JP5227019B2 - カプセル封入された電気構成素子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ＭＥＭＳタイプ（Mikro elektro-mechanisches System）、ＭＥＯＰＳ（Mikro elektro-optisches System）タイプまたはＭＥＯＭＳ（Mikro elektro-optisch-mechanisches SYstem）タイプのカプセル封入された構成素子に関する。この構成素子は、重要な構成素子機能を担う、フリップチップ構造様式のパネル上に取付られたチップを含む。

このようなチップは通常は基板から構成される。この基板は例えば音響波によって作動する構成素子の場合にはピエゾ圧電基板である。ここでパネルの方を向いているチップ表面（以下で下面と称する）は、アクティブな構成素子構造体を担っている。アクティブな構成素子は、例えば音響的な表面波またはバルク波によって作動する共振器または、表面波に対する電気音響変換器である。

チップ上の反応する導電性構成素子構造体に対して、機械的な保護の他に、周辺環境に対する保護も実現するために、構成素子を容易にカプセル封入する種々の方法が既に提案されている。

例えば、チップ縁部とパネルとの間の空間をアンダーフィラーによって密閉し、金属層を構成素子の上にスパッタリングさせる方法がある。この方法は次のような欠点を有している。すなわち、チップ上での導電性構造体（殊に音響的変換器）をアンダーフィラーから、例えばプラスチックキャップによって保護しなければならず、そのために手間のかかるステップが必要になるという欠点を有している。

ＤＥ１９８０６８１８Ａ号において、例えば、チップをフリップチップ配置においてパネル上にはんだ付けし、これに続いて、チップの間で支持体と成端するフィルム（例えばラミネートフィルム）で覆うことが提案されている。構成素子のこのようなフィルム被覆の別の形態においては、このフィルム上に金属層を被着させることによってさらにこのフィルムをハーメチックに密閉し、この金属化部を例えば電気メッキによって補強することも提案されている。

本発明の課題は、機械的に敏感な構成素子構造体に対して、さらに最適化されたカプセル封入部を有する、容易に製造可能な構成素子を提供することである。

上述の課題は本発明に相応して、請求項１に記載されたＭＥＭＳ構成素子によって解決される。本発明の有利な構成並びに構成素子の製造方法は、別の請求項に記載されている。

その下面にアクティブ構成素子構造体を担うチップ上に実現されるＭＥＭＳ構成素子が提案される。チップは自身の下面によってバンプを介してパネルに被着される。パネル上のチップの取付場所は、密にフレーム構造体によって取り囲まれている。このフレーム構造はパネル上に載置されている。フレーム構造体およびチップ上には、ジェットプリント構造体が被着される。このジェットプリント構造体は、フレーム構造体とチップの間の分断隙間をシーリングする。

発明者は、ジェットプリント方法によって構造体構成材料が高い精度で表面上に被着され、構造体の形成、特にここでは分断隙間の密閉に有用であることを見いだした。ジェットプリント構造体は有利にはポリマーから成る。このポリマーは液体の、硬化されていない状態または溶解された状態で、ジェットプリントによって被着される。ジェットプリント方法によって得られる構造化精度によって、ジェットプリント構造体を１００μｍを下回る幅のもとで１０００μｍを超える高さまで製造することが可能になり、この際にジェットプリント構造体を三次元に構造化することが可能になる。ジェットプリント構造体が、異なって構造化される複数の層で被着される場合に、設定された縁部プロファイルないし三次元構造が得られる。

このようにして、幅の広い分断隙間も、ジェットプリント構造体によって完全にシーリングされ、周囲がカプセル封入され、かつハーメチックに密閉された構成素子が得られる。ここでこの構造化精度によって、異なった様式で被着された構造体と比べて、場所の要求が低減されることが保証される。

ジェット構造体は有利にはポリマーからなる。このポリマーは、微細な滴の形状で基板上にスピンオン堆積され、そこで三次元構造体を形成する。例として選択された３０〜７０μｍの滴の大きさの場合には、約２０〜３０μｍの高さのジェットプリント構造体が１回の試みにおいて形成された。３０〜７０μｍの滴の大きさの場合、ジェットプリント構造体は約５０〜１００μｍの幅しか有することができない。ジェットプリント構造体を、複数の層で被着させることも可能である。ここでは同じ構造体幅のもとで、構造体は１０００μｍを上回る高さに達することが可能である。

ジェットプリント方法に対して使用されるポリマーは有利にはＵＶ硬化性反応性樹脂である。この反応性樹脂は、プリントヘッドを離れた後、ないしはスピンオン堆積の後に、迅速に硬化されるので、スピンオン堆積された構造体は僅かにしか流れず、従って単層構造体は既に０．３〜０．５の比較的高いアスペクト比を得ることができる。多層のジェットプリント構造体によっては、むしろ１０以上のアスペクト比が得られる。

ジェットプリント構造体の製造には、パネル表面ないしフレーム構造体上への出現時に迅速に硬化するまたは凝固する他のポリマーも適している。例えば熱によって硬化する二成分樹脂またはスピンオン堆積前に溶解される熱可塑性プラスチックが適している。

このポリマーは、ジェットプリント構造体内で特定の特性を生成するために無機ないし有機の色素およびドーピングを含んでいてもよい。これによって構造体は、例えば自身の熱膨張係数（ＣＴＥ）に関して整合され、レーザビームに対して敏感にされる、または無電解式金属析出に対してアクティブにされる。しかしポリマーが水分吸収粒子を含んでいてもよい。これは構成素子の中空空間内で封入された水分を吸収することができ、はんだ付けまたは構成素子の作動時に生じる温度を再び解放することがない。

ジェットプリンで被着された材料がナノ粒子を含んでいてもよい。このナノ粒子は無機または有機表面上への被着後に、熱処理またはＵＶ処理時に、密集した、例えば導電性でもあるコーティングを提供する。

最近公知になったのは、ナノ粒子による構造体形成方法および層形成方法であり、殊にナノ粒子を含む分散液によるスピンオン方法およびノズルを介した乾式のガス放射積層化である。これらの材料はここでジェットプリントにおいても被着可能である。

