JP5265375B2 - 45度ビーム分割配向を使用するセットビーム分割を伴うx&y二次元切削方向加工の装置および方法 - Google Patents

45度ビーム分割配向を使用するセットビーム分割を伴うx&y二次元切削方向加工の装置および方法 Download PDF

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Description

本発明は、半導体ウェハの加工に関する。より詳細には、本発明は、第1のビームおよび第2のビームを使用して平面ワークピース上に一対の平行切削を刻むための装置および方法に関し、この第1のビームおよび第2のビームは、それぞれワークピース上に衝突点を有し、この場合の第1および第2の衝突点は、ワークピースによって画定されたXおよびY軸に対して対角線上に配置される。
マイクロエレクトロニクス産業では、シート状の半導体材料は、通常はダイシングソーを使用して1枚1枚のウェハに切断される。
ダイシングソーを使用すると、熱的および/または機械的に誘因されたクラック、ならびにあるいは冷却剤の使用、組織効果、および熱伝導性の低下による、隣接した層の間の接着力の低下、機械的強度の低下、湿気の吸収、および/または時間依存挙動を含むいくつかの問題が起こり得る。これらの起こり得る問題の中で、熱的および/または機械的に誘因されたクラック、ならびに/あるいは接着力の低下および湿気の吸収は重大である。大きな張力およびせん断応力が切削ゾーンに伝わり、このことが、クラックの発生および/または接着力の低下につながり、ひいては隣接する層の間の剥離を引き起こす恐れがある。さらに、切断中の冷却剤の使用が、湿気の吸収および時間依存挙動を引き起こす恐れがある。
機械的に誘因された剥離に伴う潜在的な問題を軽減するための1つのアプローチは、ソーの速度を下げることである。しかしこれによって、処理能力および生産性が低下する。加えて、湿気の吸収に関連する潜在的な問題は依然として残っている。
別のアプローチは、単一ビームを発生させるレーザ装置を使用して、切断する範囲内にソーよりも広い溝を切削または刻むことである。ビームは、例えば低誘電性(low−k)の金属の層を通って刻み、シリコン部で止まる。レーザでの刻みに続いて、ソーを使用してシリコン部を通って切断し、ウェハを1枚にする。レーザによって取り除かれた範囲は、クラック止めとしての役目を果たし、これらのクラックがウェハの中に決して広まらないようにし、ウェハ上に含まれた完成した集積回路の電気的性能に潜在的に影響する。単一レーザビームを使用することの欠点は、low−kの金属の層にかなり広い溝を切削する必要があることである。
さらに別のアプローチは、少なくとも2つのビームを発生させるレーザ装置を使用して刻んで2つ溝を作成することである。2つの溝は、切断する範囲のそれぞれの側部に1つずつ作成される。これによって、広い溝を切削するという潜在的な問題がなくなる。この種のシステムの動作が、図6に一般的に示されている。図6は、平面ワークピース200を示している。一対のレーザビームが、衝突点202および204でワークピース200に衝突する。衝突点202および204は、ワークピース200のX軸206に直交している。X軸206に沿ってワークピース200またはレーザビームのいずれかを移動させることによって、一対の平行な溝をワークピース200上に刻むことができる。
しかし、Y軸208に沿って平行な溝を刻みたい場合、複数のビームを使用して平行な溝を切削すると、ワークピース200および/または衝突点202、204を再配向する処理時間がさらに必要になる。この種の再配向により、処理時間が増大する。
平面ワークピースがX軸およびY軸に対して配向されているときにその平面ワークピース上に一対の平行切削を刻むためのX&Y二次元切削装置。この装置は、第1のビームおよび第2のビームを含む少なくとも2つのビームを発生させるレーザ装置を含む。第1のビームおよび第2のビームは、第1および第2の衝突点でワークピースに衝突する。第1および第2の衝突点は、ワークピースのXおよびY軸に対して対角線上に配置される。少なくとも1つのアクチュエータは、レーザ装置またはワークピースのいずれかを移動させて、ワークピース上に平行切削を刻む。
本明細書の説明では、添付の図面を参照し、それらの図面では、同様の参照番号は、複数の図面にわたって同様の部品を指している。
X&Y二次元切削装置10が、図1に示されている。装置10は、平面ワークピース200上に一対の平行切削12、14を刻むために使用される。好ましい一実施形態では、平面ワークピース200は半導体ウェハである。平面ワークピース200は、X軸20およびY軸22に沿って配向される。図示されているように、平面ワークピース200は、ステージ23上に配置することができる。装置10は、第1のビーム26および第2のビーム28を含む少なくとも2つのビームを発生させるレーザ装置24を有する。第1および第2のビーム26および28は、それらのレーザビーム26および28をワークピース200に導くための位置決め光学部29を通過することができる。第1のビーム26および第2のビーム28それぞれは、平面ワークピース200上にそれぞれ衝突点30、32を有し、第1および第2の衝突点30、32は、平面ワークピース200のXおよびY軸20、22に対して対角線上に配置される。この好ましい実施形態では、装置10は、また、ステージ23を、したがって平面ワークピース200をX軸20に対して移動させるための第1のアクチュエータ34を含む。平面ワークピース200をX軸20に沿って移動させると、一対の平行切削が、X軸20の方向に作成される。この好ましい実施形態はまた、平面ワークピース200をY軸22に対して移動させるための第2のアクチュエータ36を含む。
