaltungen und Systeme, die auf dem Fachgebiet bekannt sind, implementiert werden. Gemäß einigen Ausführungsformen kann der Oszillator 200 als ein VCO implementiert werden, beispielsweise durch Implementieren der Kondensatoren Cta und Ctb mit einstellbarer Kapazität als Varaktordioden oder MOS-Varaktoren mit einer durch eine Spannung steuerbaren Kapazität. Alternativ können andere Strukturen oder Komponenten mit einer einstellbaren Kapazität verwendet werden, um die Kondensatoren Cta und Ctb zu implementieren.
  • Gemäß einer Ausführungsform wird die Ausgabe des Oszillators 200 an den Knoten Aus und Ausm, die mit der Tankschaltung des Oszillators 200 gekoppelt sind, differenziell abgegriffen. Gemäß einigen Ausführungsformen können diese Knoten unter Verwendung einer auf dem Fachgebiet bekannten Hochfrequenzpufferschaltung gepuffert werden. Alternativ kann eine verdoppelte Frequenz in einer unsymmetrischen Weise an den Emittern der Bipolartransistoren Qa und Qb entnommen werden.
  • 3 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Oszillators 300, wobei die NMOS-Transistoren Ma und Mb als Source-Folger betrieben werden. Hier sind die Drain-Elektroden der NMOS-Transistoren Ma und Mb mit dem Leistungsversorgungsknoten VCC statt mit den jeweiligen Kollektoren der Bipolartransistoren Qa und Qb, wie in 2 gezeigt, verbunden. Die Source-Folger-Konfiguration hilft auch dabei, höhere Oszillationsamplituden und ein geringeres Phasenrauschen zu unterstützen.
  • 4a zeigt eine Ausführungsform eines VCOs 400, wobei die einstellbaren Kapazitäten unter Verwendung von Varaktoren 402 und 404 implementiert sind, die als Dioden mit einer Kapazität, die umgekehrt proportional zur an ihre Klemmen angelegten Spannung ist, implementiert sein können. Diese Verringerung der angelegten Spannung kann auf die Erhöhung der Breite des Verarmungsgebiets der in Sperrrichtung vorgespannten Diode zurückzuführen sein, wodurch eine entsprechende Verringerung ihrer Kapazität hervorgerufen wird. Gemäß einer Ausführungsform wird die Kapazität der Varaktoren 402 und 404 durch Einstellen der Spannung Vabstimmung eingestellt. Bei einem Beispiel nimmt die Kapazität der Varaktoren 402 und 404 ab, wenn die Spannung Vabstimmung zunimmt. Wie ferner in 4a dargestellt ist, ist der Widerstand RE mit den Emittern der Bipolartransistoren Qa und Qb gekoppelt, die verwendet werden, um die in 2 dargestellte Stromquelle IE zu implementieren.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen können die Induktoren La und Lb variable oder einstellbare Induktanzen aufweisen und verwendet werden, um die Frequenz der Tankschaltung an Stelle der Varaktoren 402 und 404 oder zusätzlich dazu abzustimmen. Gemäß einigen Ausführungsformen können die Induktoren La und Lb durch die Verwendung von Schaltern, die mit induktiven Elementen gekoppelt sind, wodurch die induktiven Elemente in die Schaltung geschaltet oder aus dieser herausgeschaltet werden, und/oder durch die Verwendung anderer auf dem Fachgebiet bekannter einstellbarer Induktorstrukturen einstellbar gemacht werden. Beispielsweise kann die Induktanz der Induktoren La und Lb durch einen differenziellen spannungsgesteuerten Induktor einstellbar sein, der in M. Tiebout, „A CMOS fully integrated 1 GHz and 2 GHz dual band VCO with voltage controlled inductor" in Proc. European Solid-State Circuits Conf. (ESSCIRC), 2002, S. 799 - 802 beschrieben ist, welche hier durch Verweis in ihrer Gesamtheit aufgenommen wurde. Gemäß einer anderen Ausführungsform kann der Tank beispielsweise unter Verwendung einer varaktorlosen Struktur abgestimmt werden, die in Kwok, J. R. Long und J. J. Pekarik, „A 23-to-29 GHz differentially tuned varactorless VCO in 0.13µm CMOS" in IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Tech. Dig., Feb. 11 - 15, 2007, S. 194 - 596 offenbart ist, welche hier durch Verweis in ihrer Gesamtheit aufgenommen wurde. Es sei bemerkt, dass variable Induktanzen, variable Kapazitäten und/oder alternative Tankabstimmungstechniken auf beliebige der offenbarten Ausführungsformen angewendet werden können.