ジェットプリント方法によっては、ナノ粒子を含む分散液が溶剤または液状ポリマーにおいて、ジェットプリント構造体を形成するために使用される。ナノ粒子は既に多数の種々の材料から製造可能であり、例えば金属、セラミックまたは有機材料から製造可能である。これは、５〜約１００ｎｍの有利なサイズを有している。ジェットプリント構造体には特に、セラミックおよび金属のナノ粒子を含む分散液が適している。スピンオン堆積されたないしはプリントされた分散液から形成されたジェットプリント構造体は、熱的なまたは光化学的な後処理によって、所望の形状に変えられる。これは幾つかの場合には、直接的に所望の構造を与えることもでき、場合によっては例えば蒸着によって、溶剤の除去後に、所望の構造を与えることもできる。従って、例えば、金属製または金属伝導性のジェットプリント構造体のみを製造することもできる。またはこの種のコーティングを既存の構造体上に設けることもできる。このようにしてセラミック層および構造体も製造される。このためには、ジェットプリントによる被着後に、無機粒子の他にさらにポリマーを含んでいる第１のジェットプリント構造体を、ポリマーの蒸発、分解または焼成によって、純粋に無機の第２のジェットプリント構造体に変えることが必要である。

ポリマーは、熱可塑性であってもよい。従って、スピンオン堆積の前の溶解可能であり、スピンオン後に再び凝固される。

被着されるべき基板は、場合によっては２つの成分を含む反応性樹脂であってもよい。この反応性樹脂は、溶剤成分とともにまたは溶剤成分無しで、相応に加熱されたパネル上に射出成形され、その後に迅速に硬化される。

ジェットプリント構造体は有利には表面調節によって自身の表面エネルギーにおいて調節がなされ、殊にジェットプリント構造体に対して濡れないように調整され、例えば疎水性に調整された表面上に載置される。ジェットプリント構造体によって濡れない表面上では、液状のジェットプリント構造体が被着後すぐに拡がることはない。従って、変成された表面上に被着されたジェットプリント構造体は定められた接触角を有する。従ってジェットプリント構造体を拡げさせることなく、特に正確に構造化して被着させることができる。しかし、表面エネルギーを所望の値に調整することも可能である。この値は、被着後にまだ液状であるジェットプリント構造体の所望の濡れ角に相応する。正確に得られるべき接触角は、ジェットプリント構造体の得ようとされる三次元プロファイルに依存する。

表面エネルギーが調節された表面は、ドーピングまたは薄い、単分子層から多分子層を有する。この層はジェットプリント媒体に対して濡れない。調節された表面エネルギーは、界面活性剤による表面のドーピングによっても得られる。ここで所望の領域においては、ジェットプリント構造体に対する表面の高められた親和力が得られる。ジェットプリント構造体に対して使用される材料も次のように選択または調整される。すなわち、その表面エネルギーに関して、プリントされるべき表面の表面エネルギーに整合されるように選択される。

物質が化学的に処理表面に結合され、そこで単分子層まで圧縮される、この種の調節は有利である。

チップの取付場所を取り囲むフレーム構造体は次のような高さをパネル上で有している。すなわち、自身の上方縁部が下方のチップ縁部よりも高いレベルにあるような高さを有している。これによって結果的に、フレーム構造体とチップの間の分断隙間が実質的に垂直に延在する。このような垂直な分断隙間は、ジェットプリント構造体によって表面調節と関連して良好にシーリングされる。

フレーム構造体は金属から構成されるか、または金属コーティングを含む。ここで有利には、金属製のフレーム構造体は特に良好に、かつ密接に、殊にセラミックのパネルと成端する。この場合には次のことが可能である。すなわち、実質的に分断隙間の領域内に設けられているジェットプリント構造体上に、さらなる金属製のカバー層を設けることが可能である。ここでこのカバー層はフレーム構造体と成端し、従って、取り囲んで、フレーム構造体との良好かつハーメチックに密閉した接続を可能にする。カバー層を直接的にチップの上面上に設けることができ、この場合には、チップと良好に熱的に接触接続される。このようにして特に良好に、チップから余熱を導出させることができるという利点がこれによって得られる。

金属製のカバーは、チップを電磁ビームから遮蔽することもできる。さらに、金属製のカバーをアースさせ、静電気的な電気的影響およびその他の、外部からの妨害電気的影響からチップを保護することができる。チップが背面上にコンタクトを有するのはさらに有利である。このコンタクトは金属製のカバーと接続される。殊にこれはチップのアースコンタクトであり得る。

カバーの下に、別のジェットインキ構造体を全面的に、チップの背面上に被着させることも可能である。さらに、ジェットプリント構造体自身を、チップを背面で覆うカバー層の方に向かって延長させることが可能である。しかしカバー層が、チップの背面上にラミネートされ、フレーム構造体またはパネル表面と、チップを取り囲んで密接に終端するフィルムであってよい。このようなラミネートフィルムは、純粋なプラスチックフィルムであり得る。これは多層であり、金属層を含んでもよい。カバーはグローブトップカバーであってもよい。このグローブトップカバーは液状ポリマーの滴下によって、所望の層厚まで形成される。

ジェットプリント構造体が、チップの背面の部分のみを覆うことが可能である。少なくとも部分的にチップの側方縁部に、ジェットプリント構造体を設けないままにすることができ、この縁部を上記以外の方法によって製造されたカバー層と直接的に接続させることができる。

フレーム構造体は、チップに向かって下降する段を有することができる。この段は、ジェットプリント構造体をこの下段上にのみ被着させ、付加的にジェットプリント構造体をその寸法において定め、制限させるために用いられる。フレーム構造体のこの下段はこの場合、チップの下方縁部を下回るレベルに位置する。この場合には、この下段が部分的にチップの下方に位置することも可能であり、この結果、フレーム構造体内での、この下段によって制限された内部空間が、チップが占有している面積よりも小さくなる。

別の実施形態でチップは、この下段上に載置されている。フレーム構造体、殊に下段が充分に平らな表面を有している場合、チップはその縁部領域において取り囲んで良好に、フレーム構造体上に、殊にフレーム構造体の下段上に載置される。これによって一方では、パネルとチップ下面との間で正確な間隔が保証される。他方ではフレーム構造体は、機械的に確実な、ひずみのない、かつ良く定められた、チップに対する保持を提供する。これによって構成素子をモールディング（射出成形）によって取り囲むことも可能になる。これは殊に、次の場合に可能である。すなわち、そのガラス遷移温度がモールディングに必要な温度を上回るジェットプリント構造体が使用される場合に可能である。

