JP2002217536A - プリント配線板の非貫通孔や貫通孔へのめっき前処理方法 - Google Patents
プリント配線板の非貫通孔や貫通孔へのめっき前処理方法Info
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- JP2002217536A JP2002217536A JP2001014391A JP2001014391A JP2002217536A JP 2002217536 A JP2002217536 A JP 2002217536A JP 2001014391 A JP2001014391 A JP 2001014391A JP 2001014391 A JP2001014391 A JP 2001014391A JP 2002217536 A JP2002217536 A JP 2002217536A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＵＶレーザを直接導体上に照射して貫通孔や
非貫通孔を穿設した場合でも、接続信頼性の高いスルー
ホールやブラインドバイアホールを容易に得ることがで
きるプリント配線板の非貫通孔や貫通孔へのめっき前処
理方法の提供。 【解決手段】 めっき処理の前に、ソフトエッチング処
理し、ＵＶレーザの照射４により孔の開口周辺９に溶融
付着した溶着導体成分１０を除去し、樹脂残膜を露出さ
せる。次いでデスミア処理してその樹脂残膜７を除去す
る。その後更にソフトエッチング処理して導体表面８を
整面する。
非貫通孔を穿設した場合でも、接続信頼性の高いスルー
ホールやブラインドバイアホールを容易に得ることがで
きるプリント配線板の非貫通孔や貫通孔へのめっき前処
理方法の提供。 【解決手段】 めっき処理の前に、ソフトエッチング処
理し、ＵＶレーザの照射４により孔の開口周辺９に溶融
付着した溶着導体成分１０を除去し、樹脂残膜を露出さ
せる。次いでデスミア処理してその樹脂残膜７を除去す
る。その後更にソフトエッチング処理して導体表面８を
整面する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板に
穿設される非貫通孔や貫通孔へのめっき前処理方法に関
する。
穿設される非貫通孔や貫通孔へのめっき前処理方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年の機器の小型・軽量化に伴い、プリ
ント配線板に対する小型・高密度化の要求も高くなって
おり、これに対応する要素の一つに貫通孔並びに非貫通
孔の小径化があり、その加工手段としては、微細な孔明
け加工に優れ、且つ導体上に直接レーザを照射して穿孔
することができる、ＵＶレーザ加工が好適な方法として
実用に供せられている。
ント配線板に対する小型・高密度化の要求も高くなって
おり、これに対応する要素の一つに貫通孔並びに非貫通
孔の小径化があり、その加工手段としては、微細な孔明
け加工に優れ、且つ導体上に直接レーザを照射して穿孔
することができる、ＵＶレーザ加工が好適な方法として
実用に供せられている。
【０００３】そこで、プリント配線板のブラインドバイ
アホール及びスルーホールの形成方法として、ＵＶレー
ザを使用した場合の製造工程を、図２及び図４を用いて
ここに説明する。尚、説明を簡単にするために、説明図
として両面板に形成されるブラインドバイアホール及び
スルーホールの拡大断面図を用いることとし、共通する
部位に関しては同じ符号を付すようにした。
アホール及びスルーホールの形成方法として、ＵＶレー
ザを使用した場合の製造工程を、図２及び図４を用いて
ここに説明する。尚、説明を簡単にするために、説明図
として両面板に形成されるブラインドバイアホール及び
スルーホールの拡大断面図を用いることとし、共通する
部位に関しては同じ符号を付すようにした。
【０００４】最初に図２の工程図に沿って従来のブライ
ンドバイアホールの形成方法を説明する。まず図２
（ａ）に示したように絶縁層１の両面に導体２が積層さ
れた絶縁基板３を用意する。次に、所望とする位置の一
方の導体２上にＵＶレーザ４を直接照射し、前記一方の
導体２及び絶縁層１を除去して、図２（ｂ）に示すよう
に非貫通孔５を形成する。次いでデスミア処理によっ
て、孔内壁をクリーニングするとともに、図２（ｂ）に
示したレーザ加工によって非貫通孔５の孔底部導体６上