  • Gemäß einer alternativen Ausführungsform kann der Strom für die Bipolartransistoren Qa und Qb unter Verwendung der mit der Leistungsversorgung VCC gekoppelten Stromquelle IC zugeführt werden, wie in 4b dargestellt ist. Der Widerstand RE kann optional zwischen die Emitter der Bipolartransistoren Qa und Qb und Masse geschaltet werden. Alternativ kann RE fortgelassen werden.
  • 5 zeigt ein Einzelchip-Radarübertragungssystem 500, welches einen Aufwärtswandler 502, einen Leistungsverstärker 504 und eine Frequenzerzeugungsschaltung 506 aufweist. Wie dargestellt führt der Aufwärtswandler 502 eine Aufwärtswandlung des Basisbandsignals BB zu einem höherfrequenten Signal durch, welches dann durch den Leistungsverstärker 504 verstärkt wird und am Anschlussstift AUS ausgegeben wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann das Basisbandsignal BB ein Wobbelfrequenz- oder anderer Signaltyp sein, der in einem Radarsystem verwendet wird. Die Frequenzerzeugungsschaltung 506 erzeugt das Lokaloszillatorsignal LO auf der Grundlage einer Referenzfrequenz am Anschlussstift REF, das beispielsweise unter Verwendung eines Kristalloszillators erzeugt werden kann. Gemäß einer Ausführungsform ist die Frequenzerzeugungsschaltung 506 unter Verwendung einer Phasenregelschleife (PLL - phase locked loop) mit einem Phasendetektor 512, einem Schleifenfilter 510, einem VCO 508 und einem Teiler 514 implementiert. Der VCO 508 kann unter Verwendung der hier beschriebenen Ausführungsform eines VCOs implementiert sein. Es sei bemerkt, dass das System 500 lediglich eines von vielen Beispielen von Ausführungsformen von Systemen ist, die Ausführungsformen von Oszillatoren verwenden können. Alternative Systeme können beispielsweise drahtlose und Drahtleitungs-Kommunikationssysteme und andere Systeme, die VCO verwenden, einschließen.
  • 6 zeigt ein Flussdiagramm 600 einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Betreiben eines Oszillators. In Schritt 602 wird ein Strom einem Oszillatorkern zugeführt, der mit einer Tankschaltung gekoppelt ist. Gemäß einer Ausführungsform weist der Oszillatorkern mehrere über Kreuz geschaltete Verbundtransistoren auf, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind, wobei jeder der mehreren Verbundtransistoren einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor FET mit einer Source-Elektrode, die mit der Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist, aufweist. Wie vorstehend beschrieben wurde, erhöht die durch den FET und den Bipolartransistor gebildete Verbundvorrichtung den Spielraum, wodurch es ermöglicht wird, dass der Oszillator gemäß einigen Ausführungsformen eine erhöhte Oszillationsamplitude und ein geringeres Phasenrauschen aufweist. Dieser Strom kann dem Oszillatorkern unter Verwendung einer Stromquelle zugeführt werden, die beispielsweise durch einen Widerstand implementiert ist. Sobald der VCO-Kern einen Strom empfängt, wird in Schritt 604 ein negativer Widerstandswert gebildet. Dieser negative Widerstandswert wirkt dem Widerstandswert der Tankschaltung entgegen und ermöglicht, dass Leistung zur Tankschaltung übertragen wird, um Oszillationen aufrechtzuerhalten.
