JP5155840B2 - 金属水酸化物の粒子の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、高い分散性を有する粒子を製造する方法に関する。また本発明は、この方法によって製造された粒子を原料とする導電性粒子に関する。
本出願人は先に、芯材粒子の表面に酸化錫層が形成された導電性粉末及びその製造方法を提案した(特許文献1参照)。同文献で提案されている製造方法は、以下の工程を含むものである。先ず芯材を水中に分散させたスラリーが仕込まれた反応槽中に水溶性錫化合物を添加後、酸又はアルカリを用いて中和反応を行う。これによって、芯材の表面に酸化錫水和物からなる被覆層が形成された導電性粉末前駆体を、反応槽中に生成させる。この前駆体を含むスラリーの少なくとも一部を、中和の際又は中和の後に、反応槽とは別に設置した強分散装置において強分散処理し、強分散処理した液を反応槽のスラリー中に戻す。その後、スラリー中の前駆体を洗浄・乾燥した後、非酸化性雰囲気中200〜1200℃で焼成する。これによって目的とする酸化錫層が形成された導電性粉末が得られる。
上述の方法で製造された導電性粉末は、導電性が高く、また分散性に優れ、良好な白色度を有するものとなる。したがって、この導電性粉末を、例えば紙、プラスチック、ゴム、樹脂、塗料等に配合することで、これらの材料からなる製品に導電性を容易に付与することができる。しかも、これらの材料の色が損なわれることもない。
しかし、上述の方法は、芯材粒子の表面に導電層を設けた粒子からなる導電層被覆粒子粉末が得られるに過ぎない。
特開2005−108734号公報
本発明の目的は、前述した従来技術の粒子よりも凝集が更に抑制され、分散性が更に向上した粒子を製造し得る方法、及び該粒子を原料とする導電性粒子を提供することにある。
本発明は、母液槽と、ホモジナイザ又はビーズミルからなる強分散装置とが循環経路の一部に設けられた装置を用い、
第1の原料物質を含む母液を、流速S1(cm 3 /min)で該母液槽から流出させて循環させつつ、該強分散装置に第2の原料物質を供給速度S3(cm 3 /min)で供給し、
該強分散装置において該母液を強分散させた状態下に第1の原料物質と第2の原料物質とを反応させて、粒子を生成させる金属水酸化物の粒子の製造方法であって、
該母液中に第1の原料物質として、1)水溶性錫化合物、2)水溶性亜鉛化合物、又は3)水溶性インジウム化合物及び水溶性錫化合物、のうちいずれかが含まれており、
第2の原料物質が酸又はアルカリであり、
S3/S1が0.01〜0.05となるように速度を調整して反応を行う、金属水酸化物の粒子の製造方法を提供するものである。
また本発明は、第1の原料物質を含む母液を循環させつつ、循環経路の一部に設けられた超音波反応装置に第2の原料物質を供給し、
該超音波反応装置において該母液を強分散させた状態下に第1の原料物質と第2の原料物質とを反応させて、粒子を生成させることを特徴とする、粒子の製造方法を提供するものである。
更に本発明は、前記の製造方法によって得られた粒子を含む反応終了後のスラリーを、洗浄及び乾燥させた後に焼成して得られたことを特徴とする導電性粒子を提供するものである。
本発明によれば、凝集が抑制され、高い分散性を有する粒子を高い量産性で容易に製造することができる。
以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき図面を参照しながら説明する。本発明の一実施形態として、以下の説明においては、水酸化錫粒子を製造する方法を例に挙げる。この粒子は、その後の工程で焼成されて、最終目的物の導電性粒子として酸化錫粒子となる。図1には、水酸化錫粒子の製造に好適に用いられる製造装置の一例の模式図が示されている。
図1に示す製造装置10は、母液槽11、母液槽11の底部から延びる第1循環配管12、第1循環配管12の出口側に接続された強分散装置13、強分散装置13の出口側に接続され、且つ母液槽11へ帰還する第2循環配管14とを備えている。これらの部材によって、装置10には循環経路が形成される。第1循環配管12の途中には第1ポンプ15が設置されている。また第2循環配管14の途中には第2ポンプ16が設置されている。
母液槽11内には攪拌翼11aが設置されている。攪拌翼11aはシャフト11bを介して槽外に設置されたモータ11cに接続している。攪拌翼11aは、モータ11cを駆動源として一定方向に回転するようになっている。
