JP2017009322A - 加速度センサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】可動部を封止しつつ、可動電極が形成された導電性基板に異なる電位となる複数の電極を設けることができる加速度センサを提供する。【解決手段】加速度センサは、第１〜第３の導電性基板１０１〜１０３を備えている。第２の導電性基板１０２は、第１の導電性基板１０１と第３の導電性基板１０３との間に配置されている。第２の導電性基板１０２は、第１の導電性基板１０１に固定された固定部２と、固定部２に対して変位可能な可動部３と、可動部３と固定部２との間に配置された絶縁部７とを含んでいる。可動部３は、第１および第３の導電性基板１０１，１０３と固定部２と絶縁部７とにより閉塞された空間内に配置されており、かつ固定部２に対して絶縁部７により電気的に分離されている。【選択図】図２

Description

本発明は、加速度センサおよびその製造方法に関するものである。

従来、加速度変化に伴う電極間の静電容量変化により加速度を検出する方式の加速度センサが知られている。この静電容量検出型の加速度センサは、加速度変化に伴って変位する可動部（可動電極）および可動電極の変位を検出するための固定部（固定電極）等を有している。温度変化等に対する特性変化を抑えるために、可動電極、固定電極等を導電性を持たせたシリコンよりなる基板（シリコン基板）によって作製された加速度センサが提案されている。

たとえば、特許第２７２８２３７号公報（特許文献１）には、３枚のシリコン基板が接合された構成を有する加速度センサが開示されている。この加速度センサは、シリコン基板の厚さ方向の加速度を検出する。この加速度センサでは、３枚のシリコン基板のうち真ん中のシリコン基板に作製された可動電極が、固定電極となる上下のシリコン基板によって封止されている。このため、加速度の検出に際して、周辺環境の圧力変化に伴う周波数応答特性の変化を抑制することができる。

特許第２７２８２３７号公報

上記の公報に記載された加速度センサでは、可動電極が形成されたシリコン基板は、機械的に分離されていない一体のシリコン材料から構成されているため、電気的に分離することができない。このため、可動電極が形成されたシリコン基板に互いに異なる電位となる複数の電極を設けることができない。したがって、異なる電位となる複数の可動電極を有する加速度センサを構成することができない。異なる電位となる複数の可動電極を有する加速度センサとしては、たとえば、基板厚さ方向および基板面内方向を検出軸方向とする２軸加速度センサ、加速度検出にサーボ方式を適用した加速度センサなどが挙げられる。

本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、可動部を封止しつつ、可動電極が形成された導電性基板に異なる電位となる複数の電極を設けることができる加速度センサを提供することである。

本発明の加速度センサは、第１の導電性基板と、第１の導電性基板に接合された第２の導電性基板と、第２の導電性基板に接合された第３の導電性基板とを備えている。第２の導電性基板は、第１の導電性基板と第３の導電性基板との間に配置されている。第２の導電性基板は、第１の導電性基板に固定された固定部と、固定部に対して変位可能な可動部と、可動部と固定部との間に配置された絶縁部とを含んでいる。可動部は、第１および第３の導電性基板と固定部と絶縁部とにより閉塞された空間内に配置されており、かつ固定部に対して絶縁部により電気的に分離されている。

本発明の加速度センサによれば、可動部は第１および第３の導電性基板と固定部と絶縁部とにより閉塞された空間内に配置されているため、可動部を封止することができる。さらに、可動部は固定部に対して絶縁部により電気的に分離されているため、可動部を含む第２の導電性基板に異なる電位となる複数の電極を設けることができる。

本発明の実施の形態１における加速度センサの概略斜視図である。 図１に示す加速度センサの分解斜視図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 図３のＶ−Ｖ線に沿う概略断面図である。 本発明の実施の形態１における加速度センサの製造方法の一工程を示す概略断面図である。 図６に示す工程の次工程を示す概略断面図である。 図７に示す工程の次工程を示す概略断面図である。 図８のパターンを示す拡大上面図である。 図８のパターンを示す拡大断面図である。 図８に示す工程の次工程を示す概略断面図である。 パターンに熱酸化膜が形成される様子を示す概略断面図である。 図１１に示す工程の次工程を示す概略断面図である。 スリットが熱酸化膜で埋め込まれた様子を示す概略断面図である。 図１３に示す工程の次工程を示す概略断面図である。 図１５に示す工程の次工程を示す概略断面図である。 図１６に示す工程の次工程を示す概略断面図である。 図１７に示す工程の図４の断面位置に対応する概略断面図である。 図１７に示す工程の次工程を示す概略断面図である。 本発明の実施の形態１の変形例１における加速度センサの絶縁部の周辺の構造を示す概略斜視図である。 本発明の実施の形態１の変形例２における加速度センサを示す概略分解斜視図である。 本発明の実施の形態１の変形例３における加速度センサを示す概略斜視図である。 本発明の実施の形態１における加速度センサが複数作製されたウエハ状態の基板を示す概略斜視図である。 図２３のＰ２部のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う概略断面図である。 図２４のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿う断面位置でのウエハ状態の基板を模式的に示す断面図である。 本発明の実施の形態１における加速度センサが互いに接して複数作製されたウエハ状態の基板を示す概略断面図である。 図２６のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿う断面位置でのウエハ状態の基板を模式的に示す断面図である。 本発明の実施の形態２における加速度センサの概略断面図である。 本発明の実施の形態３における加速度センサの概略断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
最初に、図１〜図５を参照して、本発明の実施の形態１の加速度センサ１の構成について説明する。図１および図２を参照して、本実施の形態の加速度センサ１は、基板厚さ方向および基板面内方向を検出軸方向とする２軸加速度センサである。図１および図２には、説明の便宜のため、座標軸Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸が導入されている。Ｘ軸およびＺ軸の方向はそれぞれ本実施の形態の加速度センサ１が測定対象とする加速度方向に一致する。なお、図３以降にも適宜説明の便宜のため、座標軸Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸が導入されている。

