JP5120450B2 - 積層セラミック電子部品 - Google Patents

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Description

本発明は、例えば積層コンデンサや、コンデンサ内蔵セラミック多層基板のような積層セラミック電子部品に関し、より詳細には、熱応力や機械的応力が加わった際のクラックによる短絡不良を防止する構造が備えられた積層セラミック電子部品に関する。
ECU(Electrical Control Unit)などにおいては、小型化を進めるため、積層コンデンサなどの積層セラミック電子部品が多用されている。積層セラミック電子部品では、セラミック素体内に複数の内部電極が配置されている。積層セラミック電子部品に対し、外部の温度変化による熱応力が加わったり、あるいは実装基板に加わるたわみ応力が加わったりすると、セラミック素体にクラックが発生することがある。クラックは、セラミック素体両端に形成された一対の外部端子電極の端線部分からセラミック素体内に向かって延びるように生じることが多い。その結果、異なる電位に接続される内部電極同士にまたがるクラックが生じ、短絡不良となることがある。
このような問題を解決するために、下記の特許文献1には、図6に示す積層コンデンサが開示されている。
図6に示すように、積層コンデンサ101はセラミック素体102を有する。セラミック素体102内では、複数の第1の内部電極103と、複数の第2の内部電極104とがセラミック層を介して重なり合うように配置されている。第1,第2の内部電極103,104は、セラミック素体102の第1の主面102a及び第2の主面102bと平行に延ばされている。複数の第1の内部電極103が、セラミック素体102の第1の端面102cに引き出されており、複数の第2の内部電極104がセラミック素体102の第2の端面102dに引き出されている。
セラミック素体102の第1,第2の端面102c,102dをそれぞれ覆うように、第1,第2の外部端子電極105,106が形成されている。外部端子電極105,106は、それぞれ、第1の端面部105a,106aと、第1,第2の回り込み部105b,106bとを有する。
積層コンデンサ101では、上記第1の内部電極103及び第2の内部電極104がセラミック層を介して重なり合っている部分、すなわち静電容量を取得するための有効領域の積層方向外側に、第1のダミー電極107と第2のダミー電極108とが配置されている。より詳細には、第1のダミー電極107と第2のダミー電極108とが同一平面内に配置されているダミー電極対が有効領域の積層方向外側の領域において複数配置されている。図6では、有効領域の両側の各領域において、複数のダミー電極対が配置されている。第1のダミー電極107と、第2のダミー電極108とは、図6に示すように、セラミック素体102の中心を通り、積層方向に延びる中心線に対して対称に配置されている。
特許文献1に記載の積層コンデンサ101では、第1,第2のダミー電極107,108からなる複数のダミー電極対が配置されているため、曲げ応力や引っぱり応力などの機械的応力が加わったり、外部の温度変化による熱応力が加わったり、外部端子電極105,106の第1,第2の回り込み部105b,106bの先端からクラックが生じたとしても、クラックがダミー電極対が形成されている部分に留まる。そのため、短絡不良が生じ難く、耐久性が高められる。
また、下記の特許文献2には、非対称構造を有する積層セラミックコンデンサが開示されている。ここでは、第1の外部端子電極の第1の回り込み部の寸法と、第2の外部端子電極の第2の回り込み部の寸法とが異ならされている。また、第1,第2の内部電極が重なり合って静電容量が取得される有効領域が第1の端面または第2の端面側に寄せられている。この構造によれば、実装基板に積層セラミックコンデンサが実装された後に、実装基板側からのたわみ応力が積層セラミックコンデンサに加わりクラックが生じたとしても、短絡を防止し、絶縁抵抗の劣化を防止できると記載されている。
特開2002−075780号公報 特開2000−150289号公報