に残留した樹脂残膜７を、図２（ｃ）のように除去した
後、レーザ加工によって荒された孔底部導体６の導体粗
面８、及び前記レーザ加工により、前記非貫通孔５の開
口周辺に飛び散った導体２の溶着導体成分１０をソフト
エッチッグ処理によって、図２（ｄ）のように除去す
る。その後、積層板３全体に無電解導体めっき１１、及
び電解導体めっき１２を施すことによって、両面を電気
的に接続し、次いで、外層に回路形成を施すことによっ
て、図２（ｆ）に示したプリント配線板１４のブライン
ドバイアホール１３を得る。
ンドバイアホールの形成方法を説明する。まず図２
（ａ）に示したように絶縁層１の両面に導体２が積層さ
れた絶縁基板３を用意する。次に、所望とする位置の一
方の導体２上にＵＶレーザ４を直接照射し、前記一方の
導体２及び絶縁層１を除去して、図２（ｂ）に示すよう
に非貫通孔５を形成する。次いでデスミア処理によっ
て、孔内壁をクリーニングするとともに、図２（ｂ）に
示したレーザ加工によって非貫通孔５の孔底部導体６上
に残留した樹脂残膜７を、図２（ｃ）のように除去した
後、レーザ加工によって荒された孔底部導体６の導体粗
面８、及び前記レーザ加工により、前記非貫通孔５の開
口周辺に飛び散った導体２の溶着導体成分１０をソフト
エッチッグ処理によって、図２（ｄ）のように除去す
る。その後、積層板３全体に無電解導体めっき１１、及
び電解導体めっき１２を施すことによって、両面を電気
的に接続し、次いで、外層に回路形成を施すことによっ
て、図２（ｆ）に示したプリント配線板１４のブライン
ドバイアホール１３を得る。
【０００５】次に図４の工程図に沿って従来のスルーホ
ールの形成方法を説明する。まず図４（ａ）に示すよう
に前記図２と同様の絶縁基板を用意し、所望とする位置
の導体２上にＵＶレーザ４を直接照射することによって
図４（ｂ）のように貫通孔５′を形成する。次いで、図
４（ｃ）に示したように、デスミア処理によって孔内壁
をクリーニングした後、ソフトエッチング処理によっ
て、図４（ｄ）のように導体２の酸化膜を除去するとと
もにＵＶレーザの照射によって前記貫通孔５′のレーザ
照射側の開口周辺９及び裏面側導体２の孔軸方向に突出
した導体傘部１８に溶融付着した溶着導体成分１０を除
去する。その後、積層板３全体に無電解導体めっき１
１、及び電解導体めっき１２を施すことによって、両面
を電気的に接続し、次いで、外層に回路形成を施すこと
によって、図４（ｆ）に示したプリント配線板１４のス
ルーホール１７を得る。
ールの形成方法を説明する。まず図４（ａ）に示すよう
に前記図２と同様の絶縁基板を用意し、所望とする位置
の導体２上にＵＶレーザ４を直接照射することによって
図４（ｂ）のように貫通孔５′を形成する。次いで、図
４（ｃ）に示したように、デスミア処理によって孔内壁
をクリーニングした後、ソフトエッチング処理によっ
て、図４（ｄ）のように導体２の酸化膜を除去するとと
もにＵＶレーザの照射によって前記貫通孔５′のレーザ
照射側の開口周辺９及び裏面側導体２の孔軸方向に突出
した導体傘部１８に溶融付着した溶着導体成分１０を除
去する。その後、積層板３全体に無電解導体めっき１
１、及び電解導体めっき１２を施すことによって、両面
を電気的に接続し、次いで、外層に回路形成を施すこと
によって、図４（ｆ）に示したプリント配線板１４のス
ルーホール１７を得る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記した製造
工程では以下のような不具合があった。即ち、ＵＶレー
ザの加工エネルギーは、従来上記のような孔明け加工に
主として使用されていたＣＯ2レーザと比較して非常に
高いため、レーザ照射した部位の導体成分及び樹脂成分
が孔５、５′の開口周辺９に飛び散り、図２（ｂ）及び
図４（ｂ）に示したように、前記孔５、５′の開口周辺
９には、樹脂残膜７を内包するように溶着導体成分１０
が付着する。然るに、従来の製造工程のようにレーザ加
工後、単にデスミア及びそれに引き続くソフトエッチン
グ処理を行っただけでは、当該孔５、５′の開口周辺９
に樹脂残膜７が残留してしまう結果、図２（ｅ）及び図
４（ｅ）に示したように、無電解導体めっき工程の際、
非貫通孔５や貫通孔５′の開口周辺９にめっき異常析出
１５が形成されるとともに、前記めっき異常析出１５が
後の電解導体めっき工程時に剥離することによって、図
