JP5300034B2 - Ledアレイモジュール及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明はプリント基板(PCB)を使わず、放熱ブロックにLEDを付着して、LEDの発光によって発生する高温の熱を放熱ブロックを介して放熱するようにした放熱機能を有するLEDモジュールで、放熱ブロックを上部導電層と下部導電層で構成し、さらに各層を複数枚のスライスで区画して複数のLEDで自由に直並列方式で回路を構成することにより多様な要求出力への対応が可能なLEDアレイモジュール及びその製造方法に関する。
その間、LEDはLCDモジュール用光源としてバックライトユニットのディスプレイ用に限定されて使われて来た。この場合、低出力によって(通常、0.1W前後)大きな問題点なしに使用可能であった。しかし、LEDのいろいろの特長点によってLED照明灯、街灯、保安灯、集魚灯などにその使用範囲が拡張されている。このようなLED応用製品は特性上高出力が要求され、これによる発熱によって放熱の問題などを不可避に解決しなければならない。
このようなLEDは通常高出力を得るために複数のLEDをアレイ状に配置してモジュールを製作して多く利用されている。このようなLEDアレイモジュールは、基板に複数のLEDを所定の間隔で配置して形成することになる。
そして、このようなLEDアレイモジュールにおいて熱放出の問題さえ解決されれば電流を増加させてより高い光出力を得ることができる。したがって、高効率のためには、LEDから光を最大に摘出することの外に、電流駆動の際、熱を効果的に放出する技術が必要である。このような理由で、従来のLEDアレイモジュールは、より高い光出力を得るために、つまり熱放出性能を改善するために、現在ヒートシンクの外にMPCB(Metal PCB)などを使っている
また、MPCBの使用の外に、熱放出効率をより改善するために、金属性ボード上にLEDチップを装着し、回路構成はFPCB(フレキシブルプリント基板)を用いる複合方式を考慮することもあり、ひいては二枚の金属性ボードだけで回路を構成しようとする試みもあるが、回路構成において並列方式だけ可能であるという限界がある。
したがって、本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、熱放出を最大化するために、プリント基板(PCB)を使わず、放熱ブロックにLEDを付着して、LEDの発光によって発生する高温の熱を放熱ブロックを介して放熱するようにすることを目的とする。
本発明の他の目的は、放熱ブロックを上部導電層と下部導電層で構成し、さらに各層を複数枚のスライスで区画して複数のLEDで自由に直並列方式で回路を構成することにより、多様な要求出力への対応が可能なLEDアレイモジュール及びその製造方法を提供することである。
このような目的を達成するために、本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法は、絶縁接着層を介して上部導電層と下部導電層を積層して固定させる第1段階;外部に露出された上部導電層と下部導電層の表面に絶縁層を形成する第2段階;下部導電層の上面が露出されるように上部導電層を加工して複数のLED実装面を形成する第3段階;それぞれのLED実装面の内部に露出された下部導電層と上部導電層を通じて電源供給ができるようにそれぞれのLED実装面にLEDを実装する第4段階;絶縁性及び投光性を持つ樹脂でLED実装面をモールディングする第5段階;及び上部導電層と下部導電層をそれぞれ複数枚のスライスで区画するように上部分離溝と下部分離溝を幅方向に平行に加工する第6段階;を含んでなることを特徴とする。
また、本発明の第2実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法は、複数枚のスライスを一定間隔で同一面上に配置して下部導電層を形成し、下部導電層の上部に絶縁接着層を塗布した後、絶縁接着層の上面に複数枚のスライスをジグザグ状にずれるように配置して上部導電層を積層して一体的に形成する第1段階;上部導電層と下部導電層の外部に露出された外面に絶縁層を形成する第2段階;それぞれのスライスと重なった上部導電層のそれぞれのスライスに対して下部導電層の上面が露出されるように上部導電層と絶縁接着層を加工して複数のLED実装面を形成する第3段階;それぞれのLED実装面の内部に露出された下部導電層と上部導電層を通じて電源供給ができるようにそれぞれのLED実装面にLEDを実装する第4段階;及び絶縁性及び投光性を持つ樹脂でLED実装面をモールディングする第5段階;を含んでなることを特徴とする。
そして、本発明の第3実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法は、それぞれ複数枚のスライスを準備する第1段階;複数枚のスライスを同一面上に一定間隔で配置して上部導電層を形成し、複数枚のスライスを一定間隔でそれぞれの複数枚のスライスに対してジグザグ状にずれるように配置して下部導電層を形成した後、上部導電層と下部導電層を絶縁接着層を介して積層して一体的に形成する第2段階;下部導電層の上面が露出されるように上部導電層を加工して複数のLED実装面を形成する第3段階;それぞれのLED実装面の内部に露出された下部導電層と上部導電層を通じて電源供給ができるようにそれぞれのLED実装面にLEDを実装する第4段階;及び絶縁性及び投光性を持つ樹脂でLED実装面をモールディングする第5段階;を含んでなることを特徴とする。
特に、上部導電層と下部導電層はそれぞれ直四角形に形成され、それぞれのLED実装面は格子状に配置されるように加工して製造することができ、好ましくはドリリングで加工する。さらに、上部導電層と下部導電層はそれぞれ円盤形に形成され、それぞれのLED実装面は上部導電層の中心位置から放射状に少なくとも1列に配置されるように加工して製造することもできる。このような上部導電層と下部導電層はアルミニウム薄膜、金属薄膜、導電性ポリエステルまたはシリコン薄膜を用いることができる。また、上部導電層と下部導電層はそれぞれ厚さが0.5〜2.5mmであり、上部導電層が下部導電層より薄く形成されたことを特徴とする。
また、絶縁層は、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化膜またはクロム酸化膜であることを特徴とする。
