FR3097368B1 - Procédé de détermination d’un paramètre de fabrication d’une cellule de mémoire vive résistive - Google Patents

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PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION D’UN PARAMÈTRE DE FABRICATION D’UNE CELLULE DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE L’invention concerne un procédé pour déterminer au moins une valeur (tTE_opt , tOX_opt, xopt) d’au moins un paramètre de fabrication (tTE , tOX, x) d’une cellule mémoire résistive, la cellule mémoire résistive comprenant un empilement de couches minces, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : fournir (S1) plusieurs cellules mémoire de référence (10) correspondant à plusieurs variantes technologiques de l’empilement de couches minces ; mesurer (S2) pour chaque cellule mémoire de référence une valeur de résistance initiale (Ri) ; déterminer (S3, S4) pour chaque cellule mémoire de référence (10) une valeur d’un paramètre de programmation choisi parmi la résistance dans un état fortement résistif (RHRS) et la fenêtre de programmation ; établir (S5) une relation entre le paramètre de programmation et la résistance initiale (Ri) à partir des valeurs de résistance initiale (Ri) et des valeurs du paramètre de programmation ; et déterminer ladite au moins une valeur (tTE_opt , tOX_opt, xopt) dudit au moins un paramètre de fabrication (tTE , tOX, x) pour laquelle le paramètre de programmation est supérieur ou égal à une valeur cible (RHRS_tg), à partir de ladite relation entre le paramètre de programmation et la résistance initiale (Ri) et d’au moins une relation de dépendance entre la résistance initiale (Ri) et ledit au moins un paramètre de fabrication (tTE , tOX, x). Figure de l’abrégé : Figure 1
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