JP5183737B2 - デュアルゲートmos型電界効果トランジスタによる再構成可能論理セル - Google Patents
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Description
本発明は、複数の入力を有し、そこに入力された論理信号を処理可能な一定数の論理動作を実行できる、再構成可能論理セル一般に関する。
特に、本発明は、製造コストを抑えた再構成可能論理セルを提供するものである。
集積回路の製造コストは、主として、リソグラフィに有用なマスクの設計コストと、集積回路の製造に使用される自動装置、特にフォトリソグラフィ装置のコストとによっている。
これらの製造コストは、小型化とアーキテクチャの複雑化という最近の傾向によって、増加の一途をたどっている。また、リーク電流や動作信頼性の問題を引き起こす小型化に起因する諸問題に対処するために、ますます高度なデバイスが必要となっている。これらすべてがあいまって、マスクの設計は極めて複雑になっている。
1970年代から用いられている特定用途向け集積回路(ASIC)等の専用回路は、集積度が高く、特定の用途向けに設計されている。これらの回路の設計には時間とコストがかかり、わずかでも設計上の欠陥があれば、回路の修正が必要になる。
より高い柔軟性を確保するために、プログラマブル回路が開発されている。プログラマブル回路は、欠陥に対する許容度が高く、別の用途にも再利用可能である。特に、マスクを様々な用途に再利用できる。この種の回路には、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、コンプレックスプログラマブルロジックデバイス(CPLD)、プログラマブルロジックアレイ(PLA)回路等の各種アーキテクチャがあり、1980年代には開発されていた(欧州特許公開公報第0264334 A2号(米国フェアチャイルドセミコンダクタ社、1988年4月20日発行)
プログラマブル回路は、柔軟性および設計の面でASIC等の専用回路ほど複雑でないため、産業界で好んで用いられてきた。万能機能としても知られるプログラマブル回路は、CMOSスタティック論理で構成されている。このようなプログラマブル回路により、基本論理動作を構成する基本部品を相互接続することができる。
これにより、ユーザーの所望する任意の論理動作を作製可能である。しかし、プログラマブル回路は、性能および消費電力の面でASICと比べて大きく劣っている。
実際、ASICは一般的に、動作の高速化または低消費化、あるいはその両方を図るために最適化されている。一方、プログラマブル回路は、個別の基本部品を接続する相互接続回路網を伴うため、この基本部品間の相互接続部による寄生容量に起因する短所があり、最適化されていない。
現在、基本部品を実装する別の論理方式も提案されており、これにより再構成可能セルを作製することができる。従来の論理セルに代えて再構成可能セルを実装することにより、相互接続部の削減および計算用リソースのフル活用を図ることが可能となる。
これは、性能および消費電力の面だけでなく、相互接続部の配線に必要なシリコン表面積と金属層の数を減らすことから、コストの面でも有用である。
このような手法により、一定数の論理動作を作製することが可能である。これには、ホール効果デバイス、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNTFET)デバイス、または共鳴トンネルダイオード(RTD)素子を、ヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)素子と組み合わせて使用している。
しかし、上述の製造工程には開発途上のものもあり(特にCNTFET)、複雑であるため高コストのものもある(特にRTD/HFETおよびCMOS/ホール効果技術)。
実際、ホール効果を用いる素子はCMOS技術では容易に集積できず、その製造が複雑化かつ高コスト化する。
RTD素子にいたってはCMOS技術に非対応であり、外部の接続手段が必要となり最終的に回路が複雑になることが考えられる。
CNTFET素子は、その技術が工業生産に応用できる成熟度に達していないため、産業的視点から使用が難しい。
一方で、設計および集積が容易で、低コストで、多目的に使用可能であることから中期的にマスクのコスト面で利益の見込める再構成可能回路に対する需要が大きいことも事実である。
したがって、本発明の主な目的は、デュアルゲートMOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)の使用による新規な再構成可能論理セルを提供し、プログラマブル論理による回路の精密さを有する設計を可能にすることにより、上述の問題を克服することである。
本発明によれば、従来のCMOSスタティック論理と比較して、同じ動作を実装するために必要なトランジスタの数を減らすことが可能である。また、従来のCMOSスタティック論理によるプログラマブル回路の短所である相互接続回路網を減らすことができる。
