JP5270044B2 - 不揮発性記憶素子の製造方法および不揮発性記憶素子 - Google Patents
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Description
まず、本発明の抵抗変化素子の構成について説明する。
第1電極2は、第2金属酸化物層32に比べて酸素含有率が高い第1金属酸化物層31が接する電極である。この第1電極2を、例えば2nm以下の、好ましくは1nm以下の、より好ましくは0.5nm以下の微小な突起を有しない平らな形状を有する電極とした上で、後述する本願発明の第1金属酸化物層31の膜についての改質処理を行えば、ブレイクダウン電圧を低減できるほか、初期抵抗のばらつきを小さくできる。まず、この効果について詳しく説明する。
図2A及び図2Bは、抵抗変化層に酸素不足型タンタル酸化物、電極にPtを用いた不揮発性記憶素子の断面を示す透過型電子顕微鏡(TEM)写真である。図2Aはプロセス中の最高温度を400℃とした場合を示しており、図2Bはプロセス中の最高温度を100℃とした場合を示している。
次に、本発明者らは、抵抗変化層に含まれる遷移金属としてタンタルの代わりにハフニウムを用いた場合でも同様な問題が生じるか否かを検証した。
かかる知見に基づき、さらに検討を加えた結果、本発明者らは、Ptを含む電極層の膜厚を薄くすることで突起の発生を抑制できることを見出した。以下、それについて説明する。
次に、以上のように構成された抵抗変化素子10の製造方法について説明する。
次に、上述した改質工程により第1タンタル酸化物層(第1金属酸化物層31)の表面部31aが改質されることについて実験結果を用いて説明する。
実験5では、上記のように形成された抵抗変化素子10の電気的特性について測定した。
次に、サンプル1〜サンプル3及び比較試料1〜比較試料3の特性として、初期抵抗値を測定し、その結果について検討する。
次に、サンプル1〜サンプル3及び比較試料1〜比較試料3の特性として、初期ブレイク特性について検討する。
次に、初期ブレイク後の抵抗変化動作について、抵抗変化素子10としてサンプル3を例にとり、抵抗変化素子20として比較試料2を例にとり説明する。サンプル3と比較資料2の第1タンタル酸化物層の膜厚は5nm程度でほぼ同じである。
2 第1電極
3、30 金属酸化物層
4 第2電極
5 電源
6 負荷抵抗
7 レジストパターン
10、20 抵抗変化素子
31、231 第1金属酸化物層
31a 表面部
32 第2金属酸化物層
120a、120b、220c、220d、320、320a、320b、320c 第1電極層
131a、131b、331a、331b、331c 第1の酸素不足型タンタル酸化物層
132a、132b、332a、332b、332c 第2の酸素不足型タンタル酸化物層
140a、140b、240c、240d、340、340a、340b、340c 第2電極層
310a、310b、310c 導電体層
230c、230d 酸素不足型ハフニウム酸化物層
Claims (22)
- 基板上に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に、遷移金属酸化物で構成される高抵抗層を形成する工程と、
前記高抵抗層の少なくとも一部を、酸素欠損を低減させることによって、前記高抵抗層よりも酸素含有率の大きい改質層に改質する工程と、
前記改質層上に、前記高抵抗層よりも小さい酸素含有率を有する遷移金属酸化物で構成される低抵抗層を形成する工程と、
前記低抵抗層の上に、第2電極を形成する工程とを含む、
不揮発性記憶素子の製造方法。 - 基板上に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に、遷移金属酸化物で構成される低抵抗層を形成する工程と、
前記低抵抗層上に、前記低抵抗層よりも大きい酸素含有率を有する遷移金属酸化物で構成される高抵抗層を形成する工程と、
前記高抵抗層のすべてを、酸素欠損を低減させることによって、前記高抵抗層よりも酸素含有率の大きい改質層に改質する工程と、
前記改質層上に、前記第2電極を形成する工程とを含む、
不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記改質する工程において、前記高抵抗層のすべてを改質層に改質する、
請求項1に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記改質する工程において、前記高抵抗層の一部を改質層に改質し、
前記不揮発性記憶素子は、前記低抵抗層と、前記高抵抗層と、前記低抵抗層および前記高抵抗層の間に介在する前記改質層とから構成される抵抗変化層を備える、
請求項1に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記改質する工程は、前記高抵抗層を酸化する工程である、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記酸化する工程は、前記高抵抗層をプラズマ酸化する工程である、
請求項5に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記不揮発性記憶素子は、印加される電気的パルスに応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを遷移する、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記高抵抗層は、TaOx(但し、2.1≦x)で表される組成を有するタンタル酸化物で構成され、
前記低抵抗層は、TaOy(但し、0.8≦y≦1.9)で表される組成を有するタンタル酸化物で構成される、
