JP4006078B2 - プリント配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線層間を貫通型導体配線部により接続するプリント配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子部品の小型化技術及び配線基板に対する実装技術の進歩に伴い、プリント配線基板を高密度化すると共にコストを低減する必要が生じている。従来、多層プリント配線基板は、基板に設けられた貫通孔（スルーホール）に銅等の導体をメッキして配線層間の接続を行うことにより製造されているが、このような製造方法では、前記高密度化及びコスト低減に対応することが困難になりつつある。
【０００３】
そこで、前記従来の製造方法に代わる技術が検討されており、例えば、特開平６−３４２９７７号公報に開示された製造方法が知られている。前記公報記載の技術は、まず、銅箔等の導電性支持体上の所定位置に銀ペーストを印刷して複数のバンプを形成し、該バンプが形成された銅箔に合成樹脂系シートを積層し、加圧することにより該バンプの先端を該合成樹脂系シートに貫通、露出せしめる。そして、該合成樹脂系シートに銅箔等の第１の導電体層を積層、加圧して、該合成樹脂系シートから露出した前記バンプの先端を第１の導電体層に圧着させることにより、該バンプにより両銅箔を接続する貫通型導体配線部を形成するものである。前記公報記載の技術によれば、次いで、前記導電性支持体及び第１の導電体層を形成する銅箔にエッチングを施して配線パターンを形成することにより、両面型プリント配線基板が得られる。
【０００４】
また、第１の導電体層を前記銅箔に代えて前記両面型プリント配線基板とすれば、該両面型プリント配線基板の表面に形成された配線パターンに前記合成樹脂系シートから露出した前記バンプの先端を圧着させて貫通型導体配線部を形成し、前記導電性支持体を形成する銅箔にエッチングを施して配線パターンを形成する操作を繰り返すことにより、多層プリント配線基板を製造することができる。
【０００５】
前記公報記載の製造方法により得られる多層プリント配線基板では、前記導電性支持体から形成された配線パターンに、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる半導体パッケージ等の電子部品も実装することが充分可能であるが、今後さらなる高密度配線パターンへの実装が要求されており、より接続信頼性の高い多層プリント配線基板が求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる事情に鑑み、ＢＧＡやＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージ等の電子部品を実装したときに、さらに高い接続信頼性を得ることができるプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明の製造方法は、シート状の導電性支持体上の所定位置に導電性ペーストからなる複数のバンプを形成する工程と、該バンプが形成された導電性支持体に合成樹脂系シートを積層して加圧することにより該バンプの先端を該合成樹脂系シートに貫通、露出せしめる工程と、該合成樹脂系シートに第１の導電体層を積層して加圧することにより該合成樹脂系シートから露出した該バンプの先端を第１の導電体層に圧着せしめ、該バンプにより該導電性支持体と第１の導電体層とを接続する貫通型導体配線部を形成する工程とを備える。
【０００８】
本発明のプリント配線基板の製造方法によれば、まず、銅箔等のシート状の導電性支持体上の所定位置に導電性ペーストからなる複数のバンプを形成する。前記導電性ペーストとしては、銀、金、銅、半田、ニッケル、カーボン等の導電性粉末もしくは繊維状のフィラーと、バインダー成分とを、さらに粘度調整用の溶剤、カップリング剤等と混合して調製された導電性組成物を用いることができる。前記導電性ペーストは、比較的厚いメタルマスク等を介して、前記導電性支持体上に印刷することにより前記バンプを形成する。
【０００９】
前記バンプが形成された導電性支持体は、次に、合成樹脂系シートを積層して加圧することにより、該バンプの先端が該合成樹脂系シートに貫通、露出せしめられる。前記合成樹脂系シートは絶縁体であり、熱可塑性樹脂フィルムまたは硬化前の状態に保持されている熱硬化性樹脂フィルムにガラスクロスや有機合成繊維布等を組み合わせてなるプリプレグ系シートを用いることができる。前記プリプレグ系シートは、前記バンプの貫通を容易にするために、前記ガラスクロスや有機合成繊維布のクロスのピッチを前記バンプの径よりも大きく設定することが望ましい。前記プリプレグ系シートに用いられる熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、４フッ化ポリエチレン樹脂、６フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂等を挙げることができる。また、前記硬化前の状態に保持されている熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリエステルメラミン樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリサルフォン樹脂、芳香族ポリエステル系液晶ポリマー等を挙げることができる。
【００１０】
本発明のプリント配線基板の製造方法では、次に、前記合成樹脂系シートに第１の導電体層を積層して加圧することにより前記合成樹脂系シートから露出した該バンプの先端を第１の導電体層に圧着せしめ、前記バンプにより前記導電性支持体と第１の導電体層とを接続する貫通型導体配線部を形成する。
【００１１】
ところで、本発明者らの検討によれば、前記導電性支持体と前記バンプとの接着力は、前記バンプが前記導電性支持体表面の凹凸に嵌合する効果と、前記嵌合によって、前記バンプ成分である導電性の金属粉末等が前記導電性支持体の金属表面に食い込み、擬似的な金属結合を形成することによるものと考えられる。前記接着力は比較的強く、このため前記導電性支持体にエッチングを施して形成された配線パターンにＢＧＡやＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージ等の電子部品を実装することが可能である。しかし、今後のさらなる高密度な実装を行うには、前記導電性支持体と前記バンプとの接続信頼性を高める必要があると考えられる。
【００１２】
そこで、本発明は、導電性支持体の少なくとも一部を剥離して前記貫通型導体配線部を形成するバンプの基部の一部を露出せしめ、該バンプが露出せしめられている側の面にメッキを施して第２の導電体層を形成するものである。このようにすることにより、前記バンプの露出面に前記メッキにより第２の導電体層が形成され、前記導電性支持体は第２の導電体層を介して前記バンプと接続されることになる。このとき、前記バンプと前記メッキとの間では、前記導電性支持体と前記バンプとの間の接着強度よりも大きな接着強度が得られる。
