JP5160581B2 - インジェクタ駆動装置 - Google Patents

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Description

本発明は、自動車用燃料噴射装置等に使用されるインジェクタ駆動装置に関する。
インジェクタ駆動装置が使用される自動車用エンジンのシリンダ内に直接燃料を噴射する筒内燃料噴射式エンジンの実用化が進んでいる。この筒内燃料噴射式エンジンでは、特に希薄燃焼による排気ガスの低減、燃料消費量の低減が課題である。
このような背景からインジェクタの駆動には、噴射信号に対するインジェクタの応答時間を速くし、噴射信号の時間幅が小さい範囲から比例的に制御することが求められる。そのための手段として、噴射信号の立上がり時にインジェクタに高電圧を印加して大電流を流し、開弁時間を短縮し、その後は開弁を保持するための保持電流を制御する方法が一般的である。
そして、高電圧の生成には、例えば、特許文献1に記載されているような昇圧回路が必要となる。この昇圧回路の性能の一例を示すと、バッテリ電圧(14[V])から65[V]程度に昇圧し、10[A]程度のピーク電流を供給するものである。さらに、この高電圧は、6気筒エンジンで最高回転数が6600[rpm]を例にすると、時間3[ms]毎にインジェクタを駆動することになるので、一度インジェクタを駆動した後3[ms]の間に高電圧が所定値に復帰していることが必要で、かつバッテリ電圧が10[V]まで保証できる仕様となる。
さらに筒内燃料噴射エンジンでは、低燃費化や排気ガスの放出低減のため、多段噴射と呼ばれる技術が注目されている。多段噴射とは、従来ピストン1動作に対して一度に噴射していた燃料を数回に分けて噴射することで、ガソリンの燃焼効率を高めNOx低減等が可能となる。
特開2002−61534号公報
上述した多段噴射化は、電磁弁の動作回数増加を伴うことから昇圧回路の負担が増加する。このため、昇圧回路の大出力化が必要となっている。
しかし、従来技術において、昇圧回路の大出力化を行うためには昇圧回路の大型化及びコストアップを伴ってしまう。
本発明の目的は、大型化及びコストアップを抑制しながら、昇圧回路の高出力化が可能なインジェクタ駆動装置を実現することである。
上記課題を解決するための、本発明は、以下のように構成される。
本発明のインジェクタ駆動装置は、バッテリの電圧が印加される入力側コンデンサと、入力側コンデンサの正極に一方端が接続される昇圧コイルと、昇圧コイルの他方端に接続される第1のスイッチ素子と、昇圧コイルの他方端に接続される出力側コンデンサと、出力側コンデンサの正極に接続される第2のスイッチ素子と、第2のスイッチ素子に接続されるインジェクタと、出力側コンデンサの負極と上記入力側コンデンサの正極との間に接続される第3のスイッチ素子と、出力側コンデンサの負極と入力側コンデンサの負極との間に接続される第4のスイッチ素子と、第1のスイッチ素子と、第3のスイッチ素子と、第4のスイッチ素子に開閉指令信号を供給する第1の開閉指令信号発生部と、第2のスイッチ素子に開閉指令信号を供給する第2の開閉指令信号発生部とを備える。
本発明によれば、大型化及びコストアップを抑制しながら、昇圧回路の高出力化が可能なインジェクタ駆動装置を実現することができる。
実施例1であるインジェクタ駆動装置の回路図。 実施例1の電流・電圧波形及び素子信号波形図。 実施例1の駆動回路における要部説明図。 実施例1の要部信号波形説明図。 実施例とは異なる方式を採用した駆動装置の回路説明図。 図5に示した例の信号波形説明図。 実施例2におけるインジェクタ駆動装置の電流・電圧波形及び素子信号波形図。 実施例3であるインジェクタ駆動装置の回路図。 実施例3における電流・電圧波形及び素子信号波形図。 昇圧信号処理回路の要部回路図。 昇圧電圧制御信号の信号波形説明図。
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
第1の実施例について詳細に説明する。
図1は実施例1のインジェクタ駆動装置の回路構成図であり、自動車用燃料噴射装置の多気筒エンジンのインジェクタのうち1気筒分の回路を示している。
図1において、インジェクタ駆動回路は、バッテリ1に接続され、バッテリ電圧1aから高電圧100aを発生する昇圧回路100と、インジェクタ20にインジェクタ駆動電流20Bを通電するインジェクタ通電回路200とを備えている。