請求項1〜7のいずれか1項に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記抵抗変化層の厚みは、5nm以上、1μm以下であり、
前記高抵抗層の厚みは、1nm以上、8nm以下である、
請求項4に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記第1電極は、前記高抵抗層または前記改質層との界面において、2nm以上の前記第1電極の突起を有さない平らな形状を有する、
請求項1に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記第1電極は、膜厚が1nm以上8nm以下の白金から形成される、
請求項10に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記第1電極は、イリジウムから形成される、
請求項10に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記第2電極は、前記改質層との界面において、少なくとも2nm以上の前記第2電極の突起を有さない平らな形状を有する、
請求項2に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記第2電極は、膜厚が1nm以上8nm以下の白金から形成される
請求項13に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記第2電極は、イリジウムから形成される、
請求項13に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記不揮発性記憶素子は、前記第1電極または前記第2電極に電気的に接続された電流制御素子をさらに備えるよう形成される、
請求項1〜15のいずれか1項に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記電流制御素子はトランジスタである、
請求項16に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記電流制御素子はダイオードである、
請求項16に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 印加される電気的パルスに応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを遷移する抵抗変化層と、
前記抵抗変化層に接続された第1電極および第2電極とを備え、
前記抵抗変化層は、
遷移金属酸化物で構成される高抵抗層と、
前記高抵抗層より酸素含有率の小さい遷移金属酸化物で構成される低抵抗層と、前記高抵抗層および前記低抵抗層間に介在し、前記高抵抗層より酸素含有率の大きい遷移金属酸化物で構成される改質層とを含む、
不揮発性記憶素子。 - 印加される電気的パルスに応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを遷移する、金属酸化物で構成される抵抗変化層、並びに前記抵抗変化層に接続された第1電極及び第2電極を備える不揮発性記憶素子の製造方法であって、
基板上に前記第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に、所定の酸素含有率を有する遷移金属酸化物で構成される高抵抗層を形成する工程と、
前記高抵抗層上に、前記高抵抗層を構成する遷移金属酸化物の酸素欠損を低減させた遷移金属酸化物であって、前記高抵抗層よりも大きい酸素含有率を有する遷移金属酸化物で構成される中間層を形成する工程と、
前記中間層上に、前記高抵抗層よりも小さい酸素含有率を有する遷移金属酸化物で構成される低抵抗層を形成する工程と、
前記低抵抗層の上に、前記第2電極を形成する工程と、を含み、
前記抵抗変化層は、前記高抵抗層と、前記中間層と、前記低抵抗層とで構成される、
不揮発性記憶素子の製造方法。 - 印加される電気的パルスに応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを遷移する、金属酸化物で構成される抵抗変化層、並びに前記抵抗変化層に接続された第1電極及び第2電極を備える不揮発性記憶素子の製造方法であって、
基板上に前記第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に、所定の酸素含有率を有する遷移金属酸化物で構成される低抵抗層を形成する工程と、
前記低抵抗層上に、前記低抵抗層よりも大きい酸素含有率を有する遷移金属酸化物で構成される中間層を形成する工程と、
前記中間層上に、前記低抵抗層よりも大きい酸素含有率、かつ、前記中間層よりも小さい酸素含有率を有する遷移金属酸化物で構成される高抵抗層を形成する工程と、
前記高抵抗層の上に、前記第2電極を形成する工程と、を含み、
前記抵抗変化層は、前記高抵抗層と、前記中間層と、前記低抵抗層とで構成される、
不揮発性記憶素子の製造方法。 - 印加される電気的パルスに応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを遷移する抵抗変化層と、
前記抵抗変化層に接続された第1電極および第2電極とを備え、
前記抵抗変化層は、
遷移金属酸化物で構成される高抵抗層と、
前記高抵抗層より酸素含有率の小さい遷移金属酸化物で構成される低抵抗層と、
前記高抵抗層および前記低抵抗層間に介在し、前記高抵抗層より酸素含有率の大きい遷移金属酸化物で構成される中間層とを含む、
不揮発性記憶素子。
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