そして、LED実装面は円錐台形、あるいは光抽出率の向上のためにこれと類似の形状に形成され、ワイヤボンディング連結部がさらに形成されたことを特徴とする。
このような本発明の好適な実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法は、上部導電層と下部導電層にそれぞれ外部から電気的に接続可能であるように外部端子をネジ結合または接着方式で装着する段階をさらに含んでなることを特徴とする。
一方、本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールは、絶縁接着層を介して上部導電層と下部導電層が一体的に積層され、その全外面には絶縁層が形成され、上部導電層には下部導電層の上面が露出されるように加工された複数のLED実装面が形成され、それぞれのLED実装面は上部導電層及び下部導電層を通じて電源供給ができるようにLEDが実装され、絶縁性及び投光性を持つ樹脂でモールディング処理されたことを特徴とする。
また、本発明の第2実施例によるLEDアレイモジュールは、上面にそれぞれ少なくとも一対のLED実装面が貫設された複数枚のスライスでなる上部導電層;複数枚のスライスでなる下部導電層;上部導電層と下部導電層を積層して一体的に形成するために、その間に備えられる絶縁接着層;外部に露出された上部導電層及び下部導電層の外面に形成された絶縁層;スライスを介して直並列で接続されるようにLED実装面に装着されたLED;及びLED実装面にモールディングされる絶縁性及び投光性を持つ樹脂;を含んでなり、上部導電層と下部導電層はそれぞれ複数枚のスライスが平面上に積層された構造でなり、それぞれのスライスはジグザグ状にずれるように配置されていることを特徴とする。
そして、本発明の第3実施例によるLEDアレイモジュールは、上面にそれぞれ少なくとも一対のLED実装面が貫設された複数枚のスライスでなる上部導電層;複数枚のスライスでなる下部導電層;上部導電層と下部導電層を積層して一体的に形成するために、その間に備えられる絶縁接着層;スライスを介して直並列で接続されるようにLED実装面に装着されたLED;及びLED実装面にモールディングされる絶縁性及び投光性を持つ樹脂;を含んでなり、上部導電層と下部導電層はそれぞれ複数枚のスライスが一定間隔で離隔されて平面上に積層された構造でなり、それぞれのスライスはジグザグ状にずれるように配置されていることを特徴とする。
最後に、上部導電層と下部導電層はそれぞれ直四角形または円盤形に形成され、それぞれのLED実装面は格子状に配置されるかあるいは上部導電層の中心位置から放射状に少なくとも1列に配置されるように加工されたことを特徴とする。前記加工はドリリング加工が好ましい。
本発明によれば次のような効果がある。
1)熱放出効果にすぐれる。
2)複数のLEDが直並列混合方式で連結されるので、要求出力に容易に対応することができる。
3)上部導電層と下部導電層を四角形または円盤形などの多様な要求形態に容易に対応することができる。
本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法を説明するフローチャートである。 図1によって酸化層が形成された上部導電層と下部導電層を示す断面図である。 図1によって上部導電層と下部導電層が絶縁層を介して積層されて一体化された形態を示す断面図である。 図1によってLED実装面が形成された一部を示す断面図である。 本発明によってLEDが実装された状態を示す断面図である。 LED実装面に樹脂でモールディングされた状態を示す断面図である。 上部導電層と下部導電層がそれぞれ複数枚のスライスで区画された状態を示す断面図である。 本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法によって製造されたLEDアレイモジュールを示す例示図である。 本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法において外部端子の設置例を示す断面図である。 本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法によって製造されたLEDアレイモジュールの電気的連結状態を示す回路図である。 本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法による変形例を示す平面図である。 本発明の第2実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法を説明するフローチャートである。 図12aの製造方法を示す例示図である。 本発明の第2実施例によって製造されたLEDアレイモジュールを示す断面図である。 本発明の第3実施例LEDアレイモジュールの製造方法を説明するフローチャートである。 本発明の第3実施例によって製造されたLEDアレイモジュールを示す断面図である。 本発明の他の実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法を説明するフローチャートである。 図16の製造方法によって製造されたLEDアレイモジュールの構造を示す断面図である。
以下、図面を参照して、本発明を実施例に基づいてより具体的に説明する。
(製造方法の第1実施例)
図1は本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法を説明するフローチャート、図2〜図9は図1によって製造されるLEDアレイモジュールの製造過程を説明する図である。
本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法は、所定の大きさを持つ上部導電層100と下部導電層200を用いてLEDアレイモジュールを製作することになり、基本的に次のような6段階にかけてなされる。
第1段階(S100)は上部導電層100と下部導電層200を積層して固定させる段階である。この際、上部導電層100と下部導電層200は絶縁接着層300を介して装着される。
絶縁接着層300は、図2に示すように、上部導電層100と下部導電層200の間に備えられる。このような絶縁接着層300は、下部導電層200に接着用フィルムを塗った後、その上に上部導電層100を積層して付着し、高圧を加えて上部導電層100と下部導電層200を接合させるとともに絶縁させる方法などを用いることができる。