レーザ装置24は、レーザ38を含む。レーザ38は、ダイオード励起レーザであること、ならびに高速焦点調節および/または高分解能焦点調節が可能であることが好ましい。レーザ38の出力は、光学部40を通過し、この光学部40は、レーザ38の出力を第1のビーム26および第2のビーム28に分割する。第1および第2のビーム26および28は、位置決め光学部29によって平面ワークピース200上へ方向を変更されて、衝突点30、32で平面ワークピース200上に衝突する。光学部40および位置決め光学部29はそれぞれ、例えば1つまたは複数のレンズおよび/またはミラーを含むことができる。
レーザ装置24は、第1のビーム26を制御する第1のシャッタ42と、第2のビーム28を制御する第2のシャッタ44とを含む。レーザ装置24は、また、シャッタ42および44を動作させるためのコントローラ46を含む。シャッタ42および44は、レーザ装置24に配置されることが好ましいが、シャッタを位置決め光学部29に配置することもできるということを理解されたい。
図3を参照すると、シャッタ42および44の動作を介して、平面ワークピース200のX軸20、Y軸22、および/または端部54に対して、第1のビーム26によって作成された切削12の第1の端部46と、第2のビーム28によって作成された切削14の第1の端部48との位置合わせ、および/または第1のビーム26によって作成された切削12の第2の端部50と、第2のビーム28によって作成された切削14の第2の端部52との位置合わせが、図1および図3に示されているように実行されている。シャッタ42および44の制御によって、X軸20、Y軸22、またはワークピース端部54に対して所望のまたは必要な位置で切削12、14をこのように開始させたり終了させたりすることができる。
図2に見られるように、位置決め光学部29は、第1の衝突点30を、平面ワークピース200のXおよびY軸20、22に関して第2の衝突点32に対して45度の角度60で対角線上に位置決めする。結果として、衝突点20、26のX軸20に沿った間隔62は、Y軸22に沿った間隔64に概ね等しくなる。
X軸に沿った間隔62は、Y軸に沿った間隔64に概ね等しいため、平面ワークピース200、レーザビーム26、28、光学部40、および/または位置決め光学部29を再配向する必要なく、概ね等しい間隔を有する概ね平行な切削12、14をX軸20および/またはY軸22に沿って作成することができる。したがってソー切削ゾーン66(陰影部)は、図3に示されているように切削12、14によって画定される。
図1の実施例では、第1のアクチュエータ34は、Y軸22に沿ってステージ23を移動させて、Y軸22に沿って平行切削を刻む。第2のアクチュエータ36は、X軸20に沿って位置決め光学部29を移動させて、X軸20に沿って平行切削を刻む。本明細書では、アクチュエータ34、36を駆動するモータは、リニアモータ、ブラシレスリニアモータ、検流計、可動磁石検流計、この種の任意の好適な作動機構、またはそれらの任意の組合せとすることができることを意図している。
第2の好ましい構成のX&Y二次元切削装置10Aが、図4に示されている。第2の好ましい実施形態では、レーザ装置24Aは、アクチュエータ36Aに取り付けられる。この構成では、アクチュエータ36Aは、位置決め光学部29Aに加えてレーザ装置24A全体を移動させる。
ここで図5を参照すると、図1の装置10を使用するX&Y二次元切削方向加工についての工程が示されている。この工程は、ステップ100で、第1および第2の衝突点でワークピースに衝突するように第1のビームおよび第2のビームを導くことを含む。その第1および第2の衝突点は、ワークピースのXおよびY軸に対して対角線上に配置される。ステップ100で、平面ワークピース200に対する第1のビーム26および第2のビーム28の移動、および/または第1のビーム26および第2のビーム28に対する平面ワークピース200の移動が行われる。ステップ104で、第1のビーム14の切削12を制御する。ステップ106で、第2のビームの切削14を制御する。
本実施例によると、ステップ104は、第2のビーム28の切削14の第1の端部48に対して第1のビーム26の切削12の第1の端部46を位置合わせすること、および/または第2のビーム28の切削14の第2の端部52に対して第1のビーム26の切削12の第2の端部50を位置合わせすることを含む。さらに本実施例によると、ステップ106は、切削12の第1の端部46に対して切削14の第1の端部48を位置合わせすること、および/または切削12の第2の端部48に対して切削14の第2の端部50を位置合わせすることを含む。