  • In Schritt 606 wird die Frequenz des Oszillators durch Abstimmen der Kapazität in der Tankschaltung abgestimmt. Gemäß einigen Ausführungsformen wird die Kapazität durch Einstellen der an einer Varaktordiode innerhalb der Tankschaltung eingestellten Spannung eingestellt, wobei der Oszillator in diesem Fall als ein VCO betrieben wird. Alternativ kann der Varaktor als ein MOS-Varaktor implementiert werden, beispielsweise unter Verwendung einer MOS-Vorrichtung (eines MOS-Bauelements), deren Source- und Drain-Elektrode zusammengeschaltet sind. In diesem Fall kann die Kapazität durch Anlegen einer Spannung zwischen der Gate-Elektrode des MOS-Varaktors und den Source/Drain-Anschlüssen des MOS-Varaktors eingestellt werden. Alternativ kann die Kapazität in die Tankschaltung geschaltet und aus dieser herausgeschaltet werden, um die Oszillationsfrequenz auszuwählen. Gemäß einigen Ausführungsformen kann das Schalten der Kapazität digital gesteuert werden, so dass der Oszillator als ein digital gesteuerter Oszillator (DCO - digitally controlled oscillator) arbeitet.
  • 7 zeigt eine Stromquelle 700, die zum Implementieren der Stromquelle IE gemäß der in den 2 und 3 dargestellten Ausführungsform von Oszillatoren verwendet werden kann. Wie dargestellt ist, weist die Stromquelle 700 eine Diode auf, die mit einer NMOS-Vorrichtung 702 verbunden ist, welche mit einer NMOS-Vorrichtung 704 gekoppelt ist. Gemäß einer Ausführungsform fließt ein Strom Iein durch die NMOS-Vorrichtung 702 und erzeugt entsprechend dem Eingangsstrom eine Gate-Source-Spannung. Die Gate-Source-Spannung der NMOS-Vorrichtung 702 wird an die Gate- und die Source-Elektrode der NMOS-Vorrichtung 704 angelegt, wodurch bewirkt wird, dass ein entsprechender Strom Iaus durch die NMOS-Vorrichtung 704 fließt. Gemäß einer Ausführungsform beträgt Iaus etwa m*Iein, wobei m das Größenverhältnis zwischen der NMOS-Vorrichtung 704 und der NMOS-Vorrichtung 702 ist. Alternativ kann die Stromquelle 700 unter Verwendung anderer Vorrichtungstypen implementiert werden. Beispielsweise kann ein PMOS-basierter Stromspiegel verwendet werden, um die in 4b dargestellte Stromquelle IC zu implementieren. Gemäß einigen Ausführungsformen können BJT-Transistoren an Stelle der MOS-Vorrichtung verwendet werden und/oder können Degenerationwiderstände (nicht dargestellt) in Reihe mit den Source- und/oder Emitterknoten der Stromquellentransistoren geschaltet werden. Alternativ können andere auf dem Fachgebiet bekannte Stromquellenstrukturen verwendet werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Oszillator eine Tankschaltung und eine Oszillatorkernschaltung mit mehreren über Kreuz geschalteten Verbundtransistoren, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind. Jeder der mehreren Verbundtransistoren umfasst einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer Source-Elektrode, die mit der Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist. Gemäß einigen Ausführungsformen ist die Drain-Elektrode des FETs mit dem Kollektor des Bipolartransistors gekoppelt. Alternativ kann die Drain-Elektrode des FETs mit einer konstanten Referenzspannung gekoppelt sein. Der Oszillator kann sich in einer integrierten BiCMOS-Schaltung (BiCMOS = bipolar complementary metal-oxide semiconductor, bipolarer komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter) befinden und/oder eine Arbeitsfrequenz zwischen etwa 10 GHz und etwa 30 GHz aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Tank ein Induktivitätselement und ein Kapazitätselement auf. Die Kapazität des Kapazitätselements kann einstellbar sein und unter Verwendung eines Varaktors implementiert werden. Der Bipolartransistor kann einen NPN-Transistor einschließen, und der FET kann eine n-Kanal-Metall-Oxid-Feldeffekttransistor-(NMOS)-Vorrichtung einschließen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst ein Oszillator eine Tankschaltung, einen ersten Bipolartransistor