一方、上部導電層100と下部導電層200の材質としては、通電可能な材質でなるものを用いることになる。好ましくは、通常基板などに多く用いられるアルミニウム薄膜、金属薄膜、導電性ポリエステル、及びシリコン薄膜などを用いることになる。本発明の好適な実施例において、上部導電層100と下部導電層200は放熱効果を極大化するために放熱効率に優れた低価のアルミニウム薄膜を用いることが一番好ましい。
特に、上部導電層100と下部導電層200は後述するLED400から放出される熱を考慮して冷却効率を高めることができる厚さに形成することになる。このような上部導電層100と下部導電層200はそれぞれ0.5〜2.5mmの厚さに形成することになる。もちろん、このような厚さは例示的なもので、LED400から発生する発熱量を考慮して、これより厚く製作することもできる。特に、本発明の好適な実施例において、上部導電層100は下部導電層200より厚く形成することが好ましい。これは実質的にLED400が下部導電層200に直接密着して設置されるため、下部導電層200を放熱板の機能として活用するためである。
このように構成される上部導電層100と下部導電層200は多様な形態に製作することになる。例示的に、上部導電層100と下部導電層200は幅より長さが相対的に長い直四角形に製作することもでき、円盤形に製作することも可能である。ここで、直四角形に製作されたものを例として説明し、円盤形に製作する場合は後述する変形例で詳細に説明する。
第2段階(S200)は上部導電層100と下部導電層200の全面に絶縁層110を形成する段階である。
絶縁層110は一種の酸化膜で、図3に示すように、上部導電層100と下部導電層200の全面のうち外部に露出された表面に対して施される。このような絶縁層110は上部導電層100と下部導電層200の材質によって異なるものを使用することができる。例えば、上部導電層100と下部導電層200がシリコン薄膜の場合、絶縁層110はシリコン酸化膜を採用し、上部導電層100と下部導電層200がアルミニウム薄膜の場合、絶縁層110はアルミニウム酸化膜を採用することができる。そして、その外にも、絶縁層110としては導電性金属などの中で酸化膜として用いることができるクロム酸化膜を用いることもできる。このような酸化膜の形成方法は通常の技術によるもので、ことではその詳細な説明を省略する。
第3段階(S300)は複数のLED実装面120を形成する段階である。LED実装面120は上部導電層100を加工して形成する。この際、LED実装面120は、図4に示すように、下部導電層200が外部に露出されるように上部導電層100と絶縁接着層300を一緒にドリリング作業を行うことが好ましい。
この際、LED実装面120は上部導電層100の長手方向に沿って1列に配置されるように形成することもでき、2列以上の格子状に配置されるように形成することもできる。そして、LED実装面120は上面にいくほど上部が広くなる円錐台形に製作することが好ましい。これはLED実装面120にLED400を実装することができるようにするとともにLED実装面120が反射板の機能を同時にするためである。
一方、第3段階(S300)では、LED実装面120の形成後にワイヤボンディング連結部121を形成する段階をさらに付け加えることができる。ワイヤボンディング連結部121は、LED400の実装の際、ワイヤ410を上部導電層100に容易に設置するためのものである。
第4段階(S400)はそれぞれのLED実装面120にLED400を実装する段階である。この際、LED400は通常の技術で製作されて電球や表示用などに用いられるものを用いることになる。そして、LED400は電源供給のためのワイヤの数によって実装方法が異なる。
図5aは一本のワイヤ410を通じて電源供給がなされるLED400が実装された状態を示す断面図である。LED400は一端がLED実装面120の底面、つまり下部導電層200に直接実装され、他端がワイヤ410を介して前述したワイヤボンディング連結部121に電気的に連結されて電源を受けることができるように設置する。
図5bは本発明の他の実施例によってLEDが実装された状態を示す断面図で、一対のワイヤ410、420を持つLED400の実施例を示す。一対のワイヤ410、420を持つLED400は、各ワイヤ410、420の端部をそれぞれ上部導電層100と下部導電層200にそれぞれ連結する。すなわち、一本のワイヤ410は端部をワイヤボンディング連結部121に連結して上部導電層100と通電するようにし、他のワイヤ420はLED実装面120の形成によって外部に露出される下部導電層200の上面に連結することになるものである。
第5段階(S500)はそれぞれのLED実装面120に対して樹脂500でモールディングする段階である。図6はLED実装面120に樹脂500でモールディングされた状態を示す断面図である。樹脂500は導電性を持つ上部導電層100と下部導電層200が電気的に接続しないように分離させる。そして、樹脂500はLED400の保護機能とともにLED実装面120を埋める機能も持つ。さらに、樹脂500はワイヤ410の堅固な固定によってワイヤボンディング連結部121から電気的に分離しないように固定させる。このような樹脂500としては、絶縁性を持つとともに、LED400から照射された光が透過するように透過性を持つ合成樹脂を用いることが好ましい。
第6段階(S600)は上部導電層100と下部導電層200をそれぞれ複数枚のスライス100a、200aで区画する段階である。図7は上部導電層100と下部導電層200がそれぞれ複数枚のスライス100a、200aで区画された状態を示す断面図である。このために、上部導電層100と下部導電層200にはそれぞれ互いに平行に位置するように上部分離溝130と下部分離溝220を加工する。図7において、未説明矢印は電源の流れを示す。
図7に示すように、上部分離溝130と下部分離溝220はそれぞれ上部導電層100の幅方向に形成する。この際、上部分離溝130はLED実装面120を二つ置きに形成し、下部分離溝220は二つの上部分離溝130の間に位置するように形成する。これにより、上部導電層100から分離されたスライス100aと下部導電層200から分離されたスライス200aは互いにずれたジグザグ状になるものである。そして、それぞれのスライス100aには二つのLED400が装着される。
