DE19808377A1 - Vollintegrierbare spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung - Google Patents

Vollintegrierbare spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine voll integrierbare span­ nungsgesteuerte Oszillatorschaltung (VCO) gemäß dem Oberbe­ griff des Patentanspruchs 1.
Um ein Sprach-/Datensignal für eine optimierte Übertragung über einen Hertz'schen Übertragungskanal (Funk) vorzuberei­ ten, wird dieses Sprach-/Datensignal einem sogenannten Hoch­ frequenz(HF)-Träger als Modulation aufgeprägt. Dieser HF-Trä­ ger besteht bei vielen Anwendungen aus sinusförmigen Schwin­ gungen, welche von einem spannungsgesteuerten Oszillator (VCO; Voltage Controlled Oscillator) erzeugt werden.
An den spannungsgesteuerten Oszillator werden je nach Ein­ satzgebiet, z. B. bei dem im UHF-Frequenzbereich übertragenden DECT (Digital European Cordless Telecommunications)-System, GSM(Global System for Mobile Communications)-System oder bei ähnlichen Systemen, durch die dort bestehenden Normen beson­ dere Anforderungen gestellt. Eine der wichtigsten Anforderun­ gen ist das Niedrighalten des sogenannten Phasenrauschens, da hierüber z. B. die maximale Abstrahlung von Leistung in Nach­ barkanäle (im Sendebetrieb) oder von Nachbarkanälen in den Nutzkanal (im Empfangsbetrieb) begrenzt wird.
Diese Anforderungen sind zumeist so hoch, daß es bis heute noch kaum gelungen ist, voll integrierte spannungsgeregelte Oszillatorschaltungen (VCO) herzustellen, die z. B. der DECT-Spezifikation genügen. Die kritische Größe im DECT-Standard ist hierbei das Phasenrauschen des VCOs bei 4,7 MHz Ablage (dritter Nachbarkanal). Dieses liegt laut der Spezifikation bei -132 dBc/Hz.
Aus der Literatur sind bisher drei integrierte spannungsge­ steuerte UHF-Oszillatorschaltungen bekannt, welche die DECT-Spezifikationen einigermaßen erfüllen könnten.
Die erste Schaltung geht zurück auf einen Artikel von Bart Jansen, Kevin Negus und Don Lee: "Silicon Bipolar VCO Family for 1.1 to 2.2 GHz with Fully-Integrated Tank and Tuning Circuits" in "1997 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC97/Session 23/Analog Techniques/Papers SP 23.8, 8. Februar 1997", Seiten 392 und 393. Bei diesem be­ kannten integrierten VCO-Oszillator wird ein Schwingkreis, der aus einer integrierten Spiralinduktivität in Parallel­ schaltung mit einem integrierten Varaktor besteht, durch eine Schaltung entdämpft, die einen negativen reellen Widerstand in den Schwingkreis hineintransformiert. Eine solche Schal­ tung wird im allgemeinen als NIC(Negative Impedance Conver­ ter)-Schaltung bezeichnet.
Die Regelspannung des VCOs liegt am PN-Übergang der Varakto­ ren an, durch welche die Gesamtkapazität des Schwingkreises und somit die Schwingfrequenz verändert werden kann. Dieser VCO ist aus Bipolartransistoren aufgebaut. Der Vorteil dieses Transistortyps liegt in seinem geringen l/f-Rauschen, was insbesondere für die Arbeitspunkteinstellung günstig ist.
Der Nachteil besteht in der hohen Steilheit "gm" (Id/Ut) und dem Basisbahnwiderstand der Bipolartransistoren.Wenn die NIC- Schaltung ihren "Nulldurchgang" durchfährt, also beide Tran­ sistoren des Stromschalters leitend sind, wird ein relativ großes "Rausch-Ladungspaket" in den Schwingkreis eingebracht, das sich dann im Phasenrauschen nachteilig bemerkbar macht.
Die zweite in diesem Zusammenhang bekannte Schaltung, die auf einen Beitrag von Leonard Dauphinee, Miles Copeland und Peter Schvan: "A Balanced 1.5 GHz Voltage Controlled Oscilla­ tor with an Integrated LC Resonator" in "1997 IEEE Interna­ tional Solid-State Circuits Conference, ISSCC97/Session 23 /Analog Techniques/Papers SP 23.7, 8.Februar 1997", Seiten 390 und 391 zurückgeht, beruht auf einem differentiellen Col­ pitts-Oszillator. Dieser ist auch aus Bipolartransistoren aufgebaut und weist deswegen dasselbe Problem auf, das be­ reits in Verbindung mit der ersten bekannten VCO-Schaltung beschrieben wurde.
Die dritte in diesem Zusammenhang bekannte VCO-Schaltung, die auf einen Aufsatz von Jan Craninckx und Michel S. J. Steyaert: "A 1.8-Ghz CMOS Low-Phase-Noise Voltage-Controlled Oscillator with Prescaler" in "IEEE Journal of Solid-State Circuits", Vol. 30, No. 12, Dezember 1995, Seiten 1-474 bis 1482 zurückgeht, ist im Gegensatz zu den ersten beiden vor­ stehend behandelten integrierten VCO-Schaltungen aus CMOS-Transistoren aufgebaut.
Im Resonanzkreis wird eine Bonddrahtinduktivität benutzt, was wegen der nicht so guten Reproduzierbarkeit des Induktivi­ tätswertes einen Schwachpunkt dieser Technik bildet. Die Schaltung zur Entdämpfung des Schwingkreises ist in dem Auf­ satz nicht näher beschrieben. Es ist anzunehmen, daß auch hier ein NIC-Typ benutzt wird.
