JP2017208729A - 電力増幅モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】電力増幅モジュールにおいて、高調波成分を減衰させるとともに、基本波成分の損失を抑制する。
【解決手段】電力増幅モジュールは、入力信号を増幅して増幅信号を出力する増幅器と、増幅器の出力端子と後段の回路との間に設けられる整合回路と、一端に電源電圧が印加され、他端から増幅器の出力端子を通じて増幅器に電源を供給するチョークインダクタと、増幅器の出力端子とチョークインダクタの他端との間に設けられた第1減衰回路であって、増幅信号の高調波成分を減衰させる第1減衰回路と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】電力増幅モジュールは、入力信号を増幅して増幅信号を出力する増幅器と、増幅器の出力端子と後段の回路との間に設けられる整合回路と、一端に電源電圧が印加され、他端から増幅器の出力端子を通じて増幅器に電源を供給するチョークインダクタと、増幅器の出力端子とチョークインダクタの他端との間に設けられた第1減衰回路であって、増幅信号の高調波成分を減衰させる第1減衰回路と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、電力増幅モジュールに関する。
携帯電話の通信網を用いる携帯端末においては、基地局へ送信する無線周波数(RF:Radio Frequency)信号の電力を増幅するための電力増幅モジュールが用いられる。電力増幅モジュールでは、増幅器から出力される増幅信号の高調波成分(増幅信号の基本周波数の整数倍の周波数を有する信号)を減衰させるために、共振回路が用いられる。例えば、特許文献1には、増幅器の出力端子と高周波増幅回路の出力端子との間に高調波終端回路(共振回路)を設ける構成が開示されている。
ところで、増幅器の出力端子と電力増幅モジュールの出力端子との間には、増幅器とその後段の回路との間でインピーダンスを整合させるために、整合回路が設けられることが一般的である。このような構成において、特許文献1に開示されているような高調波終端回路を整合回路内に設けると、高調波終端回路の周波数特性の影響によって、整合回路における信号損失が増大することがある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、電力増幅モジュールにおいて、高調波成分を減衰させるとともに、基本波成分の損失を抑制することを目的とする。
本発明の一側面に係る電力増幅モジュールは、入力信号を増幅して増幅信号を出力する増幅器と、増幅器の出力端子と後段の回路との間に設けられる整合回路と、一端に電源電圧が印加され、他端から増幅器の出力端子を通じて増幅器に電源を供給するチョークインダクタと、増幅器の出力端子とチョークインダクタの他端との間に設けられた第1減衰回路であって、増幅信号の高調波成分を減衰させる第1減衰回路と、を備える。
本発明によれば、高調波成分を減衰させるとともに、電力増幅モジュールにおいて、基本波成分の損失を抑制することが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態である電力増幅モジュール100の構成を示す図である。電力増幅モジュール100は、無線周波数(RF:Radio Frequency)信号(RFin)を増幅して増幅信号(RFout2)を出力するモジュールである。電力増幅モジュール100は、例えば、HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)チップ110、整合回路120、チョークインダクタLv、キャパシタCv、及び減衰回路130を備える。なお、電力増幅モジュール100は、図1に示す構成に限られず、他の構成を備えてもよい。
HBTチップ110(第1チップ)は、HBTを含む素子が集積化されたチップである。以下、HBTのことを単にトランジスタと記載することもある。HBT110は、トランジスタTR及び高調波終端回路140を備える。
トランジスタTR(増幅器)は、エミッタが接地され、コレクタ(出力端子)が端子T1に接続され、ベースにRF信号RFinが入力される。そして、トランジスタTRは、RF信号RFin(入力信号)を増幅した増幅信号RFout1をコレクタから出力する。高調波終端回路140(第3減衰回路)は、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分(例えば、二倍波)を減衰させる。高調波終端回路140は、例えば、直列に接続されたキャパシタCt及びインダクタLtを備える。図1に示すように、高調波終端回路140は、一端がトランジスタTRのコレクタと接続され、他端が接地される。
なお、HBTチップ110は、図1に示す構成に限られず、他の構成を備えてもよい。例えば、HBTチップ110は、複数段の増幅器を備えてもよい。また、HBTチップ110は、トランジスタにバイアス電流又はバイアス電圧を供給するバイアス回路を備えてもよい。また、高調波終端回路140が減衰する高調波成分は二倍波に限られず、三倍以上の高調波成分であってもよい。また、HBTチップ110は、高調波終端回路140を備えなくてもよい。ただし、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分としては、特に二倍波のエネルギーが高い。そのため、トランジスタTRのコレクタ(出力端子)に近い位置で、高調波終端回路140によって二倍波を減衰させることが効果的である。また、本実施形態では、増幅器を構成するトランジスタをHBTとしたが、トランジスタはバイポーラトランジスタに限られず、電解効果トランジスタ(FET)であってもよい。
