JP2011057544A - ダイヤモンド薄膜の生長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のダイヤモンド薄膜の生長装置は、入気口及び排気口を有する反応室と、前記排気口によって前記反応室に連接された真空装置と、前記入気口と対向して間隔を置いて前記反応室の中に設置された支持体と、前記入気口と前記支持体との間に設置されたホットフィラメントと、を含む。前記ホットフィラメントが少なくとも一つのカーボンナノチューブワイヤからなり、該カーボンナノチューブワイヤが複数のカーボンナノチューブからなる。
【選択図】図1
Description
19 反応室
199 支持体
18 真空装置
195 ホットフィラメント
192 第一電極
194 第二電極
191 入気口
193 排気口
197 基材
1950 カーボンナノチューブワイヤの表面
145、1953 カーボンナノチューブ
143a カーボンナノチューブフィルム
143b カーボンナノチューブセグメント
Claims (2)
- 入気口及び排気口を有する反応室と、
前記排気口によって前記反応室に連接された真空装置と、
前記入気口と対向して間隔を置いて前記反応室の中に設置された支持体と、
前記入気口と前記支持体との間に設置されたホットフィラメントと、
を含むダイヤモンド薄膜の生長装置において、
前記ホットフィラメントが少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤからなり、該カーボンナノチューブワイヤが複数のカーボンナノチューブからなることを特徴とするダイヤモンド薄膜の生長装置。 - 前記複数のカーボンナノチューブにおいて、隣接するカーボンナノチューブが、端と端で接続されていることを特徴とする、請求項1に記載のダイヤモンド薄膜の生長装置。
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