２（ｆ）及び図４（ｆ）に示しためっきの空洞部である
ボイド１６が発生するという不具合があった。
工程では以下のような不具合があった。即ち、ＵＶレー
ザの加工エネルギーは、従来上記のような孔明け加工に
主として使用されていたＣＯ2レーザと比較して非常に
高いため、レーザ照射した部位の導体成分及び樹脂成分
が孔５、５′の開口周辺９に飛び散り、図２（ｂ）及び
図４（ｂ）に示したように、前記孔５、５′の開口周辺
９には、樹脂残膜７を内包するように溶着導体成分１０
が付着する。然るに、従来の製造工程のようにレーザ加
工後、単にデスミア及びそれに引き続くソフトエッチン
グ処理を行っただけでは、当該孔５、５′の開口周辺９
に樹脂残膜７が残留してしまう結果、図２（ｅ）及び図
４（ｅ）に示したように、無電解導体めっき工程の際、
非貫通孔５や貫通孔５′の開口周辺９にめっき異常析出
１５が形成されるとともに、前記めっき異常析出１５が
後の電解導体めっき工程時に剥離することによって、図
２（ｆ）及び図４（ｆ）に示しためっきの空洞部である
ボイド１６が発生するという不具合があった。
【０００７】本発明は上記不具合を解消するためになさ
れたもので、その目的とするところは、導体上に直接Ｕ
Ｖレーザを照射して穿設された非貫通孔や貫通孔のデス
ミア処理を確実に行うことによって、後の導体めっき工
程での導体めっき異常析出、又はボイドといった不具合
が発生することのない、プリント配線板の非貫通孔や貫
通孔へのめっき前処理方法を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、導体上に直接Ｕ
Ｖレーザを照射して穿設された非貫通孔や貫通孔のデス
ミア処理を確実に行うことによって、後の導体めっき工
程での導体めっき異常析出、又はボイドといった不具合
が発生することのない、プリント配線板の非貫通孔や貫
通孔へのめっき前処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく請
求項１にかかる本発明プリント配線板の非貫通孔へのめ
っき前処理方法は、少なくとも表裏に導体を備えた絶縁
基板の前記導体に直接ＵＶレーザを照射することによっ
て穿設された非貫通孔へのめっき前処理方法であって、
ＵＶレーザの照射により孔の開口周辺に溶融付着した溶
着導体成分をソフトエッチング処理して除去する工程
と、当該ソフトエッチング処理後、ＵＶレーザの照射に
よって孔底部導体上に残留した樹脂残膜及び当該溶着導
体成分の除去により露出した樹脂残膜をデスミア処理し
て除去する工程と、当該デスミア処理後、更にソフトエ
ッチングして当該ＵＶレーザの照射によって荒された当
該孔底部導体上の導体粗面を除去する工程とを有するこ
とを特徴とする。
求項１にかかる本発明プリント配線板の非貫通孔へのめ
っき前処理方法は、少なくとも表裏に導体を備えた絶縁
基板の前記導体に直接ＵＶレーザを照射することによっ
て穿設された非貫通孔へのめっき前処理方法であって、
ＵＶレーザの照射により孔の開口周辺に溶融付着した溶
着導体成分をソフトエッチング処理して除去する工程
と、当該ソフトエッチング処理後、ＵＶレーザの照射に
よって孔底部導体上に残留した樹脂残膜及び当該溶着導
体成分の除去により露出した樹脂残膜をデスミア処理し
て除去する工程と、当該デスミア処理後、更にソフトエ
ッチングして当該ＵＶレーザの照射によって荒された当
該孔底部導体上の導体粗面を除去する工程とを有するこ
とを特徴とする。
【０００９】また請求項２にかかる本発明プリント配線
板の貫通孔へのめっき前処理方法は、少なくとも表裏に
導体を備えた絶縁基板の前記導体に直接ＵＶレーザを照
射することによって穿設された貫通孔へのめっき前処理
方法であって、ＵＶレーザの照射により貫通した孔の当
該ＵＶレーザ照射側の開口周辺及び裏面側導体の孔軸方
向に突出した導体傘部に溶融付着した溶着導体成分をソ
フトエッチング処理して除去する工程と、当該ソフトエ
ッチング処理後、当該溶着導体成分の除去により露出し
た樹脂残膜をデスミア処理して除去する工程と、当該デ
スミア処理後、更にソフトエッチングして裏面側導体の
孔軸方向に突出した当該導体傘部を除去する工程とを有
することを特徴とする。
板の貫通孔へのめっき前処理方法は、少なくとも表裏に
導体を備えた絶縁基板の前記導体に直接ＵＶレーザを照
射することによって穿設された貫通孔へのめっき前処理