ステップ108での回答が、さらなる切削12、14が望ましいまたは必要であるという場合、工程は、ステップ100に戻って繰り返す。さらなる切削12、14が望ましくないまたは必要ではない場合、工程は、ステップ110で終了する。
本発明について、現在最も実用的で好ましい実施形態であると考えられるものに関連して説明したが、本発明は、開示された実施形態に限定されるものではなく、その一方で添付の特許請求項の主旨および範囲内に含まれる様々な修正形態および均等な構成を包含することを意図するものであり、この範囲には、法律の下で許可されるようなすべてのこの種の修正形態および均等の構成を包含するように最も広い解釈が与えられるべきであるということを理解されたい。
本明細書に記載の実施形態によるX&Y二次元切削装置の概略斜視図である。 本明細書に記載のワークピース上の一対のレーザ衝突点を示すワークピースの簡略化した平面図である。 ワークピース上に平行に刻まれた切削を示すワークピースの簡略化した平面図である。 本明細書に記載のアクチュエータに関連するレーザ装置を有するX&Y二次元切削装置の構成の簡略化した斜視図である。 図1の装置を使用して実行可能な工程のブロックダイアグラムである。 従来技術によるワークピース上のビームの位置決めを示すワークピースの簡略化した平面図である。

Claims (7)

  1. 平面ワークピース上に一対の平行切削を刻むためのX&Y二次元切削装置であって、前記ワークピースの平面がX軸および前記X軸に直交するY軸に対して配向されている装置において、
    第1のビームおよび第2のビームを含む少なくとも2つのビームを発生させるレーザ装置であって、前記第1のビームおよび前記第2のビームは第1および第2の衝突点で前記ワークピースに衝突し、前記第1および第2の衝突点は前記ワークピースの前記X軸およびY軸に対して対角線上に配置されるレーザ装置と、
    前記ワークピースと前記第1および第2のレーザビームとを再配向させることなく、前記X軸に沿って一対の平行切削を刻むように前記第1および第2のビームを移動させ、かつ前記Y軸に沿って一対の平行切削を刻むように前記ワークピースを移動させる少なくとも1つのアクチュエータと
    を備え
    前記レーザ装置が、
    前記第1のビームを制御するための第1のシャッタと、
    前記第2のビームを制御するための第2のシャッタと
    を備え、
    前記第1のビームによって作成された切削の第1の端部と、前記第2のビームによって作成された切削の第1の端部との位置合わせ、および前記第1のビームによって作成された前記切削の第2の端部と、前記第2のビームによって作成された前記切削の第2の端部との位置合わせのうちの少なくとも1つを行うためのコントローラをさらに備えることを特徴とする装置。
  2. 前記第1および第2のレーザビームの方向を前記ワークピースに変更するための位置決め光学部をさらに備え、少なくとも1つのアクチュエータが、前記ワークピースをサポートするステージを移動させる第1のアクチュエータと、前記第1および第2のビームを移動させるための前記位置決め光学部を移動させる第2のアクチュエータとを備えることを特徴とする請求項1記載の装置。
  3. 前記レーザ装置が、少なくとも1つのダイオード励起レーザを備えることを特徴とする請求項2記載の装置。
  4. 前記位置決め光学部は、前記衝突点を位置決めするためのミラーおよびレンズのうちの少なくとも1つをさらに備えることを特徴とする請求項記載の装置。
  5. 前記レーザ装置が前記少なくとも1つのアクチュエータから離れて配置されることを特徴とする請求項2記載の装置。
  6. 前記位置決め光学部および前記レーザ装置が前記少なくとも1つのアクチュエータに取り付けられたことを特徴とする請求項記載の装置。
  7. 少なくとも第1のビームおよび第2のビームを発生させるレーザ装置を使用して、X軸および前記X軸に直交するY軸に沿って配向された平面ワークピース上に一対の平行切削を刻むための方法であって、
    第1および第2の衝突点で前記ワークピースに衝突するように前記第1のビームおよび前記第2のビームを導くステップであって、前記第1および第2の衝突ポイントは前記ワークピースの前記X軸およびY軸に対して対角線上に配置されるステップと、
    前記ワークピースと前記第1および第2のレーザビームとを再配向させることなく、前記X軸に沿って一対の平行切削を刻むように前記ワークピースに対して前記第1および第2のビームを移動させ、かつ前記Y軸に沿って一対の平行切削を刻むように前記第1および第2のビームに対して前記ワークピースを移動させるステップと、
    前記第1のビームの前記切削の第1の端部と、前記第2のビームの前記切削の第1の端部との位置合わせ、および前記第1のビームの前記切削の第2の端部と、前記第2のビームの前記切削の第2の端部との位置合わせのうちの少なくとも1つを行うステップと、
    前記第1のビームを制御するための第1のシャッタを用い、
    前記第2のビームを制御するための第2のシャッタを用いるステップとを含むことを特徴とする方法。
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007275962A (ja) * 2006-04-10 2007-10-25 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
