JP5222677B2 - 固体電解コンデンサ - Google Patents

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Description

本発明は固体電解コンデンサに関するものである。
図9は従来の固体電解コンデンサ1の断面図である。固体電解コンデンサ1は、外装樹脂11で被覆されたコンデンサ素子7と、外部電極としての陽極リードフレーム8及び陰極リードフレーム9を下面に具備している(特許文献1参照)。
弁作用金属の焼結体である陽極体2の周面には、誘電体酸化皮膜3、陰極層4、陰極引出層5が順次形成され、前記陽極体2の高さ方向の略中央部から弁金属でできた円柱状、四角柱状等の陽極リード6が突出して、コンデンサ素子7を構成している。ここで弁作用金属とは、電解酸化処理により極めて緻密で耐久性を有する誘電体酸化皮膜が形成される金属を指し、具体的にはタンタル、ニオブ、アルミニウム、チタン等のことをいう。
前記陽極リード6の下端面と陽極リードフレーム8の上面は高さが異なるため、陽極リード6と陽極リードフレーム8は円柱状、四角柱状等の枕部材10を介して、例えばレーザ溶接により電気的に接続している。
現在、コンピュータ、携帯電話機、デジタルカメラ等の電子機器の小型・軽量化が進展し、該電子機器に内蔵される固体電解コンデンサにも小型・軽量化が進んでいる。具体的には、陽極リードの形状を円柱状から四角柱状に変更することにより陽極リードを低背化し、固体電解コンデンサを低背化させている。
図10に陽極部12を示す。陽極部12は、弁作用金属の粉末の成形体と該成形体に所定の部分だけ埋設されている陽極リード6とを真空焼結したものであり、陽極リード6と弁作用金属の焼結体となった陽極体2とからなる。
特開2001−6977号公報
図11(a)、(b)は焼結後の陽極部12の上面図、正面図である。同図(a)に示すように、陽極リード6が植立されている陽極体2の植立面22に、陽極リード6との界面、とりわけ四角柱の角部近傍からヒビ30が発生するという問題がある。
そこで、本発明は、上記問題を鑑み、陽極体にヒビが発生せず、漏れ電流の増大を回避することができる固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
本願発明者らは鋭意研究の結果、タンタル等の弁作用金属粉末の成形体を製作するときに粉末の嵩密度を制御して、真空焼結した陽極体の平均粒径を所定の範囲とすると、ヒビの発生が減少して漏れ電流が改善することを見出した。
本願発明は、陽極部と、陰極部と、該陽極部と陰極部との間に設けた誘電体被膜とを備えたコンデンサ素子を備え、さらに、前記陽極部に接続された陽極リードフレームと、前記陰極部に接続された陰極リードフレームと、前記コンデンサ素子と前記陽極リードフレーム及び陰極リードフレームの各々一部を被覆した外装樹脂と、を具備した固体電解コンデンサである。前記陽極部は弁作用金属の焼結体からなる陽極体を備え、該陽極体の弁作用金属粒子の平均粒径が0.43μm以下である。
前記陽極部は弁作用金属からなる陽極リードを備え、陽極リード横断面の長手方向長さWaと、前記長手方向における陽極体の長さWbは、Wa/Wb≦0.50なる関係があることが好ましい。
前記陽極リードの横断面の外周が、トラック状、又は、4つの直線部と該直線部の間をつなぐ曲線部とからなる形状であることが好ましい。
前記弁金属はタンタルとすることができる。
図1は本発明に係る実施の形態の固体電解コンデンサ1の断面図である。
まず、真空焼結により陽極部となる未焼結陽極部を以下の手順で作製する。押し型のキャビティに対して陽極リードを所定の相対位置となるように配置する。次いで、嵩密度が所定の範囲内にある弁作用金属粉末をキャビティ内に投入してプレスすることにより、成形体に陽極リードを植立した未焼結陽極部が完成する。
次に、未焼結陽極部を真空焼結することにより、図2に示すように陽極体2と陽極リード6を備えた陽極部12が完成する。そして、陽極体2の周面に、誘電体酸化皮膜3、陰極層4、陰極引出層5を順次形成し、コンデンサ素子7が完成する。
この後、陰極リードフレーム部9aに接着剤としての導電性ペースト(図示せず)を塗布し、陰極リードフレーム部9aの所定の位置にコンデンサ素子7を載置する。さらに、四角柱状の枕部材10の上面に載置された状態となっている陽極リード6と枕部材10とをレーザ溶接等により固着する。