方法であって、ＵＶレーザの照射により貫通した孔の当
該ＵＶレーザ照射側の開口周辺及び裏面側導体の孔軸方
向に突出した導体傘部に溶融付着した溶着導体成分をソ
フトエッチング処理して除去する工程と、当該ソフトエ
ッチング処理後、当該溶着導体成分の除去により露出し
た樹脂残膜をデスミア処理して除去する工程と、当該デ
スミア処理後、更にソフトエッチングして裏面側導体の
孔軸方向に突出した当該導体傘部を除去する工程とを有
することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１及び図
３を用いて説明する。
３を用いて説明する。
【００１１】図１はブラインドバイアホールの形成例を
示す工程図であって、まず図１（ａ）に示したように、
ポリイミド、液晶ポリマー、エポキシ系、ＢＴレジン、
弗素系樹脂等の基材から選ばれる絶縁層１の両面に、銅
箔等の導体２が積層された絶縁基板３を用意する。次
に、所望とする位置の一方の導体２上にＵＶレーザ４を
直接照射し、前記一方の導体２及び絶縁層１を除去し
て、図１（ｂ）に示すように非貫通孔５を形成する。次
いで、図１（ｂ）に示したレーザ加工によって非貫通孔
５の開口周辺９に飛び散った導体２の溶着導体成分１０
を、過硫酸アンモニウム系、過水硫酸系、硝酸系、塩酸
系等のソフトエッチング処理によって図１（ｃ）のよう
に除去する。次いで、過マンガン酸系、硫酸系、三酸化
クロム系等のデスミア処理によって孔内壁をクリーニン
グするとともに、図１（ｃ）に示したレーザ加工によっ
て非貫通孔の孔底部導体６に残留した樹脂残膜７及び前
記溶着導体成分１０の除去により露出した樹脂残膜７を
図１（ｄ）のように除去した後、更にソフトエッチング
処理により、外層導体２の酸化膜を除去するとともに、
レーザ加工によって荒された孔底部導体６の導体粗面８
を図１（ｅ）のように整面処理する。その後、積層板３
全体に無電解導体めっき１１、及び電解導体めっき１２
を施すことによって、両面を電気的に接続し、次いで、
外層に回路形成を施すことによって、図１（ｆ）に示し
たプリント配線板１４のブラインドバイアホール１３を
得る。
示す工程図であって、まず図１（ａ）に示したように、
ポリイミド、液晶ポリマー、エポキシ系、ＢＴレジン、
弗素系樹脂等の基材から選ばれる絶縁層１の両面に、銅
箔等の導体２が積層された絶縁基板３を用意する。次
に、所望とする位置の一方の導体２上にＵＶレーザ４を
直接照射し、前記一方の導体２及び絶縁層１を除去し
て、図１（ｂ）に示すように非貫通孔５を形成する。次
いで、図１（ｂ）に示したレーザ加工によって非貫通孔
５の開口周辺９に飛び散った導体２の溶着導体成分１０
を、過硫酸アンモニウム系、過水硫酸系、硝酸系、塩酸
系等のソフトエッチング処理によって図１（ｃ）のよう
に除去する。次いで、過マンガン酸系、硫酸系、三酸化
クロム系等のデスミア処理によって孔内壁をクリーニン
グするとともに、図１（ｃ）に示したレーザ加工によっ
て非貫通孔の孔底部導体６に残留した樹脂残膜７及び前
記溶着導体成分１０の除去により露出した樹脂残膜７を
図１（ｄ）のように除去した後、更にソフトエッチング
処理により、外層導体２の酸化膜を除去するとともに、
レーザ加工によって荒された孔底部導体６の導体粗面８
を図１（ｅ）のように整面処理する。その後、積層板３
全体に無電解導体めっき１１、及び電解導体めっき１２
を施すことによって、両面を電気的に接続し、次いで、
外層に回路形成を施すことによって、図１（ｆ）に示し
たプリント配線板１４のブラインドバイアホール１３を
得る。
【００１２】また、図３はスルーホールの形成例を示す
工程図であって、まず図３（ａ）に示したように、ポリ
イミド、液晶ポリマー、エポキシ系、ＢＴレジン、弗素
樹脂等の基材から選ばれる絶縁層１の両面に、銅箔等の
導体２が積層された絶縁基板３を用意する。次に所望と
する位置の導体２上にＵＶレーザ４を直接照射すること
によって、図３（ｂ）のように貫通孔５′を形成する。
次いで図３（ｂ）に示したレーザ加工によって、前記貫
通孔５′のレーザ照射側の開口周辺９、及び裏面側導体
２の孔軸方向に突出した導体傘部１８に溶融付着した溶
着導体成分１０を、過硫酸アンモニウム系、過水硫酸
系、硝酸系、塩酸系等のソフトエッチング処理によって
図３（ｃ）のように除去する。次いで、過マンガン酸
系、硫酸系、三酸化クロム系等のデスミア処理によっ
