JP5177961B2

JP5177961B2 - 難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法およびポリカーボネート系難燃性樹脂組成物

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Publication number: JP5177961B2
Application number: JP2006136696A
Authority: JP
Inventors: 敏夫磯崎
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2006-05-16
Filing date: 2006-05-16
Publication date: 2013-04-10
Anticipated expiration: 2026-05-16
Also published as: WO2007132738A1; JP2007307731A; US7812061B2; CN101443172B; CN101443172A; US20090286892A1; DE112007001221T5; TW200812771A

Description

本発明は、難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法およびポリカーボネート系難燃性樹脂組成物に関し、詳しくは、ポリカーボネート樹脂を基板材料として製造された使用済みの光ディスク又は製造工程で不良品となり廃棄された光ディスクを難燃性樹脂組成物の原料としてリサイクルする方法および該方法により得られた再生ポリカーボネート原料を用いたポリカーボネート系難燃性樹脂組成物に関する。

ポリカーボネート樹脂(以下、ＰＣ樹脂と称することがある)は、機械的強度（特に、耐衝撃特性）、電気的特性、透明性などに優れ、エンジニアリングプラスチックとして、ＯＡ機器、電気・電子機器分野、自動車分野、建築分野等様々な分野において幅広く利用されている。このポリカーボネート樹脂は、各種熱可塑性樹脂の中では限界酸素指数が高く、一般的に自己消火性を有する樹脂であり、ＯＡ機器、電気・電子機器などの高度の難燃性を要求される分野にも利用されている。

上記のようにＰＣ樹脂は、光学材料や電気電子分野等に幅広く使われるが、光学材料などから同等製品への再利用は回収方法を含めて難しく、一般的には筐体等に限定して再利用がなされている。これは回収時の不純物混入や加水分解による分子量低下が起こるためである。また、不純物の除去が困難であり、特にディスク材料の場合は金属膜が付着していたり潤滑剤が混入したりするためＰＣ樹脂を分離するには厳しい条件下での洗浄剥離処理が必要で適切な条件を選定しないと分子量低下を防ぐことが難しい。
ＣＤやＭＤ等に使用されているＰＣ樹脂を再生し活用する方法として、酸塩基による剥離（例えば、特許文献１参照）やメカノケミカルによる方法や研磨による方法（例えば、特許文献２参照）およびブラスト方法などが公知である。しかしながら、これらの方法では再生ＰＣ樹脂の筐体等への適用は出来ても、難燃性材料へ再利用することは行われていない。

また、再生製品に安定した品質を付与する再生プラスチックスを供給することができる再生システムについては多くの技術が提案されているが（例えば、特許文献３及び４を参照）、いずれも分別し回収する工程と、分別回収された廃棄光ディスクを破砕する工程と、破砕したＰＣ樹脂片から、ＰＣ樹脂片のみを取り出す工程を持ち、特に特許文献３は、その品質を保証する工程を有することを特徴としているが、これらのプロセスは、プラスチック製品に限らずとも、以前から存在する古紙、空き缶と言った一般的リサイクルシステムから容易に類推出来る類のものであり、また、特許文献３及び４には、分別法についての具体的な開示がされていない。
勿論、ＰＣ樹脂を超臨界状態で原料の2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン〔ビスフェノールＡ〕等のモノマーにまで分解することも提唱されているが、このようなモノマーから再びＰＣ樹脂に重合する場合には多くの費用を要し、エネルギーを消費するので環境負荷が大きくなる。

特開平７−２８６０６４号公報特許第３２３６００号公報特開平２００３−２３１１２０号公報特開平２００４−７４５０７号公報

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ＰＣ樹脂を基板材料とする使用済みの光ディスクや製造工程で不良品となり廃棄された光ディスクを、低コストで、かつ環境負荷の小さい方法で処理し、ポリカーボネート系難燃性樹脂組成物の原料として再利用する方法を提供することを目的とするものである。

