JP5153162B2 - 集積回路用のヒューズ及びその製造方法(異なる高さで存在する端子部分を有する電気的にプログラム可能なヒューズ構造及びその製造方法) - Google Patents
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Description
110 陰極パッド
120 陽極パッド
130 相互接続部
W 幅
L 全体の長さ
200 中間構造
210 絶縁領域
220 半導体基板
240 ゲート誘電体
250 ゲート導体ポリシリコン
300 遮断マスク
310 露出状態
320 ケイ素化合物化されたヒューズ構造
400 支持面
410、715、910、1110、1410、1500、1700 第1端子部分
415、425 屈曲部
420、725、920、1120、1420、1730 第2端子部分
430、930、1130、1430、1600、1710 ヒューズ・エレメント
H 高さ
500 誘電体層
600 絶縁側壁スペーサ
610 ポリシリコン導体スペーサ
700 ケイ素化合物マスク
720、900 ヒューズ構造
710 ヒューズ開口部
735 相互接続ヒューズ・エレメント
T1 第1端子部分及び第2端子部分の厚さ
T2 相互接続ヒューズ・エレメントの厚さ
800 パターン化された絶縁体
805 マスク
810 開口部
820 ポリシリコン導体
1000 ポリシリコン層
1100 ケイ素化合物層
1140 ケイ素化合物
1200、1415、1425、1740、1750 電気接点
1300 拡散領域
1310、1320、1330 ポリシリコン線
1435 ブリッジ境界面
1520、1530、1540、1550 ヒューズ・エレメント部分
1610 直角ブリッジ
1620 大まかな物理イメージ・レイアウト
1720 長方形形状ブリッジ
Claims (13)
- 集積回路用のヒューズであって、前記ヒューズが、
ヒューズ・エレメントによって相互接続された第1端子部分及び第2端子部分を含み、
前記第1端子部分及び前記第2端子部分が支持面に対して異なる高さで存在し、前記相互接続するヒューズ・エレメントが前記第1端子部分及び前記第2端子部分の前記異なる高さの間で繋がっており、
前記支持面が支持基板の表面を含み、前記第1端子部分が前記支持基板の拡散領域内に少なくとも部分的に配置され、前記ヒューズ・エレメントが前記第1端子部分上の一端で終端し、前記ヒューズ・エレメントの前記少なくとも一端が、前記ヒューズ・エレメントの残りの幅に比べて減少した幅のブリッジを含む、前記ヒューズ。 - 前記第1端子部分及び前記第2端子部分が各々、前記支持面に並行するように方向付けられ、前記ヒューズ・エレメントが、前記支持面に対して直角になるように方向付けられた部分を含む、請求項1に記載のヒューズ。
- 前記ヒューズ・エレメントが、前記第1端子部分及び前記第2端子部分の少なくとも1つから、前記ヒューズ・エレメントの前記直角になるように方向付けられた部分までの少なくとも1つの直角屈曲部を更に含む、請求項2に記載のヒューズ。
- 前記ヒューズの厚さが変化し、前記ヒューズ・エレメントの厚さが前記第1端子部分の厚さ及び前記第2端子部分の厚さよりも小さい、請求項1に記載のヒューズ。
- 前記第2端子部分が、前記支持基板上に延在するポリシリコン・ゲート積層体内に少なくとも部分的に配置され、前記第1端子部分、前記第2端子部分及び前記ヒューズ・エレメントがケイ素化合物を含む、請求項1に記載のヒューズ。
- 前記ヒューズが前記ポリシリコン・ゲート積層体の少なくとも1つの側壁上に側壁スペーサを更に含み、前記ヒューズ・エレメントの一部分が前記側壁スペーサ上に配置され、前記側壁スペーサ上に配置された前記ヒューズ・エレメントの厚さが前記第1端子部分の厚さ及び前記第2端子部分の厚さよりも小さい、請求項5に記載のヒューズ。
- 前記第2端子部分が前記第1端子部分よりも上の高さに存在し、前記第2端子部分が誘電体材料上に存在する、請求項1に記載のヒューズ。
- パターン化された絶縁体が前記支持面上に存在し、前記第2端子部分が、前記パターン化された絶縁体の少なくとも一部分上に存在し、前記ヒューズ・エレメントが、前記パターン化された絶縁体の側壁を延在することによって前記第1端子部分と前記第2端子部分との間を繋ぎ、前記パターン化された絶縁体の前記側壁が前記支持面に対して直角である、請求項1に記載のヒューズ。
- 前記第1端子部分、前記第2端子部分及び前記ヒューズ・エレメントがケイ素化合物を含み、前記第2端子部分が、前記支持面から延在するポリシリコン積層体上に存在し、前記ポリシリコン積層体が絶縁側壁スペーサを含み、前記ヒューズ・エレメントが、前記第1端子部分と前記第2端子部分との間を繋ぐように前記絶縁側壁スペーサ上に延在する部分を含む、請求項1に記載のヒューズ。
- 前記ブリッジが、平面図内の長方形形状または三角形形状の一方であり、前記第1端子部分及び前記第2端子部分を相互接続する前記ヒューズ・エレメント内の直角屈曲部に配置されている、請求項1に記載のヒューズ。
- 集積回路用のヒューズを製造する方法であって、前記方法が、
支持構造が載置された支持面を設けることと、
前記支持面と前記支持構造の上面との間に延在するヒューズを形成し、前記ヒューズが、ヒューズ・エレメントによって相互接続された第1端子部分及び第2端子部分を含むこととを含み、
前記第1端子部分が前記支持面に存在し、前記第2端子部分が前記支持構造の前記上面に存在し、前記相互接続するヒューズ・エレメントが、前記支持面に対して異なる高さで配置された前記第1端子部分及び前記第2端子部分間を繋ぎ、
前記支持面が支持半導体基板の表面を含み、前記支持構造が、前記支持半導体基板上に延在するポリシリコン積層体を含み、前記ヒューズを形成することが、前記第1端子部分を少なくとも部分的に前記支持半導体基板の拡散領域内で規定し、前記第2端子部分を少なくとも部分的に前記ポリシリコン積層体の露出上面内で規定することを含み、前記第1端子部分、前記第2端子部分及び前記ヒューズ・エレメントがケイ素化合物を含み、
前記第2端子部分の下にあり、前記第1端子部分と前記第2端子部分との間に延在する前記ヒューズ・エレメントに隣接する誘電体材料と前記ポリシリコン積層体を、前記ヒューズを形成した後に置き換えることを更に含む、前記方法。 - 集積回路用のヒューズを製造する方法であって、前記方法が、
支持構造が載置された支持面を設けることと、
前記支持面と前記支持構造の上面との間に延在するヒューズを形成し、前記ヒューズが、ヒューズ・エレメントによって相互接続された第1端子部分及び第2端子部分を含むこととを含み、
前記第1端子部分が前記支持面に存在し、前記第2端子部分が前記支持構造の前記上面に存在し、前記相互接続するヒューズ・エレメントが、前記支持面に対して異なる高さで配置された前記第1端子部分及び前記第2端子部分間を繋ぎ、