整合回路120は、トランジスタTRと後段の回路(例えば、スイッチ回路)との間に設けられ、トランジスタTRの出力インピーダンスと後段の回路の入力インピーダンスとを整合させる。整合回路120は、減衰回路150及び高域通過フィルタ(HPF)160を備える。HBTチップ110から出力される増幅信号RFout1は、整合回路120を通じて増幅信号RFout2として出力される。
減衰回路150(第2減衰回路)は、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分(例えば、二倍波)を減衰させる。減衰回路150は、例えば、インダクタL2(第2インダクタ)及びキャパシタC2(第2キャパシタ)を備える。インダクタL2は、一端がHBTチップ110の端子T1に接続される。キャパシタC2は、一端がインダクタL2の他端に接続され、他端が接地される。なお、減衰回路150が減衰する高調波成分は二倍波に限られず、三倍以上の高調波成分であってもよい。
HPF160は、増幅信号RFout1に含まれる、所定の遮断周波数より低い周波数の成分を減衰させる。遮断周波数は、例えば、増幅信号RFout1の三倍波の周波数より低い。HPF160は、例えば、キャパシタC3(第3キャパシタ)及びインダクタL3(第3インダクタ)を備える。キャパシタC3は、一端がインダクタL2の他端に接続される。インダクタL3は、一端がキャパシタC3の他端に接続され、他端が接地される。キャパシタC3の他端からは、増幅信号RFout2が出力される。キャパシタC3は、増幅信号RFout1の直流(DC)成分を除去するDCカットキャパシタとしても機能する。
チョークインダクタLvは、一端に電源電圧Vccが印加され、他端からトランジスタTRのコレクタを通じてトランジスタTRに電源を供給する。キャパシタCvは、一端がインダクタLvの一端に接続され、他端が接地される。
減衰回路130(第1減衰回路)は、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させる。減衰回路130は、インダクタLvの他端とトランジスタTRのコレクタとの間に設けられている。減衰回路130は、例えば、インダクタL1(第1インダクタ)及びキャパシタC1(第1キャパシタ)を備える。インダクタL1は、一端が端子T1を通じてトランジスタTRのコレクタと接続され、他端がチョークインダクタLvの他端と接続される。キャパシタC1は、一端がインダクタL1の他端と接続され、他端が接地される。ここで、チョークインダクタLvのインダクタンスは、インダクタL1のインダクタンスと比較してかなり大きい。そのため、インダクタL1の他端から見た、チョークインダクタLvの入力インピーダンスは、特定の周波数領域において、オープンであるとみなすことができる。これにより、インダクタL1及びキャパシタC1は、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させるための直列共振回路を構成する。なお、減衰回路130が減衰する高調波成分は三倍波に限られず、二倍波であってもよいし、四倍以上の高調波成分であってもよい。
電力増幅モジュール100は、高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させる減衰回路130を備えている。これにより、電力増幅モジュール100では、増幅信号RFout1の高調波成分を減衰させることができる。また、電力増幅モジュール100では、減衰回路130は、整合回路120内ではなく、HBTチップ110の端子T1とチョークインダクタLvとの間に設けられている。これにより、また、電力増幅モジュール100では、高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させる高調波終端回路を整合回路120内に設ける場合と比較して、基本波成分の損失を抑制することができる。
図2は、電力増幅モジュール100と比較するための第1比較例200の構成を示す図である。なお、電力増幅モジュール100と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。第1比較例200は、電力増幅モジュール100の減衰回路130を備えない。また、第1比較例200は、電力増幅モジュール100の整合回路120の代わりに整合回路210を備える。整合回路210は、電力増幅モジュール100の整合回路120におけるHPF160の代わりに減衰回路220を備える。また、整合回路210は、キャパシタC5を備える。
減衰回路220は、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させる。減衰回路220は、例えば、インダクタL4及びキャパシタC3を備える。インダクタL4は、一端がインダクタL2の他端に接続され、他端がキャパシタC5の一端に接続される。キャパシタC3は、一端がインダクタL4の一端に接続され、他端が接地される。キャパシタC5の他端からは、直流(DC)成分が除去された増幅信号RFout2が出力される。
図2に示す第1比較例200では、電力増幅モジュール100の減衰回路130の代わりに、整合回路210内に減衰回路220を設けることにより、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させることができる。しかしながら、第1比較例200の構成よりも、電力増幅モジュール100の構成を採用することにより、電力増幅モジュール100をより広帯域に対応させることができる。この点について説明する。
