JP5272225B2 - 低融点金属粉末およびその製造方法 - Google Patents
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Description
内容量400cm3のアルミナ製ポットに、15mmφのアルミナボールを容量の半分程度、また、分散媒としてエタノールを120ml投入した粉砕容器を準備し、この粉砕容器中に、液体状態の金属ガリウム(融点:29.8℃)15.0gを投入後、100rpmで4時間の粉砕処理を施してガリウムの微粒子が分散媒中に懸濁したスラリーとし、得られたスラリー中に懸濁したガリウム微粒子の粒度分布を、レーザー回折粒度分布計を用いて測定した。
図3のSEM写真のガリウムおよびガリウム−インジウム合金の粉末表面には、小さな異物の付着が多数認められる。そこで、ガリウム−インジウム合金の粉末表面をEDX分析し、その結果を表1に示した。異物付着の認められないa,c,eおよびgの測定箇所の酸素量は約2mass%程度である。これに対して、異物付が着したb,dおよびfの測定箇所の酸素量は最大で27mass%であり、この最大値は、水酸化ガリウム(GaOOH)の理論酸素含有量31mass%および酸化ガリウム(Ga2O3)の理論酸素含有量26mass%に近い値である。
なお、XRDでは確認されなかったが、雰囲気中には酸素が存在し、酸化が進行することから、上記異物や皮膜中には、少なからず酸化ガリウム(Ga2O3)も含まれているものと推定される。
本発明は、上記知見にさらに検討を重ねてなされたものである。
上述したように、本発明の低融点金属粉末は、ガリウムまたは融点が150℃以下のガリウム合金の液状粉末であることに特徴がある。
ガリウムは、融点が29.8℃であり、体温以下の温度で液体となる金属であるため、加熱乾燥などの処理により得られる粉末は、多くの場合、液体の粉末状態である。なお、冬期での保管など、融点以下の環境下におかれると固体へと変化するが、液体ガリウムは過冷却される場合があり、直ちに固体化するとは限らない。
また、ガリウム合金は、本発明では、融点が150℃以下のものを対象とする。ここで、ガリウム合金の融点の上限を、上記のように150℃としたのは、本発明は、従来技術では粉末化が困難であった融点領域を対象とする技術であるからであり、融点が100℃以下の合金であれば、本発明の効果をより享受することができる。なお、自明ながら、ガリウム合金の場合、融点が高ければ高いほど、固体粉末として得られる可能性が増加する。さらには、150℃を超える融点を有する合金であっても、本発明による方法で粉末化が可能であることはいうまでもない。
なお、本発明の低融点金属は、上記2元系に限定されるものではなく、融点が150℃以下であれば、3元系以上でもよい。さらに、融点が150℃以下であれば、Ga−Bi合金やGa−Mg合金のように、共晶合金を形成しない合金であってもよい。
上記粒子表面の皮膜は、水酸化ガリウム(GaOOH)を主体とし、それに、酸化ガリウム(Ga2O3)等が含まれたものと考えられ、400℃以上に加熱すると、GaOOHは容易にGa2O3へと変化するが、皮膜としての機能は変わらず維持される。なお、上記皮膜は、分散媒中で微粒子とする粉砕工程で主に形成されるものと考えられ、ガリウム合金の場合、上記皮膜中に、合金を構成するガリウム以外の元素が含まれることがある。
本発明の低融点金属の粉末は、ガリウムまたは融点が150℃以下のガリウム合金を、分散媒とともに湿式で粉砕して上記ガリウムまたはガリウム合金の微粒子が分散媒中に懸濁したスラリーとし、その後、そのスラリーを乾燥して分散媒を除去し、ガリウムまたはガリウム合金の微粒子を回収することにより、GaOOHを主体とした皮膜で表面が被覆された低融点金属の粉末を得ることができる。
次いで、上記スラリーを温風乾燥にてエタノールの大部分を蒸発させた後、80℃に設定した自然対流式定温乾燥機で最終乾燥して、それぞれの低融点合金の粉末を得た。
得られた低融点合金粉末は、その後、SEMで外観を観察すると共に、金属Gaを除く合金についてEDXで成分分析を行った。また、不活性ガス融解法で別途、粉末中に含まれる酸素量を分析した。
その後、上記スラリーを、実施例1と同様にし、乾燥して分散媒(エタノール)を除去し、得られたGa粉末中の酸素含有量を、実施例1と同様にして分析した。
その後、上記スラリーを、実施例1と同様にして乾燥し、分散媒(エタノール)を除去し、得られたGa粉末中の酸素含有量を、実施例1と同様にして分析した。
また、分散媒として酢酸エチルを用いたガリウム粉末については、粉末の表面をSEMで観察するとともに、XRDによる分析を行った。
同様にして、本発明の方法で得た金属Gaの粉末1.00gを秤量し、石英製ボートにのせ、実施例4において用いた横型管状炉を使用して、NH3ガスを1L/minで流しながら1000℃×1hrの窒化処理を施した。
上記処理後、放冷し、ボート中の粉末を取り出してXRDで分析した結果、金属Ga粉末は、酸化処理では全て酸化ガリウム(Ga2O3)の粉末に、また、窒化処理では、全て窒化ガリウム(GaN)の粉末となっていることが確認された。
上記の結果から、本発明の低融点金属粉末は、半導体等の原料となるガリウム化合物を製造する原料として好適であることがわかる。
Claims (6)
- ガリウムまたは融点が150℃以下のガリウム合金の平均粒径が200μm以下の室温で液状の球状微粒子からなる粉末であって、その微粒子の表面には水酸化物および/または酸化物皮膜が形成されてなり、微粒子全体の酸素含有量が0.5〜15mass%であることを特徴とする低融点金属粉末。
- 上記ガリウム合金は、ガリウムと、インジウム、亜鉛、銀、錫、水銀、ビスマス、アルミニウムおよびマグネシウムのうちから選ばれる1種または2種以上とからなるものであることを特徴とする請求項1に記載の低融点金属粉末。
- 上記低融点金属粉末は、ガリウムまたはガリウム合金の酸化物、窒化物、砒化物あるいはリン化物の原料であることを特徴とする請求項1または2に記載の低融点金属粉末。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の低融点金属粉末の製造方法であって、ガリウムまたは融点が150℃以下のガリウム合金を、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンおよびヘキサンのうちから選ばれる1種または2種以上の分散媒とともに湿式で粉砕して上記ガリウムまたはガリウム合金の微粒子が分散媒中に懸濁したスラリーとし、その後、そのスラリーを乾燥して分散媒を除去し、ガリウムまたはガリウム合金の微粒子を回収することを特徴とする低融点金属粉末の製造方法。