強分散装置13内には、攪拌部13aが設置されている。攪拌部13aはシャフト13bを介してモータ13cに接続している。攪拌部13aは、モータ13cを駆動源として一定方向に回転するようになっている。更に強分散装置13には、被覆層形成用の反応物を供給する供給部13dが設けられている。強分散装置13としてはその容積が、母液層11の容積よりも十分に小さいものが用いられる。
以上の装置10を用いた粒子の製造方法について説明すると、先ず母液槽11内に母液20を充填する。母液20は、第1の原料物質及び媒体を含むものである。媒体としては、第1の原料物質の種類に応じて適切な液体が選択される。一般的には第1の原料物質の溶解が可能なものが用いられる。例えば水酸化錫粒子を製造する場合であれば、第1の原料物質として水溶性の錫化合物を用いることができ、媒体として水を用いればよい。以下の説明においては、水溶性錫化合物を用いた例について述べるが、第1の原料物質としては、単一の原材料を用いてもよく、あるいは最終的に得られる導電性粒子の特性改善等を目的として、複数の原材料を用いてもよい。
母液20中には水溶性錫化合物が添加されている。水溶性錫化合物は、本実施形態における目的物である水酸化錫の粒子を形成するための反応物の一つである。水溶性錫化合物としては、後述する第2の原料物質と反応して水酸化錫の粒子を形成し得るものが用いられる。そのような水溶性錫化合物としては、錫酸ナトリウム及び四塩化錫等が挙げられる。これらの水溶液錫化合物は水への溶解が容易なので好適に用いられる。
母液20中における水溶性錫化合物の水溶液濃度は、Snに換算して1〜20重量%、特に3〜10重量%であることが好ましい。水溶液濃度がこの範囲内にあると、水酸化錫の粒子が容易に形成されるからである。
母液槽11内に所定量の母液20が充填されたら、母液槽11の攪拌翼11aの回転を開始する。次いで、第1ポンプ15、強分散装置13及び第2ポンプ16を起動して、装置10に形成された循環経路内に母液20を通し、これを循環させる。
循環経路内での母液20の循環が安定したら、強分散装置13の供給部13dを通じて強分散装置13内に、第2の原料物質を供給する。強分散装置13内に供給する第2の原料物質として、本実施形態においては酸又はアルカリを用いる。酸及びアルカリは、母液20に添加されている水溶性錫化合物を中和させて、水酸化錫の粒子を生成させる。
酸又はアルカリによる水溶性錫化合物の中和反応は、非常に迅速に進行する。したがって、例えば非常に大容量の反応槽を用い、これに水溶性錫化合物の水溶液を充填しておき、その中に酸又はアルカリを添加して中和反応を起こさせようとすると、反応槽内を攪拌したとしても、酸又はアルカリを添加した部分において中和反応が局所的に生じてしまい、均一な粒径の粒子を得ることができない。また、水酸化錫は軟質の物質なので、中和反応の最中に粒子どうしが付着して凝集が起こってしまう。これに対して本実施形態によれば、強分散装置13は、上述のとおり母液槽11よりもはるかに小容量のものであり、しかも母液20を高速攪拌するものであるから、局所的な中和反応が生ずることが防止され、均一な粒径の水酸化錫の粒子を形成することができる。また、粒子が極めて分散した状態になるので、粒子の凝集を効果的に防止することができる。このことは、特に凝集の起こりやすい小粒径の粒子(例えば粒径が0.01〜1μmのもの)を生成させる場合に有効である。しかも母液20は、循環経路内を循環しているので、強分散装置13に供給する酸又はアルカリの量及び/又は濃度を低くして中和反応を徐々に行うことができる。以上の作用によって、均一な粒径の水酸化錫の粒子を生成させることができるのみならず、粒子の凝集を防止することができる。
背景技術の項で述べた本出願人の先の出願に係る特開2005−108734号公報においては、本実施形態と異なり、母液槽に芯材粒子、水溶性錫化合物、及び酸又はアルカリを添加して中和反応を起こさせ、中和後の液を強分散装置で分散させている。この中和反応は、上述のとおり非常に迅速に進行するので、強分散装置を使用する時点で中和反応が既に完結している。したがって、粒子の生成プロセスが相違するのみならず、凝集を確実に防止することは容易でない。また、母液槽中に強分散装置を設置し、該強分散装置によって液を強分散しながら該母液槽中で中和反応を行った場合であっても、一般に強分散装置の容積に比して母液槽の容積の方が非常に大きいので、反応は不均一に進行し、粒子の凝集を確実に防止することはやはり容易でない。要するに、本実施形態においては母液槽とは独立した強分散装置が設置された容器内において中和反応が行われるのに対し、前記の特開2005−108734号公報に記載の技術は、母液槽において中和反応を行う点で、本実施形態と全く相違するものである。