チップの取付場所に相当する、フレーム構造体によって取り囲まれた面の外に、ポリマーストリップを次のように配置することができる。すなわち、ポリマーストリップとフレーム構造体の間でパネル表面が開放されるように配置することができる。ポリマーストリップは、フレーム構造体を環状に取り囲む。このようにして、ポリマーストリップとフレーム構造体の間のこの面内で、フレーム構造体を取り囲んで密にパネルと終端するカバー層を実現することができる。

上述したＭＥＭＳ構成素子を製造するために、大きい面積のパネルから出発する。このパネルは、チップと接続するための相応するコンタクトを伴う多数のチップ取付場所を提供する。第１のステップでは、パネル上に、チップ取付場所の数に相当する数のフレーム構造体が作製される。このフレーム構造体は、各チップ取付場所を密接に取り囲む。この取付場所では、引き続き、相応する数のチップが適切な接続技術を介して、パネルと接続される。ここでこのチップは自身の下面にアクティブな構成素子構造体を担う。パネルとの接続は殊にバンプを介して行われるか、またはフレーム構造体の上にチップが載置されている場合には、薄いはんだ層によって行われる。

チップがこのように機械的かつ電気的にパネルと接続されている場合、フレーム構造体とチップの間の残りの分断隙間は、ジェットプリント方法を用いてジェットプリント構造体をプリントすることによってシーリングされる。この場合には、上述したように、移動性の、硬化されていないポリマーまたは溶解された熱可塑性樹脂またはポリマー粒子を含有した分散液または固体ナノ粒子を含有した分散液が、ジェットプリントノズルを介して正確に構造化されて、定められて、所望の箇所に被着される。ジェットプリント方法の場合には、適切なノズルを介して、充分に移動性の滴が射出成形される。これは、突発的に上昇する、ポリマーまたは分散液をガイドするカニューレシステム内の圧力によってトリガされる。この圧力上昇は、例えばピエゾ圧電システムによって、または迅速な温度上昇によって生じる。

ジェットプリント方法における所望の構造化精度は、複数の方法パラメータによって影響される。ジェットプリント方法によって、表面上にスピンオン堆積されるポリマー滴または分散液滴の直径は、形成可能な構造体幅の下方限度を定める。ある程度の拡がりは、スピンオン圧力だけでは回避されない。従って例えば７０μｍの滴の大きさによって、１００μｍの幅の構造体が形成されるだろう。ジェットプリント方法によってスピンオン堆積された滴がその後にさらにどの程度拡がるのかは、基礎部の表面エネルギーに依存し、これに相応して、基礎部の表面エネルギーの調節によって調整される。基礎部が、スピンオン堆積される材料に対して、ないしはスピンオン堆積される分散液に対して濡れない場合には、スピンオン堆積の直後に例えば９０°以上の急峻な接触角が形成される。なぜなら、この場合には、滴の表面張力が、その下に位置する表面の表面エネルギーよりも大きいからである。従って、スピンオン堆積される滴はむしろ再び集結し、僅かな面積を占有するにとどまる。濡れない表面は殊に分断隙間の領域において、分断隙間のシーリングに有利である。これによって、隙間である分断隙間における、スピンオン堆積される材料の毛管付着が回避される。ここでは有利には、ある程度の濡れが調整され、これによってプリントされる材料が表面上で充分に付着される。スピンオン堆積される滴が拡がってしまうことだけは回避されるべきである。

この場合には、スピンオン堆積される材料の接触角が、表面上で９０°を超えなければならない。これによって毛管降下が生じる。しかし表面調節を行わなくても、ジェットプリント方法および充分に粘着性のある材料によって、フレーム構造体とチップの間の分断隙間を充分に確実にシーリングすることができる。しかもポリマー材料がさらに分断隙間内に流れ込み、チップの下面で構成素子構造体を覆い、これによってチップ機能を妨害する、またはチップ機能に損傷を与えることはない。

その上にジェット構造体が被着される表面のエネルギーの調節を、プラズマ処理によって、殊にフッ素を含有するプラズマによって行うことができる。このようなプラズマ処理を介して、低い表面エネルギーを有している、薄い、フッ素含有層が積層される。

しかし、表面変成を、変成を行う溶液を用いた処理によって行うことも可能である。例えば表面を有機ケイ素溶液によってシラン化することができる。相応にシラン化またはシロキサン化された表面は同じように低い表面エネルギーを有する。ここで、表面エネルギーを低減させる層の被着された層厚は、数分子層の領域に位置する。ここでは、表面エネルギーを低減させるのには既に単分子層で充分である。

表面エネルギーは、プリントされるべき材料に界面活性剤をドーピングすることによっても調節される。例えば、選択的に作用する接着促進剤をドーピングすることによっても調節される。一般的に表面処理は、液相による処理または気相による処理によって、殊に気相または液相からの相析出によって行われる。

金属製表面の場合にも、表面エネルギーを調節することができる。この場合には、ポリマーアイソレーションコーティングおよび無機アイソレーションコーティングの他に、他の金属製コーティングによる金属表面の調節が可能である。しかし、金属の酸化または金属上での所期のウィスカ形成による調節も可能である。

表面エネルギーの特に容易な調節は、金属表面上で行われる。従って有利にはこの方法は、金属製ないしは金属製のフレーム構造体と関連して行われる。

ジェットプリント方法によって被着されたポリマーは直接的に硬くなるか、後続のステップにおいて硬化される。有利には、ＵＶによる硬化を行う、または少なくともＵＶによって励起されて事前硬化を行い、熱によって後から硬化させる。これは次のような利点を有している。すなわち、粘性の低減によってジェットプリント構造体の軟化を回避不可能に生じさせてしまう、熱による硬化が回避される、ないしは熱による硬化の際にジェットプリント構造体が拡がってしまうのが阻止されるという利点を有している。

ジェットプリント方法を高い温度のもとで、かつ高温のノズルを用いて行うことも可能である。これによって、プリントされるべき材料の粘性が低減される。表面上へのプリント時には、この材料が凝固されるまたは少なくとも迅速に硬度を得る。このようにしてむしろ、溶解された熱可塑性樹脂がプリントされる。この熱可塑性樹脂は冷却および凝固後に、さらなる後処理をもはや必要としない。ジェットプリントによって溶解された金属をスピンオン堆積させる、ないしプリントし、直接的に構造化された金属化部を形成することも可能である。

溶剤またはポリマーにおいて固体粒子を含む分散液をプリントすることも可能である。この分散液は移動相の硬化または迅速な除去によって同じように自身のプリントされる構造体を保つ。しかし移動相除去の後に、さらに後処理を行うことができる。これによって構造体が圧縮される、またはその特性において変えられる。分散液における固体粒子は無機である、および例えばセラミックである、または金属である。しかしポリマー粒子の分散液を被着させることも可能である。分散液は有機構成成分を有しても、無機構成成分を有していてもよい。