特許文献1に記載の積層セラミックコンデンサでは、小さなクラックが生じたとしても該クラックは、ダミー電極107,108が形成されている部分に留まる。しかしながら、より大きな外力が加わると、図6に矢印Aで示すように、クラックAが第1のダミー電極107,108を超え、有効領域に至ることがあった。有効領域に至ると、クラックAは異なる電位に接続される第1,第2の内部電極103,104間にまたがり、短絡不良が生じる。
他方、特許文献2に記載の積層セラミックコンデンサでは、第1の回り込み部の寸法と、第2の回り込み部の寸法とが異なるため、実装基板に実装される際に、積層セラミックコンデンサの一端側が浮き上がる、いわゆるツームストーン現象などの不良が生じることがあった。
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、外部から機械的応力や熱応力が加わったとしても、短絡不良が生じ難く、従って信頼性に優れており、さらに実装に際してツームストーン現象などが生じ難い、積層セラミック電子部品を提供することにある。
本発明にかかる積層セラミックコンデンサは、複数のセラミック層を有し、対向し合う第1の主面及び第2の主面と、対向し合う第1の端面及び第2の端面と、対向し合う第1,第2の側面とを有するセラミック素体と、前記セラミック素体の前記第1の端面に形成された第1の端面部と、前記第1の端面部に連ねられており、前記第1の主面及び第2の主面上に位置している第1の回り込み部とを有する第1の外部端子電極と、前記第2の端面に形成された端面部と、前記第2の端面部に連ねられており、前記第1の主面及び第2の主面上に位置している第2の回り込み部とを有する第2の外部端子電極と、前記セラミック素体内に形成されており、かつ前記第1の外部端子電極と電気的に接続されるように前記第1の端面に引き出されている第1の内部電極と、前記セラミック素体内に形成されており、かつ前記第2の外部端子電極と電気的に接続されるように前記第2の端面に引き出されている第2の内部電極とを備え、前記第1の内部電極と前記第2の内部電極とが少なくとも1層のセラミック層を介して重なり合っている部分が静電容量を取得するための有効領域であり、セラミック素体の前記第1,第2の主面を結ぶ方向が複数のセラミック層の積層方向であり、前記セラミック素体内の前記有効領域の積層方向外側の領域に配置されており、前記第1,第2の主面と平行な平面内に位置している第1の内部導体と、前記セラミック素体内において、前記第1の内部導体と同一平面内に形成されており、かつ前記第1の内部導体とは電極を隔てて電気的に絶縁されるように配置された第2の内部導体とをさらに備える。そして、本発明では、前記セラミック素体の前記第1の端面及び第2の端面を結ぶ長さ方向に沿う寸法をL、前記長さ方向に沿う前記第1の内部電極の長さをX、前記長さ方向に沿う前記第2の内部電極の長さをX、前記第1の端面と、前記第1の内部導体の前記第2の端面側の端部との間の距離をY、前記第2の端面と、前記第2の内部導体の前記第1の端面側の端部との間の距離をY、前記第1の端面と、前記第1の回り込み部の前記第2の端面側の端部との間の距離をE、前記第2の端面と前記第2の回り込み部の前記第1の端面側の端部との間の距離をEとしたときに、Y<E<L−Y<L−Xとされており、かつ前記第1の外部端子電極の前記第1の回り込み部の前記第の端面側の端部よりも、前記第1の内部導体の前記第1の端面側端部が該第1の端面側に位置していることを特徴とする。
本発明においては、好ましくは、X>L−Eとされ、それによって短絡不良をより確実に防止することができる。
また、好ましくは、X=Xであり、それによって積層セラミックコンデンサの対称性を高めることができる。従って、実装に際してツームストーン現象などの所望でない現象も生じ難い。また、セラミック積層体を得るに際しての積層工程を容易に行なうことができる。
本発明にかかる積層セラミック電子部品の他の特定の局面では、前記第1の内部導体及び前記第2の内部導体が、前記有効領域の積層方向外側の一方の領域に配置されている。一方の領域にのみ、第1,第2の内部導体を配置すればよいため、製造工程の簡略化を果たすことができ、コストを低減することができる。
本発明の積層セラミック電子部品の別の特定の局面では、記第1の内部導体及び前記第2の内部導体が、前記有効領域の積層方向外側の両側の領域に配置されている。この場合には、有効領域の積層方向外側の構造が対称となるため、積層セラミック電子部品の対称性を高め、かつ方向性をなくすことができる。
