JP6610223B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の一実施形態である半導体集積回路の構成を示す回路図である。この半導体集積回路は、レベルシフタ1とモード切換部100とを有する。レベルシフタ1は、第1の電源電圧VDD、第2の電源電圧VSS、第3の電源電圧VLSM_CGおよび第4の電源電圧VBBと、バイアス電圧VBIAS_Nとを与えられ、第1の電源電圧VDDに対応した第1の論理レベル(高レベル)、第2の電源電圧VSSに対応した第2の論理レベル(低レベル)を有する入力論理信号を、第3の電源電圧VLSM_CGに対応した第1の論理レベル(高レベル)、第4の電源電圧VBBに対応した第2の論理レベル(低レベル)を有する出力論理信号に変換する回路である。このレベルシフタ1は、出力論理信号OUTおよびOUTBとして、正の電圧である第1の論理レベル、0Vである第2の論理レベルを出力する正電圧出力モードと、0Vである第1の論理レベル、負の電圧である第2の論理レベルを出力する負電圧出力モードを有する。モード切換部100は、例えば半導体集積回路の外部から与えられるモード指示信号に従い、第3の電源電圧VLSM_CGおよび第4の電源電圧VBBと、バイアス電圧VBIAS_Nとを切り換えることにより、レベルシフタ1を正電圧出力モードから負電圧出力モードへ、あるいは負電圧出力モードから正電圧出力モードへ切り換える回路である。この切り換えの際、モード切換部100は、レベルシフタ1を構成する各トランジスタに所定電圧以上の電圧が加わらないように、第3の電源電圧VLSM_CGおよびバイアス電圧VBIAS_Nと、第4の電源電圧VBBとを段階的に切り換える。
インバータ11および12は、第3の電源電圧VLSM_CGおよび第4の電源電圧VBBにより動作し、ノードN4の出力電圧に基づいて出力論理信号OUTおよびOUTBを出力する出力部である。
以上が、半導体集積回路の構成である。
次に、半導体集積回路の動作について説明する。レベルシフタ1の正電圧出力モードでは、第3の電源電圧VLSM_CG=3.3V、第4の電源電圧VBB=0V、バイアス電圧VBIAS_N=3.3V、信号SM_OUTの電圧=1.2V、信号LS_OUTの電圧=3.3V、信号VBB_VOL_CTRL<1>の電圧=0V、信号VBB_VOL_CTRL<0>の電圧=0Vであり、レベルシフタ1の負電圧出力モードでは、第3の電源電圧VLSM_CG=−5V、第4の電源電圧VBB=0V、バイアス電圧VBIAS_N=0V、信号SM_OUTの電圧=0V、信号LS_OUTの電圧=0V、信号VBB_VOL_CTRL<1>の電圧=1.2V、信号VBB_VOL_CTRL<0>の電圧=0Vである。なお、正電圧出力モードと負電圧出力モードのいずれの動作モードであっても、第1の電源電圧VDD=3.3V、第2の電源電圧VSS=0Vである。
Claims (6)
- 第1〜第4の電源電圧が与えられ、前記第1の電源電圧に対応した第1の論理レベル、前記第2の電源電圧に対応した第2の論理レベルを有する入力論理信号を、第3の電源電圧に対応した前記第1の論理レベル、第4の電源電圧に対応した前記第2の論理レベルを有する出力論理信号に変換するレベルシフタと、
モード指示信号に従って、前記第3の電源電圧および前記第4の電源電圧を切り換える手段であって、前記レベルシフタを構成する各トランジスタに所定電圧以上の電圧が加わらないように前記第3の電源電圧または前記第4の電源電圧の一方を段階的に切り換える切り換え手段とを具備し、
前記レベルシフタは、
前記第1の電源電圧を出力する電源に各々のソースが接続され、入力論理信号に応じて排他的にON/OFFが切り換えられる第1および第2のトランジスタと、
前記第4の電源電圧を出力する電源に各々のソースが接続され、一方のドレインが他方のゲートに接続され、一方のゲートが他方のドレインに接続された第3および第4のトランジスタと、
各々のゲートに第1のバイアス電圧が与えられ、前記第1および第2のトランジスタのドレイン電流の流路となり、前記第1および第2のトランジスタのドレイン電圧を前記第1の電源電圧と前記第1のバイアス電圧により定まる限界電圧との間の電圧範囲に制限する第5および第6のトランジスタと、
各々のゲートに第2のバイアス電圧が与えられ、前記第5および第6のトランジスタの各ドレイン電流を前記第3および第4のトランジスタのドレインに供給し、前記第3および第4のドレイン電圧を前記第2のバイアス電圧により定まる限界電圧と前記第4の電源電圧との間の電圧範囲に制限する第7および第8のトランジスタと、
前記第4のトランジスタのドレイン電圧に基づき、前記第3の電源電圧に対応した前記第1の論理レベル、前記第4の電源電圧に対応した前記第2の論理レベルの出力論理信号を出力する出力部と
を具備することを特徴とする半導体集積回路。 - 前記切り換え手段は、前記第3の電源電圧または前記第4の電源電圧の一方を、切り換え前の電源電圧から、前記切り換え前の電源電圧と切り換え後の電源電圧との中間の中間電圧に切り換え、その後、前記第3の電源電圧または前記第4の電源電圧の他方を切り換え、その後、前記第3の電源電圧または前記第4の電源電圧の一方を前記中間電圧から前記切り換え後の電源電圧に切り換える
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記第1の電源電圧は前記第2の電源電圧よりも高く、前記第3の電源電圧は前記第4の電源電圧よりも高く、前記切り換え手段は、前記第3の電源電圧および前記第4の電源電圧を低下させる場合に、前記第4の電源電圧を、切り換え前の電源電圧から、前記切り換え前の電源電圧と切り換え後の電源電圧との中間の中間電圧に低下させ、その後、前記第3の電源電圧を低下させ、その後、前記第4の電源電圧を前記中間電圧から前記切り換え後の電源電圧に低下させることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。
- 前記第1の電源電圧は前記第2の電源電圧よりも高く、前記第3の電源電圧は前記第4の電源電圧よりも高く、前記切り換え手段は、前記第3の電源電圧および前記第4の電源電圧を上昇させる場合に、前記第4の電源電圧を、切り換え前の電源電圧から、前記切り換え前の電源電圧と切り換え後の電源電圧との中間の中間電圧に上昇させ、その後、前記第3の電源電圧を上昇させ、その後、前記第4の電源電圧を前記中間電圧から前記切り換え後の電源電圧に上昇させることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体集積回路。
- 前記切り換え手段は、前記第2のバイアス電圧を前記第3の電源電圧に連動させることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1の請求項に記載の半導体集積回路。
- 前記切り換え手段は、
前記第4の電源電圧を出力する電圧出力回路と、
第1の基準電圧と前記第4の電源電圧との差電圧を分圧する分圧回路と、
前記分圧回路の出力電圧と第2の基準電圧との差分に応じて前記電圧出力回路が出力する前記第4の電源電圧を増減するコンパレータと、
前記モード指示信号に応じて、前記分圧回路の分圧比を変化させる制御信号を出力するタイミング制御回路と
を具備することを特徴とする請求項3または4に記載の半導体集積回路。
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