ジェットプリント構造体の被着、および場合によっては行われる硬化の後に、カバー層を形成することができる。これは例えば液相のプラスチック層を被着させ、硬化させること、またはフィルムを被着させること、またはシステムの金属化のみによっても行われる。

金属製カバー層を形成するために、はじめに比較的薄い基礎金属化部が全面的にスパッタリング、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、蒸着または他の薄膜方法によって被着される。これに続いて、この基礎金属化部を、溶剤からの金属層の析出によって補強することができる。これは無電解で、または電気めっきによって行われる。カバー層をジェットプリント方法によって被着させることもできる。ここでこの場合には、他のノズル強度が選択され、これまでのジェットプリント構造体とは異なる材料が被着される。

カバー層を製造するために、部分的にのみ、ジェットプリント方法を使用することもできる。例えば、パネル上に直接的に後のカバーを取り囲むキャスティングフレームを形成し、引き続き、このキャスティングフレーム内に液状ポリマーを被着させ、次に硬化させることが可能である。キャスティングフレームはポリマーが拡がってしまうのを阻止するので、キャスティングフレーム内に被着されたポリマーの硬化を熱によって行うこともできる。

カバーの製造後に、例えばソーイングによってパネルを分割することによって、個々の構成素子または複数の構成素子を含むモジュールへの個別化を行うことができる。

チップおよびパネルは通常、異なる材料から成るので、温度変化時には、チップとパネルの間にひずみが生じ得る。このひずみは殊にチップとパネルの間の接続箇所で、すなわち、殊にはんだ付け箇所で、およびジェットプリント構造体によってシーリングされる分断隙間で生じる。これは大きなギャップであり得る。従って、フレーム構造体、分断隙間をシーリングする材料および分断隙間の高さを次のように最適化するのは有利である。すなわち、殊にバンプおよび他のチップとパネルの接続部の拡張特性に合わせられた所望の熱特性が得られるように最適化するのは有利である。しかし有利には、金属フレームは少なくとも、バンプに相応する高さで形成される。しかしフレーム構造体を、セラミックから、パネル上に形成することもできる。

以下で本発明を実施例および実施例に属する図面に基づいて詳細に説明する。これは本発明を分かりやすくするためだけのものであり、縮尺通りに記載されていない。同じまたは同じ作用をする部分には同じ参照番号が付けられている。

図１には、ジェットプリント構造体およびカバーを有するＭＥＭＳ構成素子が示されており、
図２には、フレーム構造が異なるＭＥＭＳ構成素子が示されており、
図３には、カバーを有する構成素子が示されており、
図４にはグローブトップカバーまたはモールディングされたカバーを有する構成素子が示されており、
図５〜７には、種々異なって構成されたフレーム構造体が示されており、
図８には構成素子の製造時の異なる段階が示されており、
図９にはキャスティングフレームによる大面積ポリマー層の製造時の２つの段階が示されている。

図１には、本発明の第１の実施形態が概略的な断面図で示されている。構成素子は、パネルＰＡ上に配置されている。このパネルは殊にセラミックパネルであり、これは少なくとも１つのセラミック材料層から構成されている。図において２つの層によって示されているように、パネルを多層に構成することも可能である。ここで２つのセラミック層の間に金属面を挿入することが可能である。この金属面は、回路素子を製造するために、抵抗、インダクタンス、金属化面および容量から選択されて構造化される。さらなる金属面はパネルＰＡの表面および下面に設けられる。

次に、異なる金属面はスルーホールによって相互に接続される。パネルの表面上には、チップＣＨを接触接続するためのはんだ付け可能な接続面が設けられる。下面には、製造された構成素子を回路周辺部分と接続するための、はんだ付け可能なコンタクトが設けられる。

ＭＥＭＳ構成素子の構成素子機能は実質的に、チップＣＨ内またはチップＣＨ上に実現される。このチップは、基板の方を指している下面上にアクティブ構成素子構造体、殊に金属化部を担う。チップは、図においてバンプＢＵによって示されている接続構造体を介して電気的および機械的にパネルないしはそこに被着された接続面と接続される。バンプは、はんだバンプまたは金からなるスタッドバンプであり得る。

さらにパネルＰＡ上には、フレーム構造体ＲＳが設けられている。これのフレーム構造体は通常のパネル表面レベルより高くされている。このフレーム構造体は環状に次のように閉成されている。すなわち、少なくともチップＣＨのアクティブな構成素子構造体とはんだ付け可能な接続面がフレーム構造体内に配置されるように閉成されている。チップＣＨとフレーム構造体ＲＳとの間の分断隙間は、ジェットプリント構造体ＪＳによってシーリングされている。これはフレーム構造体と同じように、チップエッジを囲むように配置され、アクティブ構成素子構造体を収容するために生じたチップ表面とパネル表面の間の中空空間を完全に密閉する。選択的に、強制的にではなく、ここではさらにカバーＡＢが示されている。このカバーは、適切な層厚の密閉材料から成る。

フレーム構造体は有利には、チップをパネル上に載置する前に事前に製造される。フレーム構造体は、種々異なる材料から製造可能であり、種々異なる材料から成る多層構造も含むことができる。例えば、フレーム構造体がセラミック材料を有することが可能である。この場合にはこれはパネルの焼結前にシルクスクリーン印刷によって被着される。このようなフレーム構造体は技術的に容易に製造可能である。

しかしフレーム構造体をパネルの焼結後に被着させることも可能である。この場合にはフレーム構造体は例えばプラスチックから成る。これはプリントされる、またはジェットプリントによって被着される、またはフォト技術によって大面積ポリマー層から構造化される。

フレーム構造体ＲＳを金属材料から製造することも可能である。これに加えてフレーム構造体ＲＳは有利には構造化され、無電解式にまたは電気めっき式にパネルの表面上に、所望の高さで析出される。フレーム構造体を、種々の材料の複数の層から製造することも可能である。ここで有利には上方の層は、非常に高い構造精度で形成される。従って例えば、フレーム構造体の下方の部分層を高い許容公差を有する方法によって形成し、フレーム構造体を上方の層領域においてのみ、低い許容公差を有する方法によって非常に正確に構造化し、チップに対して正確に位置付けすることが可能である。