mit einem ersten Kollektor, der mit einem ersten Anschluss der Tankschaltung gekoppelt ist, einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer ersten Source-Elektrode, die mit einer ersten Basis des ersten Bipolartransistors gekoppelt ist, und einer ersten Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Anschluss der Tankschaltung gekoppelt ist, einen zweiten Bipolartransistor mit einem zweiten Kollektor, der mit dem zweiten Anschluss der Tankschaltung gekoppelt ist, und einen zweiten FET mit einer zweiten Source-Elektrode, die mit einer zweiten Basis des zweiten Bipolartransistors gekoppelt ist, und einer zweiten Gate-Elektrode, die mit dem ersten Anschluss der Tankschaltung gekoppelt ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann der Oszillator ferner eine Stromquelle aufweisen, welche einen ersten Anschluss aufweist, der mit einem ersten Emitter des ersten Bipolartransistors und einem zweiten Emitter des zweiten Bipolartransistors gekoppelt ist. Die Stromquelle kann einen Widerstand aufweisen, der zwischen den ersten Anschluss der Stromquelle und einen ersten Referenzknoten geschaltet ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der erste FET eine erste Drain-Elektrode auf, die mit dem ersten Kollektor des ersten Bipolartransistors gekoppelt ist, und weist der zweite FET eine zweite Drain-Elektrode auf, die mit dem zweiten Kollektor des zweiten Bipolartransistors gekoppelt ist. Alternativ weist der erste FET eine erste Drain-Elektrode auf, die mit einem zweiten Referenzknoten gekoppelt ist, und weist der zweite FET eine zweite Drain-Elektrode auf, die mit dem zweiten Referenzknoten gekoppelt ist. Gemäß einer Ausführungsform sind der erste FET und der zweite FET unter Verwendung von n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleitervorrichtungen (n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiterbauelementen) implementiert.
  • Die Tankschaltung kann Folgendes aufweisen: einen ersten Induktor, der zwischen den ersten Anschluss der Tankschaltung und einen Leistungsversorgungsknoten geschaltet ist, einen zweiten Induktor, der zwischen den zweiten Anschluss der Tankschaltung und den Leistungsversorgungsknoten geschaltet ist, und eine einstellbare Kapazität, die zwischen den ersten Anschluss der Tankschaltung und den zweiten Anschluss der Tankschaltung geschaltet ist. Die einstellbare Kapazität kann beispielsweise Folgendes aufweisen: eine erste Varaktordiode, die zwischen den ersten Anschluss der Tankschaltung und einen Abstimmungsknoten geschaltet ist, und eine zweite Varaktordiode, die zwischen den zweiten Anschluss der Tankschaltung und den Abstimmungsknoten geschaltet ist.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist ein Verfahren zum Betreiben eines Oszillators Folgendes auf: Erzeugen eines Oszillationssignals an Anschlüssen einer Tankschaltung durch Zuführen eines Stroms zu einem Oszillatorkern, der mit einer Tankschaltung gekoppelt ist, welche mehrere über Kreuz geschaltete Verbundtransistoren, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind, aufweist. Jeder der mehreren Verbundtransistoren umfasst einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer Source-Elektrode, die mit der Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist. Das Verfahren kann ferner das Abstimmen des Oszillators durch einen einstellbaren Kondensator in der Tankschaltung aufweisen. Gemäß einigen Ausführungsformen umfasst das Erzeugen des Oszillationssignals ferner das Bereitstellen eines negativen Widerstandswerts unter Verwendung des Oszillatorkerns.
  • Vorteile von Ausführungsformen umfassen ein geringes Phasenrauschen infolge einer erhöhten Amplitude des Oszillationssignals. Gemäß einer Ausführungsform wird eine Phasenrauschverbesserung von etwa 10 dB unter Verwendung von Ausführungsformen von Verbundvorrichtungen verglichen mit Schaltungen, bei denen einzelne Bipolartransistoren verwendet werden, erreicht.