本発明者は、上記課題について鋭意検討を行った結果、ＰＣ樹脂を基板材料とする回収光ディスクや廃棄光ディスクにおいて、ＰＣ樹脂の原料の二価フェノールとして2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン〔ビスフェノールＡ〕を単独原料として重合されたポリカーボネートのみを原料とするときにポリカーボネート系難燃性樹脂組成物として安定した物性が得られ、このようなポリカーボネートを判別して分別し、化学処理を行えばポリカーボネート系難燃性樹脂組成物の原料として使用できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、以下の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法およびポリカーボネート系難燃性樹脂組成物を提供する。
１．ポリカーボネート樹脂を基板材料とする廃棄及び／又は回収光ディスクから難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料を製造する方法であって、
（ａ）廃棄及び／又は回収光ディスクの基板材料のポリカーボネート樹脂について、ポリカーボネート樹脂の原料の二価フェノールとして２,２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパンを単独原料として重合されたものであるか否かを判別する工程および、
（ｂ）ポリカーボネート樹脂が２,２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパンを単独原料として重合されたものと判定された廃棄及び／又は回収光ディスクのみを分別して、化学的処理により不純物を除去する工程
を有することを特徴とする難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。

２．工程（ａ）に供される廃棄及び／又は回収光ディスクの基板材料のポリカーボネート樹脂について、そのモノマー組成とＯＨ末端分率を測定することにより、ポリカーボネート樹脂の原料の二価フェノールとして２,２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパンを単独原料として重合されたものであるか否かを判別する上記１の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。

３．工程（ａ）に供される廃棄及び／又は回収光ディスクが粉砕品である上記１又は２の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
４．工程（ａ）に供される廃棄及び／又は回収光ディスクが非粉砕品であって、工程（ａ）の前処理工程として、廃棄及び／又は回収光ディスクに偏光板上を通すことにより、光ディスクに含まれるポリスチレン製ダミー基板を除去する工程を有する上記１又は２の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
５．ポリスチレン製ダミー基板を除去する工程の後に、光ディスクの外観情報により基板材料樹脂が原料の二価フェノールとして2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンを単独原料として重合されたものであるか否かを判別し、光ディスクの外観情報により単独原料として重合されたものであることが特定できない光ディスクのみを、基板材料のポリカーボネート樹脂のモノマー組成の分析とＯＨ末端分率を測定することにより、ポリカーボネート樹脂の原料の二価フェノールとして２,２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパンを単独原料として重合されたものであるか否かを判別する上記４の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。

６．工程（ｂ）の化学的処理を行う前に、廃棄及び／又は回収光ディスクを粉砕し、粉砕サイズを０．５〜３ｃｍとする上記１〜５のいずれかの難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
７．工程（ｂ）の化学処理によって得られた再生ポリカーボネート原料中の金属の残存量が、アルカリ金属、アルカリ土類系金属および鉄系金属については各金属の残存量が１ｐｐｍ以下、その他金属については各金属の残存量が０．１ｐｐｍ以下である上記１〜６のいずれかの難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
８．上記１〜７のいずれかの方法によって得られた再生ポリカーボネート原料を含有することを特徴とするポリカーボネート系難燃性樹脂組成物。

本発明により、原料や重合方法の異なるポリカーボネート樹脂を基板材料として製造された使用済みの光ディスクや製造工程で不良品となった廃棄光ディスクから、ポリカーボネート樹脂原料が二価フェノールとしてビスフェノールＡを単独原料として重合されたもののみを判別して分別し、化学処理により不純物を除去することにより、低コストで環境負荷の小さい方法で、ポリカーボネート系難燃性樹脂組成物の原料として確実に再利用することができる。
本発明の方法においては、ＰＣ樹脂が従来の分子構造による分類から、機能目的による分別によりリサイクルまでの工程を簡略化出来る。また、再利用するために分別を徹底することにより、劣化を前提としてしか再利用出来なかったＰＣ樹脂に関しても、効率よくリサイクルできるシステムを実現することができる。
本発明により得られるポリカーボネート系難燃性樹脂組成物は、ＯＡ機器、電気・電子機器などの高度の難燃性を要求される分野に有効に利用することができる。