前記支持面が、拡散領域を有する支持半導体基板の表面を含み、前記ヒューズを形成することが、前記第1端子部分を少なくとも部分的に前記支持半導体基板の前記拡散領域内に形成し、前記第1端子部分上で終端する前記ヒューズ・エレメントの一端にブリッジを含む前記ヒューズ・エレメントを形成することを含み、前記ブリッジが、前記ヒューズ・エレメントの残りの幅に比べて減少された幅の領域を含む、前記方法。 - 前記ブリッジを有する前記ヒューズ・エレメントを形成することが、少なくとも部分的に前記支持半導体基板の前記拡散領域内に規定された前記第1端子部分上で終端する前記ヒューズ・エレメントの前記一端に隣接して平面図内に長方形形状または三角形形状の一方を有するように前記ブリッジを規定することを更に含む、請求項12に記載の方法。
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Families Citing this family (13)
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US7784009B2 (en) * | 2006-03-09 | 2010-08-24 | International Business Machines Corporation | Electrically programmable π-shaped fuse structures and design process therefore |
US7777297B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-08-17 | International Business Machines Corporation | Non-planar fuse structure including angular bend |
KR20090070826A (ko) * | 2007-12-27 | 2009-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 퓨즈를 구비한 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US8013419B2 (en) * | 2008-06-10 | 2011-09-06 | International Business Machines Corporation | Structure and method to form dual silicide e-fuse |
US8003474B2 (en) * | 2008-08-15 | 2011-08-23 | International Business Machines Corporation | Electrically programmable fuse and fabrication method |
US8659384B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-02-25 | Littelfuse, Inc. | Metal film surface mount fuse |
US8629750B2 (en) | 2010-09-20 | 2014-01-14 | Cooper Technologies Company | Fractional amp fuse and bridge element assembly therefor |
US8530319B2 (en) * | 2010-10-14 | 2013-09-10 | International Business Machines Corporation | Vertical silicide e-fuse |
US8912626B2 (en) | 2011-01-25 | 2014-12-16 | International Business Machines Corporation | eFuse and method of fabrication |
US9299451B2 (en) * | 2012-01-20 | 2016-03-29 | International Business Machines Corporation | Tamper resistant electronic system utilizing acceptable tamper threshold count |
CN103633064A (zh) * | 2012-08-15 | 2014-03-12 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 电编程金属熔丝器件结构 |
US9728542B1 (en) * | 2016-05-25 | 2017-08-08 | International Business Machines Corporation | High density programmable e-fuse co-integrated with vertical FETs |
CN116093067A (zh) * | 2021-11-03 | 2023-05-09 | 长鑫存储技术有限公司 | 熔丝结构、形成方法及可编程存储器 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4198744A (en) | 1978-08-16 | 1980-04-22 | Harris Corporation | Process for fabrication of fuse and interconnects |
NL8002634A (nl) | 1980-05-08 | 1981-12-01 | Philips Nv | Programmeerbare halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
JPS5763854A (en) | 1980-10-07 | 1982-04-17 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPS5846174B2 (ja) * | 1981-03-03 | 1983-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
JPS59130441A (ja) | 1982-12-25 | 1984-07-27 | Fujitsu Ltd | ヒューズ型romの書込み方法 |
