JP5188391B2 - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
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Description
(1)(a)α,β−不飽和カルボキシル基含有単量体を共重合成分として含み、酸当量で100〜600、重量平均分子量が5,000〜500,000の熱可塑性共重合体:20〜90質量%、(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー:5〜75質量%、(c)光重合開始剤:0.01〜30質量%、(d)亜リン酸エステル化合物:0.01〜5質量%、(e)塩基性染料:0.001〜0.3質量%を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
(2)上記(c)光重合開始剤として、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体を含有することを特徴とする(1)記載の感光性樹脂組成物。
(3)上記(c)光重合開始剤として、下記一般式(I)で表されるアクリジン化合物を含有し、更に(f)有機ハロゲン化合物:0.01〜3質量%を含有することを特徴とする(1)又は(2)に記載の感光性樹脂組成物。
(4)下記一般式(II)で表されるN−アリールアミノ酸:0.001〜1.0質量%を含有することを特徴とする(1)〜(3)のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物。
(式中、R1はアリール基である。)
(5)(c)光重合開始剤として、下記一般式(III)で表されるピラゾリン化合物:0.001〜10質量%を含有することを特徴とする(1)〜(4)のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物。
(6)(d)亜リン酸エステル化合物が、2,4,8,10−テトラ−tert−ブチル−6−[3−(3−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェニル)プロポキシ]ジベンゾ[d、f][1,3,2]ジオキサホスフェンピン、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−tert−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェニル−ジ−トリデシルホスファイト、4、4’−イソプロピリデン−ジ−フェノールアルキルホスファイト、及びトリスイソデシルフォスファイトからなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物である(1)〜(5)のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物。
(7)(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマーが下記一般式(IV)または(V)の少なくとも1種を含むことを特徴とする(1)〜(6)のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物。
異なっている場合、−(F−O)−及び−(G−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造であってもなくてもよく、そのいずれがシクロヘキシル基側であっても良い。p1、p2、q1、及びq2は、それぞれ独立に0又は正の整数であり、これらの合計は、2〜30である。)
(8)(1)〜(7)のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を支持体上に積層してなる感光性樹脂積層体。
(9)(8)記載の感光性樹脂積層体を用いて、基板上に感光性樹脂層を形成するラミネート工程、露光工程、及び現像工程を含む、レジストパターン形成方法。
(10)前記露光工程において、直接描画して露光する事を特徴とする(9)に記載のレジストパターン形成方法。
(11)(9)又は(10)に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングするかまたはめっきする工程を含むプリント配線板の製造方法。
(12)(9)又は(10)に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングする工程を含むリードフレームの製造方法。
(13)(9)又は(10)に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングするかまたはめっきする工程を含む半導体パッケージの製造方法。
(14)(9)又は(10)に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、サンドブラストによって加工する工程を含む凹凸パターンを有する基材の製造方法。
本発明の感光性樹脂組成物には、(a)α,β−不飽和カルボキシル基含有単量体を共重合成分として含み、酸当量で100〜600、重量平均分子量が5,000〜500,000の熱可塑性共重合体:20〜90質量%、(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー:5〜75質量%、(c)光重合開始剤:0.01〜30質量%、(d)亜リン酸エステル化合物:0.01〜5質量%、(e)塩基性染料:0.001〜0.3質量%を必須成分として含む。
(a)熱可塑性共重合体