て、孔内壁をクリーニングするとともに、図３（ｃ）に
示した前記溶着導体成分１０の除去によって露出した樹
脂残膜７を図３（ｄ）のように除去した後、更にソフト
エッチング処理により、外層導体２の酸化膜を除去する
とともに、前記導体傘部１８を図３（ｅ）のように除去
する。その後、積層板３全体に無電解導体めっき１１、
及び電解導体めっき１２を施すことによって、両面を電
気的に接続し、次いで、外層に回路形成を施すことによ
って、図３（ｆ）に示したプリント配線板１４のスルー
ホール１７を得る。
工程図であって、まず図３（ａ）に示したように、ポリ
イミド、液晶ポリマー、エポキシ系、ＢＴレジン、弗素
樹脂等の基材から選ばれる絶縁層１の両面に、銅箔等の
導体２が積層された絶縁基板３を用意する。次に所望と
する位置の導体２上にＵＶレーザ４を直接照射すること
によって、図３（ｂ）のように貫通孔５′を形成する。
次いで図３（ｂ）に示したレーザ加工によって、前記貫
通孔５′のレーザ照射側の開口周辺９、及び裏面側導体
２の孔軸方向に突出した導体傘部１８に溶融付着した溶
着導体成分１０を、過硫酸アンモニウム系、過水硫酸
系、硝酸系、塩酸系等のソフトエッチング処理によって
図３（ｃ）のように除去する。次いで、過マンガン酸
系、硫酸系、三酸化クロム系等のデスミア処理によっ
て、孔内壁をクリーニングするとともに、図３（ｃ）に
示した前記溶着導体成分１０の除去によって露出した樹
脂残膜７を図３（ｄ）のように除去した後、更にソフト
エッチング処理により、外層導体２の酸化膜を除去する
とともに、前記導体傘部１８を図３（ｅ）のように除去
する。その後、積層板３全体に無電解導体めっき１１、
及び電解導体めっき１２を施すことによって、両面を電
気的に接続し、次いで、外層に回路形成を施すことによ
って、図３（ｆ）に示したプリント配線板１４のスルー
ホール１７を得る。
【００１３】尚、本発明を説明するにあたって、両面に
導体を備えた絶縁基板にブラインドバイアホール及びス
ルーホールを形成する工程図を用いたが、層数としては
この限りでなく、複数層とすることも可能である。
導体を備えた絶縁基板にブラインドバイアホール及びス
ルーホールを形成する工程図を用いたが、層数としては
この限りでなく、複数層とすることも可能である。
【００１４】
【実施例】以下実施例及び比較例を挙げて本発明方法を
更に説明する。
更に説明する。
【００１５】実施例１ ポリイミド樹脂からなる絶縁層の両面に銅箔を備えた両
面銅張り積層板の一方の銅箔上に、直接ＵＶレーザを照
射することによって、他方の銅箔まで達する非貫通孔を
穿設した。この後、過硫酸アンモニウム（２００ｇ／
ｌ）と硫酸（２０ｇ／l）の混合溶液でソフトエッチン
グ処理（常温下、３分）を実施した。次いで、膨潤処理
（８０℃、１分）、過マンガン酸粗化処理（８０℃、１
分）、中和・還元処理（４５℃、５分）の条件でデスミ
ア処理を行った。次いで、前記と同様のソフトエッチン
グ処理を更に行い、常法の酸活性化、プリディップ、キ
ャタライジング、アクセレレーター等の工程を通して、
無電解銅めっき処理を施した。以上の処理によって得ら
れたサンプルのブラインドバイアホール形状を、ＳＥＭ
（電子顕微鏡）により観察した結果、ブラインドバイア
ホールの開口周辺部には、めっき異常析出は見られなか
った。更に、前記サンプルに電解銅めっきを施して得ら
れたブラインドバイアホールを、光学顕微鏡で断面観察
した結果、ブラインドバイアホールの開口周辺部にボイ
ド（めっきの空洞）は見られなかった。
面銅張り積層板の一方の銅箔上に、直接ＵＶレーザを照
射することによって、他方の銅箔まで達する非貫通孔を
穿設した。この後、過硫酸アンモニウム（２００ｇ／
ｌ）と硫酸（２０ｇ／l）の混合溶液でソフトエッチン
グ処理（常温下、３分）を実施した。次いで、膨潤処理
（８０℃、１分）、過マンガン酸粗化処理（８０℃、１
分）、中和・還元処理（４５℃、５分）の条件でデスミ
ア処理を行った。次いで、前記と同様のソフトエッチン
グ処理を更に行い、常法の酸活性化、プリディップ、キ
ャタライジング、アクセレレーター等の工程を通して、
無電解銅めっき処理を施した。以上の処理によって得ら
れたサンプルのブラインドバイアホール形状を、ＳＥＭ
（電子顕微鏡）により観察した結果、ブラインドバイア
ホールの開口周辺部には、めっき異常析出は見られなか
った。更に、前記サンプルに電解銅めっきを施して得ら