GB2439962B (en) * 2006-06-14 2008-09-24 Exitech Ltd Process and apparatus for laser scribing
KR101310243B1 (ko) * 2007-09-19 2013-09-24 지에스아이 그룹 코포레이션 고속 빔 편향 링크 가공
WO2010048733A1 (en) * 2008-10-29 2010-05-06 Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach Method for dividing a semiconductor film formed on a substrate into plural regions by multiple laser beam irradiation
US20110210105A1 (en) * 2009-12-30 2011-09-01 Gsi Group Corporation Link processing with high speed beam deflection
DE102010032029B4 (de) * 2010-07-21 2012-09-13 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zum Trennen einer runden Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere rechteckige Einzelplatten mittels Laser
CN102456625A (zh) * 2010-10-26 2012-05-16 苏州天弘激光股份有限公司 异形晶片的激光切割制造方法
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US9085420B2 (en) * 2013-03-26 2015-07-21 The Procter & Gamble Company Orienting apparatus and method
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9815144B2 (en) 2014-07-08 2017-11-14 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
CN107073642B (zh) * 2014-07-14 2020-07-28 康宁股份有限公司 使用长度和直径可调的激光束焦线来加工透明材料的系统和方法
US10611667B2 (en) 2014-07-14 2020-04-07 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
EP3536440A1 (en) * 2014-07-14 2019-09-11 Corning Incorporated Glass article with a defect pattern
CN107073641B (zh) 2014-07-14 2020-11-10 康宁股份有限公司 接口块;用于使用这种接口块切割在波长范围内透明的衬底的系统和方法
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
EP3245166B1 (en) 2015-01-12 2020-05-27 Corning Incorporated Laser cutting of thermally tempered substrates using the multi photon absorption method
HUE055461T2 (hu) 2015-03-24 2021-11-29 Corning Inc Kijelzõ üveg kompozíciók lézeres vágása és feldolgozása
CN107666983B (zh) 2015-03-27 2020-10-02 康宁股份有限公司 可透气窗及其制造方法
WO2017011296A1 (en) 2015-07-10 2017-01-19 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
SG11201809797PA (en) 2016-05-06 2018-12-28 Corning Inc Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
WO2018022476A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing
US10522963B2 (en) 2016-08-30 2019-12-31 Corning Incorporated Laser cutting of materials with intensity mapping optical system