本実施の形態の加速度センサ１は、第１の導電性基板１０１と、第２の導電性基板１０２と、第３の導電性基板１０３と、第１の絶縁膜８１と、第２の絶縁膜８２と、ボンディングパッド１１１，１２１，１２２，１２３，１３１とを主に有している。

第１の導電性基板１０１、第２の導電性基板１０２および第３の導電性基板１０３はそれぞれ導電性を有する基板である。第１の導電性基板１０１、第２の導電性基板１０２および第３の導電性基板１０３はそれぞれ不純物が添加されることにより導電性を有するシリコンよりなっている。

第１の導電性基板１０１、第２の導電性基板１０２および第３の導電性基板１０３は互いに基板の厚さ方向に積層されている。第１の導電性基板１０１の一方面に第２の導電性基板１０２が接合されている。第２の導電性基板１０２は、第１の絶縁膜８１を介して第１の導電性基板１０１に接合されている。第３の導電性基板１０３は、第２の絶縁膜８２を介して第２の導電性基板１０２に接合されている。第２の導電性基板１０２は、第１の導電性基板１０１と第３の導電性基板１０３との間に配置されている。第１の絶縁膜８１および第２の絶縁膜８２はそれぞれ窒化シリコン膜、シリコン酸化膜などを用いることをできる。

図２〜図４を参照して、第２の導電性基板１０２は、固定部２と、可動部３と、梁６と、絶縁部７とを有している。固定部２は、第１の絶縁膜８１を介して第１の導電性基板１０１に固定されている。可動部３は、固定部２に対して変位可能である。梁６は、固定部２と可動部３とを接続している。絶縁部７は、可動部３と固定部２との間に配置されている。なお、絶縁部７は、可動部３と、固定部２の一部との間に配置されていればよい。

固定部２は、固定電極１０と、アンカー部２０とを有している。加速度センサ１は、固定電極１０と可動部３との間に静電容量を形成するように構成されている。

固定電極１０は、第１の固定電極１１と、第２の固定電極１２とを有している。第１の固定電極１１と第２の固定電極１２とは可動部３を挟んで互いに対向するように配置されている。第１の固定電極１１は、第１の本体部１１ａと、第１の固定櫛歯電極４１とを有している。第１の本体部１１ａは、第１の導電性基板１０１の外縁に沿って配置されている。第１の固定櫛歯電極４１は、櫛歯状に配置された複数の第１の固定板状電極４１ａを有している。第１の固定櫛歯電極４１は、第１の本体部１１ａから内方に延在している。

第２の固定電極１２は、第２の本体部１２ａと、第２の固定櫛歯電極４２とを有している。第２の本体部１２ａは、第２の導電性基板１０２の外縁に沿って配置されている。第２の固定櫛歯電極４１は、櫛歯状に配置された複数の第２の固定板状電極４２ａを有している。第２の固定櫛歯電極４２は、第２の本体部１２ａから内方に延在している。

アンカー部２０は、第１のアンカー部２１と、第２のアンカー部２２とを有している。第１のアンカー部２１と第２のアンカー部２２とは可動部３を挟んで互いに対向するように配置されている。第１のアンカー部２１と第２のアンカー部２２とが対向する方向は、第１の固定電極１１と第２の固定電極１２とが対向する方向に対して直交している。

可動部３は、第１の導電性基板１０１と、第３の導電性基板１０３と、固定部２と、絶縁部７とにより閉塞された空間内に配置されている。可動部３は、固定部２に対して絶縁部７により電気的に分離されている。つまり、可動部３は、固定電極１０に対して絶縁部７により電気的に分離されている。

可動部３は、慣性質量体３０と、第１の可動櫛歯電極３１と、第２の可動櫛歯電極３２とを有している。慣性質量体３０は、固定部２および絶縁部７に取り囲まれている。慣性質量体３０は、平面視において固定部２および絶縁部７の内側に配置されている。慣性質量体３０は、第１の導電性基板１０１と第３の導電性基板１０３との間に配置されている。

慣性質量体３０は、第２の導電性基板１０２の面内方向（図中Ｘ軸方向）および第２の導電性基板１０２の厚さ方向（図中Ｚ軸方向）に変位可能に梁６に支持されている。慣性質量体３０は、第１の導電性基板１０１および第３の導電性基板１０３の各々と互いに静電容量を形成している。

梁６は、第２の導電性基板１０２の面内方向（図中Ｘ軸方向）および第２の導電性基板１０２の厚さ方向（図中Ｚ軸方向）に変位可能に構成されている。梁６が第２の導電性基板１０２の面内方向（図中Ｘ軸方向）および第２の導電性基板１０２の厚さ方向（図中Ｚ軸方向）に変位することによって、慣性質量体３０と、第１の可動櫛歯電極３１と、第２の可動櫛歯電極３２とが図中Ｘ軸方向および図中Ｙ軸方向に変位する。

梁６は、第１の梁６１および第２の梁６２を有している。第１の梁６１と第２の梁６２とは慣性質量体３０を挟んで互いに対向するように配置されている。第１の梁６１は、慣性質量体３０と第１のアンカー部２１とを接続している。第２の梁６２は、慣性質量体３０と第２のアンカー部２２とを接続している。