本発明の感光性樹脂組成物において、(a)熱可塑性共重合体としては、α,β−不飽和カルボキシル基含有単量体を共重合成分として含む、酸当量で100〜600、重量平均分子量が5,000〜500,000のものを用いる。
示差屈折率計:RI−1530
ポンプ:PU−1580
デガッサー:DG−980−50
カラムオーブン:CO−1560
カラム:順にKF−8025、KF−806M×2、KF−807
溶離液:THF
熱可塑性共重合体は、後述する第一の単量体の少なくとも1種以上と後述する第二の単量体の少なくとも一種以上からなる共重合体であることが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物に用いる(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマーとしては、特に限定されないが、解像性および密着性の観点から、下記一般式(IV)で示される化合物を含有することが望ましい。
上記一般式(IV)で示される化合物としては、例えば、2,2−ビス{(4−アクリロキシポリエチレンオキシ)フェニル}プロパンまたは2,2−ビス{(4−メタクリロキシポリエチレンオキシ)フェニル}プロパンがあげられる。該化合物が有するポリエチレンオキシ基は、モノエチレンオキシ基、ジエチレンオキシ基、トリエチレンオキシ基、テトラエチレンオキシ基、ペンタエチレンオキシ基、ヘキサエチレンオキシ基、ヘプタエチレンオキシ基、オクタエチレンオキシ基、ノナエチレンオキシ基、デカエチレンオキシ基、ウンデカエチレンオキシ基、ドデカエチレンオキシ基、トリデカエチレンオキシ基、テトラデカエチレンオキシ基、及びペンタデカエチレンオキシ基からなる群から選択されるいずれかの基である化合物が好ましい。また、2,2−ビス{(4−アクリロキシポリアルキレンオキシ)フェニル}プロパンまたは2,2−ビス{(4−メタクリロキシポリアルキレンオキシ)フェニル}プロパンがあげられる。該化合物が有するポリアルキレンオキシ基としては、エチレンオキシ基とプロピレンオキシ基の混合物が挙げられ、オクタエチレンオキシ基とジプロピレンオキシ基のブロック構造の付加物またはランダム構造の付加物、及びテトラエチレンオキシ基とテトラプロピレンオキシ基のブロック構造の付加物またはランダム構造の付加物が好ましい。これらの中でも、2,2−ビス{(4−メタクリロキシペンタエチレンオキシ)フェニル}プロパンが最も好ましい。
上記一般式(V)で示される化合物としては、例えば、2,2−ビス{(4−アクリロキシポリエチレンオキシ)シクロヘキシル}プロパンまたは2,2−ビス{(4−メタクリロキシポリエチレンオキシ)シクロヘキシル}プロパンがあげられる。該化合物が有するポリエチレンオキシ基は、モノエチレンオキシ基、ジエチレンオキシ基、トリエチレンオキシ基、テトラエチレンオキシ基、ペンタエチレンオキシ基、ヘキサエチレンオキシ基、ヘプタエチレンオキシ基、オクタエチレンオキシ基、ノナエチレンオキシ基、デカエチレンオキシ基、ウンデカエチレンオキシ基、ドデカエチレンオキシ基、トリデカエチレンオキシ基、テトラデカエチレンオキシ基、及びペンタデカエチレンオキシ基からなる群から選択されるいずれかの基である化合物が好ましい。また、2,2−ビス{(4−アクリロキシポリアルキレンオキシ)シクロヘキシル}プロパンまたは2,2−ビス{(4−メタクリロキシポリアルキレンオキシ)シクロヘキシル}プロパンがあげられる。該化合物が有するポリアルキレンオキシ基としては、エトキシ基とプロピルオキシ基の混合物が挙げられ、オクタエチレンオキシ基とジプロピレンオキシ基のブロック構造の付加物またはランダム構造の付加物、及びテトラエチレンオキシ基とテトラプロピレンオキシ基のブロック構造の付加物またはランダム構造の付加物が好ましい。これらの中でも、2,2−ビス{(4−メタクリロキシペンタエチレンオキシ)シクロヘキシル}プロパンが最も好ましい。
これらは、単独で使用しても、2種類以上併用しても構わない。
本発明の感光性樹脂組成物には、(c)光重合開始剤が含まれる。本発明の感光性樹脂組成物に含有される(c)光重合開始剤の量は、0.01〜30質量%の範囲であり、より好ましい範囲は0.05〜10質量%である。十分な感度を得るという観点から0.01質量%以上が好ましく、また、レジストパターンの基板と接触している面(底面)にまで光を充分に透過させ、良好な高解像性および密着性を得るという観点から30質量%以下が好ましい。
芳香族ケトン類、例えば、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン[4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン]、及び4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、及びエチルベンゾイン、
ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、チオキサントン類とアルキルアミノ安息香酸の組み合わせ、アクリジン類、並びにオキシムエステル類、例えば、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−O−ベンゾインオキシム、及び1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシムが挙げられる。
なお、上述のチオキサントン類とアルキルアミノ安息香酸の組み合わせとしては、例えばエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸エチルとの組み合わせ、2−クロルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸エチルとの組み合わせ、及びイソプロピルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸エチルとの組み合わせがあげられる。