- 上記粉砕・磨砕を、ボールミル、遊星ミル、遊星ボールミル、振動ミル、ローターミル、ハンマーミル、ディスパーミル、自動乳鉢、ミキサーおよびホモジナイザーのいずれか1または2種以上を用いて行うことを特徴とする請求項4に記載の低融点金属粉末の製造方法。
- 上記乾燥を、真空乾燥、加熱乾燥、温風または熱風乾燥および噴霧乾燥のいずれか1または2種以上の方法で行うことを特徴とする請求項4または5に記載の低融点金属粉末の製造方法。
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KR101796750B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2017-11-10 | 주식회사 포스코 | 소둔 분리제의 첨가제 조성물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 소둔 분리제 조성물, 및 이를 이용한 방향성 전기강판의 제조방법 |
CN111807396A (zh) * | 2019-04-10 | 2020-10-23 | 吉林省氢汇新能源有限公司 | 高纯拟薄水铝石的生产方法及生产的高纯拟薄水铝石 |
JP7352306B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2023-09-28 | 国立大学法人北海道大学 | 潜熱蓄熱体マイクロカプセルおよびその製造方法 |
CN110434350A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-11-12 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种低熔点金属粉末及其制备方法和应用 |
CN114496342B (zh) * | 2020-11-11 | 2023-03-24 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种低熔点金属颗粒的制备方法、导电浆料及其制备方法 |
CN112974837B (zh) * | 2021-02-09 | 2023-05-05 | 重庆大学 | 一种镁合金材料3d打印两步烧结的工艺方法 |
CN115106536A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-09-27 | 无锡威孚环保催化剂有限公司 | 一种单分散球形镓微纳颗粒的制备方法 |
CN115780815A (zh) * | 2022-12-08 | 2023-03-14 | 深圳市中金岭南有色金属股份有限公司韶关冶炼厂 | 一种制备高纯镓粒的新方法 |
Family Cites Families (6)
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---|---|---|---|---|
WO1997024224A1 (en) * | 1995-12-28 | 1997-07-10 | Heath James R | Organically-functionalized monodisperse nanocrystals of metals |
JPH10338522A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-22 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化ガリウム粉末の製造方法 |
JP4178485B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2008-11-12 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット用酸化ガリウム粉末およびその製造方法 |
JP4635283B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2011-02-23 | パナソニック株式会社 | 非水電解質二次電池 |
JP3743980B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2006-02-08 | 同和鉱業株式会社 | 低融点金属粉末及びその製造方法 |
DE102006013484A1 (de) * | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Metallische Nanodrähte mit einer Hülle aus Oxid und Herstellungsverfahren derselben |
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2009084540A patent/JP5272225B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106119667A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-16 | 北京态金科技有限公司 | 熔点为60℃的低熔点金属粘接膏及其制备方法和应用 |
CN106119667B (zh) * | 2016-06-29 | 2018-05-25 | 北京态金科技有限公司 | 熔点为60℃的低熔点金属粘接膏及其制备方法和应用 |
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Publication number | Publication date |
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JP2010236009A (ja) | 2010-10-21 |
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