なお、本発明の積層セラミック電子部品において、前記第1の内部導体は、前記第1の端面に露出されており、前記第1の端子電極に電気的に接続されていてもよい。また、第2の内部導体についても、第2の端面に引き出されており、第2の端子電極に電気的に接続されていてもよい。
もっとも、本発明においては、前記第1の内部導体が前記第1の端面に露出されておらず、前記第1の端子電極に電気的に接続されていない構造であってもよい。同様に、第2の内部導体についても、第2の端面に露出しておらず、第2の端子電極に電気的に接続されておらずともよい。
本発明にかかる積層セラミック電子部品では、上記のようにY<E<L−Y<L−Xとされているため、外部からの機械的応力や外部の温度変化による熱応力が加わりクラックが生じたとしても、積層セラミック電子部品における短絡不良を防止することができる。よって、積層セラミックコンデンサの信頼性を高めることができる。
図1(a),(b)は、本発明の第1の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの正面断面図及び外観を示す斜視図である。 図2は、本発明の第1の実施形態の積層セラミックコンデンサにおいて、クラックが生じた際の予防を説明するための積層セラミックコンデンサの正面断面図である。 図3は、本発明の第2の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサを説明するための正面断面図である。 図4は、本発明の第3の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサを説明するための正面断面図である。 図5は、本発明の第4の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサを説明するための正面断面図である。 図6は、従来の積層コンデンサの一例を示す正面断面図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図1(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの正面断面図及び外観を示す斜視図である。
積層セラミックコンデンサ1は、直方体状のセラミック素体2を有する。セラミック素体2は、複数のセラミック層を有し、内部に後述する第1,第2の内部電極3,4及び第1,第2の内部導体7,8を有する。
上記セラミック素体2は、適宜の誘電体セラミックスから成る。誘電体セラミックスとしては、例えば、チタン酸バリウム系誘電体セラミックスやチタン酸カルシウム系誘電体セラミックスなどが挙げられる。
セラミック素体2の第1の主面2aと、第1の主面2aと対向する第2の主面2bと結ぶ方向がセラミック層の積層方向である。具体的には、セラミック素体2は、複数枚のセラミックグリーンシートを、内部電極用導電ペーストや内部導体用導電ペーストとともに積層し、一体焼成することにより得られる。
図1では、積層セラミックコンデンサ1は第2の主面2bが下面、第1の主面2aが上面となるような向きに図示されている。
セラミック素体2内においては、複数の第1の内部電極3と、複数の第2の内部電極4とが、上記積層方向において交互に配置されている。隣り合う第1,第2の内部電極3,4が、セラミック層を介して重なり合っている。図1(a)の破線Bで示す領域が、複数の第1の内部電極3と複数の第2の内部電極4とがセラミック層を介して重なり合っている領域、すなわち静電容量を取り出すための有効領域に相当する。
なお、有効領域Bの上端は、図1(a)において、最上部の第2の内部電極4の上方に位置している第1の内部導体7が設けられている高さ位置であるが、図示を容易とするために、有効領域Bの上端の破線は、該第1の内部導体7よりも上方に位置するように描かれている。
同様に、有効領域Bの下端は、第2の内部電極4とセラミック層を介して重なり合っている第1の内部電極3のうち最下層の第1の内部電極3が配置されている高さ位置であるが、有効領域Bの下端は、最下層の第1の内部電極3よりも下方に位置するように図示されている。