  • Wenngleich diese Erfindung mit Bezug auf der Erläuterung dienende Ausführungsformen beschrieben wurde, sollte diese Beschreibung nicht in einem einschränkenden Sinne ausgelegt werden. Verschiedene Modifikationen und Kombinationen der der Erläuterung dienenden Ausführungsformen sowie andere Ausführungsformen der Erfindung werden Fachleuten beim Lesen der Beschreibung einfallen.

Claims (22)

  1. Oszillator, welcher Folgendes umfasst: eine Tankschaltung und eine Oszillatorkernschaltung, welche mehrere über Kreuz geschaltete Verbundtransistoren umfasst, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind, wobei jeder der mehreren Verbundtransistoren einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer Source-Elektrode, welche mit einer Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist, umfasst, wobei eine Drain-Elektrode des FETs mit einem Kollektor des Bipolartransistors gekoppelt ist.
  2. Oszillator nach Anspruch 1, wobei eine Drain-Elektrode des FETs mit einer konstanten Referenzspannung gekoppelt ist.
  3. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei der Tank ein Induktivitätselement und ein Kapazitätselement umfasst.
  4. Oszillator nach Anspruch 3, wobei die Kapazität des Kapazitätselements einstellbar ist.
  5. Oszillator nach Anspruch 4, wobei das Kapazitätselement einen Varaktor aufweist.
  6. Oszillator nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die Induktivität des Induktivitätselements einstellbar ist.
  7. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Bipolartransistor einen NPN-Transistor umfasst und der FET eine n-Kanal-Metall-Oxid-Feldeffekttransistor-(NMOS)-Vorrichtung umfasst.
  8. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Oszillator eine Arbeitsfrequenz zwischen etwa 10 GHz und etwa 30 GHz aufweist.
  9. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Oszillator auf einer integrierten BiCMOS-Schaltung angeordnet ist.
  10. Oszillator, welcher Folgendes umfasst: eine Tankschaltung und eine Oszillatorkernschaltung, welche mehrere über Kreuz geschaltete Verbundtransistoren umfasst, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind, wobei jeder der mehreren Verbundtransistoren einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer Source-Elektrode, welche mit einer Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist, umfasst, wobei eine Drain-Elektrode des FETs mit einer konstanten Referenzspannung gekoppelt ist.
  11. Oszillator, welcher Folgendes umfasst: eine Tankschaltung, einen ersten Bipolartransistor, der einen ersten Kollektor umfasst, der mit einem ersten Anschluss der Tankschaltung gekoppelt ist, einen ersten Feldeffekttransistor (FET), der eine erste Source-Elektrode, die mit einer ersten Basis des ersten Bipolartransistors gekoppelt ist, und eine erste Gate-Elektrode, die mit einem zweiten Anschluss der Tankschaltung gekoppelt ist, umfasst, einen zweiten Bipolartransistor, der einen zweiten Kollektor umfasst, der mit dem zweiten Anschluss der Tankschaltung gekoppelt ist, und einen zweiten FET, der eine zweite Source-Elektrode, die mit einer zweiten Basis des zweiten Bipolartransistors gekoppelt ist, und eine zweite Gate-Elektrode, die mit dem ersten Anschluss der Tankschaltung gekoppelt ist, umfasst.
  12. Oszillator nach Anspruch 11, welcher ferner eine Stromquelle mit einem ersten Anschluss, der mit einem ersten Emitter des ersten Bipolartransistors und einem zweiten Emitter des zweiten Bipolartransistors gekoppelt ist, umfasst.
  13. Oszillator nach Anspruch 12, wobei die Stromquelle einen Stromspiegel umfasst.
  14. Oszillator nach Anspruch 12 oder 13, wobei die Stromquelle einen Widerstand umfasst, der zwischen den ersten Anschluss der Stromquelle und einen ersten Referenzknoten geschaltet ist.
  15. Oszillator nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei: der erste FET eine erste Drain-Elektrode umfasst, die mit dem ersten Kollektor des ersten Bipolartransistors gekoppelt ist, und der zweite FET eine zweite Drain-Elektrode umfasst, die mit dem zweiten Kollektor des zweiten Bipolartransistors gekoppelt ist.