水溶性錫化合物と酸又はアルカリとの反応は強分散装置13において瞬時に完了するので、強分散装置13に供給された酸又はアルカリが未反応のまま循環経路中に流出することや、循環する母液中に酸又はアルカリが蓄積して、強分散装置13以外の箇所において中和反応が生ずることはほとんど起こり得ないか、又は起こったとしても、目的物の品質に影響を及ぼさない程度でしかない。つまり、水溶性錫化合物と酸又はアルカリとの反応は、実質的に強分散装置13のみにおいて生じる。
局所的な中和反応が生じることを効果的に防止する観点から、強分散装置13の容積はできるだけ小さいことが好ましい。一方、十分な処理量を確保する観点からは、強分散装置13の容積V2は大きいことが好ましい。これらのバランスを考慮すると、強分散装置13の容積V2は1〜1000cm3、特に10〜500cm3であることが好ましい。
同様の観点から、強分散装置13における攪拌部13aによる攪拌速度は5000rpm以上、特に10000rpm以上であることが好ましい。攪拌部13aによる攪拌速度の上限値に特に制限はなく高ければ高いほど好ましいが、16000rpm程度に高速攪拌すれば、局所的な中和反応が生じることを効果的に防止することができる。
上述の容積及び攪拌速度を有する強分散装置13として好ましいものとしては、ホモジナイザやビーズミル等が挙げられる。これらのうちホモジナイザは、低コストで実設備に組み込み易いので特に好ましい。
強分散装置13内における母液20及び酸又はアルカリの滞留時間は、短ければ短いほど、局所的な中和反応の防止の観点から好ましい。具体的には、母液槽11から流出し強分散装置13に流入する母液20の流速をS1(cm3/min)とし、強分散装置13に供給される酸又はアルカリの速度をS3(cm3/min)とした場合、強分散装置13の容積V2(cm3)との関係で、V2/(S1+S3)の値が1〜60秒、特に30〜60秒であることが好ましい。
強分散装置13に流入する母液の量と酸又はアルカリの量との割合は、強分散装置13における局所的な中和反応の防止に関連している。具体的には、強分散装置13に供給される酸又はアルカリの速度S3と、母液槽11から流出し強分散装置13に流入する母液20の流速S1との比であるS3/S1が0.01〜0.05、特に0.03〜0.05となるように両者の速度を調整することが好ましい。換言すれば、単位時間当たりの母液20の供給量に対して、酸又はアルカリの供給量を圧倒的に少なくすることが好ましい。酸又はアルカリの供給量を少なくすることは、局所的な中和反応の防止の点からは非常に有効であるが、その反面、水酸化錫の粒子の生成速度の観点からはマイナスに作用する。このマイナスの点を、本実施形態においては、母液20を循環することで解決している。
処理量にもよるが、母液20の流速S1が例えば10〜1000cm3/minである場合には、酸又はアルカリの速度S3は0.3〜50cm3/minであることが好ましい。
強分散装置13における局所的な中和反応を防止する観点からは、酸又はアルカリの供給量を少なくすることに代えて、又はそれに加えて、供給する酸又はアルカリの濃度を低くすることも有効である。この観点から、酸又はアルカリの濃度は、母液20に含まれる水溶性錫化合物の濃度が上述の範囲であることを条件として、規定度で表して1〜25N、特に5〜20Nであることが好ましい。
強分散装置13に供給される酸としては、例えば硫酸、硝酸、酢酸などの水溶液が用いられる。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム水溶液やアンモニア水などが用いられる。
強分散装置13に供給される酸及びアルカリは連続的でもよく、或いは断続的でもよい。一層均一な粒径の水酸化錫の粒子を形成する観点からは、酸又はアルカリを連続供給することが好ましい。供給には、例えばプランジャーポンプ等を用いることができる。
酸又はアルカリは、循環の時間経過と共にその供給量(供給速度)及び/又は濃度を変化(例えば漸増又は漸減)させてもよい。例えば、供給量を変化させる場合には、容積が数百cm3〜数m3の母液槽11を用いたときには該供給量を0.1〜10L/minの範囲で漸増又は漸減させることができる。一方、濃度を変化させる場合には、1〜50重量%の範囲で漸増又は漸減させることができる。この操作によって、反応の終期における局所的な中和反応を効果的に防止することができる。
母液の循環時間に特に制限はなく、所望の粒径の粒子が形成されるまで循環を行えばよい。本発明者らの検討の結果、循環開始から循環終了までの時間をT(min)としたとき、上述のS1及びV1との関係で、S1T/V1の値が5以上、特に10以上となるように循環を行うことで、満足すべき粒径の粒子が形成されることが判明した。S1T/V1の上限値は、数百程度であれば満足すべき結果が得られる。