Der Nachteil der CMOS-Transistoren ist das relativ hohe 1/f-Rauschen dieses Transistortyps. Die Eckfrequenz des 1/f-Rauschens liegt bei CMOS-Transistoren typisch im MHz-Bereich, wohingegen sich diese bei Bipolartransistoren im kHz Bereich befindet. Der Vorteil des CMOS-Transistors ist die relativ niedrige Steilheit "gm", welche den Rauschbeitrag im Um­ schaltzeitpunkt des Stromschalters vernachlässigbar klein macht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen anzuge­ ben, durch welche die Vollintegration eines im UHF-Bereich betriebenen spannungsgesteuerten Oszillators (VCO) unter Ein­ haltung der durch bestehende Normen, insbesondere des DECT-Standards, gestellten Anforderungen, insbesondere hinsicht­ lich des Phasenrauschens, unter der Berücksichtigung der Pa­ rameterschwankungen des Halbleiterprozesses sicher erreicht wird.
Die kritische Größe im DECT-Standard ist hierbei das Phasen­ rauschen des VCO bei 4,7 MHz Ablage (dritter Nachbarkanal) Dieses liegt laut der Spezifikation bei -132 dBc/Hz und soll daher bei der zu schaffenden VCO-Oszillatorschaltung mit min­ destens -140 dBc/Hz angesetzt werden, um die Spezifika­ tionserfüllung auch unter Parameterschwankungen des Halblei­ terprozesses zu gewährleisten.
Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen Anordnung durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst. Die spannungsgeregelte Oszillatorschaltung nach der Erfindung kombiniert die Vorteile des CMOS-Transi­ stors und des Bipolartransistors in einer Schaltung.
Zweckmäßige Weiterbildungen und Verwendungsmöglichkeiten der Oszillatorschaltung nach der Erfindung sind in den Unteran­ sprüchen angegeben.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines vorteilhaften Ausführungsbeispiels, dessen Schaltung in einer beigefügten Figur dargestellt ist, erläutert.
Als differentiell aufgebaute, symmetrische Schwingkreisschal­ tung wird bei dem in der Figur dargestellten voll integrier­ baren VCO-Oszillator eine integrierte Spiralinduktivität L parallel zu zwei integrierten Varaktoren V1 und V2 benutzt. Im Schwingkreis liegen noch zwei Kondensatoren C1 und C2 in zueinander symmetrischer Weise.
Die frequenzbestimmende Regelspannung Ur des VCOs wird am Eingang 1 zugeführt und greift am PN-Übergang der beiden Va­ raktoren V1 und V2 an, durch welche die Gesamtkapazität des Schwingkreises und somit dessen Schwingfrequenz verändert werden kann. Der Schwingkreis wird durch einen NIC-Schal­ tungstyp (Negative Impedance Converter) entdämpft, die einen negativen reellen Widerstand in den Schwingkreis hineintrans­ formiert.
Hierbei wird aber die Kreuzkopplung der NIC-Schaltung nicht über Emitterfolger, sondern über eine Wechselstrom-Kopplung der beiden Ausgänge mit Hilfe der beiden Kapazitäten C3 und C4 erreicht. Als Stromquellentransistor wird hierbei ein Bi­ polartransistor und zwar im speziellen Fall eine Parallel­ schaltung von Bipolartransistoren T1 bis T4 benutzt. Durch diese Maßnahme macht man sich hier die Vorteile des geringen 1/f-Rauschens von Bipolartransistoren zu Nutze, was insbeson­ dere für die Arbeitspunkteinstellung günstig ist.
Das Stromsignal STROM wird der Stromquelle an einem Eingang 2 zugeführt. Im Stromschalter werden zwei CMOS-Transistoren T5 und T6 eingesetzt, um hier die geringere Steilheit "gm" (Tc/UT) dieses Transistortyps auszunutzen. Die relativ nied­ rige Steilheit "gm" der CMOS-Transistoren macht den Rauschbeitrag im Umschaltzeitpunkt des Stromschalters ver­ nachlässigbar klein.
Die differentiellen sinusförmigen Ausgangsschwingungen OUTP und OUTN werden der in der Figur dargestellten spannungsgere­ gelten Oszillatorschaltung an den Ausgängen 3 und 4 abgenom­ men. Eine Betriebsgleichspannung Vcc dient in Verbindung mit weiteren, im einzelnen nicht zu erläuternden Transistoren der geeigneten Spannungsversorgung der dargestellten Oszillator­ schaltung. Mit GND ist der Massepol der dargestellten voll integrierbaren Oszillatorschaltung bezeichnet.
Mit der beschriebenen Verschaltung im Ausführungsbeispiel ei­ nes VCOs nach der Erfindung können bei Einsatz beim DECT-Standard um bis zu 7 dB bessere Werte im Phasenrauschen er­ zielt werden, insgesamt bis zu -146 dBc/Hz bei 4,7 MHz Ablage vom Träger, als mit einer voll integrierten VCO-Oszillator­ schaltung, die rein aus Bipolartransistoren aufgebaut ist.
Es zeigt sich auch, daß bei einem rein in Bipolartechnik auf­ gebauten, voll integrierten Oszillator die Stromschaltertran­ sistoren die begrenzenden Elemente sind, wohingegen dies beim BiCMOS-Oszillator die parasitären Elemente der Schwingkreis­ induktivität sind.
Bezugszeichenliste
C1, C2 Kapazitäten im Schwingkreis
C3, C4 Kapazitäten zur Wechselstrom-KopplungGND Masse
L SpiralinduktivitätOUTP, OUTN differentielle AusgangsschwingungenSTROM Eingangsstromsignal
T1 bis T4 bipolare Transistoren
T5, T6 CMOS-Transistoren
Ur
Regelspannung
V1, V2 Varaktoren
Vcc
Betriebsgleichspannung
1
Eingang für Regelspannung
2
Stromversorgungseingang
3
,
4
Oszillatorausgänge