したがって、本発明によれば、消費電力の低減およびスピードの面で現在のニーズに見合う高性能な動作が実現可能となる。
本発明は、n入力を有し(nは2以上)、n入力に入力された論理信号を処理可能な少なくとも4つの論理動作を実現できる再構成可能論理セルであって、セルの接地と出力との間に、直列に設けられたn個のデュアルゲートN型MOSFETトランジスタを有する少なくとも1本の第1のブランチと、第1のブランチと並列に設けられ、それぞれ1個のデュアルゲートN型MOSFETトランジスタを有するn−1本のブランチとを備え、論理動作のそれぞれはセルの所与の構成に対応し、ここで一連の制御信号が少なくとも一部のトランジスタのリアゲートに印加され、各制御信号は当該トランジスタをある動作モードに設定することが可能であり、n入力はそれぞれ第1のブランチのn個のトランジスタのうちの1つのフロントゲートに接続され、n−1入力は第1のブランチと並列に設けられるn−1本のブランチのn−1個のトランジスタのうちの1つのフロントゲートに印加されることを特徴とする、再構成可能論理セルを提供する。
このようなセルにおいて、セルの出力は、接地から最も遠い、セルのブランチが共有する点に位置している。
このような再構成可能論理セルでは、トランジスタのリアゲートのバイアスを用いることにより、当該トランジスタの閾値電圧は、所望の動作に対応するよう調整されていてもよい。
これにより、セルのいくつかのトランジスタのリアゲートのバイアスに対応した構成において、各論理動作が実現可能となる。
本発明に係る論理方式によれば、この種の用途に従来用いられてきた論理方式から脱却することが可能となり、しかもこれが単にデュアルゲートMOSFETデバイスを用いることによって達成される。1つのゲートを有するMOSトランジスタ(米国特許第5777491号明細書、HWANG他(米国)、1998年7月7日発行)による回路構成を用いることにより、スイッチの必要な機能を再構成することが可能となるが、これには6個のトランジスタとこれらを接続する相互接続部の使用が想定され、消費電力、表面積、これに伴う価格コストが大幅に増加する。
本発明における再構成可能という概念は、表面積の点で有用である。実際、これによって、従来のCMOS論理による動作の実装と比較して、同数の論理動作を実装するために必要な論理セルの数を減らすことができる。さらに、相互接続回路網を減らすことができる。これにより、相互接続回路網内の配線による容量も減らすことができる。
これにより動的電力消費を低減させ、スピードが改善される。したがって、スピードおよび消費電力に関する性能と、柔軟な使用とを両立させることができる。
本発明の第1の態様によると、nは2であり、第1の入力は第1のブランチの第1のトランジスタの互いに接続されているゲートに接続されており、第2の入力は第1のブランチのゲートが分離されている第2のトランジスタのフロントゲートと、第2のブランチのやはりゲートが分離されているトランジスタのフロントゲートとに接続されており、第1のブランチの第2のトランジスタのリアゲートおよび第2のブランチのトランジスタのリアゲートに印加された制御信号によりセルは再構成可能となり、4つの動作を実行可能となる。
本発明の第2の態様によると、nは3であり、すべてのトランジスタのゲートは分離しており、第1の入力は第1のブランチの第1のトランジスタのフロントゲートに接続されており、第2の入力は第1のブランチの第2のトランジスタのフロントゲートと、第2のブランチのトランジスタのフロントゲートとに接続されており、第3の入力は第1のブランチの第3のトランジスタのフロントゲートと、第3のブランチのトランジスタのフロントゲートとに接続されており、これら5個のトランジスタのリアゲートに印加された5つの制御信号によりセルは再構成可能となり、11の動作を実行可能となる。
本発明のある特徴によると、制御信号は−Vdd、0、+Vddから選択される電圧を有する。ここで、Vddはセルの電源電圧である。
この特徴によれば、永続的導通またはフロントゲートに印加された電圧により制御可能な導通により、あるいはさらにフロントゲートのバイアスに関わらず導通を完全に遮断することにより、各トランジスタをその動作図において位置決めすることができる。
本発明の第1の実施形式では、再構成可能セルはダイナミック論理で構成され、セルのブランチは、接地と電源端子との間、ならびにプリロード用P型トランジスタ(Mp)と評価用N型トランジスタ(Mn)との間で直列に設けられ、これらのトランジスタのゲートはクロック信号により制御され、第1のブランチと並列に設けられるn−1本のブランチのトランジスタは非対称型である。ダイナミック論理を用いて固定された論理動作を構成することは、すでに実現されている。この論理方式と異なる論理技術(米国特許公開公報第2004/041588 A1号、CHOE SWEE YEW(米国)、2004年3月4日発行)とを組み合わせることにより、消費電力および表面積を減らすことが可能になる。しかし、この方式による回路は再構成可能ではない。
