JP5302279B2 - ダイヤモンド薄膜の成長装置 - Google Patents
ダイヤモンド薄膜の成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5302279B2 JP5302279B2 JP2010198908A JP2010198908A JP5302279B2 JP 5302279 B2 JP5302279 B2 JP 5302279B2 JP 2010198908 A JP2010198908 A JP 2010198908A JP 2010198908 A JP2010198908 A JP 2010198908A JP 5302279 B2 JP5302279 B2 JP 5302279B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon nanotube
- thin film
- diamond thin
- hot filament
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/271—Diamond only using hot filaments
Description
19 反応室
199 支持体
18 真空装置
195 ホットフィラメント
192 第一電極
194 第二電極
191 入気口
193 排気口
197 基材
1950 カーボンナノチューブワイヤの表面
145、1953 カーボンナノチューブ
143a カーボンナノチューブフィルム
143b カーボンナノチューブセグメント
Claims (2)
- 入気口及び排気口を有する反応室と、
前記排気口によって前記反応室に連接された真空装置と、
前記入気口と対向して間隔を置いて前記反応室の中に設置された支持体と、
前記入気口と前記支持体との間に設置されたホットフィラメントと、
を含むダイヤモンド薄膜の成長装置において、
前記ホットフィラメントが少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤからなり、該カーボンナノチューブワイヤが複数のカーボンナノチューブからなることを特徴とするダイヤモンド薄膜の成長装置。 - 前記複数のカーボンナノチューブにおいて、隣接するカーボンナノチューブが、端と端で接続されていることを特徴とする、請求項1に記載のダイヤモンド薄膜の成長装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200910190151.7A CN102011101B (zh) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | 金刚石薄膜的生长装置 |
CN200910190151.7 | 2009-09-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011057544A JP2011057544A (ja) | 2011-03-24 |
JP5302279B2 true JP5302279B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=43646682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010198908A Active JP5302279B2 (ja) | 2009-09-04 | 2010-09-06 | ダイヤモンド薄膜の成長装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110056433A1 (ja) |
JP (1) | JP5302279B2 (ja) |
CN (1) | CN102011101B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101880035A (zh) | 2010-06-29 | 2010-11-10 | 清华大学 | 碳纳米管结构 |
JP7061049B2 (ja) * | 2018-09-10 | 2022-04-27 | 株式会社神戸製鋼所 | 熱フィラメントcvd装置 |
CN110079786A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-08-02 | 杭州睿清环保科技有限公司 | 用于制备大面积金刚石薄膜的热壁热丝cvd的装置 |
CN112323046B (zh) * | 2020-08-31 | 2023-02-21 | 广东鼎泰机器人科技有限公司 | 一种涂层机的真空加热装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60221395A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-06 | Yoshio Imai | ダイヤモンド薄膜の製造方法 |
JP2834797B2 (ja) * | 1989-10-25 | 1998-12-14 | 株式会社リコー | 薄膜形成装置 |
CN1123847A (zh) * | 1994-11-29 | 1996-06-05 | 中国科学院物理研究所 | 一种热丝法生长金刚石的方法 |
KR100334993B1 (ko) * | 1998-12-01 | 2002-05-02 | 추후제출 | 히터 |
WO2000047795A1 (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-17 | Auburn University Industrial Programs & Tech Transfer | Method of hot-filament chemical vapor deposition of diamond |
KR100379475B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2003-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 탄소나노튜브의 무촉매 성장방법 |
KR100382943B1 (ko) * | 2001-02-26 | 2003-05-09 | 프리시젼다이아몬드 주식회사 | 고온 열 필라멘트를 이용한 기상화학다이아몬드증착장치 |
US6949877B2 (en) * | 2001-03-27 | 2005-09-27 | General Electric Company | Electron emitter including carbon nanotubes and its application in gas discharge devices |