Claims (4)

1. Vollintegrierbare spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung (VCO; Voltage Controlled Oscillator) zur Erzeugung von sinus­ förmigen UHF-Schwingungen, die bipolare Transistoren aufweist und bei der eine integrierte Spiralinduktivität in Parallel­ schaltung mit einem integrierten Varaktor, an dessen PN-Über­ gang die resonanzfrequenzbestimmende VCO-Regelspannung an­ greift, als Schwingkreis vorgesehen ist, der durch eine kreuzgekoppelte sogenannte NIC(Negative Impedance Converter)- Schaltung entdämpft ist, die einen negativen reellen Wider­ stand in den Schwingkreis hineintransformiert, dadurch gekennzeichnet, daß die Kreuzkopplung der NIC-Schal­ tung durch eine Wechselstromkopplung (C3, C4) der beiden Aus­ gänge realisiert ist, und daß nur für die Stromquellentransi­ storen bipolare Transistoren (T1 bis T4), dagegen im Strom­ schalter CMOS-Transistoren (T5, T6) vorgesehen sind.
2. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Schwingkreis durch eine symme­ trisch aufgebaute, differentielle Schwingkreisschaltung mit zwei integrierten Varaktoren (V1, V2), zwei Kondensatoren (C1, C2) und einer gemeinsamen integrierten Spiralinduktivi­ tät (L) gebildet ist.
3. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1 oder 2, gekenn­ zeichnet durch eine Erstellung in einem BiCMOS-Halblei­ terprozeß.
4. Oszillatorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, gekennzeichnet durch eine Verwendung als UHF-Os­ zillator bei Funkeinrichtungen im Rahmen eines DECT (Digital European Cordless Telecommunications)-Systems oder eines ähn­ lich gearteten Funksystems.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10126608A1 (de) * 2001-05-31 2002-12-12 Infineon Technologies Ag Kompensierte Oszillatorschaltung

