JP5131163B2 - リダンダンシ演算方法及び装置並びにメモリ試験装置 - Google Patents
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Description
XLF≧YSL+1 …(1)
YLF≧XSL+1 …(2)
・PPASS…フェイルなし(良品)
・RPASS…スペアラインを用いて救済可能(良品)
・RFAIL…スペアラインを用いて救済不可能(不良品)
・IPASS…条件付き良品(不完全救済)
この発明によると、まず行スペアライン及び列スペアラインを全て用いても救済できない不良セルが存在する場合にメモリデバイスを良とみなすために許容される不良セルの数を示す規定値が設定され、次いで行アドレスが同一である不良セルの数が列スペアラインの数に規定値を加えた値よりも大であるかの第1判断、及び、列アドレスが同一である不良セルの数が行スペアラインの数に規定値を加えた値よりも大であるかの第2判断の少なくとも一方の判断が行われ、第1判断の判断結果が真である場合に行アドレスで特定される1行分のメモリセルの行スペアラインによる代替が確定され、第2判断の判断結果が真である場合に列アドレスで特定される1列分のメモリセルの列スペアラインによる代替が確定される。
また、本発明のリダンダンシ演算方法は、前記メモリデバイスの試験結果に応じて前記第1ステップで設定された前記規定値を更新するステップを含むことを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明のリダンダンシ演算装置は、行アドレス及び列アドレスからなる二次元アドレスにより個々のメモリセルが特定される複数のメモリセルと、予備セルが複数配列されてなる少なくとも1本の行スペアライン(SL2)及び列スペアライン(SL1)とを備えるメモリデバイス(30)の不良救済を行う上で必要なデータを作成するリダンダンシ演算装置(17)において、前記行スペアライン及び前記列スペアラインを全て用いても救済できない不良セルが存在する場合に、前記メモリデバイスを良とみなすために許容される不良セルの数を示す規定値を設定する設定部(22)と、行アドレスが同一である不良セルの数が前記列スペアラインの数に前記規定値を加えた値よりも大であるかの第1判断、及び、列アドレスが同一である不良セルの数が前記行スペアラインの数に前記規定値を加えた値よりも大であるかの第2判断の少なくとも一方の判断を行い、前記第1判断の判断結果が真である場合に前記行アドレスで特定される1行分のメモリセルの前記行スペアラインによる代替を確定し、前記第2判断の判断結果が真である場合に前記列アドレスで特定される1列分のメモリセルの前記列スペアラインによる代替を確定する処理部(21)とを備えることを特徴としている。
また、本発明のリダンダンシ演算装置は、前記設定部が、前記メモリデバイスの試験結果に応じて前記規定値を更新することを特徴としている。
本発明のメモリ試験装置は、メモリデバイス(30)のパス/フェイルを示すフェイル情報を格納するフェイルメモリ(15)を有するメモリ試験装置(1)において、前記フェイルメモリに格納された前記フェイル情報を用いて前記メモリデバイスの不良救済を行う上で必要なデータを作成する上記のリダンダンシ演算装置(17)を備えることを特徴としている。
XLF≧YSL+1+LT …(3)
YLF≧XSL+1+LT …(4)
15 フェイルメモリ
17 リダンダンシ演算装置
21 処理部
22 設定部
30 DUT
SL1 Xスペアライン
SL2 Yスペアライン
Claims (5)
- 行アドレス及び列アドレスからなる二次元アドレスにより個々のメモリセルが特定される複数のメモリセルと、予備セルが複数配列されてなる少なくとも1本の行スペアライン及び列スペアラインとを備えるメモリデバイスの不良救済を行う上で必要なデータを作成するリダンダンシ演算方法において、
前記行スペアライン及び前記列スペアラインを全て用いても救済できない不良セルが存在する場合に、前記メモリデバイスを良とみなすために許容される不良セルの数を示す規定値を設定する第1ステップと、
行アドレスが同一である不良セルの数が前記列スペアラインの数に前記規定値を加えた値よりも大であるかの第1判断、及び、列アドレスが同一である不良セルの数が前記行スペアラインの数に前記規定値を加えた値よりも大であるかの第2判断の少なくとも一方の判断を行う第2ステップと、
前記第1判断の判断結果が真である場合に前記行アドレスで特定される1行分のメモリセルの前記行スペアラインによる代替を確定し、前記第2判断の判断結果が真である場合に前記列アドレスで特定される1列分のメモリセルの前記列スペアラインによる代替を確定する第3ステップと
を含むことを特徴とするリダンダンシ演算方法。 - 前記メモリデバイスの試験結果に応じて前記第1ステップで設定された前記規定値を更新するステップを含むことを特徴とする請求項1記載のリダンダンシ演算方法。
- 行アドレス及び列アドレスからなる二次元アドレスにより個々のメモリセルが特定される複数のメモリセルと、予備セルが複数配列されてなる少なくとも1本の行スペアライン及び列スペアラインとを備えるメモリデバイスの不良救済を行う上で必要なデータを作成するリダンダンシ演算装置において、
前記行スペアライン及び前記列スペアラインを全て用いても救済できない不良セルが存在する場合に、前記メモリデバイスを良とみなすために許容される不良セルの数を示す規定値を設定する設定部と、
行アドレスが同一である不良セルの数が前記列スペアラインの数に前記規定値を加えた値よりも大であるかの第1判断、及び、列アドレスが同一である不良セルの数が前記行スペアラインの数に前記規定値を加えた値よりも大であるかの第2判断の少なくとも一方の判断を行い、前記第1判断の判断結果が真である場合に前記行アドレスで特定される1行分のメモリセルの前記行スペアラインによる代替を確定し、前記第2判断の判断結果が真である場合に前記列アドレスで特定される1列分のメモリセルの前記列スペアラインによる代替を確定する処理部と
を備えることを特徴とするリダンダンシ演算装置。 - 前記設定部は、前記メモリデバイスの試験結果に応じて前記規定値を更新することを特徴とする請求項3記載のリダンダンシ演算装置。
- メモリデバイスのパス/フェイルを示すフェイル情報を格納するフェイルメモリを有するメモリ試験装置において、
前記フェイルメモリに格納された前記フェイル情報を用いて前記メモリデバイスの不良救済を行う上で必要なデータを作成する請求項3又は請求項4記載のリダンダンシ演算装置を備えることを特徴とするメモリ試験装置。
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