昇圧回路100は、バッテリ電圧1aで充電される入力側コンデンサ103と、昇圧コイル104と、昇圧FET105(第1のスイッチ素子)と、昇圧FET105に流れる電流105Bの検出抵抗110と、高電圧100aを充電する出力側コンデンサ107と、出力側コンデンサ107に通電するダイオード106(整流素子)と、出力コンデンサ107の負極をバッテリ電圧1aでバイアスするためのFET108(第3のスイッチ素子)と、出力側コンデンサ107の負極をアースするためのFET109(第4のスイッチ素子)と、検出されるバッテリ電圧1a、高電圧100a、抵抗110の両端に発生する電圧110aに基づいて昇圧信号101aを発生する昇圧信号処理回路101と、供給される昇圧信号101aに基づいて、つまり、入力側コンデンサ103の両端電圧と出力側コンデンサ107の両端電圧に基いて、ゲート信号105a、108a、109aを発生する昇圧用ゲート駆動回路102(第1の開閉指令信号発生部)とを備えている。
また、インジェクタ通電回路200は、高電圧100aをインジェクタ20に印加するFET2(第2のスイッチ素子)と、FET2への電流逆流阻止用のダイオード3と、バッテリ電圧1aをインジェクタ20に印加するFET4と、FET4への電流逆流阻止用のダイオード5と、インジェクタ電流20Bのリレー用FET6と、FET6に流れる電流6Bを検出する抵抗7と、インジェクタ電流20Bを還流させるためのダイオード9と、FET6の遮断時にインジェクタ電流20Bを出力側コンデンサ107に回生するダイオード8と、インジェクタ20を駆動する噴射信号201aを発生する出力信号処理回路201と、供給される信号201aに基づいてゲート信号2a、4a、6aを発生するゲート制御回路202(第2の開閉指令信号発生部)とを備えている。
以下、上述のように構成されたインジェクタ駆動回路の動作を説明する。
図2は、実施例1のゲート信号2a、4a、6a、105a、108a、109aと、昇圧コイル電流104Bと、インジェクタ電流20Bと、出力側コンデンサ電圧100aの波形である。以下、電圧をVと表し、下付き文字bに入る数字の違いにより、電圧の種類の違いを示すものとする。
バイアス解除期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタ開弁時目標電圧Vからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vを保つ。
バッテリショート防止期間T’に、昇圧用ゲート駆動回路102は、ゲート信号108a、ゲート信号109aはOFFし、バッテリ1のショートを防止する。このとき、昇圧信号処理回路101は、検出した両コンデンサ103、107の両端電圧に基いて、スイッチング素子105、108、109を開閉するために指令信号である昇圧信号101aを昇圧用ゲート駆動回路102に供給する。
バイアス期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはON、ゲート信号109aはOFFし、出力側コンデンサ107の負極はゲート信号108aがONであるからバッテリ電圧1aでバイアスされる。このため、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタ20の開弁目標電圧Vに到達する。また、ゲート信号2a、6aはONとなり、インジェクタ20に高電圧Vが印加される。
バイアス期間Tのタイミングtにはインジェクタ電流20Bは開弁電流Iに達し、ゲート信号2aはOFFする。出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタ20への通電によりVに降下する。
インジェクタ電流20Bはダイオード9を通して還流され、タイミングt10にはインジェクタ電流20Bは開弁保持電流Iとなる。タイミングt10からt20の期間、ゲート信号4aにはPWM信号が印加され、インジェクタ20にはバッテリ電圧1aのPWM電圧が印加され、開弁保持電流Iを保つ。タイミングt20には、ゲート信号4a、6aはOFFし、インジェクタ電流Iはダイオード8を介して出力側コンデンサ107に充電される。
バッテリショート防止期間T’に、昇圧用ゲート駆動回路102は、ゲート信号108a、ゲート信号109aをOFFし、バッテリ1のショートを防止する。