【００１３】
また、本発明では、前記導電性支持体にエッチング処理を施して、前記貫通型導体配線部に接続する配線パターンを形成することにより、複数の配線層が前記貫通型導体配線部により接続されたプリント配線基板を得ることができる。前記第２の導電体層の形成と、前記導電性支持体のエッチング処理による配線パターンの形成とは、前記導電性支持体の少なくとも一部を剥離して前記貫通型導体配線部を形成するバンプの基部の一部を露出せしめた後であれば、どちらを先に行ってもよい。
本発明において、前記導電性支持体のエッチング処理による配線パターンの形成を先に行う場合には、該導電性支持体の少なくとも一部を剥離して前記貫通型導体配線部を形成するバンプの基部の一部を露出せしめる工程と、該導電性支持体にエッチング処理を施して、該貫通型導体配線部に接続する配線パターンを形成する工程と、該バンプが露出せしめられている側の全面にメッキを施して第２の導電体層を形成する工程と、該第２の導電体層に前記バンプ及び配線パターン上の部分を残置し、他の部分を除去するエッチング処理を施す工程とを備えることにより、前記配線パターンが第２の導電体層を介して前記バンプと接続されている多層プリント配線基板を得ることができる。
また、本発明において、前記第２の導電体層の形成後に前記導電性支持体にエッチング処理を施して前記配線パターンを形成する場合には、第２の導電体層を前記バンプが露出せしめられている側の面の全面にメッキを施して形成し、第２の導電体層のエッチング処理と同時に、前記導電性支持体のエッチング処理を施すことにより前記配線パターンを形成することができる。
【００１４】
この結果、本発明によれば、前記配線パターンが第２の導電体層を介して前記バンプと接続されている多層プリント配線基板が得られ、前記第２の導電体層は前記バンプとの間で大きな接着強度を備えるので、今後のさらなるＢＧＡやＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージ等の電子部品の実装時の熱衝撃によっても、第２の導電体層と前記バンプとの間の接着が保持され、今まで以上に高い接続信頼性が得られる。
【００１５】
本発明において、前記第１の導電体層は、他の配線基板等の表面に設けられている配線パターンでもよく、前記導電性支持体と同様の銅箔等の金属箔でもよい。
【００１６】
前記第１の導電体層として前記他の配線基板の配線パターンを用いるときには、前記導電性支持体が前記貫通型導体配線部を介して該配線基板の配線パターンと接続される。従って、本発明の製造方法によれば、前記他の配線基板として、スルーホールまたはインターステイシャルバイアホールにより配線層間の接続を行う従来の多層プリント配線基板等を用いることにより、前記バンプから形成される貫通型導体配線部と、スルーホールまたはインターステイシャルバイアホールとが混在する多層プリント配線基板を構成することができる。
【００１７】
また、前記第１の導電体層として前記金属箔を用いるときには、該金属箔に配線パターンを形成することにより両面型プリント配線基板とすることができ、該両面型プリント配線基板を前記第１の導電体層として本発明の製造方法を繰り返すことにより、配線パターンが隣接する層毎に前記バンプから形成される貫通型導体配線部で接続されている多層プリント配線基板を構成することができる。
【００１８】
本発明において、前記バンプの基部の一部を露出せしめるための前記導電性支持体の剥離は、該導電性支持体にエッチングを施す等の手段により行うことができる。また、前記導電性支持体の剥離を該導電性支持体のエッチングより行う場合には、該エッチングと同時に前記配線パターンの形成を行うことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。図１乃至図５は本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図、図６乃至図８は本実施形態の製造方法の要部を拡大して示す説明的断面図、図９及び図１０は本実施形態の剥離強度試験の方法を示す説明的断面図である。また、図１１乃至図１３は本発明の第２の実施形態の製造方法の説明的断面図である。
【００２４】
次に、本発明の第１の実施形態の製造方法について説明する。
【００２５】
本実施形態の製造方法では、まず、図１示のように、銅箔１を導電性支持体として、銅箔１の所定位置に複数のバンプ２を形成する。前記バンプ２は、銅箔１に積層された所定位置に貫通孔を備えるメタルマスク等を介して銀ペーストをスクリーン印刷した後、乾燥することにより形成される。前記銀ペーストは銀の粉末とバインダー成分とを混合して調製されたものを用いる。尚、銅箔１は厚さ１８μｍ、３７０ｍｍ×５４０ｍｍであり、バンプ２はφ０．１５、高さ１５０μｍである。
【００２６】
次に、図２示のように、前記バンプ２が形成された銅箔１に、エポキシ樹脂にガラスクロスが組み合わされた厚さ３０μｍのプリプレグ系シート３を積層し、加圧して、バンプ２の先端をプリプレグ系シート３に貫通、露出せしめる。
【００２７】
次に、図３示のように、プリプレグ系シート３が積層された銅箔１を、バンプ２が露出している側の面で、多層プリント配線基板５に積層する。多層プリント配線基板５は、厚さ６００μｍのガラスクロスを含むエポキシ樹脂基材６の表裏両面に厚さ１８μｍの銅箔から配線パターン７ａ，７ｂが形成されており、さらに銅箔１と反対側に厚さ６０μｍのプリプレグ系シート８が積層される。プリプレグ系シート８は、その表面に厚さ１８μｍの銅箔から形成された配線パターン９を備えている。多層プリント配線基板５の各配線パターン７ａ，７ｂ，９は、銅箔上にフォトマスクを形成してエッチング処理を施したのち、該フォトマスクを除去する従来公知の方法により形成することができ、内壁に銅メッキが施されたスルーホールまたはインターステイシャルバイアホール（図示せず）により接続されている。
【００２８】
次いで、前記プリプレグ系シート３が積層された銅箔１と、多層プリント配線基板５とを、金属製治具に挟持した状態で多層プレス機に装着し、真空中にて加熱プレスする。この結果、図４示のように、プリプレグ系シート３から露出したバンプ２の先端が多層プリント配線基板５の配線パターン７ａに圧着され、バンプ２により、銅箔１と配線パターン７ａとを接続する貫通型導体配線部１０が形成された４層プリント配線基板の予備成形体１１が得られる。
【００２９】
予備成形体１１は、前記多層プレス機から取り出された後、Ｘ線カメラで位置合わせをして、ドリルにより基準孔（図示せず）が設けられる。前記基準孔は、得られた基板に、後工程でＮＣドリル穴あけ機により貫通孔を設ける際または露光機に取り付ける際に用いられる。前記基準孔が設けられた予備成形体１１は、次いで図５示のように銅箔１から配線パターン１２が形成され、４層プリント配線基板１３に加工される。
【００３０】