減衰回路150,220は、信号路に直列に接続されたインダクタと、信号路にシャント接続されたキャパシタを備えており、低域通過フィルタ(LPF)型の回路である。他方、HPF160は、信号路に直列に接続されたキャパシタと、信号路にシャント接続されたインダクタを備えており、HPF型の回路である。
図3は、電力増幅モジュール100の整合回路120におけるスミスチャートにおける、インピーダンスの軌跡を示す図である。図3には、スミスチャートの中心(50Ω)から、インダクタL3、キャパシタC3、キャパシタC2、インダクタL2によるインダクタンスの軌跡(低周波数側及び高周波数側)が示されている。図3に示すように、HPF型であるHPF160(キャパシタC3及びインダクタL3)においては、キャパシタC3及びインダクタL3を接続することにより、高周波数側のインピーダンスより低周波数側のインピーダンスの動き(変化)が大きい。他方、LPF型である減衰回路150(インダクタL2及びキャパシタC2)においては、インダクタL2及びキャパシタC2を接続することにより、低周波数側のインピーダンスより高周波数側のインピーダンスの動き(変化)が大きい。このように、整合回路120では、高周波数側の動き(変化)が大きい回路(減衰回路150)と、低周波数側の動き(変化)が大きいHPF型の回路(HPF160)とを組み合わせるにより、HPF側のインピーダンスの変化とLPF側のインピーダンスの変化が正反対であることから、インピーダンスの動きを相殺させることができる。従って、低周波数側のインピーダンスと高周波数側のインピーダンスを特定のインピーダンスに集めることができる。これに対して、第1比較例200の整合回路210では、減衰回路150,220がいずれもLPF型であるため、高周波数側のインピーダンスの変化が大きいため、電力増幅モジュール100の整合回路120と比較すると、低周波数側のインピーダンスと高周波数側のインピーダンスは、周波数特性を持つようなり、特定のインピーダンスに集めることができない。従って、整合回路120をLPF型の回路(減衰回路150)及びHPF型の回路(HPF160)によって構成することにより、電力増幅モジュール100をより広帯域にインピーダンス整合を実現することができる。
図4Aは、電力増幅モジュール100における信号損失のシミュレーション結果を示す図である。図4Aにおいて、横軸はRF信号RFinの周波数(GHz)、縦軸は電力増幅モジュール100における信号損失(dB)である。なお、本シミュレーションでは、キャリア帯域(搬送波の基本周波数の帯域)を2.3〜2.7GHzとしている。図4Aには、比較のために、電力増幅モジュール100から減衰回路130を除いた構成における信号損失も示されている。図4Aに示すように、電力増幅モジュール100では、減衰回路130を備えることにより、二倍波に加えて三倍波も減衰されていることがわかる。
図4Bは、図4Aに示すシミュレーション結果のキャリア帯域(2.3〜2.7GHz)を拡大した図である。図4Bに示すように、電力増幅モジュール100では、減衰回路130を備えない構成と比較して、キャリア帯域における信号損失がほぼ同等であることがわかる。
図4A及び図4Bに示すシミュレーション結果からも、電力増幅モジュール100では、高調波成分を減衰させるとともに、基本波成分の損失を抑制することが可能であることがわかる。
図5は、電力増幅モジュール100と比較するための第2比較例500の構成を示す図である。なお、電力増幅モジュール100と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。第2比較例500は、電力増幅モジュール100の減衰回路130を備えない。また、第2比較例500は、電力増幅モジュール100の整合回路120の代わりに整合回路510を備える。整合回路510は、電力増幅モジュール100の整合回路120における減衰回路150及びHPF160に加えて、キャパシタC6を備える。
キャパシタC6は、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させる。キャパシタC6は、一端がHBTチップ110の端子T1に接続され、他端が接地される。
図6Aは、第2比較例500における信号損失のシミュレーション結果を示す図である。図6Aにおいて、横軸はRF信号RFinの周波数(GHz)、縦軸は第2比較例500における信号損失(dB)である。なお、本シミュレーションでは、キャリア帯域(搬送波の基本周波数の帯域)を2.3〜2.7GHzとしている。図6Aには、比較のために、電力増幅モジュール100から減衰回路130を除いた構成における信号損失も示されている。図6Aに示すように、第2比較例500では、キャパシタC6を備えることにより、二倍波に加えて三倍波も減衰されていることがわかる。
図6Bは、図6Aに示すシミュレーション結果のキャリア帯域(2.3〜2.7GHz)を拡大した図である。図6Bに示すように、第2比較例500では、減衰回路130を備えない構成と比較して、キャリア帯域における信号損失が大きいことがわかる。
図6A及び図6Bに示すシミュレーション結果によれば、第2比較例500では、二倍波に加えて三倍波を減衰させることが可能であるものの、基本波成分の損失が増大することがわかる。従って、このシミュレーション結果からも、第2比較例500よりも、電力増幅モジュール100の方が、高調波成分を減衰させるとともに、基本波成分の損失を抑制することが可能であることがわかる。