本実施形態の変形例として、図2(a)及び(b)に示す実施形態が挙げられる。図2(a)に示す実施形態は、図1に示す装置10において、強分散装置13を複数個用い、それらを循環流路に対して並列に設けた例である。この実施形態によれば処理量の増大を図れる。したがって、この実施形態は、各強分散装置13の容積V2が小さい場合に特に有効である。
図2(b)に示す実施形態は、図1に示す装置10における、強分散装置13を複数個用い、それらを循環流路に対して直列に設けた例である。この実施形態によれば、母液の強分散の増強を図ることができるので、母液20の循環の回数を減らすことが可能になる。
更に本実施形態においては、強分散装置13に加えて、又は強分散装置13に代えて、超音波反応装置を用いて母液20と酸又はアルカリとを強分散させることができる。例えば図3に示すように、強分散装置13に加えて、母液槽11内に超音波反応装置17Aを設置することができる。この場合、第2の原料物質である酸又はアルカリは、強分散装置13に供給される。また、図4に示すように、強分散装置13を用いず、循環経路の一部である循環配管に超音波反応装置17Bを設置し、かつ母液槽11内に超音波反応装置17Aを設置することができる。この場合には、超音波反応装置17Bに酸又はアルカリが供給される。図4に示す実施形態においては、超音波反応装置17Bの体積やそこに供給される酸又はアルカリの量を、上述した強分散装置13の場合と同様にすることが好ましい。これらの図に示す実施形態を採用することによっても、凝集が抑制され、高い分散性を有する粒子を高い量産性で容易に製造することが可能となる。
超音波反応装置17A,17Bは、1又は2以上の振動子(超音波ホーン)を備えている。振動子を循環配管12,14や母液槽11内に設置し、これを超音波振動させることで、母液20と酸又はアルカリとを強分散させる。超音波反応装置17A,17Bとしては、例えば新科産業有限会社から販売されている超音波反応装置SR40L型等を用いることができる。
超音波反応装置17A,17Bにおける振動子の運転条件としては、例えば超音波周波数を10〜40kHzとし、超音波出力を300〜2000Wとすることが好ましい。
以上の方法によって、水酸化錫からなる粒子が得られる。この粒子においては、粒径が均一になっている。また凝集した粒子の数が極めて少なくなっている。その結果、この粒子は、その粒度分布がシャープなものになっている。具体的には、粒度分布の指標であるD50/D90の値が好ましくは0.5〜1、特に0.6〜1となる。なお、本明細書においてD50及びD90の値は、レーザー回折散乱法で求められる。
このようにして得られた粒子は、反応系から分離され、洗浄及び乾燥工程を経た後に焼成工程に付される。それによって酸化錫からなる導電性粒子が得られる。その後、必要に応じて粉砕工程に付され、所望の粒径に調整される。この酸化錫の粒子においては、焼成前の粒子のシャープな粒度分布が維持されており、凝集が少なくなっている。具体的には、酸化錫の粒子は、粒度分布の指標であるD50/D90の値が、焼成前と同様に、好ましくは0.5〜1、特に0.6〜1となる。
前記の焼成工程は、非酸化性雰囲気中で行うことが好ましい。非酸化性雰囲気としては、例えば窒素雰囲気、水素を含有した窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等が挙げられる。これらのうち、水素を含有した窒素雰囲気は安価なので、工業的観点から好ましい。また、水素を含有した窒素雰囲気を用いる場合、水素の含有量は、好ましくは0.1〜10体積%、更に好ましくは1〜3体積%である。水素の含有量がこの範囲内にあると、錫を金属に還元させることなく、酸素欠損を有する導電性の酸化錫の被覆層を形成しやすいからである。
前記の焼成工程における焼成温度は、好ましくは200〜1200℃、更に好ましくは400〜600℃である。焼成時間は、好ましくは5〜180分、更に好ましくは10〜120分である。焼成温度及び時間がこれらの範囲内にあると、酸素欠損を生じさせるのに十分であり、且つ凝集を起こし難いからである。この焼成工程を行うことにより導電性粒子が得られる。
このようにして得られた導電性粒子は、例えば紙、プラスチック、ゴム、樹脂、塗料等に添加してこれらに導電性を付与する導電性フィラーとして使用される。また、電池等の電極改質剤として使用される。