次に、予備成形体１１に配線パターン１２を形成する手段について、詳しく説明する。
【００３１】
予備成形体１１に配線パターン１２を形成するときには、まず、エッチングにより銅箔１の一部を除去し、図６に拡大して示す様に、貫通型導体配線部１０を形成するバンプ２の基部２ａを露出させると同時に、配線パターン１２を形成する。
【００３２】
前記エッチングは、研磨材で研磨、水洗された銅箔１の表面に感光材料を熱圧着し、紫外線を照射して該感光材料を感光させ、現像してフォトマスクを形成したのち、該フォトマスクで保護された部分以外の銅箔１を塩化第二銅水溶液に溶解させて除去することにより行う。前記研磨は銅箔１に対する前記感光材料の密着性を向上させるために行うものであり、前記研磨材としてはペーパーまたはバフを用いることができる。前記感光材料は、保護フィルムに挟まれており、銅箔１に熱圧着される。また、前記感光材料の現像は、前記紫外線による感光後、炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、次いで水洗して、未感光部分を除去することにより行う。
【００３３】
本実施形態では、次に、予備成形体１１にスルーホール（図示せず）を穿設する。前記スルーホールは、予備成形体１１の上下を治具で挟持し、前記基準孔に位置決めピンを差し込むことにより、超鋼製ドリルを用いるＮＣ穴明け機で所定の位置に穿設することができる。
【００３４】
次に、前記スルーホールが穿設された予備成形体１１に銅メッキを施すことにより、図７示のように、予備成形体１１のバンプ２の基部２ａが露出されている側の面の全面と、前記スルーホール内とに銅メッキ層１４を形成する。予備成形体１１において、配線パターン１２は図６示のように貫通型導体配線部１０により配線パターン７ａと接続されているが、配線パターン７ｂ，９とは直接には接続されていない。そこで、前記スルーホールの内壁に銅メッキを施すことにより、配線パターン１２を配線パターン７ｂ，９と直接接続することができるようになり、配線の設計自由度を向上させることができる。
【００３５】
前記銅メッキは、配線パターン１２の表面を洗浄し、前記スルーホール穿設の際のバリを除去し、該スルーホール内を研磨材で研磨、水洗した後、デスミア処理、前処理、無電解銅メッキ処理、電解銅メッキ処理の順で行う。
【００３６】
前記デスミア処理は、前記スルーホール穿設の際の切削熱により溶融した樹脂の切粉が前記スルーホールの内壁に付着、固化してできたスミアを除去する処理である。前記デスミア処理は、予備成形体１１を膨潤液に浸漬した後、湯洗し、過マンガン酸カリ溶液に前記スミアを溶解させて除去する。そして、水洗後、予備成形体１１に付着した二酸化マンガンを除去する。
【００３７】
前記前処理は、脱脂剤で予備成形体１１の表面及び前記スルーホール内を脱脂、洗浄した後、湯洗し、ソフトエッチング剤で予備成形体１１及び前記スルーホール表面の酸化被膜を除去する。次いで、プリディップにより前記エッチング液（塩化第二銅溶液）の残滓（スマット）を除去し、パラジウム化合物溶液で処理し、無電解メッキの核を生成させるためのパラジウム化合物をプリプレグ系シート３の表面に付着させ、水洗する。
【００３８】
前記無電解銅メッキは、還元剤により前記パラジウム化合物を還元して無電解メッキの核となるパラジウムを生成させ、前記還元剤を水洗、除去したのち、予備成形体１１を無電解メッキ浴に浸漬する。前記無電解メッキ浴は、硫酸銅、ホルマリン、水酸化ナトリウム、キレート剤、界面活性剤からなり、ホルマリンにより硫酸銅を還元して銅を析出させる。
【００３９】
この結果、予備成形体１１の配線パターン１２が設けられている側の面の全面と、前記スルーホール内とに銅メッキ層１４が形成される。銅メッキ層１４が形成された予備成形体１１は水洗され、前記無電解メッキ浴の残滓が除去される。
【００４０】
前記電解銅メッキは、銅メッキ層１４の厚付けのために行うものであり、電解メッキ浴に予備成形体１１を浸漬し、銅メッキ層１４を陰極とし、含リン銅からなる陽極との間に電流を通電して行う。前記電解メッキ浴は、硫酸銅、硫酸、塩素イオン、添加剤を含むものが用いられる。前記電解銅メッキ終了後、予備成形体１１は水洗され、前記電解メッキ浴の残滓が除去される。
【００４１】
次に、銅メッキ層１４が形成された予備成形体１１にエッチング処理を施し、図８示のように、バンプ２の基部２ａの露出面上及び配線パターン１２上に銅メッキ層１４を残置し、他の部分を除去することにより、配線パターン１２が銅メッキ層１４を介してバンプ２と接続された４層プリント配線基板１３が得られる。前記エッチング処理は、バンプ２の基部２ａの露出面上に銅メッキ層１４を残置することを除いて、前記銅箔１のエッチング処理と同一の方法で行うことができる。
【００４２】
本実施形態では、さらに、４層プリント配線基板１３に感光剤（ドライフィルム）を熱圧着し、露光、現像後、第２次の銅メッキ及び半田メッキを施し、ドライフィルム剥離、エッチング処理、半田メッキ剥離後、レジスト層を設けたのち規定の寸法に切断することにより、４層プリント配線基板１３を完成する。
【００４３】
次に、銅箔１及び銅メッキ層１４のバンプ２に対する接着強度を比較する実験を示す。
【００４４】
本実験では、図９示のように、前記実施形態で使用したものと同一の銅箔１上にバンプ２と同一組成の銀ペースト層１５を設け、銀ペースト層１５を前記実施形態で使用したものと同一のガラスクロスを含むエポキシ樹脂基材６に、前記実施形態で使用したものと同一の多層プレス機により真空中にて加熱プレスして積層したサンプルＡを用意した。また、図１０示のように、前記実施形態で使用したものと同一のガラスクロスを含むエポキシ樹脂基材６上にバンプ２と同一組成の銀ペースト層１５を設け、銀ペースト層１５上に前記実施形態と同一の方法により銅メッキ層１４を設けたサンプルＢを用意した。
【００４５】
次に、ＪＩＳ Ｃ６４８１の５，７に定める「引きはがし強さ」の試験方法に従って、サンプルＡにおける銅箔１の銀ペースト層１５に対する剥離強度と、サンプルＢにおける銅メッキ層１４の銀ペースト層１５に対する剥離強度とを測定した。結果を表１に示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】
表１から、本発明に従うサンプルＢによれば、サンプルＡよりも剥離強度が大きく、銅メッキ層１４は銅箔１よりも銀ペースト層１５との間の接着強度が大きいことが明らかである。尚、本実験はバンプを有するプリント基板とは層構成及び接着形態が異なっており、プリント基板としての「引き剥がし強さ」を測定したものではない。
【００４８】
次に、ランド径０．３ｍｍ、バンプ径０．１５ｍｍ、ランド間のピッチ０．５ｍｍで設計した本実施形態の４層プリント配線基板１３と、銅箔１に単にエッチングを施して配線パターン１２を形成しただけの従来の４層プリント配線基板とを、前記配線パターン１２が形成されている側の面で溶融した半田（２６０℃）に浸漬し、前記半田の熱衝撃による接続抵抗の上昇率を比較した結果を表２に示す。