次いで、周知の方法である例えばトランスファーモールドによりコンデンサ素子7を外装樹脂11により被覆することにより、コンデンサ素子7が被覆された被覆体を作製する。そして、該被覆体を所定位置で切断することにより固体電解コンデンサ1が完成する。
[平均粒径の測定方法]
以下に、陽極体の平均粒径の測定法について説明する。
測定装置として日立製作所製走査型電子顕微鏡S−4500、測長ソフトウエアとして日立ハイテクフィールディング製画像処理システムPCIを用いた。図3(a)は、サンプルとして用意した陽極部12を、固体電解コンデンサの実装面に垂直な方向から見たときの図である。まず、陽極体2の、陽極リード6に向かって左側を図3(a)に示すように破断した。同図(b)は破断面をxx−xx方向から見た図である。同図(b)に示すように1つのサンプルに対して3つの視野(右側部S1、中央部S2、左側部S3)について平均粒径を測定した。
具体的には、各視野について、走査型電子顕微鏡のディスプレイ上で観察倍率10000倍にて破断面を拡大してライン引きを行い、ラインを横切った弁作用金属粒子のうち輪郭が鮮明なものの最大外径を測定する。そして、測定粒子数が20個になるまで図3(c)にて番号で示した順番でライン引きを行い測定を続けた。次いで、20個の測定データのうち、上位2個と下位2個を除いた計16個の平均値を算出し、該平均値をその視野における平均粒径とした。最終的には3つの視野における平均粒径の平均値をそのサンプルの平均粒径とした。なお、観察倍率を10000倍にしたのは、一視野においてディスプレイ上で200個以上の粒子を充分観察できるからである。
[実施の形態1]
図4(a)は、実施の形態1の陽極部12を陽極リード6の長手方向において植立面22に向けて見た図である。陽極リード6は陽極体2の植立面22に植立されている。四角柱状をした陽極体2は弁作用金属粉末たるタンタル粉末を真空焼結してなり、焼結後のタンタル粒子の平均粒径は0.40μmである。また、陽極リード6はタンタル製の四角柱状体を用い、その横断面は、図4(a)のように外周が2つの直線部6Lを2つの曲線部6Cで連結した陸上競技のトラック状をしている。
陽極リード6の横断面における長手方向長さWaは1.4mmであり、短手方向長さHaは0.3mmである。また、前記長手方向における陽極体2の長さWbは3.2mmであり、前記短手方向における陽極体2の長さHbは1.0mmである。よって、Wa/Wbは0.44である。なお、陽極リード6の長手方向長さWaについては、横断面外周を構成する2つの曲線部6Cの頂点間の長さ、即ち、長手方向における最大長さとした。
その後、上述した手順で固体電解コンデンサ1を完成させた。
[実施の形態2、3]
タンタル粉末の嵩密度を実施の形態1のものから変更して、陽極体2のタンタル粒子の平均粒径を0.34μm、0.28μmとしたことのみが実施の形態1と異なるものを、実施の形態2、実施の形態3とした。
[実施の形態4〜6]
実施の形態4、5、6は、陽極リード6の横断面における前記長手方向長さWaがそれぞれ1.0、1.2、1.8mmであることのみが実施の形態1と異なる。即ち、実施の形態4、5、6のWa/Wbがそれぞれ0.31、0.38、0.56であることのみが実施の形態1と異なる。
[比較例1、2]
タンタル粉末の嵩密度を実施の形態1のものから変更して、陽極体2のタンタル粒子の平均粒径を0.47μm、0.53μmとしたことのみが実施の形態1と異なるものを、比較例1、比較例2とした。
[評価結果]
実施の形態1〜6及び比較例1、2に係る固体電解コンデンサを各1000個作製した。
各サンプルについて陽極部の状態で植立面を観察し、ヒビの発生率を調べた。また、固体電解コンデンサ完成品の状態で定格電圧2.5Vを2時間印加した後に漏れ電流と等価直列抵抗(ESR)を測定した。表1に各データをまとめた。
実施の形態1〜3及び比較例1〜2は、いずれもWa/Wbが0.44である。ヒビ発生率は比較例1、2ではそれぞれ0.5、0.6%であるのに対し、実施の形態1〜3では0.1〜0.2%となっており、ヒビ発生率が低くなっている。漏れ電流については、比較例1、2ではそれぞれ85.2、90.1μAであるのに対し、実施の形態1〜3は25.8〜30.4μAと小さくなっている。等価直列抵抗については、実施の形態1〜3、比較例1、2で有意差は見られなかった。平均粒径とヒビ発生率の関係を図5に、平均粒径と漏れ電流の関係を図6に示す。図5及び6により、平均粒径が0.43μm以下であれば、ヒビ発生率及び漏れ電流が良くなることが分かる。