れたブラインドバイアホールを、光学顕微鏡で断面観察
した結果、ブラインドバイアホールの開口周辺部にボイ
ド（めっきの空洞）は見られなかった。
【００１６】比較例１ デスミア処理前にソフトエッチング処理を行わなかった
以外は実施例１と同様の処理を施した。得られたサンプ
ルについて実施例１と同様にブラインドバイアホールの
観察を行った。その結果、無電解銅めっき後のＳＥＭ観
察では、ブラインドバイアホールの開口周辺部に、基材
表面から剥離しためっき層（異常析出）が確認され、更
に、電解銅めっき後の光学顕微鏡による断面観察では、
ブラインドバイアホールの開口周辺部にボイド（めっき
の空洞）が確認された。
以外は実施例１と同様の処理を施した。得られたサンプ
ルについて実施例１と同様にブラインドバイアホールの
観察を行った。その結果、無電解銅めっき後のＳＥＭ観
察では、ブラインドバイアホールの開口周辺部に、基材
表面から剥離しためっき層（異常析出）が確認され、更
に、電解銅めっき後の光学顕微鏡による断面観察では、
ブラインドバイアホールの開口周辺部にボイド（めっき
の空洞）が確認された。
【００１７】試験例１ 非貫通孔に代えて貫通孔を穿設してスルーホールを形成
した以外は実施例１、比較例１と同様にしてスルーホー
ルの観察を行った。その結果、比較例１と同様に、デス
ミア処理前にソフトエッチング処理を施さなかったサン
プルでは、スルーホールの開口周辺部にボイドが確認さ
れたが、実施例１と同様にデスミア処理前にソフトエッ
チング処理を施したサンプルでは、ボイドは確認されな
かった。
した以外は実施例１、比較例１と同様にしてスルーホー
ルの観察を行った。その結果、比較例１と同様に、デス
ミア処理前にソフトエッチング処理を施さなかったサン
プルでは、スルーホールの開口周辺部にボイドが確認さ
れたが、実施例１と同様にデスミア処理前にソフトエッ
チング処理を施したサンプルでは、ボイドは確認されな
かった。
【００１８】
【発明の効果】本発明に於ては、ソフトエッチング処理
をした後に、デスミア処理を施しているため、非貫通孔
や貫通孔の開口周辺に飛び散った、導体成分に内包され
た樹脂残膜をも確実に除去することができ、これによ
り、後の導体めっき工程の際、当該樹脂残膜に起因する
めっき異常析出、又はボイドといった不具合を防止する
ことができる。従って、本発明によれば、貫通孔や非貫
通孔の穿孔手段として、直接導体上にＵＶレーザを照射
する工法を用いた場合においても、接続信頼性の高いス
ルーホールやブラインドバイアホールを容易に得ること
ができる。
をした後に、デスミア処理を施しているため、非貫通孔
や貫通孔の開口周辺に飛び散った、導体成分に内包され
た樹脂残膜をも確実に除去することができ、これによ
り、後の導体めっき工程の際、当該樹脂残膜に起因する
めっき異常析出、又はボイドといった不具合を防止する
ことができる。従って、本発明によれば、貫通孔や非貫
通孔の穿孔手段として、直接導体上にＵＶレーザを照射
する工法を用いた場合においても、接続信頼性の高いス
ルーホールやブラインドバイアホールを容易に得ること
ができる。
【図１】本発明方法を説明するための、ブラインドバイ
アホール加工拡大断面工程図。
アホール加工拡大断面工程図。
【図２】従来方法を説明するための、ブラインドバイア
ホール加工拡大断面工程図。
ホール加工拡大断面工程図。
【図３】本発明方法を説明するための、スルーホール加
工拡大断面工程図。
工拡大断面工程図。
【図４】従来方法を説明するための、スルーホール加工
拡大断面工程図。
拡大断面工程図。
１：絶縁層 ２：導体 ３：絶縁基板 ４：ＵＶレーザ ５：非貫通孔 ５′：貫通孔 ６：孔底部導体 ７：樹脂残膜 ８：導体粗面 ９：開口周辺 １０：溶着導体成分 １１：無電解導体めっき １２：電解導体めっき １３：ブラインドバイアホール １４：プリント配線板 １５：めっき異常析出 １６：ボイド １７：スルーホール １８：導体傘部
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも表裏に導体を備えた絶縁基板
の前記導体に直接ＵＶレーザを照射することによって穿
設された非貫通孔へのめっき前処理方法であって、ＵＶ
レーザの照射により孔の開口周辺に溶融付着した溶着導
体成分をソフトエッチング処理して除去する工程と、当
該ソフトエッチング処理後、ＵＶレーザの照射によって