【００４９】
【表２】
【００５０】
表２から、本実施形態の４層プリント配線基板１３は、従来の基板に対して、抵抗上昇率が低く、さらに高密度なＢＧＡやＣＳＰ等の半導体パッケージ等の電子部品の実装時に生じる熱衝撃に耐えて、接続抵抗の上昇が少ない信頼性の高い基板が得られると考えられる。
【００５１】
次に、本発明の第２の実施形態の製造方法について説明する。
【００５２】
本実施形態では、図２示のプリプレグ系シート３が積層された銅箔１をバンプ２が露出している側の面で銅箔１６に積層し、金属製治具に挟持した状態で多層プレス機に装着し、真空中にて加熱プレスする。この結果、図１１示のように、プリプレグ系シート３から露出したバンプ２の先端が銅箔１６に圧着され、バンプ２により、銅箔１と銅箔１６とを接続する貫通型導体配線部１０が形成された両面プリント配線基板の予備成形体１７が得られる。
【００５３】
次に、予備成形体１７に前記第１の実施形態と同一の方法によりエッチングを施して銅箔１の一部を除去し、図６に拡大して示す様に、貫通型導体配線部１０を形成するバンプ２の基部２ａを露出させると同時に、配線パターン１２を形成する。また、前記と同一の方法により、予備成形体１７にエッチングを施して銅箔１６の一部を除去し、貫通型導体配線部１０を形成するバンプ２の銅箔１６に圧着されている先端部を露出させると同時に、配線パターン１８を形成する。
【００５４】
次に、前記予備成形体１７に前記第１の実施形態と同一の方法により銅メッキを施し、次いでエッチング処理を施すことにより、図１２示のように、プリプレグ系シート３の両面に形成された配線パターン１２，１８が、貫通型導体配線部１０により接続されている両面プリント配線基板１９が得られる。尚、両面プリント配線基板１９では、図８示のように、配線パターン１２，１８が銅メッキ層１４を介してバンプ２と接続されている。
【００５５】
次に、両面プリント配線基板１９は、前記第１の実施形態と同一の方法により、感光剤（ドライフィルム）を熱圧着し、露光、現像後、第２次の銅メッキ及び半田メッキを施し、ドライフィルム剥離、エッチング処理、半田メッキ剥離後、レジスト層を設けたのち規定の寸法に切断することにより、完成される。
【００５６】
本実施形態では、前記銅箔１６に代えて両面プリント配線基板１９を用い、前記操作を繰り返すことにより、図１３示のように、隣接する配線パターン１２，１８，２０が貫通型導体配線部１０により接続されている３層プリント配線基板２１を構成することができる。また、同様にして、さらに多層のプリント配線基板を構成することができる。
【００５７】
尚、前記各実施態様では、前記バンプ２の基部２ａが露出されている側の面の全面に銅メッキ層１４を形成する様にしているが、銅メッキ層１４は、バンプ２の露出面と配線パターン１２とを接続する部分だけに設けるようにしてもよい。
【００５８】
また、前記各実施態様では、銅箔１の一部を除去して、貫通型導体配線部１０を形成するバンプ２の基部２ａを露出させると同時に、配線パターン１２を形成するようにしているが、バンプ２の基部２ａを露出させ、バンプ２の基部２ａが露出されている側の面に銅メッキ層１４を形成した後に配線パターン１２を形成するようにしてもよい。この場合、前記銅メッキ層１４がバンプ２の基部２ａが露出されている側の面の全面に形成されるときには、銅メッキ層１４のメッキ処理と同時に銅箔１にもメッキ処理を施して、配線パターン１２を形成する。また、前記銅メッキ層１４がバンプ２の基部２ａが露出されている側の面のバンプ２の露出面と配線パターン１２とを接続する部分だけに形成されるときには、銅メッキ層１４の形成後に銅箔１にメッキ処理を施して、配線パターン１２を形成する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図４】本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図５】本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図６】第１の実施形態の製造方法の要部を拡大して示す説明的断面図。
【図７】第１の実施形態の製造方法の要部を拡大して示す説明的断面図。
【図８】第１の実施形態の製造方法の要部を拡大して示す説明的断面図。
【図９】銀ペーストに対する金属箔の剥離強度試験の方法を示す説明的断面図。
【図１０】銀ペーストに対するメッキ層の剥離強度試験の方法を示す説明的断面図。
【図１１】本発明の第２の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図１２】本発明の第２の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図１３】本発明の第２の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【符号の説明】
１…導電性支持体、 ２…バンプ、 ２ａ…バンプの基部、 ３…合成樹脂系シート、 ５，１６…第１の導電体層、 １０…貫通型導体配線部、 １２，１８，２０…配線パターン、 １３，１９，２１…プリント配線基板、 １４…第１の導電体層。
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線層間を貫通型導体配線部により接続するプリント配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子部品の小型化技術及び配線基板に対する実装技術の進歩に伴い、プリント配線基板を高密度化すると共にコストを低減する必要が生じている。従来、多層プリント配線基板は、基板に設けられた貫通孔（スルーホール）に銅等の導体をメッキして配線層間の接続を行うことにより製造されているが、このような製造方法では、前記高密度化及びコスト低減に対応することが困難になりつつある。
【０００３】
そこで、前記従来の製造方法に代わる技術が検討されており、例えば、特開平６−３４２９７７号公報に開示された製造方法が知られている。前記公報記載の技術は、まず、銅箔等の導電性支持体上の所定位置に銀ペーストを印刷して複数のバンプを形成し、該バンプが形成された銅箔に合成樹脂系シートを積層し、加圧することにより該バンプの先端を該合成樹脂系シートに貫通、露出せしめる。そして、該合成樹脂系シートに銅箔等の第１の導電体層を積層、加圧して、該合成樹脂系シートから露出した前記バンプの先端を第１の導電体層に圧着させることにより、該バンプにより両銅箔を接続する貫通型導体配線部を形成するものである。前記公報記載の技術によれば、次いで、前記導電性支持体及び第１の導電体層を形成する銅箔にエッチングを施して配線パターンを形成することにより、両面型プリント配線基板が得られる。
【０００４】