上記一般式(I)の具体的な化合物としては、例えば、9−フェニルアクリジン、9−(4’−トリル)アクリジン、9−(4’−メトキシフェニル)アクリジン、9−(4’−ヒドロキシフェニル)アクリジン、9−アセチルアミノアクリジン、ベンズ[a]フェナジン、9−メチルベンズ[a]フェナジン、2−スチリルキノリン、9−エチルアクリジン、9−クロロエチルアクリジン、9−メトキシアクリジン、9−エトキシアクリジン、9−(4−メチルフェニル)アクリジン、9−(4−エチルフェニル)アクリジン、9−(4−n−プロピルフェニル)アクリジン、9−(4−n−ブチルフェニル)アクリジン、9−(4−tert−ブチルフェニル)アクリジン、9−(4−メトキシフェニル)アクリジン、9−(4−エトキシフェニル)アクリジン、9−(4−アセチルフェニル)アクリジン、9−(4−ジメチルアミノフェニル)アクリジン、9−(4−クロロフェニル)アクリジン、9−(4−ブロモフェニル)アクリジン、9−(3−メチルフェニル)アクリジン、9−(3−tert−ブチルフェニル)アクリジン、9−(3−アセチルフェニル)アクリジン、9−(3−ジメチルアミノフェニル)アクリジン、9−(3−ジエチルアミノフェニル)アクリジン、9−(3−クロロフェニル)アクリジン、9−(3−ブロモフェニル)アクリジン、9−(2−ピリジル)アクリジン、9−(3−ピリジル)アクリジン、9−(4−ピリジル)アクリジンが挙げられる。
式中B及びCは、それぞれ独立に炭素数3以上12以下の直鎖または分枝鎖のアルキル基が好ましい。
−tert−ブチル−フェニル)−ピラゾリン、1−(3,5−ジ−tert−ブチル−フェニル)−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−スチリル)−5−(3,5−ジ−tert−ブチル−フェニル)−ピラゾリン、が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物に含まれる(d)亜リン酸エステル化合物の量は、感光性樹脂組成物全体に対して0.01〜5質量%の範囲であり、好ましくは0.1〜3質量%の範囲である。0.01質量%以上で感光性組成物の色相安定性が良好で、5質量%以下で硬化性が良好である。亜リン酸エステル化合物としては、例えば、2,4,8,10−テトラ−tert−ブチル−6−[3−(3−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェニル)プロポキシ]ジベンゾ[d、f][1,3,2]ジオキサホスフェンピン、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−tert−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェニル−ジ−トリデシルホスファイト、4、4’イソプロピリデン−ジ−フェノールアルキルホスファイト、トリスイソデシルホスファイト、が挙げられる。4、4’−イソプロピリデン−ジ−フェノールアルキルホスファイトにおいて、アルキル基の好ましい炭素数は、12〜15である。
本発明の感光性樹脂組成物に含まれる(e)塩基性染料の量は、感光性樹脂組成物全体に対して、0.001〜0.3質量%の範囲であり、好ましくは0.01〜0.12質量%の範囲である。充分な着色性が認識できる点から0.001質量%以上、色相安定性維持の観点から0.3質量%以下が好ましい。
下記一般式(VI)の具体例としては、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン[69432−40−2]([ ]内はCAS No.)、2−(2H−1,3−ベンゾジオキソール−5−イル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン[71255−78−2]、2−(3,4−ジメトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−ペントキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−フリルエチリデン)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(5−メチルフリル)エチリデン]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジンが挙げられる。
(f)有機ハロゲン化合物の量は、感光性樹脂組成物に対して0.01〜3質量%が好ましい。0.01質量%以上で露光部と、未露光部の良好なコントラストを発現し、3質量%以下で色相安定性が良好である。
(式中、R1はアリール基である。)
N―アリールアミノ酸の含有量は、感光性樹脂組成物全体に対して0.001〜1.0質量%が好ましく、より好ましくは0.01〜0.5質量%、更に好ましくは0.04〜0.3質量%である。感度の観点から0.001質量%以上、色相の安定性の観点から1.0質量%以下が好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、溶媒を添加した感光性樹脂組成物調合液としてもよい。好適な溶媒としては、メチルエチルケトン(MEK)に代表されるケトン類、並びにアルコール類、例えば、メタノール、エタノール、及びイソプロピルアルコールが挙げられる。感光性樹脂組成物調合液の粘度が25℃で500〜4000mPa・secとなるように、溶媒を感光性樹脂組成物に添加することが好ましい。
本発明の感光性樹脂積層体は、感光性樹脂層とその層を支持する支持体からなるが、必要により、感光性樹脂層の支持体と反対側の表面に保護層を有していても良い。