図２は、２つの異なる、正確に構造化された部分層から成るフレーム構造体を有するこの種の構成素子を示している。フレーム構造体の下方部分層ＲＳ１は例えばセラミックからなる。またフレーム構造体の上方部分層ＲＳ２は、プラスチック、例えばジェットプリント構造体から成る、または金属から、例えば電気めっきによって被着されたフレーム構造体ＲＳ２から成る。

図３は、概略的な断面図で、カバーが設けられている構成素子を示している。この構成素子は別の構造を有する。従って、チップの背面には、カバーＡＢの下方にポリマー層ＰＳが配置されている。このポリマー層は殊に音響波によって作動する構成素子（例えばＳＡＷ構成素子またはＦＢＡＲ素子）に対して緩衝層として構成されており、これに相応してその厚さおよび音響的なインピーダンスにおいて最適化されている。このようにして、抑制されていない音響バルク波をそこで吸収し、緩衝させることができる。ここでこのバルク波は、チップ下面でアクティブ構成素子構造体によって生成され、チップの上面まで拡がる。しかしポリマー層ＰＳを次のことのために用いることも可能である。すなわち、殊に、金属層を含むカバーによって構成素子を後から覆う場合に、金属カバーと構成素子構造体の容量性相互作用を最小化するために用いることも可能である。このカバーは同じように単に概略的に示されており、上述した種々異なる材料を含むことができる。

別の構成では、図３に示されたように、パネル内に、チップの下方の中空空間に達する開口部ＯＥが設けられる。このような開口部は次のことのために用いられる。すなわち、構成素子の製造中に生じる気体状の不純物、殊に、使用されている材料からの湿気または溶剤蒸発を、開口部を通じて除去するために用いられ、場合によっては、保護ガス充填を行うために、または中空空間を真空にするために用いられる。これに続いて、開口部ＯＥは、例えばはんだまたはプラスチック材料によって再びシーリングされる。

図４は、別の構成素子を概略的な断面図で示している。ここではチップおよびパネル表面上に、カバーとして、グローブトップカバーまたは射出成形被覆部ＧＴが配置されている。これは液状ポリマーの滴下によって、または被着の間には低粘着性ポリマーの滴下によって得られる。しかし、構成素子をプラスチックからの射出成形被覆部とのモールディングによって設けることも可能である。このようなグローブトップカバーまたは射出成形被覆部によって、アクティブな構成素子構造体のハーメチックなシーリングが得られさらに構成素子は機械的に外部影響から保護される。このカバーは電気的絶縁のためにも用いられる。

図５は、概略的な断面図でＭＥＭＳ構成素子を示している。この構成素子は、パネルＰＡ上へのチップＣＨの載置の後に変形されたフレーム構造体ＲＳを有する。このフレーム構造体ＲＳは段を有している。この段はチップ縁部へ向かって下降している。ここでこの下段の表面は、チップの下にスライドされている。従って、このナップがこの段の上に生じる。またはパネル上への固定後に例えばバンプによって下段の上にも載置される。チップ縁部下にスライドされた、段が付けられたこのようなフレーム構造体によって、チップ下面からパネル表面までの確固とした間隔が保証される。さらに、フレーム構造体とチップの間の分断隙間は実質的に垂直な隙間である。この隙間は、チップ下の下方領域において屈曲している。このようにして、付加的に次のことが回避される。すなわち、後で被着されるジェットプリント構造体が、チップの下方の中空空間内に達し、場合によってはアクティブな構成素子構造体と接触接続してしまうことが回避される。このようにして得られた構成素子はここで既にモールディング可能であり、すなわちさらなるカプセル封入のために射出成形された被覆部を設けることが可能である。

図面には、第３の、直接的にパネル上に載置された、フレーム構造体の下方部分層が付加的に示されている。この部分層の断面はここでは、チップの下に達している第２の段よりも狭い。しかし、この下方部分層が、フレーム構造体の幅を下方に向かって再度ひろげることも可能である。図示されたようなフレーム構造体ＲＳを、例えば、三層の金属製フレーム構造体によって実現することが可能である。これは例えば銅／ニッケル／銅の層構造体である。ここでは１つまたは複数の段は、エッチングプロセスに対する種々異なる選択性によって形成されている。

図６は、類似したフレーム構造体を示している。しかしここではチップに向かって下降している、フレーム構造体の段は、チップ縁部の下にスライドされていない。

図７は、別の変形されたフレーム構造体ＲＳを示している。このフレーム構造体は同じように、チップに向かって下降している二段階構造を有している。ここでチップ縁部は、下段の上に載っている。フレーム構造体と側方チップ縁部との間の分断隙間ないし間隔はここで容易にジェットプリント構造体によって閉成される。一般的に、フレーム構造体ＲＳとチップＣＨの間の分断隙間が小さくなればなるほど、必要とされるジェットプリント構造体の体積は減少する。ジェットプリント構造体に対する少ない体積は材料節約の利点を有する。これによって、まだ液状であるジェットプリント構造体内に含まれている溶剤または湿気の量もより少なくなるという効果が得られる。主なポリマーはさらに時間にわたって水分も収容するので、体積が少なくなると、構成素子全体の水分含有能力も下がる。このような構成に対しても、パネル表面とアクティブ構成素子構造体を伴うチップ下面との間の間隔が定められているのは有効である。

フレーム構造体の構成時に、さらなる観点として、フレーム構造体の熱膨張係数を考慮し、これをバンプの熱膨張係数に合わせる場合、殊にフレーム構造体上に載置されるチップによって、特にストレスが少なく、はんだ付けされた構成素子が得られる。熱的な交番負荷の場合には、このようにして生じるひずみが最小化される。所定のレベルでのフレーム構造体の膨張係数の整合は、上述の多層構造によって、層厚さおよび材料を相応に変化させることによって実現される。フレーム構造体が、チップに対して、殊にチップ縁部に対して所定の間隔を有している場合、そこに取り付けられるジェットプリント構造体は分断隙間においてさらに、構造体全体の膨張係数の算出に組み込まれる。この分断隙間はパネル表面とチップ縁部の間に配置されている。膨張係数が合わせられたフレーム構造体によって、高められた周期耐久性を有する構成素子が得られる。これによってさらに、バンプの直径を低減させることができる。これは構成素子全体の構造高さを低くする作用もある。これまで、高い熱的ひずみが、大きいバンプ直径、および高い構造高さおよび大きい構成素子面積によって緩和され、ある程度の弾性を有するバンプ内で熱的ストレスが引き下げられてきたので、これが可能である。