また、第１の導電体層を前記銅箔に代えて前記両面型プリント配線基板とすれば、該両面型プリント配線基板の表面に形成された配線パターンに前記合成樹脂系シートから露出した前記バンプの先端を圧着させて貫通型導体配線部を形成し、前記導電性支持体を形成する銅箔にエッチングを施して配線パターンを形成する操作を繰り返すことにより、多層プリント配線基板を製造することができる。
【０００５】
前記公報記載の製造方法により得られる多層プリント配線基板では、前記導電性支持体から形成された配線パターンに、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる半導体パッケージ等の電子部品も実装することが充分可能であるが、今後さらなる高密度配線パターンへの実装が要求されており、より接続信頼性の高い多層プリント配線基板が求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる事情に鑑み、ＢＧＡやＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージ等の電子部品を実装したときに、さらに高い接続信頼性を得ることができるプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明の製造方法は、シート状の導電性支持体上の所定位置に導電性ペーストからなる複数のバンプを形成する工程と、該バンプが形成された導電性支持体に合成樹脂系シートを積層して加圧することにより該バンプの先端を該合成樹脂系シートに貫通、露出せしめる工程と、該合成樹脂系シートに第１の導電体層を積層して加圧することにより該合成樹脂系シートから露出した該バンプの先端を第１の導電体層に圧着せしめ、該バンプにより該導電性支持体と第１の導電体層とを接続する貫通型導体配線部を形成する工程とを備える。
【０００８】
本発明のプリント配線基板の製造方法によれば、まず、銅箔等のシート状の導電性支持体上の所定位置に導電性ペーストからなる複数のバンプを形成する。前記導電性ペーストとしては、銀、金、銅、半田、ニッケル、カーボン等の導電性粉末もしくは繊維状のフィラーと、バインダー成分とを、さらに粘度調整用の溶剤、カップリング剤等と混合して調製された導電性組成物を用いることができる。前記導電性ペーストは、比較的厚いメタルマスク等を介して、前記導電性支持体上に印刷することにより前記バンプを形成する。
【０００９】
前記バンプが形成された導電性支持体は、次に、合成樹脂系シートを積層して加圧することにより、該バンプの先端が該合成樹脂系シートに貫通、露出せしめられる。前記合成樹脂系シートは絶縁体であり、熱可塑性樹脂フィルムまたは硬化前の状態に保持されている熱硬化性樹脂フィルムにガラスクロスや有機合成繊維布等を組み合わせてなるプリプレグ系シートを用いることができる。前記プリプレグ系シートは、前記バンプの貫通を容易にするために、前記ガラスクロスや有機合成繊維布のクロスのピッチを前記バンプの径よりも大きく設定することが望ましい。前記プリプレグ系シートに用いられる熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、４フッ化ポリエチレン樹脂、６フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂等を挙げることができる。また、前記硬化前の状態に保持されている熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリエステルメラミン樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリサルフォン樹脂、芳香族ポリエステル系液晶ポリマー等を挙げることができる。
【００１０】
本発明のプリント配線基板の製造方法では、次に、前記合成樹脂系シートに第１の導電体層を積層して加圧することにより前記合成樹脂系シートから露出した該バンプの先端を第１の導電体層に圧着せしめ、前記バンプにより前記導電性支持体と第１の導電体層とを接続する貫通型導体配線部を形成する。
【００１１】
ところで、本発明者らの検討によれば、前記導電性支持体と前記バンプとの接着力は、前記バンプが前記導電性支持体表面の凹凸に嵌合する効果と、前記嵌合によって、前記バンプ成分である導電性の金属粉末等が前記導電性支持体の金属表面に食い込み、擬似的な金属結合を形成することによるものと考えられる。前記接着力は比較的強く、このため前記導電性支持体にエッチングを施して形成された配線パターンにＢＧＡやＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージ等の電子部品を実装することが可能である。しかし、今後のさらなる高密度な実装を行うには、前記導電性支持体と前記バンプとの接続信頼性を高める必要があると考えられる。
【００１２】
そこで、本発明は、導電性支持体の少なくとも一部を剥離して前記貫通型導体配線部を形成するバンプの基部の一部を露出せしめ、該バンプが露出せしめられている側の面にメッキを施して第２の導電体層を形成するものである。このようにすることにより、前記バンプの露出面に前記メッキにより第２の導電体層が形成され、前記導電性支持体は第２の導電体層を介して前記バンプと接続されることになる。このとき、前記バンプと前記メッキとの間では、前記導電性支持体と前記バンプとの間の接着強度よりも大きな接着強度が得られる。
【００１３】
また、本発明では、前記導電性支持体にエッチング処理を施して、前記貫通型導体配線部に接続する配線パターンを形成することにより、複数の配線層が前記貫通型導体配線部により接続されたプリント配線基板を得ることができる。前記第２の導電体層の形成と、前記導電性支持体のエッチング処理による配線パターンの形成とは、前記導電性支持体の少なくとも一部を剥離して前記貫通型導体配線部を形成するバンプの基部の一部を露出せしめた後であれば、どちらを先に行ってもよい。
本発明において、前記導電性支持体のエッチング処理による配線パターンの形成を先に行う場合には、該導電性支持体の少なくとも一部を剥離して前記貫通型導体配線部を形成するバンプの基部の一部を露出せしめる工程と、該導電性支持体にエッチング処理を施して、該貫通型導体配線部に接続する配線パターンを形成する工程と、該バンプが露出せしめられている側の全面にメッキを施して第２の導電体層を形成する工程と、該第２の導電体層に前記バンプ及び配線パターン上の部分を残置し、他の部分を除去するエッチング処理を施す工程とを備えることにより、前記配線パターンが第２の導電体層を介して前記バンプと接続されている多層プリント配線基板を得ることができる。
また、本発明において、前記第２の導電体層の形成後に前記導電性支持体にエッチング処理を施して前記配線パターンを形成する場合には、第２の導電体層を前記バンプが露出せしめられている側の面の全面にメッキを施して形成し、第２の導電体層のエッチング処理と同時に、前記導電性支持体のエッチング処理を施すことにより前記配線パターンを形成することができる。
【００１４】