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545555B1 (en) 2000-10-12 2003-04-08 Telefonaktiebolaget, Lm Ericsson Voltage controlled oscillator having a phase noise reduction device
US6466099B2 (en) 2001-01-03 2002-10-15 Motorola, Inc. Voltage controlled oscillator (VCO) in colpitts configuration
HU0100884D0 (en) 2001-02-23 2001-04-28 Integration Hungary Kft Low phase noise integrated vco
US6650195B1 (en) 2001-07-30 2003-11-18 Xilinx, Inc. Oscillator with differential tunable tank circuit
US7057469B2 (en) * 2002-09-05 2006-06-06 Conexant, Inc. High speed differential voltage controlled oscillator
KR100537511B1 (ko) * 2003-09-23 2005-12-19 삼성전자주식회사 고주파 전압제어발진기
US8022779B2 (en) * 2009-06-09 2011-09-20 Georgia Tech Research Corporation Integrated circuit oscillators having microelectromechanical resonators therein with parasitic impedance cancellation
EP2695296B1 (de) * 2011-04-07 2020-07-15 HRL Laboratories, LLC Non-foster-schaltung
EP2695241B1 (de) * 2011-04-07 2021-08-18 HRL Laboratories, LLC Oberflächen mit einstellbarer impedanz
US9407239B2 (en) 2011-07-06 2016-08-02 Hrl Laboratories, Llc Wide bandwidth automatic tuning circuit
US10103445B1 (en) 2012-06-05 2018-10-16 Hrl Laboratories, Llc Cavity-backed slot antenna with an active artificial magnetic conductor
US9705201B2 (en) 2014-02-24 2017-07-11 Hrl Laboratories, Llc Cavity-backed artificial magnetic conductor
US9425769B1 (en) 2014-07-18 2016-08-23 Hrl Laboratories, Llc Optically powered and controlled non-foster circuit
US10193233B1 (en) 2014-09-17 2019-01-29 Hrl Laboratories, Llc Linearly polarized active artificial magnetic conductor
US11024952B1 (en) 2019-01-25 2021-06-01 Hrl Laboratories, Llc Broadband dual polarization active artificial magnetic conductor

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4331499A1 (de) * 1993-09-16 1995-03-30 Fraunhofer Ges Forschung Schwingkreis
US5434544A (en) * 1993-09-06 1995-07-18 U.S. Philips Corporation Oscillator

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5218325A (en) * 1992-03-31 1993-06-08 Motorola, Inc. Low noise oscillator
US5418497A (en) * 1994-07-05 1995-05-23 Motorola, Inc. Low voltage VCO having two oscillator circuits of different frequencies
US5847621A (en) * 1997-05-14 1998-12-08 Applied Micro Circuits Corporation LC osillator with delay tuning
US6016082A (en) * 1998-02-13 2000-01-18 Sun Microsystems, Inc. Low phase noise LC oscillator for microprocessor clock distribution

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5434544A (en) * 1993-09-06 1995-07-18 U.S. Philips Corporation Oscillator
DE4331499A1 (de) * 1993-09-16 1995-03-30 Fraunhofer Ges Forschung Schwingkreis

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ROHDE, U. L., CHANG, C. R.: Oszillators with low Phase and Power consumption, In: Communications Quarterly, 1996, Winter, S. 29, 37, 43 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10126608A1 (de) * 2001-05-31 2002-12-12 Infineon Technologies Ag Kompensierte Oszillatorschaltung
US6816024B2 (en) 2001-05-31 2004-11-09 Infineon Technologies Ag Oscillator circuit with switchable compensated amplifiers

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Publication number Publication date
GB2334837B (en) 2003-04-23
DE19808377B4 (de) 2005-08-04
GB9904565D0 (en) 1999-04-21
GB2334837A (en) 1999-09-01
FR2778515B1 (fr) 2001-11-30
FR2778515A1 (fr) 1999-11-12
US6081167A (en) 2000-06-27

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