JP5181424B2 - 高出力増幅器 - Google Patents
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Description
パワートランジスタ112は、基板115上に設けられており、一方にソース端子(同図の「S」参照)とゲート端子(同図の「G」参照)とが複数交互に配置され、他方にドレイン端子(同図の「D」参照)が複数配置されて構成される。尚、基板115の底面には、グランド(GND)に接地される導体116が設けられる。
出力整合回路114は、例えばアルミナや窒化アルミ等のセラミック基板119上に、上記の導体105が設けられ、セラミック基板119の底面に、グランドに接地される導体120が設けられて構成される。
同図に示したように、本実施例に係る高出力増幅器は、パワートランジスタ1と、その入出力整合回路として、入力整合回路2と出力整合回路3とを備えて構成される。
同図に示したように、本実施例では、入力整合回路21が、第1の整合回路21aと第2の整合回路21bとにより構成される。
そして、第1の整合回路21aの信号線としての導体23aと、第2の整合回路21bの信号線としての導体23bとは、ワイヤ(金属細線)25により接続される。
以上、本実施例に係る高出力増幅器によれば、実施例1と同様の効果を得ることができると共に、低インピーダンスで且つ位相の回転を抑えた入力整合回路を実現することができる。
図6は、本実施例に係る高出力増幅器の構成を示す図である。
その他の構成については、実施例1に係る高出力増幅器(図1参照)と同様である。
尚、本実施例では、実施例1に係る高出力増幅器において、ビア8の代わりに、入力整合回路2の側面にグランドに導通する導体31を設けるようにしたが、上述の実施例2に係る高出力増幅器においても同様に構成することができる。
ソース端子とゲート端子とが複数交互に配置されたトランジスタと、当該トランジスタの入力整合回路とを含む高出力増幅器であって、
前記入力整合回路において、前記トランジスタのソース端子に対向する位置にグランドに導通したビアを設け、前記トランジスタのゲート端子に対向する位置に信号線としての導体を設け、
前記ソース端子と当該ソース端子に対向する位置に設けられた前記ビアとを金属細線を用いて接続し、前記ゲート端子と当該ゲート端子に対向する位置に設けられた前記導体とを金属細線を用いて接続する、
ことを特徴とする高出力増幅器。
隣り合う前記ソース端子と前記ゲート端子との中心間距離と、隣り合う前記ビアと前記導体との中心間距離は、同一である、
ことを特徴とする付記1記載の高出力増幅器。
ソース端子とゲート端子とが複数交互に配置されたトランジスタと、当該トランジスタの入力整合回路とを含む高出力増幅器であって、
前記入力整合回路において、前記トランジスタのソース端子に対向する側面位置にグランドに導通した導体を設け、前記トランジスタのゲート端子に対向する位置に信号線としての導体を設け、
前記ソース端子と当該ソース端子に対向する前記側面位置に設けられた導体とを金属細線を用いて接続し、前記ゲート端子と当該ゲート端子に対向する位置に設けられた前記導体とを金属細線を用いて接続する、
ことを特徴とする高出力増幅器。
隣り合う前記ソース端子と前記ゲート端子との中心間距離と、隣り合う前記グランドに導通した導体と前記信号線としての導体との中心間隔距離は、同一である、
ことを特徴とする付記3記載の高出力増幅器。
前記入力整合回路は、第1の整合回路と第2の整合回路とからなり、前記第2の整合回路を構成する基板は、前記第1の整合回路を構成する基板よりも誘電率が低い、
ことを特徴とする付記1乃至4のいずれか一つに記載の高出力増幅器。
前記第2の整合回路は、前記トランジスタ側に設けられる、
ことを特徴とする付記5記載の高出力増幅器。
前記第1の整合回路を構成する基板はセラミック基板であり、前記第2の整合回路を構成する基板はテフロン(登録商標)基板を含む樹脂基板のうちのいずれかである、
ことを特徴とする付記5又は6記載の高出力増幅器。
前記トランジスタは、LDMOS、CMOS、InP-HEMT、InP-HBT、GaN-HEMT、SiC-HEMTを含む電界効果トランジスタのうちのいずれかである、
ことを特徴とする付記1乃至7の何れか一つに記載の高出力増幅器。
2 入力整合回路
3 出力整合回路
4 基板
5 セラミック基板
6、7 導体
8 ビア
8a 導体
9 枠
10 セラミック基板
11 導体
12 ソースワイヤ
13 ゲートワイヤ
14 ドレインワイヤ
21 入力整合回路
21a 第1の整合回路
21b 第2の整合回路
22a、22b 基板
23a、23b、24 導体
25 ワイヤ
31、31a 導体
32 枠
101 高出力増幅器
102 金属パッケージ
103、104、105、106 導体
107、108 底面金属板
109 金属壁
110、111 セラミック基板
112 パワートランジスタ
113 入力整合回路
114 出力整合回路
115 基板
116 導体
117 セラミック基板
118 導体
119 セラミック基板
120 導体
121 ゲートワイヤ
122 ソースワイヤ
123 ドレインワイヤ
124、125 ワイヤ
Claims (3)
- ソース端子とゲート端子とが複数交互に配置されたトランジスタと、当該トランジスタの入力整合回路とを含む高出力増幅器であって、
前記入力整合回路において、前記ソース端子と前記ゲート端子が交互に並ぶ方向上に、前記トランジスタのソース端子に対向する位置にグランドに導通したビアと、前記トランジスタのゲート端子に対向する位置に信号線としての導体とをそれぞれ交互に設け、
前記ソース端子と当該ソース端子に対向する位置に設けられた前記ビアとを金属細線を用いて接続し、前記ゲート端子と当該ゲート端子に対向する位置に設けられた前記導体とを金属細線を用いて接続し、
前記入力整合回路は、矩形状の信号線としての導体が形成された第1の整合回路と前記第1の整合回路側から前記トランジスタ側に幅広となるテーパ状の信号線としての導体が形成された第2の整合回路とからなり、前記第2の整合回路を構成する基板は、前記第1の整合回路を構成する基板よりも誘電率が低い、
ことを特徴とする高出力増幅器。 - ソース端子とゲート端子とが複数交互に配置されたトランジスタと、当該トランジスタの入力整合回路とを含む高出力増幅器であって、
前記入力整合回路において、前記ソース端子と前記ゲート端子が交互に並ぶ方向上に、前記トランジスタのソース端子に対向する側面位置にグランドに導通した導体と、前記トランジスタのゲート端子に対向する位置に信号線としての導体とをそれぞれ交互に設け、
前記ソース端子と当該ソース端子に対向する前記側面位置に設けられた導体とを金属細線を用いて接続し、前記ゲート端子と当該ゲート端子に対向する位置に設けられた前記導体とを金属細線を用いて接続し、
前記入力整合回路は、矩形状の信号線としての導体が形成された第1の整合回路と前記第1の整合回路側から前記トランジスタ側に幅広となるテーパ状の信号線としての導体が形成された第2の整合回路とからなり、前記第2の整合回路を構成する基板は、前記第1の整合回路を構成する基板よりも誘電率が低い、
ことを特徴とする高出力増幅器。 - 前記第1の整合回路を構成する基板はセラミック基板であり、前記第2の整合回路を構成する基板はテフロン基板を含む樹脂基板のうちのいずれかである、
ことを特徴とする請求項1、又は2記載の高出力増幅器。
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