本発明の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法においては、先ず、工程（ａ）において廃棄及び／又は回収光ディスクからのポリカーボネート樹脂基板について、該基板の材料樹脂が、ポリカーボネート原料の二価フェノールとしてビスフェノールＡを単独原料として重合されたものであるか否かを判別する。この判別はモノマー組成とＯＨ末端分率を測定することにより行うことができる。
今日、工業化されている光ディスクの基板材料となるＰＣ樹脂としては、(i)ビスフェノールＡのみを原料として重合されたポリカーボネートの他に、(ii)ビスフェノールＡ以外のモノマーを原料として重合されたポリカーボネート、(iii) ビスフェノールＡを原料として重合されたポリカーボネートとビスフェノールＡ以外のモノマーを原料として重合されたポリカーボネートが一定割合で混合されたもの、(iv)ビスフェノールＡと他のモノマーを原料として共重合されたポリカーボネート共重合体が実際に使用されており、これらのＰＣ樹脂からビスフェノールＡのみを原料として製造されたポリカーボネートが重合されたもののみを分別することは、再利用を考えたときに有効な品質保証手段となる。

本発明においては、同じＰＣ樹脂とは言え、化学的に構造の異なるＰＣ樹脂の構造に応じて、分別・回収する上で不可欠な技術である。特に難燃性ポリカーボネート系樹脂組成物に適用する上では、ＰＣ樹脂中にビスフェノールＡ以外のモノマーが含まれる場合は、中にはビスフェノールＡとポリオルガノシロキサンと共重合体のように難燃性を向上させるものもあるが、このような例はまれであり、ＰＣ樹脂中にビスフェノールＡ以外のモノマーが含まれる場合に一般的に難燃性が低下することは知られていない。本発明は、ＰＣ樹脂を基板材料とする廃棄及び／又は回収光ディスクからポリカーボネート系難燃性樹脂組成物の原料として使用する再生ポリカーボネート原料の製造方法において、ポリカーボネート原料の二価フェノールとしてビスフェノールＡを単独原料として製造されたＰＣ樹脂のみを回収原料としてポリカーボネート系難燃性樹脂組成物用再生原料とするときに安定した物性が得られることを見出したものである。

光ディスクに用いられるＰＣ樹脂は流動性向上を目的として共重合体が用いられるものがあるので、光ディスクの基板に用いられたＰＣ樹脂を分別せずにポリカーボネート系難燃性樹脂組成物の原料に用いた場合には難燃性の低下が起こりやすい。
例えば、ビスフェノールＡを原料として重合されたＰＣ樹脂に有機アルカリ金属塩又は有機アルカリ土類金属塩を１０００ｐｐｍ添加した組成物の限界酸素指数は３９であるのに対し、ビスフェノールＡとそれ以外のモノマーを原料とし共重合されたＰＣ樹脂に有機アルカリ金属塩又は有機アルカリ土類金属塩を１０００ｐｐｍ添加した組成物の限界酸素指数は３３となり、難燃性が低下する。

本発明に用いられる廃棄及び／又は回収光ディスクとしては、ポリカーボネート樹脂を基板とする記録媒体ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷなどが用いられる。これらの廃棄及び／又は回収光ディスクは、円盤状の製品形状のままであってもよいし、粉砕された形状であってもよい。
しかし、廃棄及び／又は回収光ディスクは、同一の工場や加工所から発生する同一のグレードの光ディスクが含まれている容器(ロット)毎に処理することが重要である。