孔底部導体上に残留した樹脂残膜及び当該溶着導体成分
の除去により露出した樹脂残膜をデスミア処理して除去
する工程と、当該デスミア処理後、更にソフトエッチン
グして当該ＵＶレーザの照射によって荒された当該孔底
部導体上の導体粗面を除去する工程とを有することを特
徴とするプリント配線板の非貫通孔へのめっき前処理方
法。 - 【請求項２】 少なくとも表裏に導体を備えた絶縁基板
の前記導体に直接ＵＶレーザを照射することによって穿
設された貫通孔へのめっき前処理方法であって、ＵＶレ
ーザの照射により貫通した孔の当該ＵＶレーザ照射側の
開口周辺及び裏面側導体の孔軸方向に突出した導体傘部
に溶融付着した溶着導体成分をソフトエッチング処理し
て除去する工程と、当該ソフトエッチング処理後、当該
溶着導体成分の除去により露出した樹脂残膜をデスミア
処理して除去する工程と、当該デスミア処理後、更にソ
フトエッチングして裏面側導体の孔軸方向に突出した当
該導体傘部を除去する工程とを有することを特徴とする
プリント配線板の貫通孔へのめっき前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001014391A JP2002217536A (ja) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | プリント配線板の非貫通孔や貫通孔へのめっき前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001014391A JP2002217536A (ja) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | プリント配線板の非貫通孔や貫通孔へのめっき前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217536A true JP2002217536A (ja) | 2002-08-02 |
Family
ID=18881094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001014391A Pending JP2002217536A (ja) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | プリント配線板の非貫通孔や貫通孔へのめっき前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002217536A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082885A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | レーザ加工方法 |
| JP2008060504A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Nippon Mektron Ltd | 両面フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
| CN101657071B (zh) * | 2008-08-21 | 2011-05-11 | 欣兴电子股份有限公司 | 基板的盲孔结构的制作方法 |
-
2001
- 2001-01-23 JP JP2001014391A patent/JP2002217536A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1309527C (zh) * | 2003-03-17 | 2007-04-11 | 三菱电机株式会社 | 激光加工方法 |
| JP2008060504A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Nippon Mektron Ltd | 両面フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
| CN101657071B (zh) * | 2008-08-21 | 2011-05-11 | 欣兴电子股份有限公司 | 基板的盲孔结构的制作方法 |
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