図８は、金属製フレーム構造体の例に沿って、構成素子製造時の種々のステップを示している。殊にセラミックのパネルＰＡから出発する。図面において分かりやすくするためにパネルの別の層は示されていない。パネルＰＡの表面には、はじめに基礎金属化部ＧＭ（例えばチタンから成る）が全面的に被着される。これは例えばスパッタリングＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、蒸着または他の薄膜方法によって被着される。これに続いて、基礎金属化部上に、構造化のために、ホトマスクＰＭが被着される。これは例えホトレジスト層の全面的な被着によって行われる。これに続いて構造化が行われる。図８ａはホトマスクＰＭが被着されているパネルを示している。

次に、ホトマスクＰＭが被着されずに残してある領域においてフレーム構造体が、基礎金属化部を補強することによって形成される。これは無電解式金属化によって、または電気めっき式方法によって行われる。フレーム構造体を、種々異なる金属層から成る複数のステップで形成することも可能である。なぜなら個別層は例えば銅またはニッケルを含み得るからである。基本的には他の金属も、フレーム構造体の製造に適している。ホトマスクが二層のレジストから成る場合に、金属化は容易になる。この場合には、ホトマスクのレジストシステムの下層は無電解式に金属化可能である。これに対して上層はこれが不可能である。これによって、ホトマスクＰＭによって覆われていないパネルＰＡの領域上での金属の析出が加速される。図８ｂは、このようにして増強されたフレーム構造体ＲＳを示している。

次にホトマスクが、開放されている基礎金属化部と同じように除去される。ホトマスクは削れられる、またはプラズマにおいて剥離される。また、基礎金属化部は、通常は湿式で行われるエッチングステップによって除去される。

図８ｃは、パネルＰＡ上の完成されたフレーム構造体ＲＳを示している。環状に閉成されたフレーム構造体内では、パネル表面上にコンタクト面が配置される。このコンタクト面は、チップの電気的な接続および機械的な接続のために用いられる。これに相応して、構成素子チップＣＨはここで適切な接続方法を介して、例えばバンプＢＵを用いて、このコンタクト面上に載置され、機械的に固定して接続される。これは例えばリフローはんだ付けプロセスによって行われる。

次のステップでは、システムの表面エネルギーが調節され、後のジェットプリント構造体による濡れが最小化される、ないしは濡れが所望の領域においてのみ生じる。表面エネルギーを調整するために、全体的な表面エネルギーを低減させることが可能である。これは、表面を疎水性に調整することによって行われる。これは例えばシステム全体を、フッ素含有プラズマ内にさらすことによって行われる。このために例えば、０．３ミリバールの作動圧力を伴うＣ_４Ｆ_８ガスが、プラズマ反応器内に導入される。このプラズマ反応器内には、フレーム構造体および載置されたないしははんだ付けされたチップを伴うパネルが配置される。約３０秒のプラズマ処理は、表面エネルギーをそれ以上下がらない値に調整するのに十分である。

択一的に、表面エネルギーの低減を、シラン処理剤、例えばヘキサメチルジシラザンによる液状処理によって行うことができる。

適切な表面エネルギー調整の択一的な方法は、表面エネルギーを濡れるべき領域において高めることである。これは、分断隙間の領域における表面の構造化処理によって行われる。これは例えば接着促進剤による処理によって行われる。この接着促進剤は、ジェットプリント構造体の接着を処理表面領域において高める。

次に、ジェットプリント方法によって、ジェットプリント構造体が、フレーム構造体とチップの間の分断隙間の領域内に析出される。ここでは、プリントヘッドが使用される。ここでこのプリントヘッドは、適切な断面を有する例えば１００〜５００のノズルの規則的なアレイを有している。各ノズルは、滴をスピンオン堆積させるための、個々に駆動制御可能な装置と接続されている。これは例えばピエゾ圧電素子である。この種の素子は高い周波数で駆動制御される。個々に吐出された滴の体積はこの場合には、実質的に、ノズルの断面および吐出されるべき液体の粘性に依存している。

このような印刷滴によって、より速い速度で、大きな表面にわたってスキャンが行われる。ここでノズルの相応の駆動制御によって任意の構造体が形成される。また最小幅は、滴の大きさおよび、被印刷表面上の接触角に依存する。通常は、滴が与えられた直径で、構造高さが印刷される。これは１回の試みで、オリジナルの滴直径の２０〜５０％で測定の寸法である。表面エネルギーが、プリントされるべき表面上でより低く調整されると、この滴によって、良好な濡れの場合よりも、より高い構造体を形成することができる。プリントされるべき質量体がジェットプリント構造体に対してチキソトロピーに調整されている場合、これはさらに有利である。これは、プリントされるべき質量体に対する適切かつ、それ自体公知の添加物によって行われる。

ジェットプリント方法を、９０°異なった角度で行うことも可能である。これによって、液状滴はパネル表面に対して例えば４５°の角度でスピンされる。これによって、フレーム構造体とチップの間の分断隙間のシーリングが容易になる。この場合には、印刷の間に印刷角度を、印刷されるべき表面の地形に依存して変えることが可能である。

ジェットプリント構造体を、２つまたは２つより多い、相互に重なって配置された層で形成することができる。ここで各形成された層は、次の層の被着前に、少なくとも部分的に硬化される、または乾燥される。ジェットプリント構造体の硬化は、種々異なる硬化方法の組み合わせによって実行される。ここでこれらの硬化手段は、印刷される材料の化学に依存する。

表面の疎水化ないし適切に調整された表面エネルギーによって、液状に被着されたポリマーが、分断隙間の毛管現象によってチップ下の空間内に引き込まれてしまうことが回避される。図８ｄは、ジェットプリント構造体製造後のシステムを示している。

ジェットプリント構造体ＪＳは最小の構造幅に最適化され、従って最小の体積にも最適化されているので、チップ下の中空空間は密接にシーリングされるが、ハーメチックに密閉してシーリングされない。従って有利には、システム全体にわたってさらにカバーＡＢが作製される。

このカバーは容易に、全面的な金属層を作製することによって設けられる。このために、表面はまずは、再び親水性に調整される。これは例えば酸素プラズマを用いた処理によって行われる。カバーは、フレーム構造体と同じように、二段階式方法によって行われる。これは、蒸着されたまたはスパッタリングされた基礎金属化部および、この基礎金属化部の電気めっき式または無電解式増強を伴う。