「対称型デュアルゲートMOSFETトランジスタ」とは、フロントゲートおよびリアゲートのゲート酸化膜の膜厚が対称である、より広義にはその動作が対称であるデュアルゲートMOSFETトランジスタを意味する。「非対称型デュアルゲートMOSFETトランジスタ」とは、フロントゲートおよびリアゲートのゲート酸化膜の膜厚が異なる、より広義にはその動作が非対称であるデュアルゲートMOSFETトランジスタを意味する。非対称型は、フロントゲートおよびリアゲートに2つの異なる材料を用いることにより実現できる。
このようなダイナミック論理で構成されたセルでは、すべてのトランジスタは非対称型であることが望ましい。
この特徴によれば、同じ特徴に作製されたトランジスタのセットを使用できるため、本発明に係る再構成可能セルを容易に製造できる。
本発明の別の実施形式では、再構成可能セルはスタティック論理で構成され、セルのブランチは接地と電源端子との間で直列に配置され、トランジスタの相補型回路網が、接地から最も遠く、セルの出力をなす、セルのブランチが共有する点と電源端子との間に配置されている。
特に、この実施形式では、nは2であり、相補型回路網は、電源端子とセルの出力との間に、セルのブランチのトランジスタのうち、1個のP型MOSFETトランジスタと、これと直列接続された、セルの出力に接続された2個の並列接続されたP型MOSFETトランジスタとを備え、第1の入力は並列接続された第1のP型トランジスタの互いに接続されているゲートに接続されており、第2の入力はゲートが分離されている並列接続された第2のP型トランジスタのフロントゲートと、直列接続されたやはりゲートが分離されているP型トランジスタのフロントゲートとに接続されており、並列接続された第2のP型トランジスタのリアゲートと、直列接続されたP型トランジスタのリアゲートとに印加された2つの制御信号によりセルは再構成可能となり、4つの動作を実行可能となる。
好適な特徴によると、この実施形式では、トランジスタはすべて対称型であるとき、グリッドが分離されている並列接続されたP型トランジスタのチャネル幅(W)とチャネル長(L)の比W/Lは、電圧Vddがそのリアゲートに印加されているとき、当該トランジスタが遮断されるように調節される。
本発明の別の好適な特徴によると、ゲートが分離されている並列接続されたP型トランジスタは非対称型である。
ここで、すべてのトランジスタが非対称型であることが望ましい。
1以上の非対称型トランジスタが使用される態様において、トランジスタの非対称性とは、入力論理信号により制御されるフロントゲートの閾値電圧が、セルの論理動作の制御信号により制御されるリアゲートの閾値電圧に対して大きくなるようなものであると望ましい。
ここで、1または複数のトランジスタの非対称性が、当該トランジスタの動作モードの安定性と、当該トランジスタのゲート破壊の限界値より低いバイアス電圧でセルが実行する動作とを確実に両立させるよう選択されることが望ましい。
特に、トランジスタの非対称性は、ゲート酸化膜の膜厚が異なる非対称型ゲートによって実現するか、さらに非対称型ゲートが非対称型の動作を構成することにより実現してもよい。
このような非対称型の動作は、例えば関連するトランジスタの2つのゲートを異なる材料を用いて作製することにより実現してもよい。
本発明のその他の特徴および長所は、図面を参照した以下の説明から明らかになるであろう。図面においては、本発明の好適な実施形態を示すが、本発明をいかようにも限定するものではない。
図1は、2進信号が入力される2入力A、Bを扱う4つの論理動作を構成するダイナミック再構成可能セルを概略的に示す。ここで、ゼロ値は「0」、非ゼロ値は「1」と想定される。
この再構成可能セルが実行した論理動作の結果は、セルの出力である出力Fに出力される。
セルは、ダイナミック論理に則り、デュアルゲートMOSFETデバイスのセットにより作製される。
図1に示す好適な例では、再構成可能セルは5個のデュアルゲートMOSFETトランジスタM1〜M3、Mn、Mpを備えている。
トランジスタM1、Mn、Mpは、対称型デュアルゲートMOSFETデバイスであり、そのフロントゲートおよびリアゲートは互いに接続されている。対称型トランジスタであるため、これらのトランジスタのフロントゲートおよびリアゲートのゲート酸化膜の膜厚および動作は同等である。
トランジスタM2は、ゲートが分離されている対称型デュアルゲートMOSFETデバイスである。トランジスタM3は、やはりゲートが分離されている非対称型デュアルゲートMOSFETデバイスである。
トランジスタM3の非対称性は、フロントゲート酸化膜およびリアゲート酸化膜を膜厚が異なるよう作製するか、このトランジスタの両ゲートの動作を非対称にすることにより実現してもよい。このような異なる動作は、例えばフロントゲートおよびリアゲートに2つの異なる材料を用いることにより実現してもよい。
本発明によると、トランジスタM1、M2は、再構成可能セルの第1のブランチに直列接続され、トランジスタM3は、第1のブランチと並列に第2のブランチに設けられている。