次に、Vバイアス解除期間における昇圧期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、出力側コンデンサ107の負極はアースされ、出力側コンデンサ電圧100aはVからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vに降下する。
バイアス解除期間における昇圧期間Tには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、FET105はゲート信号105aのようにPWM動作信号を印加され、昇圧コイル104に上限電流Iを超えないように昇圧電流104Bが通電され、出力側コンデンサ107に充電される。
バイアス解除期間における昇圧期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタ開弁時目標電圧Vからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vに到達し、ゲート信号105aはOFFする。
昇圧用ゲート駆動回路102は、FET108とFET109とが同時にオン(閉)となることを防止する機能を有している。
図3は、実施例1におけるインジェクタ駆動回路の要部回路図であり、図4は、図3に示した要部回路図における信号波形図である。
また、図5は、実施例とは異なる他の方式によるインジェクタ駆動回路の要部回路図であり、図6は、図5に示した要部回路図における信号波形図である。
図5において、バッテリ1に並列に入力側コンデンサ103が接続され、バッテリ1の陽極側及び入力側コンデンサ103の一方端に昇圧コイル104の一方端が接続されている。昇圧コイル104の他方端は、昇圧MOSFET105を介してバッテリ1の負極側及び入力側コンデンサ103の他方端に接続されている。
また、昇圧コイル104の他方端は、ダイオード106を介して出力側コンデンサ107の一方端に接続される。そして、出力側コンデンサ107の他方端は、バッテリ1の負極側に接続される。
出力側コンデンサ107の一方端は、インジェクタ通電回路200のFET2を介してダイオード3に接続される。インジェクタ通電回路200の他の部分は図示及び説明を省略する。
図6のタイミングtにおいて、出力側コンデンサ107の昇圧電圧Vboostは65[V]から減少し、タイミングtにて、60[V]となる。そして、昇圧電圧Vboostはタイミングt2から昇圧され、電圧60[V]から65[V]に上昇する。
これに対して、図3に示した実施例1においては、出力側コンデンサ107の他方端はバイアスMOSFET109を介してバッテリ1の負極側に接続される。さらに、バッテリ1の正極側は、バイアスMOSFET108を介して出力側コンデンサ107とバイアスMOSFET109の接続点に接続される。
他の構成は、図5に示した例と同様となっている。
図3、図4に示すように、バイアスMOSFET108、109のスイッチング動作により、出力側コンデンサ107の昇圧電圧Vboostは、タイミングtからtで、65[V]から48[V]に減少される。そして、昇圧電圧Vboostは、タイミングtからtで48[V]から53[V]に上昇し、53[V]を維持している。
ここで、目標電圧V=65[V]、バッテリ電圧1a=12[V]、インジェクタ20への通電による電圧降下を5[V]とすると、V=65[V]、V=60[V]、V=53[V]、V=48[V]となる。
インジェクタ20への通電による電圧降下分を図5に示した例で充電する場合は出力側コンデンサ107(300[μF])をV=60[V]からV=65[V]に昇圧することとなり、充電エネルギ(1/2・(C)(65−60))は約0.094[J]となる。
これに対し、本実施例1では出力側コンデンサ(300[μF])をV=48[V]からV=53[V]に昇圧することとなり、充電エネルギ(1/2・(C)(53−48))は約0.076[J]となる。
上記充電エネルギを比較すると、本実施例1は、図5の方式に比べ充電エネルギを約19%低減可能となり、昇圧回路の負担が低減される。
また、昇圧時間の短縮化が可能である。
また、本発明の実施例1は、2つのバイアスMOSFET108、109が追加されているが、これらバイアスMOSFET108、109には、昇圧電圧Vboostは、印加されないので、安価な低耐圧用のMOSFETを使用することができ、インジェクタ駆動回路を含む制御ユニットの放熱部材等のコストを低減することができる。