この結果、本発明によれば、前記配線パターンが第２の導電体層を介して前記バンプと接続されている多層プリント配線基板が得られ、前記第２の導電体層は前記バンプとの間で大きな接着強度を備えるので、今後のさらなるＢＧＡやＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージ等の電子部品の実装時の熱衝撃によっても、第２の導電体層と前記バンプとの間の接着が保持され、今まで以上に高い接続信頼性が得られる。
【００１５】
本発明において、前記第１の導電体層は、他の配線基板等の表面に設けられている配線パターンでもよく、前記導電性支持体と同様の銅箔等の金属箔でもよい。
【００１６】
前記第１の導電体層として前記他の配線基板の配線パターンを用いるときには、前記導電性支持体が前記貫通型導体配線部を介して該配線基板の配線パターンと接続される。従って、本発明の製造方法によれば、前記他の配線基板として、スルーホールまたはインターステイシャルバイアホールにより配線層間の接続を行う従来の多層プリント配線基板等を用いることにより、前記バンプから形成される貫通型導体配線部と、スルーホールまたはインターステイシャルバイアホールとが混在する多層プリント配線基板を構成することができる。
【００１７】
また、前記第１の導電体層として前記金属箔を用いるときには、該金属箔に配線パターンを形成することにより両面型プリント配線基板とすることができ、該両面型プリント配線基板を前記第１の導電体層として本発明の製造方法を繰り返すことにより、配線パターンが隣接する層毎に前記バンプから形成される貫通型導体配線部で接続されている多層プリント配線基板を構成することができる。
【００１８】
本発明において、前記バンプの基部の一部を露出せしめるための前記導電性支持体の剥離は、該導電性支持体にエッチングを施す等の手段により行うことができる。また、前記導電性支持体の剥離を該導電性支持体のエッチングより行う場合には、該エッチングと同時に前記配線パターンの形成を行うことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。図１乃至図５は本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図、図６乃至図８は本実施形態の製造方法の要部を拡大して示す説明的断面図、図９及び図１０は本実施形態の剥離強度試験の方法を示す説明的断面図である。また、図１１乃至図１３は本発明の第２の実施形態の製造方法の説明的断面図である。
【００２４】
次に、本発明の第１の実施形態の製造方法について説明する。
【００２５】
本実施形態の製造方法では、まず、図１示のように、銅箔１を導電性支持体として、銅箔１の所定位置に複数のバンプ２を形成する。前記バンプ２は、銅箔１に積層された所定位置に貫通孔を備えるメタルマスク等を介して銀ペーストをスクリーン印刷した後、乾燥することにより形成される。前記銀ペーストは銀の粉末とバインダー成分とを混合して調製されたものを用いる。尚、銅箔１は厚さ１８μｍ、３７０ｍｍ×５４０ｍｍであり、バンプ２はφ０．１５、高さ１５０μｍである。
【００２６】
次に、図２示のように、前記バンプ２が形成された銅箔１に、エポキシ樹脂にガラスクロスが組み合わされた厚さ３０μｍのプリプレグ系シート３を積層し、加圧して、バンプ２の先端をプリプレグ系シート３に貫通、露出せしめる。
【００２７】
次に、図３示のように、プリプレグ系シート３が積層された銅箔１を、バンプ２が露出している側の面で、多層プリント配線基板５に積層する。多層プリント配線基板５は、厚さ６００μｍのガラスクロスを含むエポキシ樹脂基材６の表裏両面に厚さ１８μｍの銅箔から配線パターン７ａ，７ｂが形成されており、さらに銅箔１と反対側に厚さ６０μｍのプリプレグ系シート８が積層される。プリプレグ系シート８は、その表面に厚さ１８μｍの銅箔から形成された配線パターン９を備えている。多層プリント配線基板５の各配線パターン７ａ，７ｂ，９は、銅箔上にフォトマスクを形成してエッチング処理を施したのち、該フォトマスクを除去する従来公知の方法により形成することができ、内壁に銅メッキが施されたスルーホールまたはインターステイシャルバイアホール（図示せず）により接続されている。
【００２８】
次いで、前記プリプレグ系シート３が積層された銅箔１と、多層プリント配線基板５とを、金属製治具に挟持した状態で多層プレス機に装着し、真空中にて加熱プレスする。この結果、図４示のように、プリプレグ系シート３から露出したバンプ２の先端が多層プリント配線基板５の配線パターン７ａに圧着され、バンプ２により、銅箔１と配線パターン７ａとを接続する貫通型導体配線部１０が形成された４層プリント配線基板の予備成形体１１が得られる。
【００２９】
予備成形体１１は、前記多層プレス機から取り出された後、Ｘ線カメラで位置合わせをして、ドリルにより基準孔（図示せず）が設けられる。前記基準孔は、得られた基板に、後工程でＮＣドリル穴あけ機により貫通孔を設ける際または露光機に取り付ける際に用いられる。前記基準孔が設けられた予備成形体１１は、次いで図５示のように銅箔１から配線パターン１２が形成され、４層プリント配線基板１３に加工される。
【００３０】
次に、予備成形体１１に配線パターン１２を形成する手段について、詳しく説明する。
【００３１】
予備成形体１１に配線パターン１２を形成するときには、まず、エッチングにより銅箔１の一部を除去し、図６に拡大して示す様に、貫通型導体配線部１０を形成するバンプ２の基部２ａを露出させると同時に、配線パターン１２を形成する。
【００３２】
前記エッチングは、研磨材で研磨、水洗された銅箔１の表面に感光材料を熱圧着し、紫外線を照射して該感光材料を感光させ、現像してフォトマスクを形成したのち、該フォトマスクで保護された部分以外の銅箔１を塩化第二銅水溶液に溶解させて除去することにより行う。前記研磨は銅箔１に対する前記感光材料の密着性を向上させるために行うものであり、前記研磨材としてはペーパーまたはバフを用いることができる。前記感光材料は、保護フィルムに挟まれており、銅箔１に熱圧着される。また、前記感光材料の現像は、前記紫外線による感光後、炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、次いで水洗して、未感光部分を除去することにより行う。
【００３３】
本実施形態では、次に、予備成形体１１にスルーホール（図示せず）を穿設する。前記スルーホールは、予備成形体１１の上下を治具で挟持し、前記基準孔に位置決めピンを差し込むことにより、超鋼製ドリルを用いるＮＣ穴明け機で所定の位置に穿設することができる。
【００３４】
次に、前記スルーホールが穿設された予備成形体１１に銅メッキを施すことにより、図７示のように、予備成形体１１のバンプ２の基部２ａが露出されている側の面の全面と、前記スルーホール内とに銅メッキ層１４を形成する。予備成形体１１において、配線パターン１２は図６示のように貫通型導体配線部１０により配線パターン７ａと接続されているが、配線パターン７ｂ，９とは直接には接続されていない。そこで、前記スルーホールの内壁に銅メッキを施すことにより、配線パターン１２を配線パターン７ｂ，９と直接接続することができるようになり、配線の設計自由度を向上させることができる。