廃棄及び／又は回収光ディスクが粉砕された形状の場合は、同一の工場や加工所から発生する同一のグレードの廃棄及び／又は回収光ディスクが含まれている容器(ロット)毎に、工程(a)において廃棄及び／又は回収光ディスクの基板材料のＰＣ樹脂について、そのモノマー組成の分析とＯＨ末端分率を測定することにより、ＰＣ樹脂の原料の二価フェノールとしてビスフェノールＡを単独原料として重合されたものであるか否かを判別する。このモノマー組成とＯＨ末端分率の測定は核磁気共鳴吸収法（¹Ｈ−ＮＭＲ）による分析にて容易に判別可能である。また、その他の分析方法としてはフーリエ変換赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）を用いる方法もある。
例えば後の実施例に示すように、¹Ｈ−ＮＭＲを用いてＰＣ樹脂のモノマー組成とＯＨ末端分率の測定を行い、モノマーの大部分がビスフェノールＡであり、モノマー組成中のビスフェノール分率が９４〜９７モル％程度であれば、ＰＣ樹脂の原料の二価フェノールとしてビスフェノールＡを単独原料として重合されたものであると判別することができる。

廃棄及び／又は回収光ディスクが、円盤状の製品形状のままである場合は、工程（ａ）の前処理として、光ディスク中には基板を保護するためのポリスチレンのダミー基板が含まれている可能性があるので、このポリスチレンのダミー基板を除去するポリスチレンダミー板除去工程を設けることが望ましい。ポリスチレンのダミー基板を除去する方法としては、偏光板を用いて基板の複屈折を観察すれば、容易に識別が可能であり、ポリスチレンダミー板除去工程を設けることによりポリスチレンのダミー基板の混入を防止することができる。

また、ポリスチレンダミー板除去工程の後に、光ディスクの外観情報により基板材料樹脂が原料の二価フェノールとしてビスフェノールＡを単独原料として重合されたものであるか否かを判別し、原料二価フェノールとしてビスフェノールＡを単独原料として重合されたものであることが特定できないもののみを、必要に応じて粉砕し、前記のように光ディスクの基板材料のＰＣ樹脂のモノマー組成の分析とＯＨ末端分率を測定することにより、ポリカーボネート樹脂の原料の二価フェノールとしてビスフェノールＡを単独原料として重合されたものであるか否かを判別することが好ましい。
また、スタンパーマークやＩＦＰＩコード（製造者認識コード）等の外観情報から製造メーカーを特定し、その製造メーカーに関する情報から原料であるポリカーボネート樹脂が、ビスフェノールＡを単独原料として重合されたものであると判別することができる場合がある。
このように予め光ディスクの外観情報により判別することにより、光ディスクの基板材料のＰＣ樹脂のモノマー組成とＯＨ末端分率を測定する対象が減少するので有利である。

（ｂ）工程においては、ポリカーボネート樹脂がビスフェノールＡを単独原料として重合されたものと判定された廃棄及び／又は回収光ディスクのみを分別して、化学的処理により不純物を除去する。
廃棄及び／又は回収ディスクには、そのポリカーボネート基板表面に反射層、保護層、記録層、印刷層等の異質層が設けられており、これらの異質層は、光学用ディスク原料として再生利用する際に不純物となるので除去する必要がある。これらの不純物を除去する方法としては、物理的処理により不純物となる異質層を除去する方法や処理剤を使用する化学的処理があるが、本発明では作業効率の観点から化学的処理を用いる。

この化学的処理を行うに当たって、廃棄及び／又は回収ディスクを粉砕し、粉砕サイズ（平均径）を通常０．５〜３ｃｍ、好ましくは１〜２ｃｍにしておくことが不純物となる異質層を除去する上で好ましい。また、この化学的処理として例えば特許第３２７００３７号公報に記載されているアルカリ処理を用いることが好ましい。
また、化学処理に先立って、粉砕時の付着異物を除去するために、粉砕された記録媒体ディスクを界面活性剤中で洗浄することが好ましい。界面活性剤にはノニオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤及びカチオン性界面活性剤があるが、ノニオン性界面活性剤及びアニオン性界面活性剤が好ましい。ノニオン性界面活性剤としては、ポリエチレングリコールエーテル系界面活性剤が好ましく、特に、高級アルコールのポリエチレングリコールエーテル、アルキルフェノールのポリエチレングリコールエーテルなどが好ましい。また、アニオン性界面活性剤としては、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウムなどが挙げられ、ノニオン性界面活性剤と併用するのが好ましい。界面活性剤の濃度は、０．００１〜１０質量％、好ましくは０．０１〜１質量％である。