低耐圧MOSFET108、109は、ON抵抗が低い。さらに、図2に示したように、スイッチング回数も少ないので、定常損失、スイッチング損失が小さい。また、インジェクタに安定した高電圧を供給可能となる。
従って、実施例1によれば、大型化及びコストアップを抑制しながら、昇圧回路の高出力化が可能なインジェクタ駆動装置を実現することができる。
次に、第2の実施例について説明する。
第2の実施例の回路構成は、図1に示した回路と同様であり、信号波形が互いに異なっている。
図7は、実施例2の信号電圧電流波形図である。
図7において、昇圧電圧Vのバイアス解除期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタ開弁時目標電圧Vからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vを保つ。
バッテリショート防止期間T’には、昇圧用ゲート駆動回路102は、ゲート信号108a、ゲート信号109aをOFFし、バッテリのショートを防止する。
バイアス期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはON、ゲート信号109aはOFFし、出力側コンデンサ107の負極はバッテリ電圧1aでバイアスされるため、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタの開弁目標電圧Vに到達する。また、ゲート信号2a、6aはONしてインジェクタに高電圧Vが印加される。
バイアス期間Tのタイミングtにはインジェクタ電流20Bは開弁電流Iに達し、ゲート信号2aはOFFする。出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタへの通電によりVに降下する。
インジェクタ電流20Bはダイオード9を通して還流され、タイミングt10にはインジェクタ電流20Bは開弁保持電流I3となる。t10からt20の期間、ゲート信号4aにはPWM信号が印加され、インジェクタにはバッテリ電圧1aのPWM電圧が印加され、開弁保持電流Iを保つ。タイミングt20には、ゲート信号4a、6aはOFFし、インジェクタ電流Iはダイオード8を介して出力側コンデンサ107に充電される。
バイアス期間Tにおける昇圧期間T21には、ゲート信号108aはON、ゲート信号109aはOFFし、FET105はゲート信号105aのようにPWM動作信号を印加され、昇圧コイル104に上限電流Iを超えないように昇圧電流104Bが通電され、出力側コンデンサ107に充電される。このため、昇圧期間T21には、出力側コンデンサ電圧100aの電圧低下は緩やかになる。
バッテリショート防止期間T’には、昇圧用ゲート駆動回路102は、ゲート信号108a、ゲート信号109aはOFFし、バッテリのショートを防止する。
バイアス解除期間における昇圧期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109はONし、出力側コンデンサ107の負極はアースされ、出力側コンデンサ電圧100aはVからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vに降下する。
バイアス解除期間における昇圧期間Tには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109はONし、FET105はゲート信号105aのようにPWM動作信号を印加され、昇圧コイル104に上限電流Iを超えないように昇圧電流104Bが通電され、出力側コンデンサ107に充電される。
バイアス解除期間における昇圧期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109はONし、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタ開弁時目標電圧Vからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vに到達し、ゲート信号105aはOFFする。