以上、本発明をその好ましい実施形態に基づき説明したが、本発明は前記実施形態に制限されない。例えば前記の実施形態で用いられた製造装置10に代えて、図5に示す装置10’を用いることもできる。図5に示す装置10’においては、母液槽11の底部に強分散装置13が直接取り付けられている。同図に示す装置10’を用いても、図1に示す装置10と同様の有利な効果が奏される。
また前記実施形態は、本発明を、水酸化錫からなる粒子を生成させる方法に適用した例であるが、本発明はこれ以外の粒子の製造方法にも同様に適用できる。例えば、水溶性金属塩を酸又はアルカリで中和して得られる金属水酸化物の粒子の製造方法に本発明を適用することができる。具体的には、水酸化亜鉛粒子を生成させる方法に、本発明を適用することもできる。この場合には、母液中に塩化亜鉛等の亜鉛源となる水溶性亜鉛化合物を含有させておき、強分散装置に水酸化ナトリウム等のアルカリを供給すればよい。このようにして得られた粒子を大気中で焼成することによって、酸化亜鉛粒子を得ることができる。更に、インジウム及び錫の水酸化物粒子を生成させる方法に、本発明を適用することもできる。この場合には、母液中に硝酸インジウム等のインジウム源となる水溶性インジウム化合物及び塩化錫等の錫源となる水溶性錫化合物を含有させておき、強分散装置に水酸化ナトリウム等のアルカリを供給すればよい。このようにして得られた粒子を還元雰囲気中で焼成することによって、インジウム及び錫の複合酸化物(ITO)粒子を得ることができる。別法として、無電解還元法によって金属粒子を生成させる方法に本発明を適用することができる。この場合には、母液中に無電解還元の金属源となる化合物を含有させておき、強分散装置に還元剤を供給すればよい。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲はかかる実施例に制限されない。特に断らない限り、「%」は「重量%」を意味する。
〔実施例1〕
図1に示す装置を用い、水酸化錫粒子を製造した。母液槽中に純水9000cm3を投入し、そこに1600gの錫酸ナトリウムを投入して5パス循環させた。このようにして母液を得た。この母液を、母液槽から流出する流速S1が200cm3となるように循環させながら、強分散装置としてのホモジナイザ(IKAジャパン株式会社製のT50(商品名))に20%硫酸を供給した。供給速度S3は9.2cm3/minであった。ホモジナイザの容積は500cm3、攪拌速度は16000rpmであった。循環を15分間行い、その間硫酸を連続的にホモジナイザに供給した。このようにして、水酸化錫粒子を得た。
得られた粒子を含むスラリーを、その導電率が600μS/cm以下となるまでリパルプ洗浄した後、ヌッチェ濾過を行い、ケーキを得た。このケーキを大気中、150℃で10時間乾燥させた。次いで乾燥ケーキを粉砕し、その粉砕粉を1体積%H2/N2雰囲気下で450℃、30分間還元焼成した。これによって、酸化錫粒子を得た。
〔実施例2〕
図5に示す装置を用い、水酸化錫粒子を製造した。母液槽中に純水9000を投入し、そこに900gの錫酸ナトリウムを投入して5パス循環させた。このようにして母液を得た。この母液を、母液槽から流出する流速S1が200cm3となるように循環させながら、強分散装置としてのホモジナイザ(IKAジャパン株式会社製のmagic LAB(商品名))に20%硫酸を供給した。供給速度S3は9.2cm3/minであった。ホモジナイザの容積は20cm3、攪拌速度は16000rpmであった。循環を15分間行い、その間硫酸を連続的にホモジナイザに供給した。このようにして、水酸化錫粒子を得た。
得られた粒子を含むスラリーを、その導電率が600μS/cm以下となるまでリパルプ洗浄した後、ヌッチェ濾過を行い、ケーキを得た。このケーキを大気中、150℃で10時間乾燥させた。次いで乾燥ケーキを粉砕し、その粉砕粉を1体積%H2/N2雰囲気下で450℃、30分間還元焼成した。これによって、酸化錫粒子を得た。
〔実施例3〕
図1に示す装置を用い、水酸化亜鉛粒子を製造した。母液槽中に純水9000cm3を投入し、そこに1000gの無水塩化亜鉛を投入して5パス循環させた。このようにして母液を得た。この母液を、母液槽から流出する流速S1が10L/minとなるように循環させながら、強分散装置としてのホモジナイザ(IKAジャパン株式会社製のT50(商品名))に20%水酸化ナトリウム水溶液を供給した。供給速度S3は9.2cm3/minであった。pHは5.0とした。ホモジナイザの容積は500cm3、攪拌速度は16000rpmであった。循環を15分間行い、その間硫酸を連続的にホモジナイザに供給した。このようにして、水酸化亜鉛粒子を得た。