  16. Oszillator nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei: der erste FET eine erste Drain-Elektrode umfasst, die mit einem zweiten Referenzknoten gekoppelt ist, und der zweite FET eine zweite Drain-Elektrode umfasst, die mit dem zweiten Referenzknoten gekoppelt ist.
  17. Oszillator nach einem der Ansprüche 11 bis 16, wobei die Tankschaltung Folgendes umfasst: einen ersten Induktor, der zwischen den ersten Anschluss der Tankschaltung und einen Leistungsversorgungsknoten geschaltet ist, einen zweiten Induktor, der zwischen den zweiten Anschluss der Tankschaltung und den Leistungsversorgungsknoten geschaltet ist, und eine einstellbare Kapazität, die zwischen den ersten Anschluss der Tankschaltung und den zweiten Anschluss der Tankschaltung geschaltet ist.
  18. Oszillator nach Anspruch 17, wobei die einstellbare Kapazität Folgendes umfasst: eine erste Varaktordiode, die zwischen den ersten Anschluss der Tankschaltung und einen Abstimmungsknoten geschaltet ist, und eine zweite Varaktordiode, die zwischen den zweiten Anschluss der Tankschaltung und den Abstimmungsknoten geschaltet ist.
  19. Oszillator nach einem der Ansprüche 11 bis 18, wobei der erste FET und der zweite FET n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleitervorrichtungen umfassen.
  20. Verfahren zum Betreiben eines Oszillators, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Erzeugen eines Oszillationssignals an Anschlüssen einer Tankschaltung, wobei bei der Erzeugung ein Strom an einen Oszillatorkern angelegt wird, der mit einer Tankschaltung gekoppelt ist, welche mehrere über Kreuz geschaltete Verbundtransistoren umfasst, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind, wobei jeder der mehreren Verbundtransistoren einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer Source-Elektrode, welche mit der Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist, umfasst, wobei eine Drain-Elektrode des FETs mit einem Kollektor des Bipolartransistors oder mit einer konstanten Referenzspannung gekoppelt ist.
  21. Verfahren nach Anspruch 20, wobei ferner der Oszillator über wenigstens entweder einen einstellbaren Kondensator und/oder einen einstellbaren Induktor in der Tankschaltung abgestimmt wird.
  22. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, wobei beim Erzeugen des Oszillationssignals ferner ein negativer Widerstandswert unter Verwendung des Oszillatorkerns bereitgestellt wird.
DE102015212090.2A 2014-07-03 2015-06-29 System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator Active DE102015212090B9 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/323,718 2014-07-03
US14/323,718 US9344035B2 (en) 2014-07-03 2014-07-03 System and method for a voltage controlled oscillator

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE102015212090A1 DE102015212090A1 (de) 2016-01-07
DE102015212090B4 DE102015212090B4 (de) 2017-11-02
DE102015212090B9 true DE102015212090B9 (de) 2018-06-28

Family

ID=54866393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015212090.2A Active DE102015212090B9 (de) 2014-07-03 2015-06-29 System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9344035B2 (de)
KR (1) KR101759780B1 (de)
CN (1) CN105281669B (de)
DE (1) DE102015212090B9 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI628913B (zh) * 2017-04-20 2018-07-01 國立暨南國際大學 Voltage controlled oscillator
CN108563276B (zh) * 2018-06-01 2020-05-26 电子科技大学 一种带有交叉耦合滤波网络的高速参考电压缓冲器
CN109617527B (zh) * 2018-12-18 2023-01-31 东南大学 中心谐振频率可调的宽带毫米波振荡器
CN111147022B (zh) * 2019-12-16 2023-11-10 中国航天科工集团八五一一研究所 达林顿差分考毕兹压控振荡器
CN113381696A (zh) * 2021-05-21 2021-09-10 北京大学（天津滨海）新一代信息技术研究院 振荡器电路及锁相环电路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030112069A1 (en) 2001-12-14 2003-06-19 Kim Jong K. Exponential transconductance amplifier