第１の可動櫛歯電極３１および第２の可動櫛歯電極３２は、慣性質量体３０の互いに対向する側面から外方に延在している。つまり、第１の可動櫛歯電極３１は慣性質量体３０の一方端面に接続されており、第２の可動櫛歯電極３２は慣性質量体３０の一方端面に対向する他方端面に接続されている。第１の可動櫛歯電極３１は、櫛歯状に配置された複数の第１の可動板状電極３１ａを有している。第２の可動櫛歯電極３２は、櫛歯状に配置された複数の第２の可動板状電極３２ａを有している。

第１の可動櫛歯電極３１と第１の固定櫛歯電極４１とは互いに櫛歯状に組み合うように近接して配置されている。第１の可動櫛歯電極３１の複数の第１の可動板状電極３１ａの各々と第１の固定櫛歯電極４１の複数の第１の固定板状電極４１ａの各々とは互いに対向するように配置されている。第１の可動櫛歯電極３１の複数の第１の可動板状電極３１ａの各々と第１の固定櫛歯電極４１の複数の第１の固定板状電極４１ａの各々との距離は等間隔に配置されていてもよい。第１の可動櫛歯電極３１と第１の固定櫛歯電極４１とは互いに静電容量を形成している。

第２の可動櫛歯電極３２と第２の固定櫛歯電極４２とは互いに櫛歯状に組み合うように近接して配置されている。第２の可動櫛歯電極３２の複数の第２の可動板状電極３２ａの各々と第２の固定櫛歯電極４２の複数の第２の固定板状電極４２ａの各々とは互いに対向するように配置されている。第２の可動櫛歯電極３２の複数の第２の可動板状電極３２ａの各々と第２の固定櫛歯電極４２の複数の第２の固定板状電極４２ａの各々との距離は等間隔に配置されていてもよい。第２の可動櫛歯電極３２と第２の固定櫛歯電極４２とは互いに静電容量を形成している。

絶縁部７は絶縁性を有している。絶縁部７は、シリコンの酸化物により構成されている。絶縁部７は、第１〜第４の絶縁部７１〜７４を有している。第１の絶縁部７１は、第１の固定電極１１と第１のアンカー部２１との間に配置されており、第１の固定電極１１と第１のアンカー部２１とを接続している。第１の絶縁部７１によって第１の固定電極１１と第１のアンカー部２１とは電気的に分離されている。第２の絶縁部７２は、第２の固定電極１２と第１のアンカー部２１との間に配置されており、第２の固定電極１２と第１のアンカー部２１とを接続している。第２の絶縁部７２によって第２の固定電極１２と第１のアンカー部２１とは電気的に分離されている。

第３の絶縁部７３は、第２の固定電極１２と第２のアンカー部２２との間に配置されており、第２の固定電極１２と第２のアンカー部２２とを接続している。第３の絶縁部７３によって第２の固定電極１２と第２のアンカー部２２とは電気的に分離されている。第４の絶縁部７４は、第１の固定電極１１と第２のアンカー部２２との間に配置されており、第１の固定電極１１と第２のアンカー部２２とを接続している。第４の絶縁部７４によって第１の固定電極１１と第２のアンカー部２２とは電気的に分離されている。

第１の導電性基板１０１の一方面にボンディングパッド１１１が設けられている。ボンディングパッド１１１は、第２の導電性基板１０２および第３の導電性基板１０３のそれぞれから露出している。第２の導電性基板１０２の一方面にボンディングパッド１２１，１２２，１２３がそれぞれ設けられている。具体的には、第１の固定電極１１にボンディングパッド１２１が設けられている。第２の固定電極１２にボンディングパッド１２２が設けられている。第１のアンカー部２１にボンディングパッド１２３が設けられている。ボンディングパッド１２１，１２２，１２３はそれぞれ第３の導電性基板１０３から露出している。第３の導電性基板１０３の一方面にボンディングパッド１３１が設けられている。

ボンディングパッド１１１，１２１，１２２，１２３，１３１の材料は、たとえば、金（Ａｕ）である。本実施の形態１の加速度センサ１は、ボンディングパッド１１１，１２１，１２２，１２３，１３１を介して外部電気処理回路に電気的に接続される。

図５に示すように、本実施の形態１の加速度センサでは、第１および第２の固定電極１１，１２、第１および第２のアンカー部２１，２２、第１〜第４の絶縁部７１〜７４は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ線対称になるよう設けられている。

また、本実施の形態１の加速度センサ１では，第１〜第４の絶縁部７１〜７４によって第２の導電性基板１０２が４つの部分に電気的に分離されている。しかしながら、絶縁部の数、場所、電気的に分離されている部分の数はこれに限定されない。

また、本実施の形態１の加速度センサ１では、外部信号処理回路との接続のために、金（Ａｕ）によるボンディングパッド１１１，１２１，１２２，１２３，１３１が各基板の面内方向に設けられている。しかしながら、ボンディングパッド１１１，１２１，１２２，１２３，１３１は、外部電気処理回路と電気的に接続されればよく、その材質、形状、位置は限定されない。

続いて、本実施の形態１の加速度センサ１の各部材間の電気的な接続について説明する。第１の導電性基板１０１および第３の導電性基板１０３はそれぞれ他の部材と第１の絶縁膜８１および第２の絶縁膜８２を介して接続されており、電気的に接続されていない。第２の導電性基板１０２から構成されている、第１のアンカー部２１、第２のアンカー部２２、第１の梁６１、第２の梁６２、慣性質量体３０、第１の可動櫛歯電極３１および第２の可動櫛歯電極３２は電気的に等電位になるよう接続されている。

第１の固定電極１１の第１の本体部１１ａと第１の固定櫛歯電極４１とは電気的に等電位になるよう接続されている。第２の固定電極１２の第１の本体部１２ａと第１の固定櫛歯電極４２とは電気的に等電位になるよう接続されている。第１の固定電極１１、第２の固定電極１２、第１のアンカー部２１および第２のアンカー部２２はそれぞれ互いに第１の絶縁膜８１、第２の絶縁膜８２および絶縁部７を介して接続されており、電気的に接続されていない。

次に、図２〜５を参照して、本実施の形態１の加速度センサ１の動作について説明する。

本実施の形態１の加速度センサ１に基板厚さ方向（図中Ｚ軸方向）に加速度が印加されると、第１および第２の梁６１，６２の剛性により慣性質量体３０は基板厚さ方向（図中Ｚ軸方向）に変位する。これにより、慣性質量体３０と第１の導電性基板１０１との間の距離、慣性質量体３０と第３の導電性基板１０３との間の距離がそれぞれ変化する。これらの距離の変化に応じて、慣性質量体３０と第１の導電性基板１０１との間に形成されている静電容量、慣性質量体３０と第３の導電性基板１０３との間に形成されている静電容量がそれぞれ変化する。

慣性質量体３０は第１の梁６１を介して第１のアンカー部２１に電気的に接続されているため、慣性質量体３０は第１のアンカー部２１と同電位である。このため、第１のアンカー部２１と、第１の導電性基板１０１および第３の導電性基板１０３との間の各々の静電容量を、ボンディングパッド１１１、１２３、１３１を介して、外部電気処理回路のＣ−Ｖ（静電容量−電圧）変換回路等で検出することにより基板厚さ方向（図中Ｚ軸方向）の加速度を検出することができる。

また、本実施の形態１の加速度センサに基板面内方向（図５Ｘ軸方向）に加速度が印加されると、第１および第２の梁６１，６２の剛性により慣性質量体３０は基板面内方向（図中Ｘ軸方向）に変位する。これにより、慣性質量体３０に接続されている第１および第２の可動櫛歯電極３１，３２と、第１および第２の固定櫛歯電極４１，４２との各々の距離がそれぞれ変化する、これらの距離の変化に応じて、第１の可動櫛歯電極３１と第１の固定櫛歯電極４１との間に形成されている静電容量、第２の可動櫛歯電極３２と第２の固定櫛歯電極４２との間に形成されている静電容量がそれぞれ変化する。

第１および第２の可動櫛歯電極は３１，３２は、慣性質量体３０、第１の梁６１を介して第１のアンカー部２１に電気的に接続されているため、第１および第２の可動櫛歯電極３１，３２は、第１のアンカー部２１と同電位である。このため、第１のアンカー部２１と、第１および第２の固定電極１１，１２との間の各々の静電容量を、ボンディングパッド１２１、１２２、１２３を介して、外部電気処理回路のＣ−Ｖ変換回路等で検出することにより基板面内方向（図中Ｘ軸方向）の加速度を検出することができる。

次に、図６〜図１９を参照して、本実施の形態の加速度センサ１の製造方法について説明する。なお、図６〜図８、図１６〜図１７および図１９は、図３の断面位置に対応する断面図である。図９は、スリットが形成されたシリコン構造物のパターンを示す上面図である。図１８は、図４の断面位置に対応する断面図である。

上記の本実施の形態の加速度センサ１の構造は、たとえば、シリコン基板上に成膜、パターニング、エッチングといったプロセスを繰り返し行う、いわゆる半導体微細加工技術、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイス技術、シリコン基板同士の直接接合技術を適用して作製することができる。

図６を参照して、まず、不純物が添加されることにより導電性を有するシリコンよりなる第１の導電性基板１０１が準備される。酸素雰囲気中で１０００℃の熱処理が行われることにより、第１の導電性基板１０１の表面に熱酸化膜（第１の絶縁膜）８１が形成される。

図７を参照して、第１の導電性基板１０１に接合され、不純物が添加されることにより導電性を有するシリコンよりなる第２の導電性基板１０２が準備される。第１の導電性基板１０１と表面を活性化した第２の導電性基板１０２とは熱酸化膜８１を介して常温で接合される。そして、第２の導電性基板１０２に、第１の導電性基板１０１に固定された固定部２と、固定部２に対して変位可能な可動部３と、可動部３と固定部２との間に配置された絶縁部７とが形成される。

図８を参照して、第２の導電性基板１０２に対して、フォトリソグラフィーによるパターニングを経て異方性エッチングが行われる。ここで、図２中、第１〜第４の絶縁部７１〜７４に相当する箇所に、図９および図１０に示すように、幅１マイクロメートル（μｍ）のスリットＳＬが１マイクロメートル（μｍ）の間隔で配置されたシリコン構造物のパターン７０が形成される。本実施の形態では、スリットＳＬは複数個形成される。

この工程で、第２の導電性基板１０２に、図２に示す第１および第２の固定電極１１，１２と、第１および第２のアンカー部２１，２２と、慣性質量体３０と、第１および第２の可動櫛歯電極３１，３２と、第１および第２の固定櫛歯電極４１，４２と、第１および第２の梁６１，６２とが形成される。第１および第２の固定電極１１，１２と、第１および第２のアンカー部２１，２２とは、パターン７０を介して接続されている。

図１１を参照して、酸素雰囲気中で１０００℃の熱処理が行われることにより、第２の可動櫛歯電極３２、第２の固定櫛歯電極４２、パターン７０などの表面が酸化されて熱酸化膜（第２の絶縁膜）８２が形成される。ここで、図１２に示すように、熱酸化膜８２となった個所では体積膨張が生じる。このため、図１２に示すスリットＳＬがシリコン基板の酸化膜で埋め込まれる。

図１３を参照して、さらに熱処理が進められることにより、図１２に示すスリットＳＬを有するパターン７０が設けられた領域では、図１４に示すように壁状に残ったシリコン全体が酸化されるとともに、スリットＳＬの両側に位置するシリコンの酸化に伴う体積膨張によりスリットＳＬが完全に埋め込まれる。このようにして、パターン７０が設けられた領域では導電性が失われる。このようにして、第３の絶縁部７３が形成される。また、同様に、図２に示す第１、第２および第４の絶縁部７１，７２，７４が形成される。つまり、絶縁部７は、シリコンを熱酸化することにより形成される。絶縁部７は、第２の導電性基板１０２に形成されたスリットＳＬがシリコンの酸化物で埋められることにより形成される。本実施の形態では、スリットＳＬは複数個形成される。

図１５を参照して、第２および第３の絶縁部７２，７３の上面を保護するように、ＣＶＤ（Chemical vapor Deposition）法によるシリコン窒化膜９１の成膜を経て、パターニングが行われる。また、図２に示す第１および第４の絶縁部７１，７４、第１および第２のアンカー部２１，２２，第１および第２の固定電極１１，１２の上面を保護するように、ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜９１の成膜を経て、パターニングが行われる。

図１６を参照して、第２の可動櫛歯電極３２、第２の固定櫛歯電極４２の表面に形成された熱酸化膜８２がフッ酸を用いたエッチングにより除去される。また、図２に示す第１の可動櫛歯電極３１、第１の固定櫛歯電極４１、慣性質量体３０の表面に形成された熱酸化膜８２がフッ酸を用いたエッチングにより除去される。

ここで、慣性質量体３０、第１および第２の可動櫛歯電極３１，３２、第１および第２の固定櫛歯電極４１，４２は、熱処理によって熱酸化された部分がエッチングされるため、シリコン構造物のサイズが１マイクロメートル（μｍ）ほど小さくなる。このため、第１および第２の可動櫛歯電極３１，３２と第１および第２の固定櫛歯電極４１，４２との間隙が広くなる。したがって、この工程での間隙の拡大を予め見込んで図８に示す異方性エッチングのパターンが策定される。また、第１〜第４の絶縁部７１〜７４の側面もエッチングされるが、スリットＳＬが複数個形成されることにより，エッチング後にも封止に充分な幅を確保することができる。

図１７を参照して、リン酸溶液を用いてシリコン窒化膜９１が除去される。図１８は、この時の図４の断面位置に対応する断面図である。図１８を参照して、第１および第２にアンカー部２１，２２の上には熱酸化膜８２が残っている。図２に示す第１および第２の固定電極１１,１２の上にも熱酸化膜８２が残っている。熱酸化膜８２の第１の導電性基板１０１からの高さは第１〜第４の絶縁部７１〜７４の上面の高さに等しくなっている。

図１９を参照して、不純物が添加されることにより導電性を有するシリコンよりなる第３の導電性基板１０３が準備される。第２の導電性基板１０２に第３の導電性基板１０３が接合される。具体的には、第２および第３の絶縁部７２，７３の上面に、表面を活性化した第３の導電性基板１０３が熱酸化膜８２を介して常温で接合される。同様に、図２に示す第１および第４の絶縁部７１，７４、第１および第２のアンカー部２１，２２、第１および第２の固定電極１１、１２の上面に、表面を活性化した第３の導電性基板１０３が熱酸化膜８２を介して常温で接合される。

図２、図１７および図１８に示すように、第１および第２の固定電極１１、１２、第１および第２のアンカー部２１、２２、第１〜第４の絶縁部７１〜７４の上面の熱酸化膜８２の高さは等しいため、図１９に示すように第３の導電性基板１０３が熱酸化膜８２に接合されることにより可動部３が封止される。このように、可動部３は、第１および第３の導電性基板１０１，１０３と固定部２と絶縁部７とにより閉塞された空間内に配置される。

図１を参照して、第１の導電性基板１０１、第３の導電性基板１０３、第１および第２の固定電極１１，１２、第１のアンカー部２１にそれぞれボンディングパッド１１１，１２１，１２２，１２３，１３１が作製される。ボンディングパッド１１１，１２１，１２２，１２３，１３１の材料は、たとえば、金（Ａｕ）である。このようにして、本実施の形態１の加速度センサが作製される。

本実施の形態１の加速度センサ１の製造方法では、第１の導電性基板１０１と第２の導電性基板１０２との接合および第２の導電性基板１０２と第３の導電性基板１０３との接合に常温接合が適用されているが、これに限定されない。１０００℃程度の高温環境で行う拡散接合、または、シリコン基板の表面をプラズマによって活性化させ、温度を印加した下で接合するプラズマ活性化接合等が適用されてもよい。

次に、本実施の形態の変形例について説明する。以下、特に言及しない限り、上記の本実施の形態と同じ構成については同じ符号を付し、その説明を繰り返さない。

まず、図２０を参照して、本実施の形態の変形例１の加速度センサ１について説明する。上記の本実施の形態１の加速度センサ１の製造方法では、第１〜第４の絶縁部７１〜７４は、第２の導電性基板１０２に形成されたスリットＳＬを有するパターン７０が熱酸化処理されることによって作製されている。しかしながら、第１〜第４の絶縁部７１〜７４は、熱処理によって局所的にシリコンが酸化されて形成される熱酸化膜が各電極間を絶縁させるように構成されていればよい。つまり、スリットＳＬの幅および形状によらない。

図２０に示すように、本実施の形態の変形例１の加速度センサ１では、第２の導電性基板１０２の面内方向における第１の絶縁部７１の厚さが薄くなっている。この変形例１では、第１の絶縁部７１が形成される第２の導電性基板１０２の部分は、表面から内部まで全体が酸化され、かつ封止可能な厚さに形成されている。

続いて、図２１を参照して、本実施の形態の変形例２の加速度センサ１について説明する。上記の本実施の形態１の加速度センサでは、第１および第２の固定電極１１，１２、第１および第２のアンカー部２１，２２、第１〜第４の絶縁部７１〜７４は、図５中Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ線対称になるよう設けられている。しかしながら、第１および第２の固定電極１１，１２、第１および第２のアンカー部２１，２２、第１〜第４の絶縁部７１〜７４は、図５中Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ線対称になるよう設けられていなくてもよい。

図２１に示すように、本実施の形態の変形例２の加速度センサ１では、上記の本実施の形態の加速度センサ１の第４の絶縁部７４が設けられていない。第１の固定電極１１と第２の固定電極１２との間に第３の絶縁部７３が配置されており、第１の固定電極１１と第２の固定電極１２とは第３の絶縁部７３により接続されている。第２のアンカー部２２は第１の固定電極１１と離れて、第１の固定電極１１よりも内方に配置されている。

続いて、図２２を参照して、本実施の形態の変形例３の加速度センサ１について説明する。上記の本実施の形態１の加速度センサでは、第１の導電性基板１０１と第２の導電性基板１０２とが熱酸化膜８１を介して接合されている。しかしながら、第１の導電性基板１０１、第２の導電性基板１０２、熱酸化膜８１に替わり、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板が適用されてもよい。図２２に示すように、本実施の形態の変形例３の加速度センサ１では、ＳＯＩ基板１５０が適用されている。ＳＯＩ基板１５０は、支持層１５１と、活性層１５２と、酸化膜層（ＢＯＸ層）１８１とを有している。支持層１５１と、活性層１５２との間に酸化膜層（ＢＯＸ層）１８１が挟まれている。活性層１５２に第１および第２の固定電極１１，１２、第１および第２のアンカー部２１，２２、第１〜第４の絶縁部７１〜７４、可動部３が形成されている。

続いて、図２３〜図２５を参照して、ウエハ状態の第１〜第３の導電性基板に多数の加速度センサ１が作製された様子について説明する。

図２３に示すように、ウエハ状態の第１〜第３の導電性基板には多数の加速度センサ１を作製することができる。これらの加速度センサ１は、ダイシングにより個々の加速度センサ１に分離される。ここで、隣接するセンサ素子との位置関係に注目する。

図２４は、ダイシング工程前の隣接するセンサ素子との接続形態に注目した第２の導電性基板１０２の基板面内方向の断面図である。図２５には、第１および第２の固定電極１１，１２、第１および第２のアンカー部２１，２２、第１〜第４の絶縁部７１〜７４が模式的に示されている。図２５は、図２４のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿う断面位置での第２の導電性基板１０２の厚さ方向の断面図である。

図２４および図２５に示すように、ダイシング前の、第２の導電性基板１０２に慣性質量体等の構造を作製するエッチング加工時に、隣接するセンサ素子の第１および第２の固定電極１１，１２、第１および第２のアンカー部２１，２２、第１〜第４の絶縁部７１〜７４が互いに接しないように分離して形成されている。これにより、ダイシングライン９９に沿って行うダイシング加工を要する厚さを薄くすることができるため、加工工程の負荷を低減することができる。

また、図２６および図２７を参照して、ダイシング工程前には、隣接するセンサ素子の第１および第２の固定電極１１，１２と、第１および第２のアンカー部２１，２２と、第１〜第４の絶縁部７１〜７４が互いに接するように作製されていてもよい。図２６は、ダイシング工程前の隣接するセンサ素子との接続形態に注目した第２の導電性基板１０２の基板面内方向の断面図である。図２７は、図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面位置での第２の導電性基板１０２の厚さ方向の断面図である。

図２６および図２７に示すように、ダイシングにより隣接するセンサ素子の第１および第２の固定電極１１，１２と、第１および第２のアンカー部２１，２２と、第１〜第４の絶縁部７１〜７４とが互いに分離される。これにより、隣接するセンサ素子同士をより近接して配置することが可能となり、基板からより多くの加速度センサを作製することができる。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態の加速度センサ１によれば、可動部３は第１および第３の導電性基板１０１，１０３と固定部２と絶縁部７とにより閉塞された空間内に配置されているため、可動部３を封止することができる。これにより、加速度の検出に際して、周辺環境の圧力変化に伴う周波数応答特性の変化を抑制することができる。また、可動部３が閉塞された空間内への埃等の侵入を防止することができる。さらに、可動部３は固定部２に対して絶縁部７により電気的に分離されているため、可動部３を含む第２の導電性基板１０２に異なる電位となる複数の電極を設けることができる。これにより、可動部３と固定部２との各々に異なる電位となる電極を形成できるため、可動部３と固定部２との対向方向の可動部３の変位を検知することができる。したがって、基板の面内方向の加速度を検知することができる。

また、第２の導電性基板１０２は、第１の導電性基板１０１と第３の導電性基板１０３との間に配置されているため、基板の厚さ方向の可動部３の変位を検知することができる。これにより、基板の厚さ方向の加速度を検知することができる。