得られた粒子を含むスラリーを、その導電率が600μS/cm以下となるまでリパルプ洗浄した後、ヌッチェ濾過を行い、ケーキを得た。このケーキを大気中、150℃で10時間乾燥させた。次いで乾燥ケーキを粉砕し、その粉砕粉を大気中、450℃で、45分還元焼成した。これによって、酸化亜鉛粒子を得た。
〔実施例4〕
図1に示す装置を用い、インジウム及び錫の水酸化物粒子を製造した。母液槽中に純水9000cm3を投入し、そこに5gの塩化スズ塩酸溶液(44%)及び976gの硝酸インジウム水溶液(100g/1000cm3、比重1.6g/cm3)の錫酸ナトリウムを投入して5パス循環させた。このようにして母液を得た。この母液を、母液槽から流出する流速S1が10L/minとなるように循環させながら、強分散装置としてのホモジナイザ(IKAジャパン株式会社製のT50(商品名))に20%水酸化ナトリウムを供給した。供給速度S3は9.2cm3/minであった。pHは3.0とした。ホモジナイザの容積は500cm3、攪拌速度は16000rpmであった。循環を15分間行い、その間硫酸を連続的にホモジナイザに供給した。このようにして、インジウム及び錫の水酸化物粒子を得た。
得られた粒子を含むスラリーを、その導電率が600μS/cm以下となるまでリパルプ洗浄した後、ヌッチェ濾過を行い、ケーキを得た。このケーキを大気中、150℃で10時間乾燥させた。次いで乾燥ケーキを粉砕し、その粉砕粉を1体積%H2/N2雰囲気下で450℃、45分還元焼成した。これによって、インジウム及び錫の複合酸化物(ITO)粒子を得た。
〔実施例5〕
図3に示す装置を用い、水酸化錫粒子を製造した。母液槽中に純水9000cm3を投入し、そこに1600gの錫酸ナトリウムを投入して5パス循環させた。このようにして母液を得た。この母液を、母液槽から流出する流速S1が200cm3となるように循環させながら、強分散装置としてのホモジナイザ(IKAジャパン株式会社製のT50(商品名))に20%硫酸を供給した。供給速度S3は9.2cm3/minであった。ホモジナイザの容積は500cm3、攪拌速度は16000rpmであった。また、超音波反応装置17Aとして新科産業有限会社製のSR40L型を用いた。この装置の運転条件は、2000W、25kHzとした。循環を15分間行い、その間硫酸を連続的にホモジナイザに供給した。このようにして、水酸化錫粒子を得た。
得られた粒子を含むスラリーを、その導電率が600μS/cm以下となるまでリパルプ洗浄した後、ヌッチェ濾過を行い、ケーキを得た。このケーキを大気中、150℃で10時間乾燥させた。次いで乾燥ケーキを粉砕し、その粉砕粉を1体積%H2/N2雰囲気下で450℃、30分間還元焼成した。これによって、酸化錫粒子を得た。
〔実施例6〕
図4に示す装置を用い、水酸化錫粒子を製造した。母液槽中に純水9000cm3を投入し、そこに1600gの錫酸ナトリウムを投入して5パス循環させた。このようにして母液を得た。この母液を、母液槽から流出する流速S1が200cm3となるように循環させながら、強分散装置としての超音波反応装置17B(新科産業有限会社製のSRT40−01Type)に20%硫酸を供給した。供給速度S3は9.2cm3/minであった。超音波反応装置17Bの容積は500cm3であった。運転条件は、1000W、40kHzであった。また、超音波反応装置17Aとして新科産業有限会社製のSR40L型を用いた。この装置の運転条件は、2000W、25kHzとした。循環を15分間行い、その間硫酸を連続的に超音波反応装置17Bに供給した。このようにして、水酸化錫粒子を得た。
得られた粒子を含むスラリーを、その導電率が600μS/cm以下となるまでリパルプ洗浄した後、ヌッチェ濾過を行い、ケーキを得た。このケーキを大気中、150℃で10時間乾燥させた。次いで乾燥ケーキを粉砕し、その粉砕粉を1体積%H2/N2雰囲気下で450℃、30分間還元焼成した。これによって、酸化錫粒子を得た。
〔実施例7〕
実施例6において超音波反応装置17Aを用いなかった。また超音波反応装置17Bの運転条件として1000W、40kHzを採用した。これら以外は実施例6と同様にして酸化錫粒子を得た。
〔比較例1〕
攪拌槽中に純水9000cm3を投入し、そこに930gの錫酸ナトリウムを投入して40℃で1時間攪拌した。このスラリーを70℃に昇温した後、20%硫酸を1300cm3供給し、スラリーのpHを3にした。その後、更に1時間攪拌を行った。このようにして水酸化錫粒子を得た。
得られた粒子を含むスラリーを、その導電率が600μS/cm以下となるまでリパルプ洗浄した後、ヌッチェ濾過を行い、ケーキを得た。このケーキを大気中、150℃で10時間乾燥させた。次いで乾燥ケーキを粉砕し、その粉砕粉を1体積%H2/N2雰囲気下で450℃、30分間還元焼成した。これによって、酸化錫粒子を得た。