支持体、感光性樹脂層、及び必要により、保護層を順次積層して、本発明の感光性樹脂積層体を作成する方法は、従来知られている方法を採用することができる。
本発明の感光性樹脂積層体を用いたレジストパターンは、ラミネート工程、露光工程、及び現像工程を含む工程によって形成することができる。具体的な方法の一例を示す。
本発明のプリント配線板の製造方法は、基板として銅張積層板またはフレキシブル基板に上述のレジストパターン形成方法によってレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることで行われる。
その後、レジストパターンを、現像液よりも強いアルカリ性を有する水溶液により基板から剥離する剥離工程を行って所望のプリント配線板を得る。剥離用のアルカリ水溶液(以下、「剥離液」ともいう。)についても特に制限はないが、2〜5質量%の濃度のNaOH、またはKOHの水溶液が一般的に用いられる。剥離液にも、少量の水溶性溶媒を加える事は可能である。なお、剥離工程における該剥離液の温度は、40〜70℃の範囲であることが好ましい。
本発明のリードフレームの製造方法は、基板として銅、銅合金、または鉄系合金の金属板に前述のレジストパターン形成方法によってレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることで行われる。
まず、現像により露出した基板をエッチングして導体パターンを形成する工程を行う。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離する剥離工程を行って、所望のリードフレームを得る。
本発明の半導体パッケージの製造方法は、基板としてLSIとしての回路形成が終了したウェハに前述のレジストパターン形成方法によってレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることで行われる。
まず、現像により露出した開口部に銅やはんだによる柱状のめっきを施して、導体パターンを形成する工程を行う。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離する剥離工程を行って、更に、柱状めっき以外の部分の薄い金属層をエッチングにより除去する工程を行うことにより、所望の半導体パッケージを得る。
前述のレジストパターン形成方法によってレジストパターンをサンドブラスト工法により基板に加工を施す時の保護マスク部材として使用することができる。
基板としては、例えば、ガラス、シリコンウエハー、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、セラミック、サファイア、金属材料が挙げられる。これら基板上に、前述のレジストパターン形成方法と同様の方法によって、レジストパターンを形成する。その後、形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付け目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、基板上に残存したレジストパターン部分を剥離液で基板から除去する剥離工程を経て、基板上に微細な凹凸パターンを有する基材とすることができる。上前記サンドブラスト処理工程に用いるブラスト材は公知のものが用いられ、例えば、SiC,SiO2、Al2O3、CaCO3、ZrO、ガラス、ステンレスを材質とする2〜100μm程度の微粒子が用いられる。
最初に実施例及び比較例の評価用サンプルの作製方法を説明し、次いで、得られたサンプルについての評価方法およびその評価結果を示す。
実施例及び比較例における感光性樹脂積層体は次の様にして作製した。
<感光性樹脂積層体の作製>
表1に示す組成の感光性樹脂組成物をよく攪拌、混合し、支持体として16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱ポリエステル製 R310−16)の表面にバーコーターを用いて均一に塗布し、95℃の乾燥機中で4分間乾燥して感光性樹脂層を形成した。感光性樹脂層の厚みは40μmであった。
エッチング液耐性、解像度、密着性、テンティング性評価用基板は、35μm圧延銅箔を積層した1.6mm厚の銅張積層板を用い、表面を湿式バフロール研磨(スリーエム(株)製、スコッチブライト(登録商標)HD#600、2回通し)した。
<ラミネート>
感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がしながら、整面して60℃に予熱した銅張積層板にホットロールラミネーター(旭化成(株)社製、AL−70)により、ロール温度105℃でラミネートした。エアー圧力は0.35MPaとし、ラミネート速度は1.5m/minとした。
感光性樹脂層に評価に必要なマスクフィルムを支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルム上におき、超高圧水銀ランプ(オーク製作所製、HMW−201KB)により、ストーファー製21段ステップタブレットが8段となる露光量で露光した(この露光方法を一括露光方法とする)。
同様に、直接描画式露光装置(日立ビアメカニクス(株)製、DI露光機DE−1AH、光源:GaN青紫ダイオード、主波長407±3nm)により下記の感度評価によってステップタブレット段数が8となる露光量で露光した(この露光方法を直接描画式露光方法とする)。
ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、アルカリ現像機(フジ機工製、ドライフィルム用現像機)を用いて30℃の1質量%Na2CO3水溶液を所定時間スプレーし、感光性樹脂層の未露光部分を最小現像時間の2倍の時間で溶解除去した。この際、未露光部分の感光性樹脂層が完全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間とした。