しかし、プラスチックのカバーを製造すること、および例えば滴下させることも可能である。カバーＡＢとして、カバーフィルムをラミネートすることもできる。これはプラスチックフィルムまたは多層フィルムであり得、場合によっては金属層を含む。プラスチックカバーを後から金属化させることも可能である。カバーが、フィルムキャスティングによって被着されてもよい。ハーメチックなカバーを製造するためには、カバーをチップの背面にも被着させ、ここから側方でフレーム構造体の表面と終端させればよい。カバーを基板の表面と終端させることも可能である。

全体的に、正確に構造化されて被着されるべきジェットプリント構造体ＪＳによって、ＭＥＭＳ構成素子の場合に、チップ側縁とパネル側縁の間の間隔を低減させることができる。しかもこれによってプロセスが不確実かつ不正確になることはない。従って構成素子の大きさをさらに低減させることができる。

図９は、ジェットプリント構造体によって大面積積層化を行う、付加的な手法を示している。このために、基板上に、例えばパネルＰＡの上面上またはチップ背面上にまずは、閉成されたキャスティングフレームＧＲが、ジェットプリント方法によって形成される。このキャスティングフレームの高さは、プリントされるべきポリマー層の所望の高さに相応に寸法決めされる。キャスティングフレームの硬化後に、キャスティングフレーム内に液状のポリマーが滴下される。この液状ポリマーは、表面上で、キャスティングフレーム内で自由に拡がることができ、キャスティングフレームによって取り囲まれている空間を完全に満たす。キャスティングフレームを、グローブトップシーリングをチップにわたって、パネル上で空間的に制限するために使用することができる。キャスティングフレームおよびキャスティングフレーム内にもたらされたポリマー層ＰＳを次のことにも使用することができる。すなわち、チップ表面またはパネル表面上でのみ、定められて、ないしは構造化されて被着されるべきポリマー層を形成するためにも使用することができる。

パネルは製造によって、完全には平坦でない表面を有し得る。これは例えばセラミックパネルであり、焼結後にある程度の変形を有する。有利にはこの場合には、フレーム構造体は作製直後に平坦化される。従ってその表面は、チップに対する平坦な載置面を提供することができる。多層のフレーム構造体の場合には、この平坦化をフレーム構造体の下方部分層の製造後に行うこともできる。前提条件は、上方の部分層が後退する段として被着されること、または積層高さに関して正確な方法で被着されることである。平坦化は例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械式研磨）によって、フライス削りによって、グラインドによってまたは機械的プレスによって行われる。択一的にパネルの表面自体を平坦化することが可能である。

本発明を僅かな実施例にのみ基づいて示したが、本発明はこれに制限されるものではない。殊に構成素子のタイプは、ここでは容易にＭＥＭＳ構成素子として示されているが、構成素子構造体を伴う機械的に敏感な前面を有する、全ての種類の電気的マイクロメカニカル技術による構成素子および光学的構成素子を含む。特に有利には本発明は、音響波によって作動する構成素子に対して使用される。

ＭＥＭＳ構成素子を個々の構成素子として製造することができるが、有利には大きな面積のパネル上に作製される。このパネルは、個々のチップのために多数の取付場所を有している。パネル上に、種々異なるチップを１つの方法によって被着させ、ジェットプリント構造体によっておよびカバーによってシーリングすることもできる。この場合には種々の構成素子はモジュールを構成する。ここでパネル上で複数のモジュールが平行に製造される。

ジェットプリント構造体およびカバーを有するＭＥＭＳ構成素子 フレーム構造が異なるＭＥＭＳ構成素子 カバーを有する構成素子 グローブトップカバーまたはモールディングされたカバーを有する構成素子 異なって構成されたフレーム構造体 異なって構成されたフレーム構造体 異なって構成されたフレーム構造体 構成素子の製造時の異なる段階 キャスティングフレームによる大面積ポリマー層の製造時の２つの段階

Claims (25)