このように、第6段階(S600)を遂行すれば、図8に示すように、スライス100aにそれぞれ二つのLED実装面120を持つLEDアレイモジュール1000を得ることができることになる。
一方、本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法は、図9に示すように、外部からの電源供給のために、それぞれ極性が反対である外部端子140、230をそれぞれ上部導電層100と下部導電層200に装着する第7段階(S700)をさらに含むことができる。電源供給のための外部端子140、230はそれぞれ下部導電層200の両端部にそれぞれネジ結合方式、接着などの方式で装着する。
図9は本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法において外部端子の設置例を示す断面図である。図9はネジ結合の一例を示すもので、外部端子140、230をスクリュー150で締結固定した状態を示す。
そして、本発明はこのような本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法によって製造されたLEDアレイモジュール1000を含んでなる。LEDアレイモジュール1000は、図8に示すように、それぞれ上部導電層100と下部導電層200を構成する複数枚のスライス100a、200aが絶縁可能な状態で互いにずれた形態に構成される。これにより、LEDアレイモジュール1000は、図7の矢印のように電源が供給される。よって、このLEDアレイモジュール1000は、LED400の電気的連結状態を示す図10のように、それぞれのスライス100aに搭載された二つのLED400は互いに並列で連結され、それぞれのスライス100aは互いに直列で連結される。図10は本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法によって製造されたLEDアレイモジュールの電気的連結状態を示す回路図である。
また、本発明は第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法によって製造されたLEDアレイモジュール1000を含む。LEDアレイモジュール1000は、図7及び図8に示すように、絶縁接着層300を介して上下部にそれぞれ上部導電層100と下部導電層200が積層されて一体的に構成される。この際、上部導電層100と下部導電層200は、それぞれ積層した後、その全外面に絶縁層110が形成される。このようなLEDアレイモジュール1000には、上部導電層100と下部導電層200がそれぞれ複数枚のスライス100a、200aで構成されるように、上部分離溝130と下部分離溝220が幅方向に一定間隔で形成されている。特に、上部分離溝130は二つのLED実装面120置きに一つずつ形成され、下部分離溝220はこれら二つの上部分離溝130の間に位置するように下部導電層200に形成する。また、上部導電層100はそれぞれのスライス100aに二つのLED実装面120が加工によって形成される。この際、それぞれのLED実装面120は上部導電層100と絶縁接着層300を一緒に下部導電層200の上面が露出されるように加工することで形成する。そして、このLED実装面120にはLED400が実装され、その上に絶縁性及び投光性を持つ樹脂500でモールディング処理することになる。
このように構成されたLEDアレイモジュール1000はある上部分離溝130または下部分離溝220を基準として切断して二つのLED400が並列で連結された形態を用いることも可能である。そして、図8に示すように、四つのLED400が一組となるように下部分離溝220を切断すれば、それぞれ並列で連結されたLED400がさらに直列で連結される組として用いることができることになる。
一方、本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法は、上部導電層100と下部導電層200の形状によって他の変形例を実施することが可能である。このような他の変形例をより詳細に説明すれば次のようである。
(製造方法の第1実施例の変形例)
図11は本発明の第1実施例によるLEDアレイモジュール1000’の製造方法による変形例を示す平面図である。第1実施例の変形例において、第1実施例と異なる構成についてだけ説明する。そして、図面符号は前述した第1実施例で使ったものをそのまま使う。
本発明の第1実施例の変形例は、第1実施例の製造方法と比較すると、上部導電板100と下部導電板200の形状、LED実装面120の形成位置、及び上部分離溝130と下部分離溝220の形成位置にだけ違いあるので、これらについてだけ説明する。
図11に示すように、上部導電板100と下部導電板200はそれぞれ円盤形に製作することになる。そして、LED実装面120は上部導電板100の中心から所定の半径を持つ仮想の円周上に一定間隔で形成することになる。図11はLED実装面120が1列に形成された例を示すが、2列以上に形成することもできる。
また、上部導電板100と下部導電板200をそれぞれ構成するスライス100a、200aも同一形状を持つように弧形に形成する。このために、上部分離溝130と下部分離溝220はそれぞれ上部導電板100と下部導電板200を中心として放射状、つまり半径方向に沿って等間隔で形成することになる。この際、上部分離溝130は二つのLED実装面120置きに等間隔で形成することになる。そして、下部分離溝220は隣接した二つの上部分離溝130の間に位置するように形成する。
したがって、本発明の第1実施例の変形例も図10を参照して説明した第1実施例と同様に、それぞれのスライス100aに装着された一対のLED400が並列で連結され、隣接したそれぞれのスライス100aが直列で連結される複合構造を持つことになる。
一方、本発明は第1実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法の変形例によって製造されたLEDアレイモジュール1000’を含む。LEDアレイモジュール1000’は、図11に示すように、円盤形に構成される。このようなLEDアレイモジュール1000’は図7及び図8で説明した第1実施例のLEDアレイモジュール1000と同一の構成であるが、その全体形状と上部分離溝130と下部分離溝220の形成位置にだけ違いがある。すなわち、上部導電層100と下部導電層200は円盤形に形成され、上部分離溝130と下部分離溝220がそれぞれ円盤の中心から半径方向に等間隔で形成されたものである。