〔比較例2〕
母液槽中にホモジナイザ(IKAジャパン製 T−50)を取り付けた装置を用い、水酸化錫粒子を製造した。母液槽中に純水3510cm3を投入し、次にホモジナイザを用いて水を強分散しながら錫酸ナトリウム576gを投入し、これを溶解させた。Snの濃度は41%であった。引き続きホモジナイザにて強分散処理しながら、20%硫酸を液のpHが2.5になるまで添加して中和した。中和を開始してから終了するまで98分間にわたり強分散処理を行い続けた。この間、ホモジナイザは4500rpmで攪拌させた。このようにして水酸化錫粒子を得た。その後は実施例1と同様にして、酸化錫粒子を得た。
〔評価〕
実施例及び比較例について、反応後でかつ洗浄前の粒子について、粒度分布(D50、D90)を以下の方法で測定した。また、焼成後の導電性粒子についても、粒度分布(D50、D90)を測定した。更に焼成後の導電性粒子について、比表面積及び体積抵抗を以下の方法で測定した。それらの結果を以下の表1に示す。
〔粒度分布の測定〕
200cm3のサンプル容器に試料約0.1gを採り、これに0.2g/lのヘキサメタリン酸ソーダを10cm3添加混合し、引き続き純水90cm3を添加した。日本精機株式会社製の超音波分散機であるUS−300Tを用いて試料を10分間分散しサンプル液を調製した。このサンプル液を用い、日機装株式会社製マイクロトラックHRAを用いて分散粒度D50及びD90を測定した。
〔比表面積の測定〕
ユアサアイオニクス株式会社製モノソーブを用い、BET比表面積を測定した。
〔体積抵抗率の測定〕
三菱化学株式会社製ロレスタPAPD−41を用い、試料を500kgf/cm2に加圧した状態下に、同社製ロレスタAPを用い体積抵抗率を測定した。
Figure 0005155840
表1に示す結果から明らかなように、実施例で得られた粒子は、粒度分布がシャープであり、粒子の凝集の程度が低いことが判る。また、体積抵抗が低く、粒子の分散性が良好であることが判る。特に、ホモジナイザと超音波反応装置とを併用した実施例5においては、焼成前の粒子はそのD50/D90の値が大きくなり、シャープな粒度分布を有していることが判る。
本発明の製造方法に好適に用いられる装置を示す模式図である。 図1に示す装置の変形例を示す模式図である。 本発明の製造方法に好適に用いられる別の装置を示す模式図である。 本発明の製造方法に好適に用いられる別の装置を示す模式図である。 本発明の製造方法に好適に用いられる別の装置を示す模式図である。
符号の説明
10 製造装置
11 母液槽
12 第1循環配管
13 強分散装置
14 第2循環配管
20 母液

Claims (8)

  1. 母液槽と、ホモジナイザ又はビーズミルからなる強分散装置とが循環経路の一部に設けられた装置を用い、
    第1の原料物質を含む母液を、流速S1(cm 3 /min)で該母液槽から流出させて循環させつつ、該強分散装置に第2の原料物質を供給速度S3(cm 3 /min)で供給し、
    該強分散装置において該母液を強分散させた状態下に第1の原料物質と第2の原料物質とを反応させて、粒子を生成させる金属水酸化物の粒子の製造方法であって、
    該母液中に第1の原料物質として、1)水溶性錫化合物、2)水溶性亜鉛化合物、又は3)水溶性インジウム化合物及び水溶性錫化合物、のうちいずれかが含まれており、
    第2の原料物質が酸又はアルカリであり、
    S3/S1が0.01〜0.05となるように速度を調整して反応を行う、金属水酸化物の粒子の製造方法
  2. 複数の前記強分散装置が、前記循環経路に対して並列に又は直列に設けられている請求項1記載の粒子の製造方法。
  3. 時間の経過と共に第2の原料物質の供給量及び/又は濃度を変化させる請求項1又は2記載の粒子の製造方法。
  4. 前記強分散装置の容積をV2(cm 3 )としたとき、V2/(S1+S3)の値が1〜60秒となるように反応を行う請求項1ないし3の何れかに記載の粒子の製造方法。
  5. 前記循環経路の一部に設置された母液槽内に超音波反応装置を更に設けて反応を行う請求項1ないし4のいずれかに記載の粒子の製造方法。
  6. 前記強分散装置の容積V2が1〜1000cm 3 である請求項1ないし5のいずれかに記載の粒子の製造方法。
  7. S1が10〜1000cm 3 /minであり、S3が0.3〜50cm 3 /minである請求項1ないし6のいずれかに記載の粒子の製造方法。