図7は、電力増幅モジュール100と比較するための第3比較例700の構成を示す図である。なお、電力増幅モジュール100と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。第3比較例700は、電力増幅モジュール100の減衰回路130を備えない。また、第3比較例700は、電力増幅モジュール100の整合回路120の代わりに整合回路710を備える。整合回路710は、電力増幅モジュール100の整合回路120における減衰回路150及びHPF160に加えて、キャパシタC7を備える。
キャパシタC7は、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させる。キャパシタC7は、一端がキャパシタC3の他端に接続され、他端が接地される。
図8Aは、第3比較例700における信号損失のシミュレーション結果を示す図である。図8Aにおいて、横軸はRF信号RFinの周波数(GHz)、縦軸は第3比較例700における信号損失(dB)である。なお、本シミュレーションでは、キャリア帯域(搬送波の基本周波数の帯域)を2.3〜2.7GHzとしている。図8Aには、比較のために、電力増幅モジュール100から減衰回路130を除いた構成における信号損失も示されている。図8Aに示すように、第3比較例700では、キャパシタC7を備えることにより、二倍波に加えて三倍波も減衰されていることがわかる。
図8Bは、図8Aに示すシミュレーション結果のキャリア帯域(2.3〜2.7GHz)を拡大した図である。図8Bに示すように、第3比較例700では、減衰回路130を備えない構成と比較して、キャリア帯域における信号損失が大きいことがわかる。
図8A及び図8Bに示すシミュレーション結果によれば、第3比較例700では、二倍波に加えて三倍波を減衰させることが可能であるものの、基本波成分の損失が増大することがわかる。従って、このシミュレーション結果からも、第3比較例700よりも、電力増幅モジュール100の方が、高調波成分を減衰させるとともに、基本波成分の損失を抑制することが可能であることがわかる。
図9は、電力増幅モジュール100と比較するための第4比較例900の構成を示す図である。なお、電力増幅モジュール100と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。第4比較例900は、電力増幅モジュール100の減衰回路130を備えない。また、第4比較例900は、電力増幅モジュール100の整合回路120の代わりに整合回路910を備える。整合回路910は、電力増幅モジュール100の整合回路120における減衰回路150及びHPF160に加えて、キャパシタC8及びインダクタL8を備える。
キャパシタC8及びインダクタL8は並列接続されたタンク回路を構成する。タンク回路は、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させる。タンク回路は、一端がキャパシタC3の他端に接続され、他端から増幅信号RFout2を出力する。
図10Aは、第4比較例900における信号損失のシミュレーション結果を示す図である。図10Aにおいて、横軸はRF信号RFinの周波数(GHz)、縦軸は第4比較例900における信号損失(dB)である。なお、本シミュレーションでは、キャリア帯域(搬送波の基本周波数の帯域)を2.3〜2.7GHzとしている。図10Aには、比較のために、電力増幅モジュール100から減衰回路130を除いた構成における信号損失も示されている。図10Aに示すように、第4比較例900では、キャパシタC8及びインダクタL8を備えることにより、二倍波に加えて三倍波も減衰されていることがわかる。
図10Bは、図10Aに示すシミュレーション結果のキャリア帯域(2.3〜2.7GHz)を拡大した図である。図10Bに示すように、第4比較例900では、減衰回路130を備えない構成と比較して、キャリア帯域における信号損失が大きいことがわかる。
図10A及び図10Bに示すシミュレーション結果によれば、第4比較例900では、二倍波に加えて三倍波を減衰させることが可能であるものの、基本波成分の損失が増大することがわかる。従って、このシミュレーション結果からも、第4比較例900よりも、電力増幅モジュール100の方が、高調波成分を減衰させるとともに、基本波成分の損失を抑制することが可能であることがわかる。
図11は、電力増幅モジュール100と比較するための第5比較例1100の構成を示す図である。なお、電力増幅モジュール100と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。第5比較例1100は、電力増幅モジュール100の減衰回路130を備えない。また、第5比較例1100は、電力増幅モジュール100のHBTチップ110の代わりにHBTチップ1110を備える。HBTチップ1110は、電力増幅モジュール100のHBTチップ110におけるトランジスタTR及び高調波終端回路140に加えて、高調波終端回路1120を備える。
高調波終端回路1120は、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させる。高調波終端回路1120は、例えば、直列に接続されたキャパシタC9及びインダクタL9を備える。図11に示すように、高調波終端回路1120は一端がトランジスタTRのコレクタと接続され、他端が接地される。