JPS60231350A (ja) | 1984-04-28 | 1985-11-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US4630355A (en) * | 1985-03-08 | 1986-12-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electric circuits having repairable circuit lines and method of making the same |
US4670970A (en) | 1985-04-12 | 1987-06-09 | Harris Corporation | Method for making a programmable vertical silicide fuse |
EP0241046A3 (en) * | 1986-04-11 | 1990-05-16 | Nec Corporation | Semiconductor device having fuse-type memory element |
JPS63246844A (ja) | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Matsushita Electronics Corp | 半導体ヒユ−ズ |
US5019532A (en) | 1989-12-27 | 1991-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming a fuse and fuse made thereby |
JPH0521604A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Nippon Steel Corp | 半導体装置のヒユーズ構造 |
JP3160963B2 (ja) | 1991-10-30 | 2001-04-25 | ローム株式会社 | ヒューズ |
EP0563852A1 (en) | 1992-04-02 | 1993-10-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Zag fuse for reduced blow-current applications |
JP3171977B2 (ja) * | 1993-02-15 | 2001-06-04 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置 |
EP0618620B1 (en) * | 1993-04-01 | 1999-11-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor fuse structures |
US5572409A (en) | 1994-02-08 | 1996-11-05 | Prolinx Labs Corporation | Apparatus including a programmable socket adapter for coupling an electronic component to a component socket on a printed circuit board |
US5444287A (en) * | 1994-08-10 | 1995-08-22 | International Business Machines Corporation | Thermally activated noise immune fuse |
US5618750A (en) * | 1995-04-13 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Method of making fuse with non-corrosive termination of corrosive fuse material |
US6337507B1 (en) | 1995-09-29 | 2002-01-08 | Intel Corporation | Silicide agglomeration fuse device with notches to enhance programmability |
US6277674B1 (en) | 1998-10-02 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor fuses, methods of using the same, methods of making the same, and semiconductor devices containing the same |
CN1167128C (zh) * | 1999-04-14 | 2004-09-15 | 国际商业机器公司 | 电熔化熔断器及其阵列和排列 |
US6323534B1 (en) | 1999-04-16 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Fuse for use in a semiconductor device |
US6512284B2 (en) | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Hewlett-Packard Company | Thinfilm fuse/antifuse device and use of same in printhead |
US6642601B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Low current substantially silicide fuse for integrated circuits |
US6756255B1 (en) | 2001-12-10 | 2004-06-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS process with an integrated, high performance, silicide agglomeration fuse |
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US6960978B2 (en) | 2003-07-16 | 2005-11-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fuse structure |
US7388420B2 (en) | 2004-03-30 | 2008-06-17 | Impinj, Inc. | Rewriteable electronic fuses |
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