上記アルカリ処理には、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸カリウムなどから選ばれるアルカリ化合物の水溶液（以下、アルカリ水溶液と称すことがある。）を用いる。アルカリ水溶液のｐＨは１０〜１４が好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜２０質量％が好ましく、０．１〜１０質量％がより好ましい。アルカリ水溶液による洗浄の温度は、１０５〜１３０℃が好ましい。尚、処理時間は処理温度によって異なるが、通常、１５〜６０分が好ましい。
このアルカリ処理の後、界面活性剤と過酸化物の混合水溶液中で、基板を洗浄することが好ましい。界面活性剤による基板の洗浄は、アルカリ水溶液中に除去されて基板に再付着した色素や微小異物を除去するのに有用である。界面活性剤としては、上記と同様のものを使用することができ、濃度も上記と同様とすることができる。
過酸化物としては、−Ｏ−Ｏ−結合を有する酸化物や多価原子価をもつ金属の過酸化物が挙げられ、過酸化水素及びその塩、オゾン、過硫酸及びその塩などが好ましい。過酸化物水溶液の濃度は、０．１〜１０質量％が好ましい。また、過酸化物水溶液の温度は６５〜９５℃が好ましく、８０〜９０℃がより好ましい。処理時間については処理温度によって異なるが、通常、１５〜６０分が好ましい。過酸化物は残留金属や染料の完全除去に有用である。

本発明の再生ポリカーボネート原料を難燃性樹脂組成物としてＯＡ機器、電気・電子機器などに再利用する場合、金属類の残存量は、アルカリ金属、アルカリ土類系金属、鉄系金属については１ｐｐｍ以下、それら以外の重金属については０．１ｐｐｍ以下であることが好ましい。
上記のような化学処理を行うことによって、再生されたＰＣ樹脂中、化学処理に用いる溶媒や容器、また回収光ディスクのＰＣ樹脂中に元来含まれていた可能性の高いアルカリ金属、アルカリ土類系金属、鉄系金属を１ｐｐｍ以下とすることが出来る。また、それら以外のＡｕ、Ａｇ、Ａｌ等の光ディスク反射層に使われる金属類、及び光磁気ディスクや相変化光ディスク記録層に由来するＴｅ、Ｓｂ等の重金属類、ＣＤ-ＲやＤＶＤ-Ｒの様な追記型光ディスクに使われる有機色素に由来するＣｕ等の金属類の残存量を、０．１ｐｐｍ以下とすることが出来る。
例えば、光ディスク用などに再利用する場合、特にアルカリ金属、アルカリ土類系金属、鉄系金属の残存量が１ｐｐｍを超えると、光ディスクの保存環境によってＰＣ樹脂の加水分解が発生し、記録データが読み出せなくなると言った長期信頼性が低下する場合がある。
なお、０．１〜１０質量％の過酸化水素水溶液は、そのｐＨが２〜５（弱酸性）であり、最終洗浄液として好ましく使用できる。

このようにして得られた再生ポリカーボネート原料は、目標の分子量となるように所定量の新しいポリカーボネート樹脂とブレンド後、必要に応じて混練し、難燃性樹脂組成物用原料として用いることができる。この混練の際には、必要に応じて、安定化剤、離型剤等を添加する。この再生ポリカーボネート原料は、一般のポリカーボネート原料と同様に難燃性樹脂組成物の原料として使用することができる。

以下に実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、以下の実施例おいて光ディスクの基板材料のＰＣ樹脂のモノマー組成とＯＨ末端分率の測定はＮＭＲ装置を用いて次のように行った。