ここで、目標電圧V=65[V]、バッテリ電圧1a=12[V]とし、本実施例2における昇圧期間T21の充電によるインジェクタ通電期間の出力側コンデンサ100aの電圧降下が4[V](実施例1の電圧降下より1[V]小さい値)とすると、V=65[V]、V=61[V]、V=53[V]、V=49[V]となる。
インジェクタ通電期間における電圧降下分を本実施例2に拠らず図5に示した例により充電する場合は出力側コンデンサ(300[μF])をV=61[V]からV=65[V]に昇圧することとなり、充電エネルギは約0.0756[J]となる。
これに対し、本実施例2では出力側コンデンサ(300[μF])をV=49[V]からV=53[V]に昇圧することとなり、充電エネルギは約0.0612[J]となる。
また、昇圧期間T21の充電エネルギは60[V]から61[V]に充電する際の充電エネルギ約0.0182[J]であるとし、0.0182[J]が本実施例2で充電した場合と本実施形態に拠らず充電した場合の両方に同じく加算される場合、本実施例は、他方式に比べ充電エネルギを約15%低減可能となる。
実施例2における充電エネルギの低減率は実施例1に比べ小さくなるが、インジェクタ通電期間から充電することにより、Vバイアス解除期間における昇圧期間Tを実施例1に比べ短縮可能となる。
その他は実施例1と同様な効果を実施例2においても得ることができる。
次に、実施例3について説明する。
図8は実施例3のインジェクタ駆動回路の回路構成図であり、多気筒エンジンのインジェクタのうち1気筒分の回路を示している。
図8においては、図1に示したダイオード106に代えてFET106Fが接続され、昇圧用ゲート駆動回路102から、ゲート信号106aが、FET106Fのゲートに供給されている。FET106Fは内部のボディダイオードを有している。
その他の回路構成は、図1に示した例と図8に示した例とは同様となっている。
次に、実施例3のインジェクタ駆動回路の動作を説明する。図9は実施例3のゲート信号2a、4a、6a、105a、106a、108a、109aと、昇圧コイル電流104Bと、インジェクタ電流20Bと、出力側コンデンサ電圧100aの波形図である。
バイアス解除期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタ開弁時目標電圧Vからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vを保つ。
バッテリショート防止期間T’に、昇圧用ゲート駆動回路102は、ゲート信号108a、ゲート信号109aをOFFし、バッテリのショートを防止する。
バイアス期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはON、ゲート信号109aはOFFし、出力側コンデンサ107の負極はバッテリ電圧1aでバイアスされるため、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタの開弁目標電圧Vに到達する。また、ゲート信号2a、6aはONしてインジェクタに高電圧Vが印加される。
バイアス期間Tのタイミングtにはインジェクタ電流20Bは開弁電流Iに達し、ゲート信号2aはOFFする。出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタへの通電によりVに降下する。
インジェクタ電流20Bはダイオード9を通して還流され、タイミングt10にはインジェクタ電流20Bは開弁保持電流Iとなる。t10からt20の期間、ゲート信号4aにはPWM信号が印加され、インジェクタにはバッテリ電圧1aのPWM電圧が印加され、開弁保持電流Iを保つ。
バイアス期間Tにおける昇圧期間T21には、ゲート信号108aはON、ゲート信号109aはOFFし、FET105はゲート信号105aのようにPWM動作信号を印加され、昇圧コイル104に上限電流Iを超えないように昇圧電流104Bが通電され、出力側コンデンサ107に充電される。このため、昇圧期間T21には、出力側コンデンサ電圧100aの電圧低下は緩やかになる。
バッテリショート防止期間T’に、昇圧用ゲート駆動回路102は、ゲート信号108a、ゲート信号109aをOFFし、バッテリのショートを防止する。
バイアス解除期間における昇圧期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、出力側コンデンサ107の負極はアースされ、出力側コンデンサ電圧100aはVからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vに降下する。