JP3840147B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2006-11-01 | キヤノン株式会社 | 成膜装置、成膜方法およびそれを用いた電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法 |
CN1282216C (zh) * | 2002-09-16 | 2006-10-25 | 清华大学 | 一种灯丝及其制备方法 |
CN1415781A (zh) * | 2002-10-10 | 2003-05-07 | 上海大学 | 一种用作集成电路封装基板材料的制造方法 |
KR20060032402A (ko) * | 2004-10-12 | 2006-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카본나노튜브 에미터 및 그 제조방법과 이를 응용한전계방출소자 및 그 제조방법 |
US20060185595A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Coll Bernard F | Apparatus and process for carbon nanotube growth |
SE529375C2 (sv) * | 2005-07-22 | 2007-07-24 | Sandvik Intellectual Property | Anordning för förbättrad plasmaaktivitet i PVD-reaktorer |
CN100418876C (zh) * | 2005-08-19 | 2008-09-17 | 清华大学 | 碳纳米管阵列制备装置及方法 |
CN101090586B (zh) * | 2006-06-16 | 2010-05-12 | 清华大学 | 纳米柔性电热材料及包括该纳米柔性电热材料的加热装置 |
JP4613327B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2011-01-19 | 学校法人 名城大学 | カーボンナノチューブ製フィラメントおよびその利用 |
CN101499328B (zh) * | 2008-02-01 | 2013-06-05 | 清华大学 | 绞线 |
JP2010027175A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Showa Denko HD Singapore Pte Ltd | 炭素膜の形成方法、磁気記録媒体の製造方法、及び炭素膜の形成装置 |
-
2009
- 2009-09-04 CN CN200910190151.7A patent/CN102011101B/zh active Active
- 2009-12-03 US US12/592,906 patent/US20110056433A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-09-06 JP JP2010198908A patent/JP5302279B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102011101B (zh) | 2013-06-05 |
CN102011101A (zh) | 2011-04-13 |
US20110056433A1 (en) | 2011-03-10 |
JP2011057544A (ja) | 2011-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5048624B2 (ja) | 発熱光源 | |
JP4436821B2 (ja) | 単層カーボンナノチューブ配列の成長装置及び単層カーボンナノチューブ配列の成長方法 | |
JP5054068B2 (ja) | カーボンナノチューブフィルムの製造方法 | |
JP4960397B2 (ja) | カーボンナノチューブ針及びその製造方法 | |
Srivastava et al. | Growth, structure and field emission characteristics of petal like carbon nano-structured thin films | |
JP5065336B2 (ja) | カーボンナノチューブフィルムの製造方法 | |
US10533247B2 (en) | Method for growing carbon nanotubes | |
JP4933576B2 (ja) | 電界放出型電子源の製造方法 | |
US9840771B2 (en) | Method of growing carbon nanotube using reactor | |
US9561962B2 (en) | Reactor and method for growing carbon nanotube using the same | |
CN101966987B (zh) | 具有负电子亲和势的分形石墨烯材料及其制备方法和应用 | |
JP4976367B2 (ja) | 熱電子放出素子 | |
US20130295320A1 (en) | Carbon nanotube structure | |
JP2009094074A (ja) | 発熱光源及びその製造方法 | |
JP2008530724A (ja) | カーボンナノチューブ成長のための装置及びプロセス | |
JP2004175655A (ja) | 炭素ナノチューブ、その製造方法及び製造装置 | |
JP2009280492A (ja) | 透明なカーボンナノチューブフィルムの製造方法 | |
JP4960398B2 (ja) | 電界放出型電子源 | |
JP5302279B2 (ja) | ダイヤモンド薄膜の成長装置 | |
JP4913791B2 (ja) | 電界放出型電子源及びその製造方法 | |
TWI406808B (zh) | 奈米碳管結構之製備方法 | |
JP5245072B2 (ja) | カーボンナノチューブの合成方法及びその合成装置 | |
US20130293090A1 (en) | Field emission device | |
JP2005112659A (ja) | カーボンナノチューブ製造装置及びカーボンナノチューブの製造方法 | |
JP2012140268A (ja) | カーボンナノチューブ生成用基材の判定方法およびカーボンナノチューブの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5302279 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |