JP5110885B2 - 複数の導電性の領域を有する構造体 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態を、図1、図2、図3-1乃至3-5、図4を用いて説明する。本実施形態は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性の領域を有する構造体を含むアクチュエータ(入力された電気エネルギー等の力を物理的な運動に変換する機構)、及びその製造方法に係る。図1は、本実施形態に係るアクチュエータの斜視図である。図1において、101は導電性のシリコンなどの基板、102は可動体、103は梁、104は熱酸化膜(酸化領域)、105は貫通孔、106は第1の可動電極、107は第2の可動電極、108は第1の固定電極、109は第2の固定電極である。
次に、第2の実施形態を、図5-1乃至図5-5を用いて説明する。第2の実施形態は、第1の実施形態とは製造工程が異なるのみである。それ以外は、第1の実施形態と同じである。
次に、第3の実施形態を、図6-1乃至図6-8を用いて説明する。第3の実施形態は、第1の実施形態とは製造工程が異なる。それ以外は、第1の実施形態とほぼ同じである。
第4の実施形態を説明する。第4の実施形態は、上記の実施形態とは、構造体の輪郭の形成と、絶縁部(酸化領域)の貫通孔の形成と、熱酸化の手順が異なる。
第5の実施形態は、貫通孔の形状や配置が上記実施形態とは異なる幾つかの例を示す。他は、第1の実施形態と同じである。
図7-2は、第6の実施形態を説明するための図である。この図は、第1の実施形態の図3-2に対応する断面図である。本実施形態の図7-2に示す様に、孔の部分は、完全に基板201を貫通していない溝211でもよい。この場合、基板201の厚さと溝211の深さの差(溝の底面から下の材料の部分の厚さ)は、熱酸化工程によりシリコン内部に熱酸化膜が形成される厚さに依り、適切値を選ぶ必要がある。基板201の両面から熱酸化を行う場合は、上記差は、熱酸化膜の厚さの2倍以下にする必要がある。基板201の片面側のみから熱酸化を行う場合は、上記差は、熱酸化膜の厚さ以下にする必要がある。これらの値は、第1の実施形態の所で説明した理由により、2μm程度以下(前者の場合)或いは1μm程度以下(後者の場合)であるのが望ましい。また、溝の深さは、同じく第1の実施形態の所で説明した理由により、100μm程度以下であるのが望ましい。この様に、本発明の構造体における酸化領域の複数の孔は溝であってもよい。また、貫通孔と溝を混在させることもできる。
次に、図8を用いて、第7の実施形態に係るFB(FeedBack)型加速度センサを説明する。上記の実施形態とは、アクチュエータではなくFB型の加速度センサに本発明の構造体を用いていることが異なる。
図9を用いて、第8の実施形態に係るフレーム型ジャイロセンサを説明する。上記の実施形態とは、本発明の構造体をフレーム型ジャイロセンサに用いていることが異なる。
本実施形態に係るジャイロセンサは、図9において、基板101と下部基板301を張り合わせた構成になっている。第1の固定電極108、第2の固定電極109、第1の可動電極106、第2の可動電極107、第3の可動電極124、第4の可動電極125は、上記の実施形態に記載した方法で、夫々、他の電極から絶縁されている。各電極は、可動体102、梁103、第2の可動体122、第2の梁123などを介して、電気的に配線されている。
図10を用いて、第9の実施形態に係る他のフレーム型ジャイロセンサを説明する。上記の実施形態とは、図10に示すフレーム型ジャイロセンサに本発明の構造体を用いていることが異なる。
図11を用いて、第10の実施形態に係る光スキャナを説明する。上記の実施形態とは、図11に示す光スキャナに本発明の構造体を用いていることが異なる。
図12を用いて、第11の実施形態に係る電磁駆動電位センサを説明する。上記の実施形態とは、図12に示す電位センサに本発明の構造体を用いていることが異なる。
102、121、122、801 可動体(第1の可動体、第2の可動体)
103、123、802 梁(第2の梁)
104、204 酸化領域(熱酸化膜、絶縁部)
105、210 貫通孔
106 導電性の領域(第1の可動電極)
107 導電性の領域(第2の可動電極)
108 導電性の領域(第1の固定電極)
109 導電性の領域(第2の固定電極)
111、112 導電性の領域(第1の領域、第2の領域)
113 酸化領域(シリコン表面上の熱酸化膜)
114 酸化領域(シリコン内部に形成された熱酸化膜)
124 導電性の領域(第3の可動電極)
125 導電性の領域(第4の可動電極)
126 導電性の領域(第5の可動電極)
127 導電性の領域(第6の可動電極)
128 導電性の領域(第3の固定電極)
129 導電性の領域(第4の固定電極)
211 溝
805 導電性の領域(第1の電極部、第1の検知電極部)
806 導電性の領域(第2の電極部、第2の検知電極部)
808 導電性の領域(第3の電極)
809 導電性の領域(第4の電極)
Claims (10)
- 単一のシリコン基板を母材とし、固定部と可動体と前記固定部に対して前記可動体を可動に支持するための梁とを有する構造体であって、
前記固定部または可動体が、互いに電気的に絶縁された複数の導電性の領域を含み、
前記複数の導電性の領域間が、連続した酸化領域によって絶縁され、
前記酸化領域は、前記固定部または可動体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔の間の部分、もしくは前記固定部または可動体に空けられた複数の溝の間および底面から下の部分を占める、前記母材の酸化物から成る、
ことを特徴とする構造体。 - 前記複数の貫通孔もしくは溝間の最も近接している距離が、2μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の構造体。
- 前記貫通孔もしくは溝の深さが、100μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の構造体。
- 前記酸化領域が、前記固定部または可動体に空けられた複数の溝の間および底面から下の部分を占める前記母材の酸化物から成り、前記溝が形成された部分の前記母材の厚さと前記溝の深さとの差であるところの溝の底面から下の部分の厚さが、2μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の構造体。
- 単一のシリコン基板を母材とし、固定部と可動体と前記固定部に対して前記可動体を可動に支持するための梁とを有する構造体の製造方法であって、
前記固定部または可動体を形成する母材に複数の貫通孔もしくは溝を間隔をおいて配置する工程と、
少なくとも前記複数の貫通孔もしくは溝の内部表面の前記母材に熱酸化を行って、前記複数の貫通孔の間の部分、もしくは前記複数の溝の間および底面から下の部分を、前記母材の酸化物で占めることにより、前記固定部または可動体を互いに電気的に絶縁された複数の導電性の領域に分割する連続した酸化領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする構造体の製造方法。 - 前記酸化領域を形成する工程において、前記熱酸化を行う前に、前記母材の貫通孔もしくは溝の内部表面以外の部分に窒化シリコンを形成することを特徴とする請求項5に記載の構造体の製造方法。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載の構造体を含み、前記可動体が加速度を感知することを特徴とする加速度センサ。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載の構造体を含み、前記可動体が角速度に起因する力を感知することを特徴とするジャイロセンサ。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載の構造体を含み、前記可動体が入力された電気エネルギーの力を物理的な運動に変換することを特徴とするアクチュエータ。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載の構造体を含み、前記可動体が測定対象の電位に応じた電気信号を出力する検知電極部を持つことを特徴とする電位センサ。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5408935B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換素子及びその製造方法 |
JP5305993B2 (ja) * | 2008-05-02 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 容量型機械電気変換素子の製造方法、及び容量型機械電気変換素子 |
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JP5368214B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2013-12-18 | 日本電信電話株式会社 | 微細電子機械素子 |
JP5758584B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-08-05 | 本田技研工業株式会社 | ジャンクションボックス |
WO2012002514A1 (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5703627B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2015-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 静電誘導発電デバイス、静電誘導発電機器 |
US8664731B2 (en) * | 2011-02-14 | 2014-03-04 | Kionix, Inc. | Strengthened micro-electromechanical system devices and methods of making thereof |
JP5884275B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2016-03-15 | セイコーエプソン株式会社 | 貫通穴形成方法 |
DE102011081014B4 (de) | 2011-08-16 | 2020-01-23 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil |
EP3161416A2 (en) * | 2014-06-26 | 2017-05-03 | Lumedyne Technologies Incorporated | Systems and methods for extracting system parameters from nonlinear periodic signals from sensors |
TWI676029B (zh) | 2015-05-20 | 2019-11-01 | 美商路梅戴尼科技公司 | 用於決定慣性參數之方法及系統 |
JP2017009322A (ja) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 三菱電機株式会社 | 加速度センサおよびその製造方法 |
US10315915B2 (en) | 2015-07-02 | 2019-06-11 | Kionix, Inc. | Electronic systems with through-substrate interconnects and MEMS device |
US10234477B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-03-19 | Google Llc | Composite vibratory in-plane accelerometer |
CN107582081B (zh) * | 2017-10-31 | 2020-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种检测装置及一种疲劳检测系统 |
JP7467069B2 (ja) * | 2019-10-23 | 2024-04-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーデバイスの製造方法 |
JP7464374B2 (ja) * | 2019-10-23 | 2024-04-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5821842A (ja) | 1981-07-30 | 1983-02-08 | インタ−ナシヨナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−シヨン | 分離領域の形成方法 |
JPS59117271A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 圧力感知素子を有する半導体装置とその製造法 |
JPS61100626A (ja) | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 振動式センサ |
JPS61135151A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US4766666A (en) * | 1985-09-30 | 1988-08-30 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing the same |
JP2715581B2 (ja) * | 1989-07-31 | 1998-02-18 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3469251B2 (ja) * | 1990-02-14 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0425764A (ja) | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Nec Corp | 半導体加速度センサ |
CN1018844B (zh) * | 1990-06-02 | 1992-10-28 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 防锈干膜润滑剂 |
JP2558549B2 (ja) * | 1990-10-11 | 1996-11-27 | 東横化学株式会社 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
WO1994017383A1 (de) * | 1993-01-19 | 1994-08-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Drucksensor |
DE4309207C2 (de) * | 1993-03-22 | 1996-07-11 | Texas Instruments Deutschland | Halbleitervorrichtung mit einem piezoresistiven Drucksensor |
DE4314888C1 (de) * | 1993-05-05 | 1994-08-18 | Ignaz Eisele | Verfahren zum Abscheiden einer ganzflächigen Schicht durch eine Maske und optionalem Verschließen dieser Maske |
US5427975A (en) * | 1993-05-10 | 1995-06-27 | Delco Electronics Corporation | Method of micromachining an integrated sensor on the surface of a silicon wafer |
DE4332843C2 (de) * | 1993-09-27 | 1997-04-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung und mikromechanische Vorrichtung |
JP3681423B2 (ja) | 1993-11-02 | 2005-08-10 | 松下電器産業株式会社 | 半導体微細柱の集合体,半導体装置及びそれらの製造方法 |
DE69512544T2 (de) * | 1994-03-18 | 2000-05-25 | Foxboro Co | Halbleiter-Druckwandler mit Einkristall-Silizium-Membran und Einkristall-Dehnungsmessstreifen und Herstellungsverfahren dazu |
JPH0850022A (ja) | 1994-05-30 | 1996-02-20 | Murata Mfg Co Ltd | 角速度センサ |