並列な両ブランチは、トランジスタMn、Mpの両者と直列接続され、これらはダイナミック論理に用いられる原理に則り、クロック信号CLKで制御される。プリロード用トランジスタMpはP型トランジスタであり、評価用トランジスタMnはN型トランジスタである。
セルの出力Fは、トランジスタM5に接続された両ブランチが共有する点、すなわち、接地から最も遠い共有点に相当する。
本発明によると、再構成可能Aは、トランジスタM1の両ゲートに接続されている。再構成可能セルの入力Bは、トランジスタM2、M3のフロントゲートに接続されている。
電圧値がVdd、0、−Vdd(Vddは電源電圧)と仮定できる2つの制御信号C1、C2が、それぞれトランジスタM2のリアゲートと、トランジスタM3のリアゲートとに印加されている。
これらの信号C1、C2により、トランジスタM2、M3の動作モードの修正が、すなわち、再構成可能セルにより実行される論理動作の修正が可能となる。
図2および図3は、0.6VのVddで動作し、非対称型トランジスタのみからなる図1の再構成可能セルの動作を示すタイミングチャートである。
これらのタイミングチャートでは、入力A、B、クロック信号CLK、制御信号C1、C2、出力Fに想定される値が時間毎の動作として示されている。
信号の電圧はボルト(V)単位で示されている。トランジスタはすべて非対称型であり、フロントゲート酸化膜の膜厚が3.5nm、リアゲート酸化膜の膜厚が1.2nmである。
NMOS回路網のトランジスタM1〜M3、Mnは、すべて同じサイズを有しており、図1の好適な実施形態ではW/Lは1.6μm/0.4μmである。本実施形態のP型プリロード用トランジスタMpについては、W/Lは1μm/0.4μmである。
NMOSトランジスタを同じサイズとすることにより、同時に製造された非対称型トランジスタのセットから再構成可能セルを容易に製造することができる。この場合、再構成可能セルの第2のブランチのトランジスタM3に印加された入力Bは、最も厚いゲート酸化膜を有するゲートに接続される。
タイミングチャートの第1の区間において、信号C1は0V、信号C2は−Vdd=−0.6Vである。これにより再構成可能セルは、NAND論理動作を実行する。
この構成では、信号C1によって印加されたゼロ電圧により、トランジスタM2は「正常」動作モードとなる。つまり、トランジスタM2は、フロントゲートに論理レベル1が印加されると導通し、同フロントゲートに論理レベル0が印加されると遮断される。
−Vddの信号C2を印加することにより、トランジスタM3は、フロントゲートに印加された電圧に関わらず、完全に遮断される。
このようなトランジスタM3の完全な遮断は、このトランジスタが非対称型である場合に限り可能となる。
実際、非対称とは、フロントゲートの閾値電圧が増加することにより、−Vddの制御信号C1が印加されると、このフロントゲートに印加された信号に関わらず、この構成においてトランジスタM3は導通せず、NAND動作が実行され得るような構成である。
しかし、フロントゲートの閾値電圧は、信号C2がゼロの場合にトランジスタM3が正常動作モードとなるよう、十分に低くあり続けなければならない。
これは、信号C1が電圧Vdd、信号C2がゼロ電圧である場合にNOR動作が実行され得る構成では特に言えることである。
このような信号C1では、トランジスタM2の閾値電圧を大幅に抑えることができ、そのフロントゲートに印加された信号の論理状態に関わらずトランジスタM2を導通させることができる。
ゼロ電圧の信号C2により、トランジスタM3の正常な導通が保証される。すなわち、トランジスタM3は、フロントゲートに論理レベル1が印加されると導通し、トランジスタM3のフロントゲートに論理レベル0が印加されると遮断される。
図2および図3は、図1の再構成可能セルにより実現されるタイミングチャートである。
トランジスタM3は、リアゲートに電圧−Vddが印加されると常に遮断される。トランジスタM3が対称型であると、完全には遮断されない。
フロントゲート酸化膜の膜厚を厚くするか、あるいはフロントゲートにより高い動作を用いることにより、非対称型トランジスタM3のフロントゲートの閾値電圧を上げることができる。このゲートに対する制御を低減することにより、入力Bが論理状態1である場合も含めて、トランジスタM3の完全遮断が保証される。
図2および図3のタイミングチャートは、リアゲート酸化膜およびフロントゲート酸化膜の膜厚を約1〜3倍の差を持たせることにより実現される。すなわち、リアゲートについては1.2nm、フロントゲートについては3.5nmとする。
両ゲートの非対称性の重要度は、電源電圧Vddに応じて決まる。一般的に、フロントゲート酸化膜の膜厚に対するリアゲート酸化膜の膜厚の比率は、0.5まで下げられることが分かっている。
つまり、例えば、0.6Vの電源電圧Vddにおいて、リアゲートについて膜厚を1.2nmとすると、フロントゲートについては約2.4nmまで薄膜化できる。
これにより、フロントゲート酸化膜の薄膜化によって閾値電圧を低減できるため、さらに幾分か性能を向上させることができる。
図4は、本発明に係る再構成可能セルの第2の好適な実施形態を示す。
3入力を有するこの再構成可能セルは、11の論理動作を実装可能であり、7個のデュアルゲートMOSFETトランジスタを備えている。
より詳細には、ダイナミック論理の原理に則りクロック信号を扱うことのできるトランジスタMn、Mpに加え、3個のトランジスタM1、M2、M3が第1のブランチに直列に設けられ、第1のブランチと並列な2本のブランチに、それぞれ1個のトランジスタM4、M5が設けられている。
トランジスタM1〜M5の各フロントゲートは、再構成可能セルの3入力A、B、Cからの入力を受ける。
各トランジスタは、さらにリアゲートにおいて制御信号に接続されている。このように5つの制御信号C1〜C5が、トランジスタM1〜M5の動作モードを制御するために必要である。
図5に、n入力E1〜Enを有する再構成可能セルを作製できる本発明の原理を概略的に示す。
図5の再構成可能セルは、独立したゲートを有するn個のデュアルゲートMOSFETトランジスタM1〜Mnが配置される第1のブランチを備えている。
このn個のトランジスタM1〜Mnのフロントゲートは回路網E1〜Enのn論理入力により制御され、n個のトランジスタのリアゲートは制御信号C1〜Cnにより制御されている。
再構成可能セルは、第1のブランチと並列なn−1本のブランチをさらに備え、ここに例えばフロントゲート酸化膜がリアゲート酸化膜よりも厚い、非対称型デュアルゲートMOSFETトランジスタMn+1〜M2n−1が各々配置されている。
これらのトランジスタのフロントゲートは、それぞれn−1入力E2〜Enのうちの一つに接続されている。
これらすべてのトランジスタのリアゲートの2n−1の制御信号C1〜C2n−1が、再構成可能セルの構成を制御するために必要である。
先出の図面に示すダイナミック論理により構成される再構成可能セルは、特に小型である。実際、ダイナミック構造にはP型の相補型回路網は必要でないため、大幅な小型化を維持することができる。
相補型回路網がなければ、寄生容量を抑えることができ、相補型のスタティック構造と比較して高速化を図ることができる。
しかし、スタティック論理は一般的に、ダイナミック論理と比較してノイズに対する耐性が高く、よって温度が大幅に変わり得る用途では特に重要となる。
CMOSスタティック論理(SCMOS)では、先出の図面に示したNMOS回路網に加えて、P型の相補型回路網が必要である。
このようなPMOS相補型回路網では表面積と寄生容量が大きくなってしまうが、多数の入力で論理動作を実装する場合には、軍事用、さらには油井における用途ではスタティック論理が重要になり得る。
図6は、4つの論理動作を構成する再構成可能スタティックセルを示し、これは6個のトランジスタからなっている。
この再構成可能セルでは、ダイナミック論理の両ブランチは、接地から最も遠い、両ブランチが共有する点に設けられた出力Fを有する。第1のブランチには、2個の対称型または非対称型トランジスタQ1、Q2が直列に配置され、第2のブランチには、1個の好適には非対称型トランジスタQ3が配置されている。
PMOSトランジスタQ4、Q5、Q6の相補型回路網は、出力Fと電源端子Vddとの間に実装されている。この回路網では、対応する1つのNMOSブランチが遮断されると、1または複数の相補型PMOSブランチが導通する。
トランジスタQ4、Q5は、互いに並列に接続され、電源端子に接続されたトランジスタQ6と直列に配置されている。よって、出力Fは、両トランジスタ回路網が共有する点に位置している。
トランジスタQ5は、ゲートが互いに接続されている対称型または非対称型デュアルゲートP型MOSFETトランジスタである。
トランジスタQ4、Q6は、ゲートが分離されている非対称型デュアルゲートP型MOSFETトランジスタであり、各リアゲートに入力される2つの制御信号C3、C4により制御されている。
入力Aは、トランジスタQ5の互いに接続されているゲートに接続されている。
入力Bは、トランジスタQ4、Q6のフロントゲートに接続されている。
図6の再構成可能セルは、対称型トランジスタのみから、あるいは非対称型トランジスタのみから作製してもよい。
図6の例におけるトランジスタのサイズについては、トランジスタQ1、Q2、Q3のW/Lは1.6μm/0.4μmであり、トランジスタQ5、Q6のW/Lは3.2μm/0.4μmであり、トランジスタQ4のW/Lは0.8μm/0.5μmである。
セルが0.6Vを超える電源電圧Vddで作動する場合を除き、再構成可能スタティックセル全体に対称型トランジスタを使用しても、正常に作動する。
実際、トランジスタQ3、Q4の閾値電圧Vsに対する電源電圧Vddの比率が十分に低いことが求められ、これはVddが0.6V、対称型デバイスの閾値電圧が約0.4Vの場合に当てはまる。Vdd/Vs比がこのように低ければ、それ自体で、トランジスタQ3の遮断が、リアゲートにもっぱら電圧−Vddを印加することにより保証される。