実施の形態1、4〜6は、いずれも陽極体のタンタル粒子の平均粒径は0.40μmである。ヒビ発生率は、実施の形態1、4、5では0〜0.1%であるのに対し、実施の形態6では0.4%と高くはなっているが、比較例1、2におけるヒビ発生率0.5、0.6%より低くなっている。漏れ電流については、実施の形態1が25.8μAであるのに対し、実施の形態1よりもWa/Wbが小さい実施の形態4、5では14.1、21.1μAに改善されていた。また、実施の形態1よりもWa/Wbが大きい実施の形態6では72.3μAに悪化していた。ただし、この機種の漏れ電流規格は80μA以下としているため良品の範囲内ではある。等価直列抵抗については、陽極リード幅Waが小さいほど等価直列抵抗が大きくなる傾向があるが、5.85〜6.52mΩとなっており特に問題が生じるレベルではない。
Wa/Wbとヒビ発生率の関係を図7に、Wa/Wbと漏れ電流の関係を図8に示す。図7より、Wa/Wbが0.50以下であれば、ヒビ発生率は0〜0.2%と低く抑えられることが分かる。また、図8より漏れ電流についても、Wa/Wbが0.50以下であれば、約35μA以下に抑えられることが分かる。
なお、実施例では弁金属としてタンタルを用いたが、それに限定されず、例えばニオブ、チタン、アルミニウムを用いても同様の効果を得ることができる。また、陽極体2や陽極リード6の外形寸法も一実施例であり、これに限定されることはない。
実施の形態で用いた陽極リードの横断面はトラック状となっていたがこれに限定されない。例えば、図4(b)のように、横断面の外周が4つの直線部6Lと該直線部6Lの間をつなぐ曲線部6Cとからなる形状とすることもできる。
また、陽極リードフレーム8、陰極リードフレーム9は、いわゆる下面電極タイプのものを用いたがこれに限定されず、例えば、ガルウィングタイプ(陽極リードフレーム、陰極リードフレームが外装樹脂からから露出し、さらに固体電解コンデンサの側面及び下面に沿って延びているもの)のものを用いることができるのは言うまでもない。
今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の実施の形態に係る固体電解コンデンサの断面図である。 本発明の実施の形態に係る陽極部の斜視図である。 陽極体の平均粒子径の測定方法を説明する図である。 本発明の実施の形態に係る陽極部の形状を説明する図である。 平均粒径とヒビ発生率の関係を示す図である。 平均粒径と漏れ電流の関係を示す図である。 Wa/Wbとヒビ発生率の関係を示す図である。 Wa/Wbと漏れ電流の関係を示す図である。 従来の固体電解コンデンサの断面図である。 従来の陽極部の斜視図である。 従来の陽極部のヒビを説明する図である。
符号の説明
1 固体電解コンデンサ、2 陽極体、22 植立面、3 誘電体酸化皮膜、4 陰極層、5 陰極引出層、6 陽極リード、6L 直線部、6C 曲線部、7 コンデンサ素子、8 陽極リードフレーム、9 陰極リードフレーム、10 枕部材、11 外装樹脂、Wa 陽極リード横断面の長手方向長さ、Wb Waの方向における陽極体の長さ

Claims (2)

  1. 陽極部と、陰極部と、該陽極部と陰極部との間に設けた誘電体被膜とを備えたコンデンサ素子と、
    前記陽極部に接続された陽極リードフレームと、
    前記陰極部に接続された陰極リードフレームと、
    前記コンデンサ素子と、前記陽極リードフレーム及び陰極リードフレームの各々一部を被覆した外装樹脂と、
    を具備した固体電解コンデンサにおいて、
    前記陽極部は弁作用金属からなる陽極リードを備え、陽極リード横断面の長手方向長さWaと、前記長手方向における陽極体の長さWbは、Wa/Wb≦0.50なる関係があり、
    陽極リード横断面の短手方向長さWbは、前記長手方向長さWaより短く、
    前記陽極リードの横断面の外周が、トラック状、又は、4つの直線部と該直線部の間をつなぐ曲線部とからなる形状であり、
    前記陽極部は弁作用金属の焼結体からなる陽極体を備え、該陽極体の弁作用金属粒子の平均粒径が0.4μm以下であることを特徴とする固体電解コンデンサ。
  2. 前記弁作用金属はタンタルである請求項に記載の固体電解コンデンサ。
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