1. ＭＥＭＳ構成素子であって、
   ・パネル（ＰＡ）を有しており、
   ・下面にアクティブな構成素子構造体を担っているチップ（ＣＨ）を有しており、当該チップは下面で、バンプ（ＢＵ）を介して前記パネル（ＰＡ）の上方に被着されており、
   ・前記チップ（ＣＨ）の取付場所を接近して取り囲んでいるフレーム構造体（ＲＳ）を有しており、当該フレーム構造体は前記パネル（ＰＡ）上に載置されており、当該フレーム構造体（ＲＳ）は、前記チップ（ＣＨ）に向かって下降する二段階構造を有しており、当該フレーム構造体（ＲＳ）の下段の上面上に前記チップ（ＣＨ）の縁部が配置されており、
   ・当該フレーム構造体（ＲＳ）の上段の側面と、前記チップ（ＣＨ）の側面との間に分断隙間を有しており、当該分断隙間はジェットプリント構造体（ＪＳ）によって、ジェットプリント方法に基づいてシーリングされており、当該ジェットプリント構造体は構造体構成材料によって形成されており、
   前記ジェットプリント構造体（ＪＳ）と接触している表面は、表面エネルギーを調節することによって、当該ジェットプリント構造体（ＪＳ）によって９０°以上の急峻な接触角が形成されるように調整されており、
   前記チップ（ＣＨ）、前記ジェットプリント構造体（ＪＳ）、および前記フレーム構造体（ＲＳ）の少なくとも周りを取り巻いている部分のそれぞれの上面上にカバー層（ＡＢ）が配置されている、ことを特徴とするＭＥＭＳ構成素子。
2. 前記ジェットプリント構造体（ＪＳ）の上方縁部が、下方チップ縁部を上回って位置するような高さで前記フレーム構造体（ＲＳ）が形成されている、請求項１記載の構成素子。
3. 前記フレーム構造体（ＲＳ）は金属製である、請求項１または２記載の構成素子。
4. 前記カバー層（ＡＢ）は金属層であり、構成素子をハーメチックに密閉している、請求項１から３までのいずれか１項記載の構成素子。
5. 前記カバー層（ＡＢ）はラミネートフィルムまたはグローブトップカバーである、請求項１から３までのいずれか１項記載の構成素子。
6. さらなるジェットプリント構造体がポリマー層（ＰＳ）の形状で、前記チップ（ＣＨ）の背面上に延在しており、
   当該さらなるジェットプリント構造体（ＰＳ）が設けられていない前記チップ（ＣＨ）の背面の領域は、直接的に前記カバー層（ＡＢ）と接触接続している、請求項１から５までのいずれか１項記載の構成素子。
7. 前記チップ（ＣＨ）の側方縁部は少なくとも部分的に前記さらなるジェットプリント構造体（ＰＳ）によって覆われておらず、直接的に前記カバー層（ＡＢ）と接触接続している、請求項６記載の構成素子。
8. 前記フレーム構造体（ＲＳ）の少なくとも一部は前記チップ（ＣＨ）の下まで達している、請求項１から７までのいずれか１項記載の構成素子。
9. 前記パネル（ＰＡ）とカバー層（ＡＢ）の間で、構成素子の縁部領域において、前記フレーム構造体（ＲＳ）によって取り囲まれている面の外で、前記チップ（ＣＨ）の縁部に続くポリマーストリップ（ＴＳ）が配置されており、
   前記カバー層（ＡＢ）は金属層であり、前記ポリマーストリップ（ＴＳ）によって取り囲まれている表面領域内で前記パネル（ＰＡ）と成端している、請求項１から８までのいずれか１項記載の構成素子。
10. ＭＥＭＳ構成素子の製造方法であって、
    ・大面積のパネル（ＰＡ）上に多数のフレーム構造体（ＲＳ）を形成し、当該フレーム構造体（ＲＳ）はそれぞれ１つのチップ取付場所を接近して取り囲み、
    ・自身の下面でアクティブな構成素子構造体を担っている、多数のチップ（ＣＨ）を取付場所で、バンプ（ＢＵ）を介してパネル（ＰＡ）と接続させ、当該フレーム構造体（ＲＳ）は、前記チップ（ＣＨ）に向かって下降する二段階構造を有しており、当該フレーム構造体（ＲＳ）の下段の上面上に前記チップ（ＣＨ）の縁部を載置し、
    ・当該フレーム構造体（ＲＳ）の上段の側面と、前記チップ（ＣＨ）の側面との間の分断隙間を、ジェットプリント方法に基づいて形成されたジェットプリント構造体（ＪＳ）を用いてシーリングし、
    前記ジェットプリント構造体（ＪＳ）をプリントする前に、当該ジェットプリント構造体（ＪＳ）と接触接続する表面の表面エネルギーを調節し、前記ジェットプリント構造体（ＪＳ）によって９０°以上の急峻な接触角が形成されるようにし、
    前記チップ（ＣＨ）、前記ジェットプリント構造体（ＪＳ）、および前記フレーム構造体（ＲＳ）の少なくとも周りを取り巻いている部分のそれぞれの上面上にカバー層（ＡＢ）を配置する、ことを特徴とするＭＥＭＳ構成素子の製造方法。
11. 個別構成素子をパネル（ＰＡ）を個々の構成素子またはモジュールに分割することによって個別化する、請求項１０記載の方法。
12. 前記ジェットプリント構造体（ＪＳ）を製造するために、液状処理可能で、かつ硬化可能な樹脂、または溶解されたポリマーまたはナノ粒子を含む分散液を使用してプリントする、請求項１０または１１記載の方法。
13. ＵＶ硬化ポリマーを使用する、請求項１２記載の方法。
14. 前記表面上に、単分子層または数分子層の層厚を有する、濡れない表面を有するフィルムを被着する、請求項１０から１３までのいずれか１項記載の方法。
15. 前記表面をフッ素を含有するプラズマによって処理する、請求項１０から１４までのいずれか１項記載の方法。
16. 前記表面を有機ケイ素溶剤による処理によってシラン化する、請求項１０から１４までのいずれか１項記載の方法。
17. 前記チップ（ＣＨ）のはんだ付け、および前記ジェットプリント構造体（ＪＳ）の作製後に、まずは、比較的薄い基礎金属化部（ＧＭ）を全面的にスパッタリング、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、蒸着または他の薄膜方法によって被着させ、
    これに続いて当該基礎金属化部（ＧＭ）を溶剤からの金属層の析出によって補強する、請求項１０から１６までのいずれか１項記載の方法。
18. 前記ジェットプリント方法をＵＶ照射のもとで実行する、請求項１０から１７までのいずれか１項記載の方法。
19. はじめに後のカバーを取り囲むキャスティングフレーム（ＧＲ）をＵＶ照射のもとでジェットプリント方法で被着させることで、大きい面積のカバー層（ＰＳ、ＧＴ）を構成素子の上に形成し、
    これに続いて、前記キャスティングフレーム内に、カバーのためのポリマーを大きい面積で、同時にＵＶ照射しないで被着させ、当該ポリマーをまずは前記キャスティングフレーム内で流し、続いて硬化させる、請求項１８記載の方法。
20. パネル（ＰＡ）上に、まずは全面的な基礎金属化部（ＧＭ）を被着させ、環状に閉成されたストリップが覆われないままであるようにポリマーマスク（ＰＭ）によって覆い、
    環状のストリップの領域内で覆われていない基礎金属化部（ＧＭ）を溶剤からの金属析出によって強化し、金属製フレーム構造体（ＲＳ）を生じさせ、
    引き続き前記ポリマーマスク（ＰＭ）を再び除去し、チップ（ＣＨ）を金属フレーム（ＭＲ）内でバンプ（ＢＵ）を介してパネル（ＰＡ）とはんだ付けする、請求項１０から１９までのいずれか１項記載の方法。
21. 前記金属フレーム（ＭＲ）を、バンプ（Ｂ）の少なくとも半分の高さの高さで被着する、請求項２０記載の方法。
22. 前記基礎金属化部（ＧＭ）として、まずはチタンを含有している接着層を被着し、その上に薄い銅層を被着し、当該銅層を無電解式析出において銅およびニッケルによって厚くする、請求項１７から２１までのいずれか１項記載の方法。
23. 前記基礎金属化部（ＧＭ）を全体的なシステム上に被着させる前に、ラミネートフィルム（ＬＦ）をラミネートし、引き続き、チップ（ＣＨ）周辺の支柱状領域において再び除去する、請求項１７から２２までのいずれか１項記載の方法。
24. 前記チップ（ＣＨ）の背面上にポリマー層（ＰＳ）を形成し、さらにその上に、金属層をハーメチックなカバー層（ＡＢ）として積層する、請求項１０から２３までのいずれか１項記載の方法。
25. ジェットプリント方法によって１回の試みにおいて２０〜３０μｍの高さのポリマー構造体を形成する、請求項１０から２４までのいずれか１項記載の方法。

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