トランジスタQ4については、リアゲートを適切に制御していれば、W/L比が低く、Vdd/Vs比も比較的低ければ遮断を保証するに十分であり、これによりセルの適切な機能性が保証される。
しかし、低消費化よりも高速化が重視されている再構成可能スタティックセルにおいては、トランジスタのメーカー指定の最大電圧値に近い電源電圧を選択するのが有用である。この場合、電源電圧は例えば1.2Vであってもよい。
このような場合、電源電圧が0.6Vを超えると、トランジスタQ3、Q4に非対称型デュアルゲートMOSFETトランジスタを使用して、そのフロントゲートに印加された電圧に関わらず、遮断が必要な構成において遮断を可能にする必要がある。このような場合、ダイナミック論理で実装されたセルについては、セルの全体を非対称型トランジスタのみで作製してもよい。
非対称型トランジスタのフロントゲート酸化膜とリアゲート酸化膜の膜厚比率を調整する際には、ゲート酸化膜の絶縁破壊のリスクを避けるために、関連するトランジスタの電圧Vgs、Vgdを1.2V未満に維持しながら、この遮断状態を実現するように設定することが望ましい。
実装された4つの論理動作は、図1の再構成可能セルの論理動作と同様である。
つまり、図6の再構成可能セルの動作によれば、NON−A、NON−B、NAND、NORの4つの論理動作を構成することができる。
NON−A構成においては、トランジスタQ2のフロントゲートに印加された電圧に関わらず、すなわち信号Bの論理状態に関わらずトランジスタQ2を導通とするよう、信号C1は電圧Vddを有する。また、トランジスタQ3をフロントゲートに印加された電圧に関わらず、すなわち信号Bの論理状態に関わらず遮断するよう、信号C2は電圧−Vddを有する。トランジスタQ3は非対称型であるから、このように完全に遮断される。
PMOSトランジスタQ4は常に遮断状態とするために、信号C3は電圧Vddを有する。実際は、トランジスタQ4の遮断状態は、トランジスタQ4自身のバイアスと、同じブランチに直列に配置された1または複数のトランジスタのバイアスとによって決まる。必要であれば、トランジスタQ4は非対称型に設定される。このデバイスQ4は、例えばリアゲート酸化膜よりもフロントゲート酸化膜の方が膜厚が大きい。
トランジスタQ6をそのフロントゲートに印加された入力Bの論理状態に関わらず導通とするために、信号C4は電圧−Vddを有する。
図7は、図6に示す4つの動作を構成する再構成可能スタティックセルの、このセルによって構成される4つの各動作についてのタイミングチャートである。これらの動作を構成するには、リアゲートに印加された電圧によるフロントゲートの論理状態に関わらず、これらのトランジスタを導通あるいは遮断状態にすることができなければならない。
NON−B構成においては、入力Aにより制御されたNMOSトランジスタQ1が配置されたブランチを遮断するよう、制御信号C1は電圧−Vddを有する。また、トランジスタQ3の正常な導通を保証するために、制御信号C2は0Vとする。
入力Bの論理状態に関わらずトランジスタQ4の導通を保証するために、制御信号C3を−Vddとし、これによりトランジスタQ4の閾値電圧を大幅に減少させ、その抵抗RONを抑制する。これにより、入力Bの論理状態に関わらず、トランジスタQ4は導通となる。
最後に、トランジスタQ6の正常な導通を保証するために、制御信号C4はVddとする。すなわち、このトランジスタはそのフロントゲートに論理状態0が印加されると導通し、そのフロントゲートに論理状態1が印加されると遮断される。
NAND動作を構成するには、トランジスタQ2の正常な導通を保証するために、制御信号C1は電圧0Vを有する。また、トランジスタQ3を、必要に応じてこのトランジスタの非対称構造との組み合わせにより遮断するよう、信号C2は電圧−Vddを有する。また、トランジスタQ4の正常な導通が保証するために、制御信号C3は電圧Vddを有し、トランジスタQ6を、そのフロントゲートに印加された電圧に関わらず、すなわち入力Bの論理状態に関わらず導通とするよう、制御信号C4は電圧−Vddを有する。
さらに、NOR動作を構成するには、トランジスタQ2のフロントゲートに印加された電圧に関わらず、このトランジスタの導通を保証するために、制御信号C1は電圧Vddを有する。また、入力Bによる論理状態に応じて、トランジスタQ3の正常な動作を保証するために、制御信号C2は0Vとする。また、トランジスタQ4を、必要に応じてこのトランジスタのサイズの調整および非対称性との組み合わせにより常に遮断するよう、制御信号C3は電圧Vddを有する。例えば、入力Bにより制御されたゲート酸化膜を厚くしてもよい。これにより、トランジスタQ4の閾値電圧を増加させ、遮断状態における動作が実現される。
さらに、トランジスタQ6の正常な導通を保証するために、制御信号C4は電圧Vddとする。
図8に、n入力E1〜Enを有する再構成可能スタティックセルを作製可能な本発明の原理を概略的に示す。