バイアス解除期間における昇圧期間Tには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、FET105はゲート信号105aのようにPWM動作信号を印加され、昇圧コイル104に上限電流Iを超えないように昇圧電流104Bが通電され、出力側コンデンサ107に充電される。
バイアス解除期間における昇圧期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタ開弁時目標電圧Vからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vに到達し、ゲート信号105aはOFFする。
インジェクタ電流20Bの出力信号が長く、出力コンデンサ電圧100aがV到達後に、タイミングt20となると、ゲート信号4a、6aはOFFし、インジェクタ電流Iがダイオード8を介して出力側コンデンサ107に充電され、出力側コンデンサ電圧100aはVを超え、過電圧V’となる。
昇圧信号処理回路101は過電圧V’を検出すると昇圧用ゲート駆動回路102に過電圧調整の指令を出し、昇圧用ゲート駆動回路102は過電圧調整期間T30にゲート信号106aをFET106Fのゲートに供給する。これにより出力側コンデンサ電圧100aはVに調整される。
本実施例3においても、実施例2と同様に、充電エネルギは約0.0612[J]となる。また、昇圧期間T21の充電エネルギは60[V]から61[V]に充電する際の充電エネルギ約0.0182[J]であるとし、0.0182[J]が本実施例3で充電した場合と本実施形態に拠らず充電した場合の両方に同じく加算される場合、本実施例3は他方式に比べ充電エネルギを約15%低減可能となる。
実施例2と同様に、充電エネルギの低減率は実施例1に比べ小さくなるが、インジェクタ通電期間から充電することにより、Vバイアス解除期間における昇圧期間Tを実施例1に比べ短縮可能となる。
その他は実施例1と同様な効果を実施例3においても得ることができる。
次に、実施例3の昇圧電圧制御方式を説明する。
図10は、実施例3における昇圧信号処理回路の要部回路図であり、図11は、昇圧電圧制御信号を説明する信号波形図である。
図10において、分圧器300はバッテリ電圧1aを分圧して分圧バッテリ電圧1a’とし、当該分圧バッテリ電圧1a’を加算器302に入力する。また、分圧器300と同じ分圧比の分圧器301は出力側コンデンサ電圧100aを分圧して分圧出力側コンデンサ電圧100a’とし、当該分圧出力側コンデンサ電圧100a’を加算器302に入力する。加算器302は、入力された電圧1a’及び100a’を加算して加算信号302aとし、当該加算信号302aを、それぞれ基準信号の異なる電源306と電源307が接続されヒストリシスを持った比較器303と比較器304の双方に入力する。比較器303は昇圧動作の制御に、比較器304は降圧動作の制御に使用する。FET305のゲートはFET108ゲート信号108aと共有している。
次に、実施例3における昇圧電圧制御の動作を説明する。図11は、分圧バッテリ電圧1a’と、分圧出力側コンデンサ電圧100a’と、加算信号302aと、昇圧制御信号303aと、降圧制御信号304aと、ゲート信号105a、106a、108a、109aと、昇圧コイル電流104Bと、インジェクタ電流20Bと出力側コンデンサ電圧100aの波形図である。
まず、インジェクタ開弁時目標電圧Vを分圧器300、301と同じ比率で分圧した電圧をV10とし、電源306の電圧とする。V10からヒステリシス分を減じた電圧をV20とする。次に、過電圧V’を分圧器300、301と同じ比率で分圧した電圧をV30とし、電源307の電圧とする。V30からヒステリシス分を減じた電圧がV10になるようにする。
バイアス解除期間Tのタイミングtには、加算信号302aがV10とV20との間にあるため昇圧動作を行わずに、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタ開弁時目標電圧Vからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vを保つ。
バッテリショート防止期間T’に、昇圧用ゲート駆動回路102は、ゲート信号108a、ゲート信号109aをOFFし、バッテリのショートを防止する。