(1) 感度評価
ラミネート後15分経過した感度、解像度評価用基板を、透明から黒色に21段階に明度が変化しているストーファー製21段ステップタブレットを用いて露光した。露光後、最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、硬化レジストの膜が完全に残存しているステップタブレット段数を感度の値とした。
ラミネート後15分経過した感度、解像度評価用基板を、露光部と未露光部の幅が1:1の比率のラインパターンマスクを通して露光した。最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、レジストパターンのラインが正常に形成されている最小マスク幅を解像度の値とし、解像性を下記のようにランク分けした。
◎(優):解像度の値が40μm以下。
○(良):解像度の値が40μmを超え、50μm以下。
×(不可):解像度の値が50μmを超える。
ラミネート後15分経過した感度、解像度評価用基板を、露光部と未露光部の幅が1:1の比率のラインパターンマスクを通して露光した。最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、レジストパターンのラインが正常に形成されている最小マスクライン幅を密着性の値とし、密着性を下記のようにランク分けした。
◎(優):密着性の値が40μm以下。
○(良):密着性の値が40μmを超え、50μm以下。
×(不可):密着性の値が50μmを超える。
○(良):600nmにおける透過率の差が±5%以上、±10%未満
×(不可):600nmにおける透過率の差が±10%以上
3.評価結果
実施例及び比較例の評価結果は表1に示した。
なお、表1におけるP−1〜P−2の値は、固形分である。
Claims (14)
- (a)α,β−不飽和カルボキシル基含有単量体を共重合成分として含み、酸当量で100〜600、重量平均分子量が5,000〜500,000の熱可塑性共重合体:20〜90質量%、(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー:5〜75質量%、(c)光重合開始剤:0.01〜30質量%、(d)亜リン酸エステル化合物:0.01〜5質量%、(e)ベイシックグリーン1又はマラカイトグリーンしゅう酸塩:0.001〜0.3質量%を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
- 上記(c)光重合開始剤として、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体を含有することを特徴とする請求項1記載の感光性樹脂組成物。
- 下記一般式(II)で表されるN―アリールアミノ酸:0.001〜1.0質量%を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
R1−NHCH2COOH (II)
(式中、R1はアリール基である。) - (d)亜リン酸エステル化合物が、2,4,8,10−テトラ−tert−ブチル−6−[3−(3−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェニル)プロポキシ]ジベンゾ[d、f][1,3,2]ジオキサホスフェンピン、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−tert−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェニル−ジ−トリデシルホスファイト、4、4’−イソプロピリデン−ジ−フェノールアルキルホスファイト、及びトリスイソデシルフォスファイトからなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物である請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- (b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマーが下記一般式(IV)または(V)の少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を支持体上に積層してなる感光性樹脂積層体。
- 請求項8記載の感光性樹脂積層体を用いて、基板上に感光性樹脂層を形成するラミネート工程、露光工程、及び現像工程を含む、レジストパターン形成方法。
- 前記露光工程において、直接描画して露光する事を特徴とする請求項9に記載のレジストパターン形成方法。
- 請求項9又は10に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングするかまたはめっきする工程を含むプリント配線板の製造方法。
- 請求項9又は10に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングする工程を含むリードフレームの製造方法。
- 請求項9又は10に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングするかまたはめっきする工程を含む半導体パッケージの製造方法。
- 請求項9又は10に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、サンドブラストによって加工する工程を含む凹凸パターンを有する基材の製造方法。
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