(製造方法の第2実施例)
図12は本発明の第2実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法を説明するフローチャート、図14は本発明の第2実施例によって製造されたLEDアレイモジュールを示す断面図である。ここで、第2実施例は第1実施例と異なる点についてだけ説明する。そして、説明の便宜上図面符号は第1実施例と同一符号をそのまま用いる。
本発明によるLEDアレイモジュールの製造方法の第2実施例は6段階で進む。第1実施例と比較すると、上部導電層100と下部導電層200を形成することにおいて、それぞれ複数枚のスライス100a、200aを用いる点で違いがある。このような違いは第2実施例の第1段階(S100’)及び第2段階(S200’)でより具体的に説明する。
第1段階(S100’)は、複数枚のスライス100a、200aを準備して上部導電層100と下部導電層200を形成し、絶縁接着層300を介してこれら上部及び下部導電層100、200を積層して一体的に形成する段階である。
上部導電層100は複数枚のスライス100aを同一面上に位置するように配置して形成する。この際、それぞれのスライス100aは一定間隔で同一面をなすように配置して構成する。そして、下部導電層200も複数枚のスライス200aを用いて上部導電層100と同様な方法で形成する。このように形成された上部導電層100と下部導電層200は絶縁接着層300を積層して一体化することになる。
これについて、図14を参照してより具体的に説明すれば、下部導電層200を構成するスライス200aを1列に一定間隔(G)で同一面上に位置するように配置した後、その表面上に絶縁接着層300を塗布した後、その上に他の上部導電層100を形成するために、複数枚のスライス100aを一定間隔(G)で配置する。この際、それぞれのスライス100aと他のスライス200aは半分が重なって互いにジグザグ状にずれるように配置する。
本発明の好適な実施例において、それぞれのスライス100a、200aは、前述した第1実施例及びその変形例と同様に、上部導電層100と下部導電層200の形状によって異なる。すなわち、上部導電層100と下部導電層200が直四角形であればそれぞれのスライス100a、200aは直四角形のものを用いる。そして、上部導電層100と下部導電層200が円盤形であれば、それぞれのスライス100a、200aは円弧形のものを用いる。
第2段階(S200’)は外部に露出された上部導電層100と下部導電層200の外面に絶縁層110を形成する段階である。これはそれぞれのスライス100a、200aを保護するとともに電気的に安全に使うようにするためのものである。この際、絶縁層110は、図14に示すように、外部に露出された上部導電層100と下部導電層200の全外面にわたって形成することが好ましい。
第3段階(S300’)はLED実装面120を形成する段階、第4段階(S400’)はLED400を実装する段階、第5段階(S500’)は樹脂でLED実装面120をモールディング処理する段階、第6段階(S600’)は電源供給のために外部端子140、230を装着する段階である。これら第3〜5段階(S300’〜S500’)は第1実施例の第3〜第5段階(S300〜S500)と同様な方法でなされ、第6段階(S600’)は第1実施例の第7段階(S700)と同様な方法でなされるので、ここではその詳細な説明を省略する。
特に、第3段階(S300’)で、LED実装面120はそれぞれのスライス100aに形成し、図8及び図11に示すように、それぞれの隣接した上部分離溝130と下部分離溝220の間にそれぞれのLED実装面120が位置するように加工作業を行うことが好ましい。
また、本発明は前述した第2実施例による製造方法によって製造されたLEDアレイモジュールを含んでなる。第2実施例による製造方法によって製造されたLEDアレイモジュールは、図8及び図11に示す第1実施例によって製造されたLEDアレイモジュール1000、1000’と同一であるが、絶縁層110に違いがある。すなわち、第2実施例による製造方法によって製造されたLEDアレイモジュールは、図14に示すように、絶縁層110がスライス100a、200aの間の間隔(G)内にも形成されているものである。
(製造方法の第3実施例)
図15は本発明の第3実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法を説明するフローチャート、図16は本発明の第3実施例によって製造されたLEDアレイモジュールを示す断面図である。ここで、第3実施例は、第2実施例と比較してその違いについてだけ説明する。そして、説明の便宜上図面符号は第1実施例及び第2実施例と同一符号をそのまま用いる。
本発明の第3実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法は6段階にかけて進み、第2実施例と比較すると、絶縁層110を形成しない点に違いがある。第3実施例の製造方法は、各製造段階別に進む手順に違いがあるので、進行段階の中で違いがある上部導電層100及び下部導電層200をそれぞれ構成するスライス100a、200aを準備する段階である第1段階(S100”)と、上部導電層100と下部導電層200を構成して積層する第2段階(S200”)についてだけ簡略に説明する。
第1段階(S100”)は複数枚のスライス100a、200aを準備する段階である。この際、それぞれのスライス100a、200aは、第1及び第2実施例の製造方法と同様に、上部導電層100と下部導電層200の形態によって四角形または円弧形に形成されたものを準備する。
第2段階(S200”)は、第2実施例の第2段階(S200’)と同様に、上部導電層100と下部導電層200を構成し、絶縁接着層300を用いて積層する段階である。この際、上部導電層100と下部導電層200を構成するそれぞれのスライス100a、200aはそれぞれ一定間隔(G)を維持するように設置することになる。これは、隣接したスライス100a、200aが電気的に接続しないようにするためである。