＜ＮＭＲ装置の測定条件＞
ＰＣ樹脂の試料４５ｍｇを５ｍｍ径ＮＭＲ試料管に採取し、重クロロホルム０．４ｍｌを加えて均一に溶解し、５００ＭＨｚのＮＭＲ装置〔日本電子（株）製ＪＮＭ−ＬＡＭＢＤＡ５００〕を用いて、¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。

＜水酸基末端分率の測定＞
テトラメチルシランのピークトップを０ｐｐｍに設定し、¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルで、６．６８ｐｐｍに観られるビスフェノールＡのＯＨ基からオルト位の芳香環プロトンのピーク強度(a)、１．３２ｐｐｍに観られるパラターシャリーブチルエーテル(以下、ＰＴＢＰで表す)基のメチルプロトン由来のピーク強度(b)を用いて、ＯＨ末端分率を次式で計算する。
ＯＨ末端分率（ｍｏｌ％）＝〔（ａ／２）／（ａ／２＋ｂ／９）〕×１００

＜モノマー組成の測定＞
テトラメチルシランのピークトップを０ｐｐｍに設定し、¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルで７．２１ｐｐｍに観られるビスフェノールＡとＰＴＢＰの芳香環プロトンのピーク強度(c)、６．６８ｐｐｍに観られるビスフェノールＡのＯＨ基からオルト位の芳香環プロトンのピーク強度(a)及び、３２ｐｐｍに観られるＰＴＢＰ基のメチルプロトン由来のピーク強度(b)を用いて、モノマー組成を次式で計算する。
ビスフェノールＡ（モル％）＝
[〔（ａ＋ｃ）／８〕／〔[（ａ＋ｃ）／８]＋（ｂ／９）〕]×１００
ＰＴＢＰ（モル％）＝
[（ｂ／９）／〔 [（ａ＋ｃ）／８]＋（ｂ／９）〕]×１００

また、難燃性の評価を次のように行った。
（１）限界酸素指数：ＪＩＳ K ７２０１に準拠する。
（２）難燃性試験：UL９４に準拠する。

実施例１
光ディスク製造装置から回収され製品規格外となった光ディスクのポリカーボネート基板に異質層としてアルミニゥムが積層されている約１００ｋｇの円盤状の光ディスクをコンテナにより搬入した。この光ディスクの中からポリスチレンのダミー基板を除去するために、偏光板を用いて基板の複屈折を観察することにより、虹色に見えるポリスチレンのダミー基板２６５枚を除去した。
次いで、前記による一枚の円盤状の光ディスクの基板部分を¹Ｈ−ＮＭＲによる分析を行うことにより、この基板を構成しているポリカーボネート主鎖の二価フェノールモノマー組成及び水酸基末端分率を測定した。
測定結果は、回収した光ディスクのＯＨ末端分率は５．０モル％，モノマー組成はビスフェノールＡが９４．５モル％，ＰＴＢＰが５．５モル％であった。この結果から、回収ディスクの基板のＰＣ樹脂は二価フェノールとしてビスフェノールＡを単独原料として重合されたものであることが確認された。

次いで、回収された円盤状の光ディスクを、サイズ１〜２ｃｍに粉砕した後、界面活性剤として、ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル〔エマルゲンＡ−５００，花王（株）製〕１質量％及びアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム１質量％を含む水溶液中において、９０℃で６０分間攪拌処理した。続いて、３質量％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて１２０℃で３０分間処理した。さらに、５質量％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて１２０℃で３０分間処理した。続いて、上記と同様の界面活性剤の同量と過酸化水素０．５８質量％相当量を混合した混合溶液中において、９０℃で３０分間処理した。水洗により十分洗浄した後、８０℃で５時間乾燥して、回収ＰＣ樹脂（回収ＰＣ１Ａ）を得た。回収ＰＣ１Ａの粘度平均分子量（Ｍｖ）は１５，２００であった。