バイアス期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはON、ゲート信号109aはOFFし、出力側コンデンサ107の負極はバッテリ電圧1aでバイアスされるため、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタの開弁目標電圧Vに到達する。この時、ゲート信号108aを共有しているFET305も同時にONし分圧バッテリ電圧1a’を0Vにすることにより、Vバイアスしても加算信号302aは変化せずV10とV20の間にあり昇圧動作を行わない。
バイアス期間Tのタイミングt’には、インジェクタ電流20Bが流れ、出力側コンデンサ電圧100aが低下し、加算信号302aがV20より小さくなると、昇圧制御信号303aが昇圧動作となり、昇圧動作が開始され、V10を超えるまで昇圧動作を継続する。
バイアス期間Tのタイミングtにはインジェクタ電流20Bは開弁電流Iに達すると保持電流Iへ移行する。出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタへの通電によりVに降下する。
バッテリショート防止期間T’に、昇圧用ゲート駆動回路102は、ゲート信号108a、ゲート信号109aをOFFし、バッテリのショートを防止する。この時、ゲート信号108aを共有しているFET305も同時にOFFし、分圧バッテリ電圧1a’は0Vから元の電圧に戻る。
バイアス解除期間における昇圧期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、出力側コンデンサ107の負極はアースされ、出力側コンデンサ電圧100aはバッテリ電圧1aを減じた電圧Vに降下する。
バイアス解除期間における昇圧期間Tには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、FET105はゲート信号105aのようにPWM動作信号が印加され、昇圧コイル104に上限電流Iを超えないように昇圧電流104Bが通電され、出力側コンデンサ107に充電される。
バイアス解除期間における昇圧期間Tのタイミングtには、ゲート信号108aはOFF、ゲート信号109aはONし、加算信号302aがV10に達し、昇圧制御信号303aが昇圧動作停止となり、ゲート信号105aはOFFする。この時、出力側コンデンサ電圧100aはインジェクタ開弁時目標電圧Vからバッテリ電圧1aを減じた電圧Vに達する。
インジェクタ電流20Bの出力信号が長く、出力側コンデンサ電圧100aがV到達後に、タイミングt20となると、ゲート信号4a、6aはOFFし、インジェクタ電流Iがダイオード8を介して出力側コンデンサ電圧107に充電されることにより、加算信号302aがV30を越える。この時、出力側コンデンサ電圧100aはVを超え、過電圧V’となる。
降圧制御信号304aが降圧動作となり、昇圧用ゲート駆動回路102は過電圧調整期間T30にゲート信号106aをFET106Fのゲートに供給する。これにより加算信号302aが、V10になるまで降圧動作が継続される。この時、出力側コンデンサ電圧100aはVとなる。
本実施例3の昇圧電圧制御方式では、加算器を用いることで、バッテリ電圧、出力側コンデンサ電圧がお互いに変動しても、Vバイアスした時に目標とした昇圧電圧を得ることができる。
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づく範囲において、様々な変更が可能なものである。
例えば、上述した例においては、スイッチ素子としてMOSFETを用いたが、その他のスイッチ素子(その他のトランジスタ)を使用することも可能である。この場合、昇圧用ゲート駆動回路は、昇圧用ベース駆動回路(開閉指令信号発生回路)とすることができる。