第3段階(S300”)はLED実装面120を形成する段階、第4段階(S400”)はLED400を実装する段階、第5段階(S500”)は樹脂でLED実装面120をモールディング処理する段階、第6段階(S600”)は電源供給のために外部端子140、230を装着する段階である。これら第3〜5段階(S300”〜S500”)は第1実施例の第3〜第5段階(S300〜S500)と同様な方法でなされ、第6段階(S600”)は第1実施例の第7段階(S700)と同様な方法でなされるので、ここではその詳細な説明を省略する。
また、本発明は前述した第3実施例による製造方法によって製造されたLEDアレイモジュールを含んでなる。第3実施例によって製造されたLEDアレイモジュールは、図16で示す第1実施例によって製造されたLEDアレイモジュール1000、1000’と構成の面で同一であるが、それぞれのスライス100a、200aの絶縁層110が削除された形態に構成される。
添付図面の図17は本発明の他の実施例によるLEDアレイモジュールの製造方法を説明するフローチャートで、これによれば絶縁接着層300を介して上部導電層100と下部導電層200を積層して固定させる第1段階(S100)を遂行した後、前記上部導電層100と前記下部導電層200をそれぞれ複数枚のスライス100a、200aで区画するように上部分離溝130と下部分離溝220を幅方向に平行に加工する第6段階(S600)を遂行する。
一方、前記第6段階(S600)を遂行した後、下部導電層200の上面が露出されるように上部導電層100を加工して複数のLED実装面120を形成する第3段階(S300)を遂行し、前記それぞれのLED実装面120の内部に露出された前記下部導電層200と前記上部導電層100を通じて電源供給ができるように前記それぞれのLED実装面120にLED400を実装する第4段階(S400)と絶縁性及び投光性を持つ樹脂500で前記LED実装面120をモールディングする第5段階(S500)、及び外部に露出された前記上部導電層100と前記下部導電層200の表面に絶縁層110を形成する第2段階(S200)の順に製造することもできる。
以上、本発明を前述した好適な実施例に基づいて説明したが、このような実施例は本発明をより明らかに開示するためのもので、本明細書及び図面に開示された事項の範囲内で多様な修正または変形を行うことも可能であろう。よって、添付の特許請求範囲は本明細書及び図面に記載された事項及びその記載によって当業者が容易に推論することができる範囲内でこのような修正または変形を含むものとして理解されなければならない。
本発明は、プリント基板(PCB)を使わず放熱ブロックにLEDを付着して、LEDの発光によって発生する高温の熱を放熱ブロックを介して放熱するLEDアレイモジュール及びその製造方法に適用可能である。
100 上部導電層
110 絶縁層
120 LED実装面
121 ワイヤボンディング連結部
130 上部分離溝
140、230 外部端子
200 下部導電層
220 下部分離溝
300 絶縁接着層
400 LED
410 ワイヤ
500 樹脂
1000 LEDアレイモジュール

Claims (15)

  1. 絶縁接着層300を介して上部導電層100と下部導電層200を積層して固定させる第1段階(S100);
    外部に露出された前記上部導電層100と前記下部導電層200の表面に絶縁層110を形成する第2段階(S200);
    前記下部導電層200の上面が露出されるように前記上部導電層100を加工して複数のLED実装面120を形成する第3段階(S300);
    前記それぞれのLED実装面120の内部に露出された前記下部導電層200と前記上部導電層100を通じて電源供給ができるように前記それぞれのLED実装面120にLED400を実装する第4段階(S400);
    絶縁性及び投光性を持つ樹脂500で前記LED実装面120をモールディングする第5段階(S500);及び
    前記上部導電層100と前記下部導電層200をそれぞれ複数枚のスライス100a、200aで区画し、前記複数枚のスライス100aと200aが一定間隔でジグザグ状にずれるように配置されるように上部分離溝130と下部分離溝220を加工する第6段階(S600);
    を含んでなることを特徴とする、LEDアレイモジュールの製造方法。
  2. 複数枚のスライス200aを一定間隔で同一面上に配置して下部導電層200を形成し、前記下部導電層200の上部に絶縁接着層300を塗布した後、前記絶縁接着層300の上面に複数枚のスライス100aを一定間隔で前記絶縁接着層300が塗布された前記各複数枚のスライス200aに対してジグザグ状にずれるように配置して上部導電層100を積層して一体的に形成する第1段階(S100’);
    前記上部導電層100と前記下部導電層200の外部に露出された外面に絶縁層110を形成する第2段階(S200’);
    前記それぞれのスライス200aと重なった前記上部導電層100のそれぞれのスライス100aに対して前記下部導電層200の上面が露出されるように前記上部導電層100と前記絶縁接着層300を加工して複数のLED実装面120を形成する第3段階(S300’);
    前記それぞれのLED実装面120の内部に露出された前記下部導電層200と前記上部導電層100を通じて電源供給ができるように前記それぞれのLED実装面120にLED400を実装する第4段階(S400’);及び
    絶縁性及び投光性を持つ樹脂500で前記LED実装面120をモールディングする第5段階(S500’);
    を含んでなることを特徴とする、LEDアレイモジュールの製造方法。
  3. それぞれ複数枚のスライス100a、200aを準備する第1段階(S100”);
    前記複数枚のスライス100aを同一面上に一定間隔で配置して上部導電層100を形成し、前記複数枚のスライス200aを一定間隔で前記各複数枚のスライス100aに対してジグザグ状にずれるように配置して下部導電層200を形成した後、前記上部導電層100と前記下部導電層200を絶縁接着層300を介して積層して一体的に形成する第2段階(S200”);
    前記下部導電層200の上面が露出されるように前記上部導電層100を加工して複数のLED実装面120を形成する第3段階(S300”);