【００３５】
前記銅メッキは、配線パターン１２の表面を洗浄し、前記スルーホール穿設の際のバリを除去し、該スルーホール内を研磨材で研磨、水洗した後、デスミア処理、前処理、無電解銅メッキ処理、電解銅メッキ処理の順で行う。
【００３６】
前記デスミア処理は、前記スルーホール穿設の際の切削熱により溶融した樹脂の切粉が前記スルーホールの内壁に付着、固化してできたスミアを除去する処理である。前記デスミア処理は、予備成形体１１を膨潤液に浸漬した後、湯洗し、過マンガン酸カリ溶液に前記スミアを溶解させて除去する。そして、水洗後、予備成形体１１に付着した二酸化マンガンを除去する。
【００３７】
前記前処理は、脱脂剤で予備成形体１１の表面及び前記スルーホール内を脱脂、洗浄した後、湯洗し、ソフトエッチング剤で予備成形体１１及び前記スルーホール表面の酸化被膜を除去する。次いで、プリディップにより前記エッチング液（塩化第二銅溶液）の残滓（スマット）を除去し、パラジウム化合物溶液で処理し、無電解メッキの核を生成させるためのパラジウム化合物をプリプレグ系シート３の表面に付着させ、水洗する。
【００３８】
前記無電解銅メッキは、還元剤により前記パラジウム化合物を還元して無電解メッキの核となるパラジウムを生成させ、前記還元剤を水洗、除去したのち、予備成形体１１を無電解メッキ浴に浸漬する。前記無電解メッキ浴は、硫酸銅、ホルマリン、水酸化ナトリウム、キレート剤、界面活性剤からなり、ホルマリンにより硫酸銅を還元して銅を析出させる。
【００３９】
この結果、予備成形体１１の配線パターン１２が設けられている側の面の全面と、前記スルーホール内とに銅メッキ層１４が形成される。銅メッキ層１４が形成された予備成形体１１は水洗され、前記無電解メッキ浴の残滓が除去される。
【００４０】
前記電解銅メッキは、銅メッキ層１４の厚付けのために行うものであり、電解メッキ浴に予備成形体１１を浸漬し、銅メッキ層１４を陰極とし、含リン銅からなる陽極との間に電流を通電して行う。前記電解メッキ浴は、硫酸銅、硫酸、塩素イオン、添加剤を含むものが用いられる。前記電解銅メッキ終了後、予備成形体１１は水洗され、前記電解メッキ浴の残滓が除去される。
【００４１】
次に、銅メッキ層１４が形成された予備成形体１１にエッチング処理を施し、図８示のように、バンプ２の基部２ａの露出面上及び配線パターン１２上に銅メッキ層１４を残置し、他の部分を除去することにより、配線パターン１２が銅メッキ層１４を介してバンプ２と接続された４層プリント配線基板１３が得られる。前記エッチング処理は、バンプ２の基部２ａの露出面上に銅メッキ層１４を残置することを除いて、前記銅箔１のエッチング処理と同一の方法で行うことができる。
【００４２】
本実施形態では、さらに、４層プリント配線基板１３に感光剤（ドライフィルム）を熱圧着し、露光、現像後、第２次の銅メッキ及び半田メッキを施し、ドライフィルム剥離、エッチング処理、半田メッキ剥離後、レジスト層を設けたのち規定の寸法に切断することにより、４層プリント配線基板１３を完成する。
【００４３】
次に、銅箔１及び銅メッキ層１４のバンプ２に対する接着強度を比較する実験を示す。
【００４４】
本実験では、図９示のように、前記実施形態で使用したものと同一の銅箔１上にバンプ２と同一組成の銀ペースト層１５を設け、銀ペースト層１５を前記実施形態で使用したものと同一のガラスクロスを含むエポキシ樹脂基材６に、前記実施形態で使用したものと同一の多層プレス機により真空中にて加熱プレスして積層したサンプルＡを用意した。また、図１０示のように、前記実施形態で使用したものと同一のガラスクロスを含むエポキシ樹脂基材６上にバンプ２と同一組成の銀ペースト層１５を設け、銀ペースト層１５上に前記実施形態と同一の方法により銅メッキ層１４を設けたサンプルＢを用意した。
【００４５】
次に、ＪＩＳ Ｃ６４８１の５，７に定める「引きはがし強さ」の試験方法に従って、サンプルＡにおける銅箔１の銀ペースト層１５に対する剥離強度と、サンプルＢにおける銅メッキ層１４の銀ペースト層１５に対する剥離強度とを測定した。結果を表１に示す。
【００４６】
【表１】
表１から、本発明に従うサンプルＢによれば、サンプルＡよりも剥離強度が大きく、銅メッキ層１４は銅箔１よりも銀ペースト層１５との間の接着強度が大きいことが明らかである。尚、本実験はバンプを有するプリント基板とは層構成及び接着形態が異なっており、プリント基板としての「引き剥がし強さ」を測定したものではない。
【００４８】
次に、ランド径０．３ｍｍ、バンプ径０．１５ｍｍ、ランド間のピッチ０．５ｍｍで設計した本実施形態の４層プリント配線基板１３と、銅箔１に単にエッチングを施して配線パターン１２を形成しただけの従来の４層プリント配線基板とを、前記配線パターン１２が形成されている側の面で溶融した半田（２６０℃）に浸漬し、前記半田の熱衝撃による接続抵抗の上昇率を比較した結果を表２に示す。
【００４９】
【表２】
表２から、本実施形態の４層プリント配線基板１３は、従来の基板に対して、抵抗上昇率が低く、さらに高密度なＢＧＡやＣＳＰ等の半導体パッケージ等の電子部品の実装時に生じる熱衝撃に耐えて、接続抵抗の上昇が少ない信頼性の高い基板が得られると考えられる。
【００５１】
次に、本発明の第２の実施形態の製造方法について説明する。
【００５２】
本実施形態では、図２示のプリプレグ系シート３が積層された銅箔１をバンプ２が露出している側の面で銅箔１６に積層し、金属製治具に挟持した状態で多層プレス機に装着し、真空中にて加熱プレスする。この結果、図１１示のように、プリプレグ系シート３から露出したバンプ２の先端が銅箔１６に圧着され、バンプ２により、銅箔１と銅箔１６とを接続する貫通型導体配線部１０が形成された両面プリント配線基板の予備成形体１７が得られる。
【００５３】
次に、予備成形体１７に前記第１の実施形態と同一の方法によりエッチングを施して銅箔１の一部を除去し、図６に拡大して示す様に、貫通型導体配線部１０を形成するバンプ２の基部２ａを露出させると同時に、配線パターン１２を形成する。また、前記と同一の方法により、予備成形体１７にエッチングを施して銅箔１６の一部を除去し、貫通型導体配線部１０を形成するバンプ２の銅箔１６に圧着されている先端部を露出させると同時に、配線パターン１８を形成する。
【００５４】
次に、前記予備成形体１７に前記第１の実施形態と同一の方法により銅メッキを施し、次いでエッチング処理を施すことにより、図１２示のように、プリプレグ系シート３の両面に形成された配線パターン１２，１８が、貫通型導体配線部１０により接続されている両面プリント配線基板１９が得られる。尚、両面プリント配線基板１９では、図８示のように、配線パターン１２，１８が銅メッキ層１４を介してバンプ２と接続されている。