セラミック素体の第1の端面2cに複数の第1の内部電極3が引き出されており、第1の端面2cと反対側の第2の端面2dに複数の第2の内部電極4が引き出されている。
本実施形態は、有効領域Bは第1の端面2c側に寄せられている。すなわち、第1,第2の内部電極3,4がセラミック層を介して重なり合っている部分が、セラミック素体2の長さ方向において第1の端面2c側に寄せられて形成されている。なお、長さ方向とは、第1,第2の端面2c,2dを結ぶ方向をいうものとする。
第1の端面2c及び第2の端面2dを覆うように、それぞれ、第1,第2の外部端子電極5,6が形成されている。
第1,第2の外部端子電極5,6は、それぞれ、第1の端面2c及び第2の端面2d上に位置している第1,第2の端面部5a,6aを有する。第1の端面部5aに連なるように、第1の回り込み部5bが設けられている。第1の回り込み部5bは、セラミック素体2の第1,第2の主面2a,2b上に至っている。同様に、第2の外部端子電極6もまた、第2の端面部6aに連なるように設けられた第2の回り込み部6bを有する。第2の回り込み部6bは、第1,第2の主面2a,2b上に至っている。
セラミック素体2内においては、有効領域Bの積層方向外側の双方の領域において、第1,第2の内部導体7,8が形成されている。第1の内部導体7は、第1,第2の主面2a,2bと平行に延び、かつ第1の端面2cに引き出されている。第2の内部導体8は、第1,第2の主面2a,2bに平行に延び、第2の端面2dに引き出されている。
セラミック素体2内においては、有効領域Bの積層方向外側のうち一方の領域、図1(a)では、第1の主面2a側の領域において、第1の内部導体7と第2の内部導体8とからなる内部導体対が二対形成されている。下方側の内部導体対の第1の内部導体7は、直下に位置する第2の内部電極4とセラミック層を介して積層されているため、また該第1の内部導体7が端面2cに引き出されているため、第1の内部電極としても機能する。従って、有効領域Bは、第1の内部電極をも兼ねている第1の内部導体7が設けられている高さ位置に至っている。
他方、有効領域Bの積層方向外側の他方の領域、すなわち下方側の領域においても、二対の内部導体対が設けられている。
上記第1,第2の内部電極3,4及び第1,第2の内部導体7,8は、金属からなる。このような金属としては、Ni、Cu、Ag、Pd、AuまたはAg−Pd合金などを用いることができる。第1,第2の内部導体7,8は、好ましくは、第1,第2の内部電極3,4と同じ材料から成る。その場合には、材料の種類を少なくすることができ、製造工程の簡略化を果たすことができる。もっとも第1,第2の内部導体7,8は、第1,第2の内部電極3,4と異なる金属により形成されてもよい。
第1,第2の内部電極3,4及び第1,第2の内部導体7,8の厚みは特に限定されないが、焼成後において0.5〜2.0μm程度であることが好ましい。厚みが厚くなりすぎると、セラミック層どうしの剥離が生じやすくなることがあり、薄くなりすぎると、カバレッジが低下して静電容量が低下することがある。
上記第1,第2の外部端子電極5,6は、Cu、Ni、Ag、Pd、AuまたはAg−Pd合金などの適宜の金属もしくは合金から成る。外部端子電極5,6は、複数の電極層を積層した構造を有していてもよい。また、第1,第2の内部電極3,4がNiから成る場合、第1,第2の外部端子電極5,6は、CuまたはNiなどの卑金属から成ることが好ましい。その場合には、内部電極3,4と、外部端子電極5,6との接合性を高めることができる。また、内部電極がNiから成り、かつ外部端子電極5,6が複数の電極層から成る場合には、セラミック素体上に形成される電極層がCuまたはNiのような卑金属から成ることが好ましい。
外部端子電極5,6は、導電ペーストの塗布焼き付けにより、あるいはメッキもしくはスパッタリングなどの薄膜形成法などの適宜の方法により形成することができる。導電ペーストの塗布焼き付けにより外部端子電極5,6を形成する場合、セラミック素体2を得るための焼成工程前に導電ペーストを塗布し、焼成に際し、同時に導電ペーストを焼き付けて外部端子電極5,6を形成してもよい。あるいは焼成により得られたセラミック素体2に導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより、外部端子電極5,6を形成してもよい。