    前記それぞれのLED実装面120の内部に露出された前記下部導電層200と前記上部導電層100を通じて電源供給ができるように前記それぞれのLED実装面120にLED400を実装する第4段階(S400”);及び
    絶縁性及び投光性を持つ樹脂500で前記LED実装面120をモールディングする第5段階(S500”);
    を含んでなることを特徴とする、LEDアレイモジュールの製造方法。
  4. 絶縁接着層300を介して上部導電層100と下部導電層200を積層して固定させる第1段階(S100);
    前記上部導電層100と前記下部導電層200をそれぞれ複数枚のスライス100a、200aで区画し、前記複数枚のスライス100aと200aが一定間隔でジグザグ状にずれるように配置されるように上部分離溝130と下部分離溝220を加工する第6段階(S600);
    前記下部導電層200の上面が露出されるように前記上部導電層100を加工して複数のLED実装面120を形成する第3段階(S300);
    前記それぞれのLED実装面120の内部に露出された前記下部導電層200と前記上部導電層100を通じて電源供給ができるように前記それぞれのLED実装面120にLED400を実装する第4段階(S400);
    絶縁性及び投光性を持つ樹脂500で前記LED実装面120をモールディングする第5段階(S500);及び
    外部に露出された前記上部導電層100と前記下部導電層200の表面に絶縁層110を形成する第2段階(S200);
    を含んでなることを特徴とする、LEDアレイモジュールの製造方法。
  5. 前記上部導電層100と前記下部導電層200はそれぞれ直四角形に形成され、
    前記それぞれのLED実装面120は1列または2列以上の格子状に配置されるように加工されたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のLEDアレイモジュールの製造方法。
  6. 前記上部導電層100と前記下部導電層200はそれぞれ円盤形に形成され、
    前記それぞれのLED実装面120は前記上部導電層100の中心位置から放射状に少なくとも1列に配置されるように加工されたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のLEDアレイモジュールの製造方法。
  7. 前記上部導電層100と前記下部導電層200は、アルミニウム薄膜、金属薄膜、導電性ポリエステルまたはシリコン薄膜であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のLEDアレイモジュールの製造方法。
  8. 前記上部導電層100と前記下部導電層200はそれぞれ厚さが0.5〜2.5mmとなるように形成されたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のLEDアレイモジュールの製造方法。
  9. 前記絶縁層110は、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化膜またはクロム酸化膜であることを特徴とする、請求項1または2に記載のLEDアレイモジュールの製造方法。
  10. 前記LED実装面120は円錐台形に形成され、内面にワイヤボンディング連結部121がさらに形成されたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のLEDアレイモジュールの製造方法。
  11. 絶縁接着層300を介して上部導電層100と下部導電層200が一体的に積層され、その全外面には絶縁層110が形成され、
    前記上部導電層100には前記下部導電層200の上面が露出されるように加工された複数のLED実装面120が形成され、
    前記それぞれのLED実装面120には前記上部導電層100及び前記下部導電層200を通じて電源供給ができるようにLED400が実装され、絶縁性及び投光性を持つ樹脂500でモールディング処理され、
    前記上部導電層100には二つの前記LED実装面120置きに上部分離溝130が等間隔で形成され、前記下部導電層200には二つの前記上部分離溝130の間に位置するように下部分離溝220が形成されていることを特徴とする、LEDアレイモジュール。

  12. 上面にそれぞれ少なくとも一対のLED実装面120が貫設された複数枚のスライス100aでなる上部導電層100;
    複数枚のスライス200aでなる下部導電層200;
    前記上部導電層100と前記下部導電層200を積層して一体的に形成するために、その間に備えられる絶縁接着層300;
    外部に露出された前記上部導電層100及び前記下部導電層200の外面に形成された絶縁層110;
    前記スライス100a、200aを介して直並列で接続されるように前記LED実装面120に装着されたLED400;及び
    前記LED実装面120にモールディングされる絶縁性及び投光性を持つ樹脂500;を含んでなり、
    前記上部導電層100と前記下部導電層200はそれぞれ前記複数枚のスライス100a、200aが一定間隔でジグザグ状にずれるように配置されていることを特徴とする、LEDアレイモジュール。
  13. 上面にそれぞれ少なくとも一対のLED実装面120が貫設された複数枚のスライス100aでなる上部導電層100;
    複数枚のスライス200aでなる下部導電層200;
    前記上部導電層100と前記下部導電層200を積層して一体的に形成するために、その間に備えられる絶縁接着層300;
    前記スライス100a、200aを介して直並列で接続されるように前記LED実装面120に装着されたLED400;及び
    前記LED実装面120にモールディングされる絶縁性及び投光性を持つ樹脂500;を含んでなり、
    前記上部導電層100と前記下部導電層200はそれぞれ前記複数枚のスライス100a、200aが一定間隔でジグザグ状にずれるように配置されていることを特徴とする、LEDアレイモジュール。
  14. 前記上部導電層100と前記下部導電層200はそれぞれ直四角形に形成され、