この回収ＰＣ１Ａを所定量Ｐｔ坩堝に採り、電気炉で炭化処理後温度を上げて完全に灰化させる。その後、酸溶媒に溶解し金属類の残存量を、ＩＣＰ装置（ＪＡＲＲＥＬＬＡＳＨ社製、ＩＲＩＳ Advantage）により測定したところ、Ｎａ、Ｆｅは各々０．２ｐｐｍ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｃｕは各々０．１ｐｐｍ未満であった。
回収ＰＣ１Ａ：４０質量部にＰＣ樹脂（出光興産製、タフロンＦＮ２２００Ａ）６０質量部を添加して粘度平均分子量（Ｍｖ）が１９，０００の回収ＰＣ樹脂（回収ＰＣ１Ｂ）を得た。得られた回収ＰＣ１Ｂ１００質量部にＰＴＦＥ（旭フロロポリマー社製、ＣＤ０７６）０．３質量部、有機金属塩化合物（大日本インキ化学工業社製、メガファックＦ−１１４）０．１質量部、安定化剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、Ｉｒｇｆｏｓ１６８）０．１質量部を添加し、混練後、射出成形にて３．０ｍｍ×１３ｍｍ×１２７ｍｍのバー（バー１Ａ）及び１．５ｍｍ×１３ｍｍ×１２７ｍｍのバー（バー１Ｂ）を所定数作製した。
難燃性評価の結果は、限界酸素指数（バー１Ａで測定）が３９であり、ＵＬ９４の難燃性試験（バー１Ｂで測定）はＶ−０であった。

実施例２
実施例１において得られた回収PC１B８０重量部にABS（日本エイアンドエル社製、ＡＴ-０５）１０重量部、タルク（富士タルク工業社製、ＰＴ−Ａ２５）１０重量部、更にＰＴＦＥ（旭フロロポリマー社製、ＣＤ０７６）０．３質量部、有機金属塩化合物（大日本インキ化学工業社製、メガファックＦ−１１４）０．１質量部、安定化剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、Ｉｒｇｆｏｓ１６８）０．１質量部を添加し、混練後、射出成形にて３．０ｍｍ×１３ｍｍ×１２７ｍｍのバー（バー１Ａ）及び１．５ｍｍ×１３ｍｍ×１２７ｍｍのバー（バー１Ｂ）を所定数作製した。
難燃性評価の結果は、限界酸素指数（バー１Ａで測定）が３６であり、ＵＬ９４の難燃性試験（バー１Ｂで測定）はＶ−０であった。

比較例１
実施例１において、二価フェノールがビスフェノールＡと１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴＭＣ）の共重合体である回収ＰＣ２Ａ〔粘度平均分子量（Ｍｖ）＝１４８００〕４０質量部に、実施例１と同様に、ＰＣ樹脂（出光興産製、タフロンＦＮ２２００Ａ）６０質量部を添加して粘度平均分子量（Ｍｖ）が１９，０００の回収ＰＣ樹脂（回収ＰＣ２Ｂ）を得た。得られた回収ＰＣ２Ｂ１００質量部にＰＴＦＥ（旭フロロポリマー社製、ＣＤ０７６）０．３質量部、有機金属塩化合物（大日本インキ化学工業社製、メガファックＦ−１１４）０．１質量部、安定化剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、Ｉｒｇｆｏｓ１６８）０．１質量部を添加し、混練後、射出成形にて３．０ｍｍ×１３ｍｍ×１２７ｍｍのバー（バー２Ａ）及び１．５ｍｍ×１３ｍｍ×１２７ｍｍのバー（バー２Ｂ）を所定数作製した。
難燃性評価の結果は、限界酸素指数（バー２Ａで測定）が３３であり、ＵＬ９４の難燃性試験（バー２Ｂで測定）はＶ−１であった。