US6294743B1 (en) * | 1995-04-28 | 2001-09-25 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Multilayer print circuit board and the production method of the multilayer print circuit board |
SG68630A1 (en) * | 1996-10-18 | 1999-11-16 | Eg & G Int | Isolation process for surface micromachined sensors and actuators |
JP3651160B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2005-05-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6093330A (en) * | 1997-06-02 | 2000-07-25 | Cornell Research Foundation, Inc. | Microfabrication process for enclosed microstructures |
CN101106872B (zh) * | 1997-07-08 | 2010-06-23 | 伊比登株式会社 | 印刷电路板及其制造方法 |
US6017791A (en) * | 1997-11-10 | 2000-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Multi-layer silicon nitride deposition method for forming low oxidation temperature thermally oxidized silicon nitride/silicon oxide (no) layer |
JP2000058802A (ja) * | 1998-01-13 | 2000-02-25 | Stmicroelectronics Srl | Soiウェハの製造方法 |
EP1062684B1 (en) * | 1998-01-15 | 2010-06-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Trench isolation for micromechanical devices |
JP2000065855A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加速度スイッチ、半導体加速度スイッチの製造方法 |
US6225140B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-05-01 | Institute Of Microelectronics | CMOS compatable surface machined pressure sensor and method of fabricating the same |
US6255140B1 (en) * | 1998-10-19 | 2001-07-03 | Industrial Technology Research Institute | Flip chip chip-scale package |
JP4238437B2 (ja) * | 1999-01-25 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサとその製造方法 |
US6339228B1 (en) * | 1999-10-27 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | DRAM cell buried strap leakage measurement structure and method |
KR100365642B1 (ko) * | 2000-10-30 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 접촉창을 갖는 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2002148047A (ja) | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Murata Mfg Co Ltd | ジャイロ装置 |
DE10063991B4 (de) * | 2000-12-21 | 2005-06-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen |
US6859542B2 (en) * | 2001-05-31 | 2005-02-22 | Sonion Lyngby A/S | Method of providing a hydrophobic layer and a condenser microphone having such a layer |
JP2003084008A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイス |
KR100431004B1 (ko) * | 2002-02-08 | 2004-05-12 | 삼성전자주식회사 | 회전형 비연성 멤스 자이로스코프 |
DE10207130B4 (de) * | 2002-02-20 | 2007-09-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Bauelements sowie Bauelement mit einer Edelmetallschicht, einer Edelmetallsilizidschicht und einer oxidierten Silizidschicht |
US6716661B2 (en) * | 2002-05-16 | 2004-04-06 | Institute Of Microelectronics | Process to fabricate an integrated micro-fluidic system on a single wafer |
DE10242661A1 (de) * | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Isolationsstrukturen |
AU2003289820A1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-06-23 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Creation of hermetically sealed, dielectrically isolating trenches |
TWI265602B (en) | 2004-08-26 | 2006-11-01 | Bo-Chun Lin | Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon: the process of non-volatile memory cell |
JP4282616B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007075978A (ja) | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | 構造体の製造方法およびアクチュエータ |
JP4778765B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2011-09-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007253304A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 絶縁分離構造の形成方法 |
JP2009060682A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Canon Inc | 揺動体装置の製造方法 |
KR20100025291A (ko) * | 2008-08-27 | 2010-03-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
-
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Cited By (1)
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