    前記それぞれのLED実装面120は1列または2列以上の格子状に配置されるように加工されたことを特徴とする、請求項11〜13のいずれか1項に記載のLEDアレイモジュール。
  15. 前記上部導電層100と前記下部導電層200はそれぞれ円盤形に形成され、
    前記それぞれのLED実装面120は前記上部導電層100の中心位置から放射状に少なくとも1列に配置されるように加工されたことを特徴とする、請求項11〜13のいずれか1項に記載のLEDアレイモジュール。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5515587B2 (ja) * 2009-10-05 2014-06-11 大日本印刷株式会社 Led素子載置部材およびその製造方法、ならびにled素子パッケージおよびその製造方法
JP5432045B2 (ja) * 2010-04-13 2014-03-05 シチズン電子株式会社 半導体発光装置の製造方法
CN103154607A (zh) * 2010-09-13 2013-06-12 Bk科技株式会社 提高了散热特性的高光度led光源构造体
CN102694081B (zh) * 2011-03-21 2014-11-05 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
KR101438566B1 (ko) 2012-07-25 2014-09-12 (주)라이트스탠다드 모듈분리형 led 조명장치
KR101395880B1 (ko) * 2013-01-10 2014-05-15 유테크닉스(주) Led 모듈의 제조방법 및 그 led 모듈
KR102203683B1 (ko) * 2014-04-10 2021-01-15 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 발광장치
WO2015174622A1 (ko) * 2014-05-16 2015-11-19 이영식 엘이디 조명장치용 광기능성 연성회로기판
JP6802620B2 (ja) * 2015-05-18 2020-12-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
KR20170030181A (ko) 2015-09-09 2017-03-17 주식회사 포메링 방열 구조를 지닌 엘이디모듈
US20210021230A1 (en) * 2018-03-19 2021-01-21 Terra Firma Innovations Inc. Photovoltaic microcell array with multi-stage concentrating optics

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5324294A (en) * 1976-08-19 1978-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light source for information reader
JPH05267555A (ja) * 1992-03-23 1993-10-15 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレームおよびその製造方法
JP2000353827A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
CN100338786C (zh) * 2002-06-19 2007-09-19 三垦电气株式会社 半导体发光装置及其制法和半导体发光装置用反射器
US7745832B2 (en) * 2004-09-24 2010-06-29 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting element assembly with a composite substrate
DE102005009060A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
KR20060104432A (ko) * 2005-03-30 2006-10-09 알티전자 주식회사 고휘도 박형 플래시 장치
JP2006319074A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Mitsui Chemicals Inc Led実装用基板およびその製造方法
US7709855B2 (en) * 2005-08-23 2010-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Light-emitting device, backlight using same, and liquid crystal display
JP4981342B2 (ja) * 2006-04-04 2012-07-18 日立協和エンジニアリング株式会社 サブマウントおよびその製造方法
EP2023407A4 (en) * 2006-05-31 2014-01-15 Fujikura Ltd ILLUMINATING ELEMENT BRACKET AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, ILLUMINATING ELEMENT MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, DISPLAY, LIGHTING DEVICE AND TRAFFIC LIGHTING SYSTEM
US8604506B2 (en) * 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
KR20080099090A (ko) * 2007-05-08 2008-11-12 주식회사 옵토필 발광다이오드 패키지
KR100998010B1 (ko) * 2008-04-28 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법

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