つまり、第２の導電性基板１０２により作製された構造物は機械的に接続されており、第２の導電性基板１０２の上下に第１および第３の導電性基板１０１，１０３を接合することにより可動部３を封止することができる。また、第２の導電性基板１０２により作製された構造物は絶縁部７および第１および第２の絶縁膜８１，８２により電気的に分離されているため、複数の電極を設けた加速度センサ１を提供することができる。

そのため、複数の電極を有する加速度センサ１を構成することができる。具体的には、基板の厚さ方向および基板の面内方向を検出軸方向とする２軸加速度センサを構成することができる。

また、固定部２および絶縁部７が図５中Ｘ軸方向およびＹ軸方向に線対称に設けられていることにより、絶縁部７に起因する応力による各部位の変形もＸ軸方向およびＹ軸方向に対称に生じる。このため、絶縁部７に起因する応力の加速度センサ１の出力への影響を抑えることができる。

本実施の形態の加速度センサ１によれば、第２の導電性基板１０２は不純物が添加されることにより導電性を有するシリコンよりなり、絶縁部７はシリコンの酸化物により構成されているため、第２の導電性基板１０２の機械的接続が保たれたまま、可動部３を封止することができる。

本実施の形態の加速度センサ１によれば、第２の導電性基板１０２の面内方向に加速度が印加されることにより、固定電極１０と可動部３との間に形成される静電容量が変化するように構成されている。このため、固定電極１０により第２の導電性基板１０２の面内方向の加速度を検知することができる。

本実施の形態の加速度センサ１の製造方法によれば、不純物が添加されることにより導電性を有するシリコンよりなる第２の導電性基板１０２に絶縁部７が形成され、絶縁部７はシリコンを熱酸化することにより形成される。このため、別の部材を使用することなく絶縁部７を形成することができる。これにより、別の部材を使用することなく可動部３を封止することができる。

本実施の形態の加速度センサ１の製造方法によれば、絶縁部７は、第２の導電性基板１０２に形成されたスリットＳＬがシリコンの酸化物で埋められることにより形成される。したがって、スリットＳＬがシリコンの酸化物で埋められるため、絶縁性を向上できる。

本実施の形態の加速度センサ１の製造方法によれば、スリットＳＬは複数個形成されるため、一部のスリットＳＬが製造プロセスのばらつき等により封止に寄与しなくても他のスリットＳＬで封止できる。このため、封止の信頼性を高めることができる。

また、本実施の形態の加速度センサ１の製造方法によれば、ウエハ状態の第１〜第３の導電性基板に多数の加速度センサ１が作製され、個々の加速度センサ１に分離するためのダイシング時にも、可動部３の周辺への水および切削片の侵入も防ぐことができる。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の加速度センサについて説明する。以下、特に説明しない限り、実施の形態１と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。本実施の形態の加速度センサは、加速度検出にサーボ方式を適用した加速度センサである。

図２８を参照して、本実施の形態の加速度センサ１の構成について説明する。図２８は、実施の形態１の図５に対応する断面図である。本実施の形態の加速度センサ１では、固定部２は、可動部３との間に電圧が印加されることによって可動部３との間に静電力を発生させるように構成されている。固定部２は、第３および第４の固定電極１３，１４を有している。また、絶縁部７は、第５および第６の絶縁部７５，７６を有している。

第３の固定電極１３は、第３の本体部１３ａと、第３の固定櫛歯電極４３とを有している。第４の固定電極１４は、第４の本体部１４ａと、第４の固定櫛歯電極４４とを有している。第１および第２の固定電極１１，１２と同様に、第３および第４の固定櫛歯電極４３，４４はそれぞれ第１および第２の可動櫛歯電極３１，３２と互いに櫛歯状に組み合うように近接して配置され、静電容量を形成している。

第５の絶縁部７５は、第１の固定電極１１と第３の固定電極１３との間に配置されており、第１の固定電極１１と第３の固定電極１３とを接続している。第５の絶縁部７５によって第１の固定電極１１と第３の固定電極１３とは電気的に分離されている。第６の絶縁部７６は、第２の固定電極１２と第４の固定電極１４との間に配置されており、第２の固定電極１２と第４の固定電極１４とを接続している。第６の絶縁部７６によって第２の固定電極１２と第４の固定電極１４とは電気的に分離されている。

第３の固定電極１３の第３の本体部１３ａと第３の固定櫛歯電極４３とは電気的に等電位になるよう接続されている。第４の固定電極１４の第４の本体部１４ａと第４の固定櫛歯電極４４とは電気的に等電位になるよう接続されている。第１〜第４の固定電極１１〜１４、第１および第２のアンカー部２１，２２はそれぞれ互いに第１および第２の絶縁膜８１，８２、第１〜第６の絶縁部７１〜７６を介して接続されており、電気的に接続されていない。

第３および第４の固定電極１３，１４にも、図２に示すのと同様のボンディングパッドが設けられている。図２８および図２を参照して、本実施の形態の加速度センサ１は、第１の導電性基板１０１、第３の導電性基板１０３、第１〜第４の固定電極１１，１２，１３，１４、第１のアンカー部２１に設けられたボンディングパッドを介して外部電気処理回路に電気的に接続される。

次に、本実施の形態の加速度センサ１の動作について説明する。
本実施の形態の加速度センサに基板面内方向（図２８中Ｘ軸方向）に加速度が印加されると、第１および第２の梁６１，６２の剛性により慣性質量体３０は変位し、慣性質量体３０に接続されている第１の可動櫛歯電極３１と第１および第３の固定櫛歯電極４１，４３との間の距離、第２の可動櫛歯電極３２と第２および第４の固定櫛歯電極４２，４４との間の距離がそれぞれ変化する。これらの距離の変化に応じて、第１の可動櫛歯電極３１と第１の固定櫛歯電極４１との間に形成されている静電容量、第２の可動櫛歯電極３２と第２の固定櫛歯電極４２との間に形成されている静電容量がそれぞれ変化する。