  8. 前記強分散装置の攪拌速度が5000rpm以上である請求項1ないし7のいずれかに記載の粒子の製造方法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5711981B2 (ja) * 2011-01-19 2015-05-07 三井金属鉱業株式会社 酸化スズ粒子及びその製造方法
JP2013151383A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Tsukishima Kikai Co Ltd 金属の凝集粒子の製造方法、リチウムイオン電池用正極活物質製造方法、リチウムイオン電池の製造方法並びにリチウムイオン電池
JP6060680B2 (ja) * 2012-12-27 2017-01-18 三菱マテリアル株式会社 Ito粉末
JP6142295B1 (ja) * 2016-06-07 2017-06-07 株式会社田中化学研究所 二次電池用正極活物質
JP6753280B2 (ja) 2016-11-24 2020-09-09 コニカミノルタ株式会社 電子写真感光体
CA3213336A1 (en) 2021-03-26 2022-09-29 Hiroya Tsuzaki Crystallization device, crystallization system, and crystallization method
JP7214782B2 (ja) * 2021-04-28 2023-01-30 月島機械株式会社 晶析方法、晶析装置、および晶析システム
JP2023135222A (ja) * 2022-03-15 2023-09-28 月島機械株式会社 晶析システムおよび晶析方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56136904A (en) * 1980-03-31 1981-10-26 Toshiba Corp Production of platinum group particle
JP2555475B2 (ja) * 1990-10-16 1996-11-20 工業技術院長 無機質微小球体の製造方法
JPH08318153A (ja) * 1995-05-24 1996-12-03 Nikki Kagaku Kk 沈澱粒子径を調整する沈澱調製方法
CN1373083A (zh) * 2001-03-07 2002-10-09 鞍山钢铁学院 一种尺寸可控的纳米粉体制备方法
JP2003119023A (ja) * 2001-10-12 2003-04-23 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Ito粉末の製造方法及びito粉末
WO2003033097A2 (en) * 2001-10-17 2003-04-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Rotor-stator apparatus and process for the formation of particles
JP3722054B2 (ja) * 2001-11-29 2005-11-30 株式会社山武 マイクロ反応器
JP4640570B2 (ja) * 2003-06-23 2011-03-02 三菱マテリアル株式会社 金属微粒子とその製造方法
JP4540091B2 (ja) * 2003-09-30 2010-09-08 三井金属鉱業株式会社 導電性粉末及びその製造方法
JP2006265086A (ja) * 2005-02-24 2006-10-05 Toyota Motor Corp 水酸化ニッケル粒子の製造方法及び製造装置
JP2006297379A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Asahi Kasei Chemicals Corp 超音波反応装置
JP2007031799A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Toda Kogyo Corp 金属ナノ粒子の製造方法
JP4558657B2 (ja) * 2006-01-31 2010-10-06 株式会社ワイエムシィ 微粒子生成装置及びマイクロチャネル基板
JP2007291515A (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Taiyo Nippon Sanso Corp 微粒子、その製造方法及び製造装置

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