JP5172565B2 - 多層配線基板の製造方法及び多層配線基板 - Google Patents
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Description
図1は本実施形態を説明するための工程図である。図1中、1,2は絶縁層(絶縁基材)、1aは第一電気回路、3は樹脂皮膜、4は回路溝、5は貫通孔、6はメッキ触媒、7は無電解メッキ膜、である。また、第一電気回路1aの表面の所定の位置には、略円錐状の導体バンプ(導体柱)1bが形成されている。
第2実施形態では、第一電気回路の所定位置に突設された導体柱を埋設させるように絶縁層が形成されてなる、導体柱含有回路基板の他の製造方法について説明する。なお、導体柱含有回路基板の製造以外の各工程は、第1実施形態と同様の工程が用いられうるので、詳しい説明は省略する。
第3実施形態では、第1実施形態及び第2実施形態で説明したように、樹脂皮膜3を形成する前に形成された導電柱を用いる代わりに、樹脂皮膜を剥離して第二電気回路を形成した後に、層間接続部となる導体柱を形成する方法について説明する。なお、第1実施形態及び第2実施形態で説明したと同様の工程については、詳しい説明は省略する。
「膨潤度SW=(m−m’)/m’×100(%)」の式から、膨潤度を算出する。なお、その他の条件は、JIS L1015 8.27(アルカリ膨潤度の測定方法)に準じて行う。このとき、得られる膨潤度は約750%である。
1a 第一電気回路
8,8a,8b,8c,51 第二電気回路
1b,62,82 導体柱(導体バンプ)
3 樹脂皮膜
4,202 回路溝
5,60,80,101,203,304 スルーホール(貫通孔)
6,102,204 メッキ触媒
7 無電解メッキ膜
9,69,79 導体柱含有回路基板
10 多層配線基板
50 回路
53 樹脂皮膜の残渣
61,81,305 スミア
103,306 フォトレジスト層
104 金属配線
105 余分なメッキ膜
110 フォトマスク
200,302 絶縁樹脂層
201 保護膜
205 導電層
Claims (12)
- 第一電気回路の所定位置に突設された導体柱を埋設させるように絶縁層が形成されてなる導体柱含有回路基板の、前記導体柱の突設側の絶縁層表面に樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程と、
前記樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより、少なくとも前記樹脂皮膜の厚み分以上の深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、
前記樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより、前記導体柱を露出させる導体柱露出工程と、
前記露出した導体柱,前記回路溝表面及び前記樹脂皮膜の外表面全体にメッキ触媒を付着させる触媒付着工程と、
前記樹脂皮膜を除去する皮膜除去工程と、
前記皮膜除去工程の後に、前記メッキ触媒が残留する部位に無電解メッキ膜を形成させることにより、第二電気回路を形成するとともに前記導体柱により前記第一電気回路と前記第二電気回路との層間接続を形成するメッキ処理工程と、を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 前記導体柱の露出がレーザー加工により導体柱の頂部の一部を除去させるものである請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記回路溝が前記樹脂皮膜を通過して、前記絶縁層を掘り込むように形成される請求項1または2に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記樹脂皮膜が蛍光性物質を含有するものであり、前記皮膜除去工程の後、前記蛍光性物質からの発光を用いて皮膜除去不良を検査するための検査工程をさらに備える請求項1〜3の何れか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記樹脂皮膜の厚みが10μm以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記樹脂皮膜が、所定の液体に膨潤されることにより前記絶縁層表面から剥離されるような膨潤性樹脂皮膜である請求項1〜5の何れか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記導体柱含有回路基板が、前記第一電気回路の所定位置に予め突設された導体柱の形成面に絶縁層を積層一体化するようにして得られた基板である請求項1〜6の何れか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記導体柱含有回路基板が、前記第一電気回路の所定位置に予め突設された導体柱の形成面に樹脂溶液を塗布した後、硬化させることにより絶縁層を形成して得られた基板である請求項1〜6の何れか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記導体柱含有回路基板が、第一電気回路の表面に絶縁層を形成した後、前記絶縁層の前記第一電気回路の形成面に対する反対面から穴あけ加工することにより、前記第一電気回路を露出させ、露出した前記第一電気回路からメッキ膜を成長形成させることにより穴あけ加工された部分に導体柱を形成することにより得られた基板である請求項1〜6の何れか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- メッキ膜を成長形成させる工程が、穴あけ加工後にデスミア処理した後、露出した前記第一電気回路を電極として、電解メッキによりメッキ膜を成長形成させる工程である請求項9に記載の多層配線基板の製造方法。
- メッキ膜を成長形成させる工程が、穴あけ加工後にデスミア処理した後、露出した前記第一電気回路をメッキ核として、無電解メッキによりメッキ膜を成長形成させる工程である請求項9に記載の多層配線基板の製造方法。
- 請求項1〜11の何れか1項に記載の製造方法により得られた多層配線基板。
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