【００５５】
次に、両面プリント配線基板１９は、前記第１の実施形態と同一の方法により、感光剤（ドライフィルム）を熱圧着し、露光、現像後、第２次の銅メッキ及び半田メッキを施し、ドライフィルム剥離、エッチング処理、半田メッキ剥離後、レジスト層を設けたのち規定の寸法に切断することにより、完成される。
【００５６】
本実施形態では、前記銅箔１６に代えて両面プリント配線基板１９を用い、前記操作を繰り返すことにより、図１３示のように、隣接する配線パターン１２，１８，２０が貫通型導体配線部１０により接続されている３層プリント配線基板２１を構成することができる。また、同様にして、さらに多層のプリント配線基板を構成することができる。
【００５７】
尚、前記各実施態様では、前記バンプ２の基部２ａが露出されている側の面の全面に銅メッキ層１４を形成する様にしているが、銅メッキ層１４は、バンプ２の露出面と配線パターン１２とを接続する部分だけに設けるようにしてもよい。
【００５８】
また、前記各実施態様では、銅箔１の一部を除去して、貫通型導体配線部１０を形成するバンプ２の基部２ａを露出させると同時に、配線パターン１２を形成するようにしているが、バンプ２の基部２ａを露出させ、バンプ２の基部２ａが露出されている側の面に銅メッキ層１４を形成した後に配線パターン１２を形成するようにしてもよい。この場合、前記銅メッキ層１４がバンプ２の基部２ａが露出されている側の面の全面に形成されるときには、銅メッキ層１４のメッキ処理と同時に銅箔１にもメッキ処理を施して、配線パターン１２を形成する。また、前記銅メッキ層１４がバンプ２の基部２ａが露出されている側の面のバンプ２の露出面と配線パターン１２とを接続する部分だけに形成されるときには、銅メッキ層１４の形成後に銅箔１にメッキ処理を施して、配線パターン１２を形成する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図４】本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図５】本発明の第１の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図６】第１の実施形態の製造方法の要部を拡大して示す説明的断面図。
【図７】第１の実施形態の製造方法の要部を拡大して示す説明的断面図。
【図８】第１の実施形態の製造方法の要部を拡大して示す説明的断面図。
【図９】銀ペーストに対する金属箔の剥離強度試験の方法を示す説明的断面図。
【図１０】銀ペーストに対するメッキ層の剥離強度試験の方法を示す説明的断面図。
【図１１】本発明の第２の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図１２】本発明の第２の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【図１３】本発明の第２の実施形態の製造方法の説明的断面図。
【符号の説明】
１…導電性支持体、 ２…バンプ、 ２ａ…バンプの基部、 ３…合成樹脂系シート、 ５，１６…第１の導電体層、 １０…貫通型導体配線部、 １２，１８，２０…配線パターン、 １３，１９，２１…プリント配線基板、 １４…第１の導電体層。
Claims (9)
- シート状の導電性支持体上の所定位置に導電性ペーストからなる複数のバンプを形成する工程と、該バンプが形成された導電性支持体に合成樹脂系シートを積層して加圧することにより該バンプの先端を該合成樹脂系シートに貫通、露出せしめる工程と、該合成樹脂系シートに第１の導電体層を積層して加圧することにより該合成樹脂系シートから露出した該バンプの先端を第１の導電体層に圧着せしめ、該バンプにより該導電性支持体と第１の導電体層とを接続する貫通型導体配線部を形成する工程とを備えるプリント基板の製造方法において、
さらに、該導電性支持体の少なくとも一部を剥離して該貫通型導体配線部を形成するバンプの基部の一部を露出せしめる工程と、
該導電性支持体にエッチング処理を施して、該貫通型導体配線部に接続する配線パターンを形成する工程と、
該バンプが露出せしめられている側の全面にメッキを施して第２の導電体層を形成する工程と、
該第２の導電体層に前記バンプ及び配線パターン上の部分を残置し、他の部分を除去するエッチング処理を施す工程とを備えることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。 - 前記第１の導電体層は、他の配線基板の表面に設けられている配線パターンであることを特徴とする請求項１記載のプリント配線基板の製造方法。
- 前記第１の導電体層は、金属箔であることを特徴とする請求項１記載のプリント配線基板の製造方法。
- バンプの基部の一部を露出せしめるための前記導電性支持体の剥離は、該導電性支持体にエッチングを施すことにより行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のプリント配線基板の製造方法。
- 前記導電性支持体の剥離と同時に前記配線パターンを形成することを特徴とする請求項４記載のプリント配線基板の製造方法。
- シート状の導電性支持体上の所定位置に導電性ペーストからなる複数のバンプを形成する工程と、該バンプが形成された導電性支持体に合成樹脂系シートを積層して加圧することにより該バンプの先端を該合成樹脂系シートに貫通、露出せしめる工程と、該合成樹脂系シートに第１の導電体層を積層して加圧することにより該合成樹脂系シートから露出した該バンプの先端を第１の導電体層に圧着せしめ、該バンプにより該導電性支持体と第１の導電体層とを接続する貫通型導体配線部を形成する工程とを備えるプリント基板の製造方法において、
さらに、該導電性支持体の少なくとも一部を剥離して該貫通型導体配線部を形成するバンプの基部の一部を露出せしめる工程と、
該バンプが露出せしめられている側の全面にメッキを施して第２の導電体層を形成する工程と、
該第２の導電体層のエッチング処理と同時に、該導電性支持体にエッチング処理を施して、該貫通型導体配線部に接続する配線パターンを形成する工程とを備えることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。 - 前記第１の導電体層は、他の配線基板の表面に設けられている配線パターンであることを特徴とする請求項６記載のプリント配線基板の製造方法。
- 前記第１の導電体層は、金属箔であることを特徴とする請求項６記載のプリント配線基板の製造方法。
- バンプの基部の一部を露出せしめるための前記導電性支持体の剥離は、該導電性支持体にエッチングを施すことにより行うことを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項記載のプリント配線基板の製造方法。
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