図12は、減衰回路130及び高調波終端回路1120における高調波(例えば、三倍波)のインピーダンスの軌跡を示す図である。電力増幅モジュール100では、HBTチップ110の端子T1と減衰回路130のインダクタL1との間に、HBTチップ110の外部の配線が存在する。この配線は、HBTチップ110の内部の配線と比較して長く、寄生インダクタンスも比較的大きい。図12に示すように、電力増幅モジュール100の減衰回路130では、この寄生インダクタンスによって、高調波(例えば、三倍波)の周波数帯域に共振点を設定した場合における高調波(例えば、三倍波)のインピーダンスがオープン側に調整される。他方、第5比較例1100では、高調波終端回路1120がHBTチップ1110の内部に設けられているため、配線の寄生容量が非常に小さい。そのため、図12に示すように、第5比較例1100では、高調波(例えば、三倍波)のインピーダンスの軌跡が変わり、高調波(例えば、三倍波)のインピーダンスをオープン側に調整することが難しい。従って、電力増幅モジュール100では、減衰回路130をHBTチップ110とチョークインダクタLvとの間に設けることにより、高調波成分のインピーダンスをオープン側に設定することができる。
ここで、高調波終端回路140の減衰周波数(例えば、二倍波)のインピーダンスをショート側に設定し、減衰回路130の減衰周波数(例えば、三倍波)のインピーダンスをオープン側に設定すると、F級増幅器の動作を実現することができる。
以上、本発明の一実施形態について説明した。電力増幅モジュール100では、トランジスタTRの出力端子とチョークインダクタLvとの間に減衰回路130が設けられている。これにより、電力増幅モジュール100では、増幅信号RFout1の高調波成分を減衰させることができる。また、電力増幅モジュール100では、高調波成分(例えば、三倍波)を減衰させる高調波終端回路を整合回路120の内部に設ける場合と比較して、基本波成分の損失を抑制することができる。
また、電力増幅モジュール100では、整合回路120は、増幅信号RFout1の二倍波を減衰させる減衰回路150を含む。これにより、電力増幅モジュール100では、減衰回路130で三倍波を減衰させるとともに、減衰回路150で二倍波を減衰させることができる。
また、電力増幅モジュール100では、整合回路120は、増幅信号RFout1の基本周波数より低い遮断周波数を有するHPF160をさらに含むことができる。
また、電力増幅モジュール100では、HBTチップ110の内部に、二倍波を減衰させる高調波終端回路140が設けられている。これにより、トランジスタTRのコレクタ(出力端子)に近い位置で、エネルギーの高い二倍波を効果的に減衰させることができる。
また、電力増幅モジュール100では、トランジスタTRはHBTチップ110に形成され、整合回路120、チョークインダクタLv、及び減衰回路130が、HBTチップ110の外部に設けられている。従って、図12に示したように、HBTチップ110の端子T1からインダクタL1までの配線の寄生インダクタンスの影響により、高調波(例えば、三倍波)の周波数帯域に共振点を設定した場合における高調波(例えば、三倍波)のインピーダンスをオープン側(F級)に調整することができる。これにより、電力増幅モジュール100では、F級動作が可能となる。
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
100 電力増幅モジュール
110,1110 HBTチップ
120,510,710,910 整合回路
130,150 減衰回路
140,1120 高調波終端回路
160 HPF
110,1110 HBTチップ
120,510,710,910 整合回路
130,150 減衰回路
140,1120 高調波終端回路
160 HPF
Claims (9)
- 入力信号を増幅して増幅信号を出力する増幅器と、
前記増幅器の出力端子と後段の回路との間に設けられる整合回路と、
一端に電源電圧が印加され、他端から前記増幅器の出力端子を通じて前記増幅器に電源を供給するチョークインダクタと、
前記増幅器の出力端子と前記チョークインダクタの前記他端との間に設けられた第1減衰回路であって、前記増幅信号の高調波成分を減衰させる第1減衰回路と、
を備える電力増幅モジュール。 - 請求項1に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第1減衰回路は、
一端が前記増幅器の前記出力端子と接続され、他端が前記チョークインダクタの前記他端と接続される第1インダクタと、
一端が前記第1インダクタの前記他端と接続され、他端が接地される第1キャパシタと、
を備える電力増幅モジュール。 - 請求項1又は2に記載の電力増幅モジュールであって、
前記整合回路は、前記増幅信号の高調波成分を減衰させる第2減衰回路を含む、
電力増幅モジュール。 - 請求項3に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第1減衰回路は、前記第2減衰回路とは異なる周波数の高調波成分を減衰させる、
電力増幅モジュール。 - 請求項4に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第1減衰回路は、前記増幅信号の三倍波を減衰させ、
前記第2減衰回路は、前記増幅信号の二倍波を減衰させる、
電力増幅モジュール。 - 請求項3〜5の何れか一項に記載の電力増幅モジュールであって、