US20060238266A1 (en) 2005-02-07 2006-10-26 Ramesh Harjani Voltage controlled oscillator using capacitive degeneration

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4545737B2 (ja) * 2003-02-20 2010-09-15 エヌエックスピー ビー ヴィ 発振器回路
CN1989610A (zh) * 2004-07-28 2007-06-27 松下电器产业株式会社 振荡器
CN101102091A (zh) * 2006-07-04 2008-01-09 联发科技股份有限公司 振荡器、负电阻电路及其振荡方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030112069A1 (en) 2001-12-14 2003-06-19 Kim Jong K. Exponential transconductance amplifier
US20060238266A1 (en) 2005-02-07 2006-10-26 Ramesh Harjani Voltage controlled oscillator using capacitive degeneration

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Kwok, J. R. Long und J. J. Pekarik, „A 23-to-29 GHz differentially tuned varactorless VCO in 0.13µm CMOS" in IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Tech. Dig., Feb. 11 - 15, 2007, S. 194 - 596
M. Tiebout, „A CMOS fully integrated 1 GHz and 2 GHz dual band VCO with voltage controlled inductor" in Proc. European Solid-State Circuits Conf. (ESSCIRC), 2002, S. 799 - 802

Also Published As

Publication number Publication date
KR101759780B1 (ko) 2017-07-19
US20160006394A1 (en) 2016-01-07
KR20160004952A (ko) 2016-01-13
US9344035B2 (en) 2016-05-17
DE102015212090B4 (de) 2017-11-02
CN105281669A (zh) 2016-01-27
DE102015212090A1 (de) 2016-01-07
CN105281669B (zh) 2019-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015212090B9 (de) System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator
DE69920273T2 (de) Integrierte tunerarchitektur
DE60030589T2 (de) Verfahren zur steuerspannungsversorgung für varaktoren, zur verminderung des phasenrauschens in elektronischen oszillatoren
US20120025921A1 (en) Low Noise VCO Circuit Having Low Noise Bias
DE102014102940A1 (de) Oszillator mit LC-Primär- und Sekundärschwingschaltungen
DE2334570B1 (de) Abstimmbare Hochfrequenz-Eingangsschaltungsanordnung fuer einen Fernsehempfaenger
DE102005048409A1 (de) Verstärkeranordnung für Ultra-Breitband-Anwendungen und Verfahren
EP1993199A2 (de) Oszillator mit magnetischer Kopplung
DE102016100164A1 (de) System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator
DE69834456T2 (de) Hochfrequenz-Oszillatorschaltung
DE102014103329A1 (de) System und Verfahren für einen Frequenzverdoppler
DE3419654A1 (de) Schaltungsanordnung zur erzeugung eines wechselstromsignals mit steuerbarer frequenz
DE102014114215A1 (de) System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator
DE19808377A1 (de) Vollintegrierbare spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung
WO1995001671A1 (de) Monolithisch integrierbarer, abstimmbarer resonanzkreis und daraus gebildete schaltungsanordnungen
DE4041345A1 (de) Abstimmvorrichtung fuer fernsehempfaenger
EP0975087A1 (de) Oszillatorschaltung
DE19724485A1 (de) Rauscharmer Verstärker
DE102004025545B4 (de) CMOS LC-Schwingkreis-Oszillator
DE102008004283A1 (de) Spannungsgesteuerter Oszillator und Verfahren zum Verbessern von Phasenrauschen in einem spannungsgesteuerten Oszillator
DE102005006543B4 (de) Direkt modulierter spannungsgesteuerter Oszillator auf CMOS-Basis
AT394649B (de) Anordnung zum abstimmen eines empfaengers auf einen gewaehlten kanal aus einer vielzahl von kanaelen
DE3103204A1 (de) Integrierte schaltung mit mindestens zwei verstaerkerstufen
DE102006019887B4 (de) Multifunktions-RF-Schaltung
DE2918636A1 (de) Schaltungsanordnung mit in einem grossen frequenzbereich abstimmbaren und an eine transistorstufe gekoppelten hf- schwingkreis fuer fernsehgeraete

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R082 Change of representative