外部端子電極5,6の厚み、特に最も厚い部分の厚みは、特に限定されないが、20〜100μmであることが好ましい。
上記外部端子電極5,6の外表面には、メッキ膜が形成されてもよい。メッキ膜としては、例えば、Cu、Ni、Ag、Pd、Ag−Pd合金またはAuなどの適宜の金属を用いることができる。メッキ層の厚みは、1〜10μmであることが好ましい。1μm以下では、外部端子電極5,6の表面を確実にメッキ膜で覆うことが困難となり、メッキ膜形成による効果を充分に得られないことがあり、10μmを超えると、コストが高くつくおそれがある。また、外部端子電極5,6の外表面とメッキ膜との間に応力緩和用の樹脂層が形成されていてもよい。
上記積層セラミックコンデンサ1の特徴は、積層セラミックコンデンサ1の長さ方向に沿う寸法をL、長さ方向に沿う第1,第2の内部電極3,4の各長さ寸法をX,X、第1の端面2cと、第1の内部導体7の第2の端面側端部との間の距離をY、第2の端面2dと、第2の内部導体8の第1の端面側の端部との間の距離をYとし、第1の外部端子電極5の上記長さ方向外側端部から第1の回り込み部5bの先端までの距離をE、第2の外部端子電極6の上記長さ方向外側の端部から第2の回り込み部6bの先端までの距離をEとしたときに、Y<E<L−Y<Xとされていることにある。それによって、外部からの機械的応力や温度変化による熱応力が加わり、クラックが生じたとしても、該クラックに起因する短絡を防止することができる。これを、図2を参照して説明する。
図2は、積層セラミックコンデンサ1が実装された後にできる基板がたわんだりして、機械的応力が加わったり、あるいは外部の温度変化による熱応力が加わり、クラックが生じた場合の状態を示す模式的正面断面図である。セラミック素体2に上記のような応力が加わった際、応力は、第1,第2の外部端子電極5,6の端縁部分から生じることが多い。この場合、積層セラミックコンデンサ1では、セラミック素体2内のクラック耐性が、第1の端面2c側と第2の端面2d側とで異なっている。第2の端面2d側においては、第1,第2の内部導体7,8間のギャップGが存在する。従って、クラック耐性が、第1の回り込み部5bの先端近傍に比べ、第2の回り込み部6bの先端近傍において低くなっているため、クラックCは、第2の回り込み部6bの先端から、セラミック素体2内に延びる。
この場合、E<Y(E<L−Y)とされているため、クラックは、上記ギャップGを通り内側に延びる。そして、クラックCが、ギャップGを超えて、セラミック素体2の積層方向中央に至っている部分では、同電位に接続される第2の内部電極4のみが位置している。従って、クラックCが発生したとしても、異なる電位に接続される内部電極3,4が接続されないため、短絡不良を防止することができる。
なお、上記寸法関係を満たす限り、クラックの発生による短絡を防止することができるが、上記長さ方向寸法Lが約1.0〜3.2μmの場合、(L−X)は0.25〜0.85μm程度、Eは、0.2〜0.8μm程度、ギャップGの長さ方向に沿う寸法は約0.2〜0.8μm程度であることが好ましい。また、E=Eであることが好ましい。
なお、積層セラミックコンデンサ1の製造方法についてはとくに限定されない。例えば、下記の製造方法により得ることができる。まず、複数枚のセラミックグリーンシートを用意する。セラミックグリーンシート上に第1の内部電極3を形成するための導電ペーストをスクリーン印刷する。同様に、他のセラミックグリーンシート上に、第2の内部電極4を形成するための導電ペーストをスクリーン印刷する。さらに別のセラミックグリーンシートに、第1,第2の内部導体7,8を得るための導電ペーストをスクリーン印刷する。これらのセラミックグリーンシートを各複数枚積層し、積層方向外側に、無地のセラミックグリーンシートを適宜の枚数積層し、セラミック積層体を得る。
実際の製造に際しては、複数の積層セラミックコンデンサ1を得るためのマザーのセラミックグリーンシートが積層され、上記積層体として、マザーの積層体を得る。そして、このマザーのセラミック積層体を厚み方向に加圧した後、個々の積層セラミックコンデンサ単位のセラミック積層体に切断する。得られたセラミック積層体を焼成し、セラミック素体2を得る。セラミック素体2の外表面に導電ペーストを付与し、焼き付けることにより、外部端子電極5,6を得ることができる。