前記整合回路は、前記増幅信号の基本周波数より低い遮断周波数を有する高域通過フィルタをさらに含む、
電力増幅モジュール。 - 請求項6に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第2減衰回路は、
一端が前記増幅器の前記出力端子と接続された第2インダクタと、
一端が前記第2インダクタの他端と接続され、他端が接地される第2キャパシタと、
を含み、
前記高域通過フィルタは、
一端が前記第2インダクタの前記他端と接続された第3キャパシタと、
一端が前記第3キャパシタの他端と接続され、他端が接地される第3インダクタと、
を含む、
電力増幅モジュール。 - 請求項1〜7の何れか一項に記載の電力増幅モジュールであって、
前記増幅器は第1チップに形成され、
前記整合回路、前記チョークインダクタ、及び前記第1減衰回路が、前記第1チップの外部に設けられた、
電力増幅モジュール。 - 請求項8に記載の電力増幅モジュールであって、
前記増幅信号の二倍波を減衰させる第3減衰回路をさらに備え、
前記第3減衰回路は、前記第1チップの内部に設けられた、
電力増幅モジュール。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019146550A1 (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
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CN112039448A (zh) * | 2019-06-04 | 2020-12-04 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路 |
CN111181503B (zh) * | 2020-01-03 | 2023-01-31 | 广州慧智微电子股份有限公司 | 射频信号处理电路 |
CN115152143A (zh) * | 2020-02-17 | 2022-10-04 | 意法半导体国际有限公司 | 包括具有直流供电级的匹配和滤波网络的集成电路及相应的匹配和滤波方法 |
JP2022159093A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-17 | スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド | 利得変動が低減される電力増幅 |
CN115333493B (zh) * | 2022-10-09 | 2022-12-30 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 射频低噪声放大器电路及射频芯片 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5105172A (en) * | 1990-08-31 | 1992-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Monolithically realizable radio frequency bias choke |
US5117203A (en) * | 1990-12-13 | 1992-05-26 | General Electric Company | Phase stable limiting power amplifier |
JPH10145147A (ja) | 1996-11-15 | 1998-05-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 低歪増幅回路 |
JP3888785B2 (ja) | 1998-09-28 | 2007-03-07 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力増幅器 |
US6157258A (en) * | 1999-03-17 | 2000-12-05 | Ameritherm, Inc. | High frequency power amplifier |
US7202734B1 (en) * | 1999-07-06 | 2007-04-10 | Frederick Herbert Raab | Electronically tuned power amplifier |
AU2002213122A1 (en) * | 2000-10-10 | 2002-04-22 | California Institute Of Technology | Class e/f switching power amplifiers |
EP1202446B1 (en) * | 2000-10-23 | 2009-10-14 | Panasonic Corporation | Power amplifier |
JP2002204133A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅器 |
JP2003338713A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Sony Corp | 電力増幅装置およびこれを用いた無線通信装置 |
JP4293943B2 (ja) | 2004-05-31 | 2009-07-08 | パナソニック株式会社 | 高周波電力増幅器 |