比較例２
比較例１において得られた回収PC２B８０重量部にABS（日本エイアンドエル社製、ＡＴ-０５）１０重量部、タルク（富士タルク工業社製、ＰＴ−Ａ２５）１０重量部、更にＰＴＦＥ（旭フロロポリマー社製、ＣＤ０７６）０．３質量部、有機金属塩化合物（大日本インキ化学工業社製、メガファックＦ−１１４）０．１質量部、安定化剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、Ｉｒｇｆｏｓ１６８）０．１質量部を添加し、混練後、射出成形にて３．０ｍｍ×１３ｍｍ×１２７ｍｍのバー（バー１Ａ）及び１．５ｍｍ×１３ｍｍ×１２７ｍｍのバー（バー１Ｂ）を所定数作製した。
難燃性評価の結果は、限界酸素指数（バー１Ａで測定）が３１であり、ＵＬ９４の難燃性試験（バー１Ｂで測定）はＶ−２ｏｕｔであった。

Claims

ポリカーボネート樹脂を基板材料とする廃棄及び／又は回収光ディスクから難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料を製造する方法であって、
（ａ）廃棄及び／又は回収光ディスクの基板材料のポリカーボネート樹脂について、ポリカーボネート樹脂の原料の二価フェノールとして２,２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパンを単独原料として重合されたものであるか否かを判別する工程および、
（ｂ）ポリカーボネート樹脂が２,２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパンを単独原料として重合されたものと判定された廃棄及び／又は回収光ディスクのみを分別して、化学的処理により不純物を除去する工程
を有することを特徴とする難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
工程（ａ）に供される廃棄及び／又は回収光ディスクの基板材料のポリカーボネート樹脂について、そのモノマー組成とＯＨ末端分率を測定することにより、ポリカーボネート樹脂の原料の二価フェノールとして２,２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパンを単独原料として重合されたものであるか否かを判別する請求項１に記載の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
工程（ａ）に供される廃棄及び／又は回収光ディスクが粉砕品である請求項１又は２に記載の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
工程（ａ）に供される廃棄及び／又は回収光ディスクが非粉砕品であって、工程（ａ）の前処理工程として、廃棄及び／又は回収光ディスクに偏光板上を通すことにより光ディスクに含まれるポリスチレン製ダミー基板を除去する工程を有する請求項１又は２に記載の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
ポリスチレン製ダミー基板を除去する工程の後に、光ディスクの外観情報により基板材料樹脂が原料の二価フェノールとして２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを単独原料として重合されたものであるか否かを判別し、光ディスクの外観情報により単独原料として重合されたものであることが特定できない光ディスクのみを、基板材料のポリカーボネート樹脂のモノマー組成とＯＨ末端分率を測定することにより、ポリカーボネート樹脂の原料の二価フェノールとして２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを単独原料として重合されたものであるか否かを判別する請求項４に記載の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
工程（ｂ）の化学的処理を行う前に、廃棄及び／又は回収光ディスクを粉砕し、粉砕サイズを０．５〜３ｃｍとする請求項１〜５のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
工程（ｂ）の化学処理によって得られた再生ポリカーボネート原料中の金属の残存量が、アルカリ金属、アルカリ土類系金属および鉄系金属については各金属の残存量が１ｐｐｍ以下、その他金属については各金属の残存量が０．１ｐｐｍ以下である請求項１〜６のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
化学処理がアルカリ処理を含み、該アルカリ処理が、０．１〜２０質量％のアルカリ水溶液で洗浄する処理である、請求項１〜７のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
洗浄温度が１０５〜１３０℃である、請求項８に記載の難燃性樹脂組成物用再生ポリカーボネート原料の製造方法。
請求項８又は９に記載の製造方法によって得られた再生ポリカーボネート原料を含有することを特徴とするポリカーボネート系難燃性樹脂組成物。
請求項１〜９のいずれかに記載の製造方法によって得られた再生ポリカーボネート原料を含有させることを特徴とするポリカーボネート系難燃性樹脂組成物の製造方法。