第1の実施形態の積層セラミックコンデンサ1のように、本発明においては、積層セラミック電子部品において、上記寸方比とすることにより、すなわちY<E<L−Y<L−Xとすることにより、クラックによる短絡不良を確実に防止することができる。このような構造の積層セラミック電子部品については、上記実施形態に限らず、図3〜図5に示す第2〜第4の実施形態のように、適宜変形することができる。
図3に示す第2の実施形態の積層セラミックコンデンサ21では、第1の内部電極23と第2の内部電極24との長さが等しくされている。すなわちX=Xである。そのため、有効領域Bはセラミック素体2内において、長さ方向中央に配置されている。この場合においても、上述した式を満たす限り、クラックが生じたとしても、クラックは異なる電位に接続される第1,第2電極間にまたがって生じない。従って、第1の実施形態と同様に、短絡不良を確実に防止することができる。
第2の実施形態では、第1の内部電極23と第2の内部電極24とを得るための導電パターンを等しくすることができるので、対称性を高めることができ、実装に際してツームストーン現象が生じ難い。また、生産性を高めることができる。
もっとも、第1の実施形態の積層セラミックコンデンサ1では、有効領域Bが第1の端面2c側に寄せられているため、第2の端面2d側においてあえてクラックCが生じやすくされ、それによってもクラックによる短絡不良をより一層確実に防止することができ、好ましい。
第2の実施形態の積層セラミックコンデンサ21は、その他の点においては、第1の実施形態の積層セラミックコンデンサ1と同様である。従って、同一の部分については、同一の参照番号を付することにより、その詳細な説明は省略することとする。
図4に示す第3の実施形態の積層セラミックコンデンサ31では、有効領域Bの片側にのみ、2対の内部導体対が設けられおり、積層方向外側の反対側の領域には、第1,第2の内部導体37,38から成る内部導体対が設けられていないことを除いては、第1の実施形態の積層セラミックコンデンサ1と同様である。このように、第1,第2の内部導体37,38から成る内部導体対は、有効領域Bの積層方向外側のうち片側にのみ形成されてもよい。この場合には、実装に際し、方向性を考慮することが望ましい。そのため、第1の主面2aまたは第2の主面2bにマークを印刷することが好ましい。このような方向性を認識させるための構造を設けることが好ましい。それによって、積層セラミックコンデンサ31を、第2の主面2b側から実装することにより、クラックの発生による短絡防止効果を確実に得ることができる。
図5に示す第4の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ41では、第1,第2の内部導体47,48が浮き導体とされている。すなわち、第1の内部導体47及び第2の内部導体48の双方が、セラミック素体2の端面2c及び2dのいずれにも引き出されていない。このように、第1,第2の内部導体47,48は、外部端子電極5や外部端子電極6に電気的に接続されず浮き導体とされていてもよい。その場合には、内部導体47,48による浮遊容量を小さくすることができる。
なお、上述してきた第1〜第4の実施形態では、積層セラミックコンデンサにつき説明したが、静電容量を取得するための第1,第2の内部電極はセラミック層を介して積層されているセラミック多層基板などのコンデンサ部分が構成されている積層セラミック電子部品一般に本発明を適用することができる。
1…積層セラミックコンデンサ
2…セラミック素体
2a…第1の主面
2b…第2の主面
2c…第1の端面
2d…第2の端面
3…第1の内部電極
4…第2の内部電極
5…第1の外部端子電極
5a…第1の端面部
5b…第1の回り込み部
6…第2の外部端子電極
6a…第2の端面部
6b…第2の回り込み部
7…第1の内部導体
8…第2の内部導体
21…積層セラミックコンデンサ
23…第1の内部電極
24…第2の内部電極
31…積層セラミックコンデンサ
37…第1の内部導体
38…第2の内部導体
41…積層セラミックコンデンサ
47…第1の内部導体
48…第2の内部導体

Claims (9)

  1. 複数のセラミック層を有し、対向し合う第1の主面及び第2の主面と、対向し合う第1の端面及び第2の端面と、対向し合う第1,第2の側面とを有するセラミック素体と、