JP4750463B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2011-08-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波電力増幅器およびそれを用いた送信器および移動体通信端末 |
JP4841394B2 (ja) | 2006-10-18 | 2011-12-21 | パナソニック株式会社 | 電力増幅器 |
WO2008147932A2 (en) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Bitwave Semiconductor, Incorporated | Reconfigurable tunable rf power amplifier |
GB2480687B (en) * | 2010-05-28 | 2018-04-04 | Snaptrack Inc | Power supply pre-distortion |
CN102255606B (zh) * | 2011-07-25 | 2014-01-01 | 中国科学院微电子研究所 | 基于e类功率放大电路的固态射频电源 |
US8611459B2 (en) * | 2012-02-29 | 2013-12-17 | Crestcom, Inc. | Transmitter linearized using look-up table with unadaptable data and method therefor |
US8897730B2 (en) * | 2012-12-31 | 2014-11-25 | Triquint Semiconductor, Inc. | Radio frequency switch circuit |
US9276527B2 (en) * | 2013-09-30 | 2016-03-01 | Peregrine Semiconductor Corporation | Methods and devices for impedance matching in power amplifier circuits |
US9093960B2 (en) * | 2013-07-24 | 2015-07-28 | Crestcom, Inc. | Transmitter and method with RF power amplifier having predistorted bias |
US9331643B2 (en) * | 2013-09-30 | 2016-05-03 | Peregrine Semiconductor Corporation | Methods and devices for thermal control in power amplifier circuits |
CN103944522B (zh) * | 2014-05-06 | 2018-05-11 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 功率放大器 |
US9231550B2 (en) * | 2014-06-09 | 2016-01-05 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Output matching network for wideband power amplifier with harmonic suppression |
US9391567B2 (en) * | 2014-06-16 | 2016-07-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for power amplifier output matching |
JP2019057837A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
-
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-
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019146550A1 (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
CN111615787A (zh) * | 2018-01-23 | 2020-09-01 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路 |
US11418151B2 (en) | 2018-01-23 | 2022-08-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier circuit |
CN111615787B (zh) * | 2018-01-23 | 2023-08-11 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路 |
US10692982B2 (en) | 2018-04-04 | 2020-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus |
WO2021215041A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | 株式会社村田製作所 | パワーアンプモジュール及び通信装置 |
Also Published As
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