KR102078294B1 (ko) 2016-09-30 2020-02-17 코닝 인코포레이티드 비-축대칭 빔 스폿을 이용하여 투명 워크피스를 레이저 가공하기 위한 기기 및 방법
KR102428350B1 (ko) 2016-10-24 2022-08-02 코닝 인코포레이티드 시트형 유리 기판의 레이저 기반 기계 가공을 위한 기판 프로세싱 스테이션
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03142092A (ja) * 1989-10-25 1991-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ光学系及びこれを用いたレーザ加工方法
JP2524449B2 (ja) * 1992-04-07 1996-08-14 新日本製鐵株式会社 レ―ザ加工装置及び方法
EP0656241B1 (en) * 1993-06-04 1998-12-23 Seiko Epson Corporation Apparatus and method for laser machining
US5373137A (en) * 1994-01-28 1994-12-13 Litton Systems, Inc. Multiple-line laser writing apparatus and method
KR0177005B1 (ko) * 1994-04-20 1999-02-18 오까다 하지모 레이저 가공장치와 레이저 가공방법 및 댐바 가공방법
JP2991623B2 (ja) * 1994-04-20 1999-12-20 日立建機株式会社 レーザ加工装置及びダムバー加工方法
JPH0810970A (ja) * 1994-06-22 1996-01-16 Sony Corp レーザ加工装置及び方法
JPH08118059A (ja) * 1994-10-25 1996-05-14 Amada Co Ltd レーザ加工機
JPH09239578A (ja) * 1996-03-01 1997-09-16 Fanuc Ltd レーザ加工装置
JPH106049A (ja) * 1996-06-14 1998-01-13 Nec Corp レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JPH10305384A (ja) * 1997-05-02 1998-11-17 Nec Corp レーザ加工装置
JP2000005891A (ja) * 1998-06-22 2000-01-11 Amada Co Ltd レーザー加工装置
JP2000102886A (ja) * 1998-09-29 2000-04-11 Mitsubishi Electric Corp レーザ制御装置
JP3022873B1 (ja) * 1999-02-04 2000-03-21 ファイン・マシニング株式会社 複数鏡筒レ―ザ加工装置の鏡筒送り構造
US6420245B1 (en) * 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
US20030024913A1 (en) * 2002-04-15 2003-02-06 Downes Joseph P. Laser scanning method and system for marking articles such as printed circuit boards, integrated circuits and the like
SG108262A1 (en) * 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation
US6580054B1 (en) * 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
JP2004306101A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Canon Sales Co Inc レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2004330271A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 透光性薄膜太陽電池の作製方法
JP2005109323A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング装置
JP2005152970A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
US7129114B2 (en) * 2004-03-10 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Methods relating to singulating semiconductor wafers and wafer scale assemblies

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