1・・・バッテリ、1a・・・バッテリ電圧、2・・・高電圧印加用FET(第2のスイッチ素子)、2a、4a、6a・・・ゲート信号、3・・・逆流阻止ダイオード、4・・・バッテリ電圧印加用FET、5・・・逆流阻止ダイオード、6・・・リレー用FET、6B・・・通電電流、7・・・電流検出抵抗、8・・・回生ダイオード、9・・・還流ダイオード、20・・・インジェクタ、20B・・・インジェクタ電流、100a・・・高電圧(出力側コンデンサの正極電圧)、100・・・昇圧回路、101・・・昇圧信号処理回路、101a・・・昇圧信号、102・・・昇圧ゲート駆動回路(第1の開閉指令信号発生部)、103・・・入力側コンデンサ、104・・・昇圧コイル、105・・・昇圧FET(第1のスイッチ素子)、105a、106a、108a、109a・・・ゲート信号、105B・・・通電電流、106・・・ダイオード、106F・・・FET、107・・・出力側コンデンサ、108・・・バイアス用FET(第3のスイッチ素子)、109・・・アース用FET(第4のスイッチ素子)、110・・・電流検出抵抗、200・・・インジェクタ通電回路、201・・・出力信号処理回路、201a・・・出力信号、202・・・ゲート制御回路(第2の開閉指令信号発生部)、T・・・Vバイアス解除期間、T・・・Vバイアス期間、T’、T’・・・バッテリショート防止期間、T・・・Vバイアス解除期間の昇圧期間、T21・・・Vバイアス期間の昇圧期間、T30・・・過電圧調整期間

Claims (6)

  1. バッテリの電圧が印加される入力側コンデンサと、
    上記入力側コンデンサの正極に一方端が接続される昇圧コイルと、
    上記昇圧コイルの他方端に接続される第1のスイッチ素子と、
    上記昇圧コイルの他方端に接続される整流素子と、
    上記整流素子に接続される出力側コンデンサと、
    上記出力側コンデンサの正極に接続される第2のスイッチ素子と、
    上記第2のスイッチ素子に接続されるインジェクタと、
    上記出力側コンデンサの負極と上記入力側コンデンサの正極との間に接続される第3のスイッチ素子と、
    上記出力側コンデンサの負極と入力側コンデンサの負極との間に接続される第4のスイッチ素子と、
    上記第1のスイッチ素子と、上記第3のスイッチ素子と、上記第4のスイッチ素子に開閉指令信号を供給し、上記第2のスイッチ素子が閉状態の期間は、上記第3のスイッチ素子を閉状態とし、上記第4のスイッチ素子を開状態とし、上記出力側コンデンサの昇圧期間のうち少なくとも一部の期間にて、上記第3のスイッチ素子を開状態とし、上記第4のスイッチ素子を閉状態とする第1の開閉指令信号発生部と、
    上記第2のスイッチ素子に開閉指令信号を供給する第2の開閉指令信号発生部と、
    を備えるインジェクタ駆動装置。
  2. 上記入力側コンデンサの両端の電圧及び上記出力側コンデンサの両端の電圧を検出する昇圧信号処理回路を備え、当該昇圧信号処理回路は、上記入力側コンデンサの両端の電圧及び上記出力側コンデンサの両端の電圧に応じて、上記第1の開閉指令信号発生部に昇圧信号を供給し、上記第1の開閉指令信号発生部は供給された昇圧信号に従って、上記第1のスイッチ素子と、上記第3のスイッチ素子と、上記第4のスイッチ素子に開閉指令信号を供給する、請求項1記載のインジェクタ駆動装置。
  3. 上記第1の開閉指令信号発生部は、上記第3のスイッチ素子と上記第4のスイッチ素子とが同時に閉状態になることの防止機能を有する、請求項1記載のインジェクタ駆動装置。
  4. 上記整流素子はボディダイオードを有するMOS−FETである、請求項1記載のインジェクタ駆動装置。
  5. 上記第1の開閉指令信号発生部は、上記出力側コンデンサの正極電圧が所定の電圧以上となった場合に、上記整流素子にゲート信号を供給し、上記出力側コンデンサの正極電圧を所定の電圧に低減させる請求項4記載のインジェクタ駆動装置。
  6. 上記バッテリの正極の一方端に接続される第1の分圧器と、
    上記出力側コンデンサの正極の一方端に接続される第2の分圧器と、
    上記第1の分圧器の他方端、及び、上記第2の分圧器の他方端に、一方端が接続される加算器と、
    上記加算器の他方端に一方端が接続され、上記加算信号の昇圧を行う第1の比較器と、
    上記加算器の他方端に一方端が接続され、上記加算信号の降圧を行う第2の比較器と、
    を更に備え、
    上記加算器は、上記第1の分圧器が出力した第1の分圧と、上記第2の分圧器が出力した第2の分圧を加算した加算信号を出力し、
    上記第1の比較器は、第1の基準値及び上記加算信号に基いて昇圧を行い、
    上記第2の比較器は、第2の基準値及び上記加算信号に基いて降圧を行う、請求項1記載のインジェクタ駆動装置。
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