図8の再構成可能セルは、直列なn個のMOSFETトランジスタM1〜MnAが配置される第1のブランチを備えている。
トランジスタM1Aは、フロントゲートおよびリアゲートが互いに接続されている対称型デュアルゲートMOSFETトランジスタであり、n−1個のトランジスタM2A〜MnAは、ゲートが分離されている対称型デュアルゲートMOSFETトランジスタである。
トランジスタM1Aの両ゲートは、回路網E1の論理入力により制御されている。n−1個のトランジスタM2A〜MnAのフロントゲートは、回路網E2〜Enのn−1論理入力により制御され、これらn−1個のトランジスタのリアゲートは、制御信号C2A〜CnAにより制御されている。
再構成可能セルは、第1のブランチと並列なn−1本のブランチをさらに備え、ここにMOSFETトランジスタM2B〜MnBが各々配置されている。
n−1個のトランジスタM2B〜MnBは、ゲートが分離されている非対称型デュアルゲートMOSFETトランジスタであることが望ましい。
n−1個のトランジスタM2B〜MnBのフロントゲートは、回路網E2〜Enのn−1論理入力により制御され、これらn−1個のトランジスタのリアゲートは、制御信号C2B〜CnBにより制御されている。
出力Fは、接地から最も遠い、n本のブランチが共有する点に位置している。
PMOSトランジスタの相補型回路網は、出力Fと電源端子Vddとの間に実装されている。この回路網では、対応するNMOSブランチが遮断されると、1または複数の相補型PMOSブランチが導通する。
この相補型回路網は、互いに並列に接続され、n−1個のトランジスタM2D〜MnDと直列に配置されているn個のトランジスタM1C〜MnCを備えている。ここで、トランジスタMnDは電源端子に接続されている。
よって、出力Fは、両トランジスタ回路網の共有する点に配置されている。
トランジスタM1Cは、ゲートが互いに接続されている対称型または非対称型デュアルゲートP型MOSFETトランジスタである。一方、n−1個のトランジスタM2C〜MnCは、ゲートが分離されている非対称型デュアルゲートP型MOSFETトランジスタである。
トランジスタM1Cの両ゲートは、回路網E1の論理入力により制御されている。n−1個のトランジスタM2C〜MnCのフロントゲートは、回路網E2〜Enのn−1論理入力により制御され、これらn−1個のトランジスタのリアゲートは、制御信号C2C〜CnCにより制御されている。
トランジスタM2D〜MnDは、ゲートが分離されている非対称型デュアルゲートP型MOSFETトランジスタである。n−1個のトランジスタM2D〜MnDのフロントゲートは、回路網E2〜Enのn−1論理入力により制御され、これらn−1個のトランジスタのリアゲートは、制御信号C2D〜CnDにより制御されている。
なお、図8に示す再構成可能セルを、すべて対称型トランジスタから、あるいはすべて非対称型トランジスタから作製してもよい。
これらすべてのトランジスタのリアゲートの4(n−1)の制御信号(C2A〜can、C2B〜CnB、C2C〜CnC、C2D〜CnD)が、再構成可能セルの構成を制御するために必要である。
以下の請求の範囲に定義された本発明の原理に則り、種々の応用が可能である。
Claims (15)
- n入力(A、B、…)を有し(nは2以上)、前記n入力(A、B、…)に与えられた論理信号を処理可能な少なくとも4つの論理動作を実現できる再構成可能論理セルにおいて、
前記セルの接地と出力(F)との間に、直列に設けられたn個のデュアルゲートN型MOSFETトランジスタ(M1、M2、…)を有する少なくとも1本の第1のブランチと、前記第1のブランチと並列に設けられ、それぞれ1個のデュアルゲートN型MOSFETトランジスタ(M3)を有するn−1本のブランチとを備え、前記論理動作のそれぞれは前記セルの所与の構成に対応し、一連の制御信号(C1、C2、…)が少なくとも一部のトランジスタ(M2、M3、…)のリアゲートに印加され、各制御信号(C1、C2、…)は当該トランジスタ(M2、M3、…)をある動作モードに設定することが可能であり、前記n入力(A、B、…)はそれぞれ前記第1のブランチの前記n個のトランジスタ(M1、M2、…)のうちの1つのフロントゲートに接続され、n−1入力(B)は前記第1のブランチと並列に設けられる前記n−1本のブランチの前記n−1個のトランジスタのうちの1つ(M3)のフロントゲートに印加されることを特徴とする、再構成可能論理セル。 - nは2であり、第1の入力(A)は前記第1のブランチの第1のトランジスタ(M1)の互いに接続されているゲートに接続されており、第2の入力(B)は前記第1のブランチのゲートが分離されている第2のトランジスタ(M2)のフロントゲートと、前記第2のブランチのやはりゲートが分離されているトランジスタ(M3)のフロントゲートとに接続されており、前記第1のブランチの前記第2のトランジスタ(M2)のリアゲートおよび前記第2のブランチの前記トランジスタ(M3)のリアゲートに印加された制御信号(C1、C2)により、前記再構成可能セルが4つの動作を実行可能となることを特徴とする、請求項1に記載の再構成可能論理セル。