    前記セラミック素体の前記第1の端面に形成された第1の端面部と、前記第1の端面部に連ねられており、前記第1の主面及び第2の主面上に位置している第1の回り込み部とを有する第1の外部端子電極と、
    前記第2の端面に形成された端面部と、前記第2の端面部に連ねられており、前記第1の主面及び第2の主面上に位置している第2の回り込み部とを有する第2の外部端子電極と、
    前記セラミック素体内に形成されており、かつ前記第1の外部端子電極と電気的に接続されるように前記第1の端面に引き出されている第1の内部電極と、
    前記セラミック素体内に形成されており、かつ前記第2の外部端子電極と電気的に接続されるように前記第2の端面に引き出されている第2の内部電極とを備え、
    前記第1の内部電極と前記第2の内部電極とが少なくとも1層のセラミック層を介して重なり合っている部分が静電容量を取得するための有効領域であり、
    セラミック素体の前記第1,第2の主面を結ぶ方向が複数のセラミック層の積層方向であり、
    前記セラミック素体内の前記有効領域の積層方向外側の領域に配置されており、前記第1,第2の主面と平行な平面内に位置している第1の内部導体と、
    前記セラミック素体内において、前記第1の内部導体と同一平面内に形成されており、かつ前記第1の内部導体とは電極を隔てて電気的に絶縁されるように配置された第2の内部導体とをさらに備え、
    前記セラミック素体の前記第1の端面及び第2の端面を結ぶ長さ方向に沿う寸法をL、前記長さ方向に沿う前記第1の内部電極の長さをX、前記長さ方向に沿う前記第2の内部電極の長さをX、前記第1の端面と、前記第1の内部導体の前記第2の端面側の端部との間の距離をY、前記第2の端面と、前記第2の内部導体の前記第1の端面側の端部との間の距離をY、前記第1の端面と、前記第1の回り込み部の前記第2の端面側の端部との間の距離をE、前記第2の端面と前記第2の回り込み部の前記第1の端面側の端部との間の距離をEとしたときに、Y<E<L−Y<L−Xとされており、かつ
    前記第1の外部端子電極の前記第1の回り込み部の前記第の端面側の端部よりも、前記第1の内部導体の前記第1の端面側端部が該第1の端面側に位置していることを特徴とする、積層セラミック電子部品。
  2. >L−Eである、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
  3. =Xである、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
  4. 前記第1の内部導体及び前記第2の内部導体が、前記有効領域の積層方向外側の一方の領域に配置されている請求項1〜3いずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  5. 前記第1の内部導体及び前記第2の内部導体が、前記有効領域の積層方向外側の両側の領域に配置されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  6. 前記第1の内部導体が、前記第1の端面に露出されており、前記第1の端子電極に電気的に接続されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  7. 前記第2の内部導体が、前記第2の端面に引き出されており、前記第2の端子電極に電気的に接続されている請求項1〜6のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  8. 前記第1の内部導体が前記第1の端面に露出されておらず、前記第1の端子電極に電気的に接続されていない請求項1〜5のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  9. 前記第2の内部導体が、前記第2の端面に露出しておらず、前記第2の端子電極に電気的に接続されていない請求項1〜5及び8のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
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