- nは2であり、すべての前記トランジスタのゲートは分離しており、第1の入力(A)は前記第1のブランチの第1のトランジスタ(M1)のフロントゲートに接続されており、第2の入力(B)は前記第1のブランチの第2のトランジスタ(M2)のフロントゲートと、前記第2のブランチのトランジスタ(M4)のフロントゲートとに接続されており、第3の入力(C)は前記第1のブランチの第3のトランジスタ(M3)のフロントゲートと、第3のブランチのトランジスタ(M5)のフロントゲートとに接続されており、前記5個のトランジスタ(M1〜M5)のリアゲートに印加された5つの制御信号(C1〜C5)により、前記再構成可能セルが11の動作を実行可能となることを特徴とする、請求項1に記載の再構成可能論理セル。
- 前記制御信号(C1、C2、…)は−Vdd、0、+Vddから選択される電圧を有し、Vddはセルの電源電圧であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の再構成可能論理セル。
- 前記再構成可能セルはダイナミック論理で構成され、前記セルの前記ブランチは、前記接地と電源端子との間、ならびにプリロード用P型トランジスタ(Mp)と評価用N型トランジスタ(Mn)との間で直列に設けられ、これらのトランジスタのゲートはクロック信号により制御され、前記第1のブランチと並列に設けられる前記n−1本のブランチの前記トランジスタ(M3、M4、M5)は非対称型であるであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の再構成可能論理セル。
- すべての前記トランジスタは非対称型であることを特徴とする、請求項5に記載の再構成可能論理セル。
- 前記再構成可能セルはスタティック論理で構成され、前記セルの前記ブランチは前記接地と電源端子(Vdd)との間で直列に配置され、トランジスタの相補型回路網が、前記接地から最も遠く、前記セルの前記出力(F)をなす、前記セルの前記ブランチが共有する点と前記電源端子(Vdd)との間に配置されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の再構成可能論理セル。
- nは2であり、前記相補型回路網は、前記電源端子と前記セルの前記出力(F)との間に、1個のP型MOSFETトランジスタ(Q6)と、これと直列接続された、前記セルの前記出力(F)に接続された2個の互いに並列接続されたP型MOSFETトランジスタ(Q4、Q5)とを備え、前記第1の入力(A)は並列接続された第1のP型トランジスタ(Q5)の互いに接続されているゲートに接続されており、前記第2の入力(B)はゲートが分離されている並列接続された第2のP型トランジスタ(Q4)のフロントゲートと、直列接続されたやはりゲートが分離されている前記P型トランジスタ(Q6)のフロントゲートとに接続されており、並列接続された前記第2のP型トランジスタ(Q4)のリアゲートと、直列接続された前記P型トランジスタ(Q6)のリアゲートとに印加された2つの制御信号(C3、C4)により、前記再構成可能セルが4つの動作を実行可能となることを特徴とする、請求項2または7に記載の再構成可能論理セル。
- 前記トランジスタはすべて対称型であるとき、ゲートが分離されている並列接続された前記P型トランジスタ(Q4)のW/L比は、電圧Vddがそのリアゲートに印加されているとき、当該トランジスタが遮断されるように調節されることを特徴とする、請求項8に記載の再構成可能論理セル。
- ゲートが分離されている並列接続された前記P型トランジスタ(Q4)は非対称型であることを特徴とする、請求項8に記載の再構成可能論理セル。
- すべての前記トランジスタが非対称型であることを特徴とする、請求項10に記載の再構成可能論理セル。
- 前記トランジスタの非対称性とは、入力論理信号により制御されるフロントゲートの閾値電圧が、前記セルの論理動作の前記制御信号により制御されるリアゲートの閾値電圧に対して大きくなるようなものであることを特徴とする、請求項5、6、10または11に記載の再構成可能論理セル。
- 1または複数の前記トランジスタの非対称性が、当該トランジスタの動作モードの安定性と、当該トランジスタのゲート破壊の限界値より低いバイアス電圧で前記セルが実行する動作とを確実に両立させるよう選択されることを特徴とする、請求項5、6、10、11または12に記載の再構成可能論理セル。
- 非対称型ゲートは、ゲート酸化膜の膜厚が異なることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか一項に記載の再構成可能論理セル。
- 非対称型ゲートは、非対称型の動作を構成することを特徴とする、請求項1〜14のいずれか一項に記載の再構成可能論理セル。
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