ここで、第３の固定電極１３と第１のアンカー部２１との間に電圧が印加されると、第３の固定櫛歯電極４３と第１の可動櫛歯電極３１との間に静電力を発生させることができる。同様に第４の固定電極１４と第１のアンカー部２１との間に電圧が印加されると、第４の固定櫛歯電極４４と第２の可動櫛歯電極３２との間に静電力を発生させることができる。

本実施の形態の加速度センサ１では、電圧を印加する電極、電圧の大きさによって静電力を制御することができる。そして、適当な電圧を印加することによって加速度の印加による慣性質量体３０の変位を加速度の印加がない状態に戻すことができる。そのため、印加する電圧によって、印加されている加速度を検出することができる。

つまり、本実施の形態の加速度センサ１によれば、固定部２は、可動部３との間に電圧が印加されることによって可動部３との間に静電力を発生させるように構成されている。このため、固定部２により可動部３の変位を制御することができる。これにより、加速度検出にサーボ方式を適用した加速度センサを構成することができる。

サーボ方式の適用により、機械的な形状の変化が小さいため、変位に伴う信号の変化の影響を抑えることができる。そのため、出力線形性の向上および信号のダイナミックレンジの拡大が可能となる。また、動作において形状の変化が小さいため、壊れにくくなり、信頼性を高めることができる。

（実施の形態３）
本発明の実施の形態３の加速度センサについて説明する。以下、特に説明しない限り、実施の形態１と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。

図２９を参照して、本実施の形態の加速度センサ１の構成について説明する。図２９は、実施の形態１の図５に対応する断面図である。本実施の形態の加速度センサ１では、固定部２は、第１の固定部材１０ａと、第２の固定部材１０ｂとを有している。第１の固定部材１０ａは絶縁部７に接続されている。第２の固定部材１０ｂは、第１の固定部材１０ａと離れて配置されている。

第１のアンカー部２１は、第１の一方アンカー部材２１ａと、第１の他方アンカー部材２１ｂとを有している。第１の一方アンカー部材２１ａは第１の他方アンカー部材２１ｂと離れて配置されている。第１の一方アンカー部材２１ａは第１の他方アンカー部材２１ｂの外側に配置されている。第１の他方アンカー部材２１ｂは第１の梁６１を介して慣性質量体３０に接続されている。

第２のアンカー部２２は、第２の一方アンカー部材２２ａと、第２の他方アンカー部材２２ｂとを有している。第２の一方アンカー部材２２ａは第２の他方アンカー部材２２ｂと離れて配置されている。第２の一方アンカー部材２２ａは第２の他方アンカー部材２２ｂの外側に配置されている。第２の他方アンカー部材２２ｂは第２の梁６２を介して慣性質量体３０に接続されている。

第１の固定電極１１は、第１の一方電極部材１１Ｆと、第１の他方電極部材１１Ｓとを有している。第１の一方電極部材１１Ｆは第１の他方電極部材１１Ｓと離れて配置されている。第１の一方電極部材１１Ｆは第１の他方電極部材１１Ｓの外側に配置されている。第１の一方電極部材１１Ｆは、第１の絶縁部７１を介して第１の一方アンカー部材２１ａに接続されており、第４の絶縁部７４を介して第２の一方アンカー部材２２ａに接続されている。第１の他方電極部材１１Ｓは、第１の本体部１１ａと、第１の固定櫛歯電極４１とを有している。

第２の固定電極１２は、第２の一方電極部材１２Ｆと、第２の他方電極部材１２Ｓとを有している。第２の一方電極部材１２Ｆは第２の他方電極部材１２Ｓと離れて配置されている。第２の一方電極部材１２Ｆは第２の他方電極部材１２Ｓの外側に配置されている。第２の一方電極部材１２Ｆは、第２の絶縁部７２を介して第１の一方アンカー部材２１ａに接続されており、第３の絶縁部７３を介して第２の一方アンカー部材２２ａに接続されている。第２の他方電極部材１２Ｓは、第２の本体部１２ａと、第２の固定櫛歯電極４２とを有している。

第１の一方電極部材１１Ｆと、第２の一方電極部材１２Ｆと、第１の一方アンカー部材２１ａと、第２の一方アンカー部材２２ａとが第１の固定部材１０ａを構成している。第１の他方電極部材１１Ｓと、第２の他方電極部材１２Ｓと、第１の他方アンカー部材２１ｂと、第２の他方アンカー部材２２ｂとが第２の固定部材１０ｂを構成している。

第２の導電性基板１０２は梁部１６を有している。梁部１６は、第１の固定部材１０ａと第２の固定部材１０ｂとに支持されている。梁部１６は、変形可能である。梁部１６は、第１〜第４の梁部１６１〜１６４を有している。第１の梁部１６１は、第１の一方アンカー部材２１ａと第１の他方アンカー部材２１ｂとに支持されている。第２の梁部１６２は、第２の一方アンカー部材２２ａと第２の他方アンカー部材２２ｂとに支持されている。第３の梁部１６３は第１の一方電極部材１１Ｆと第１の他方電極部材１１Ｓとに支持されている。第４の梁部１６４は第２の一方電極部材１２Ｆと第２の他方電極部材１２Ｓとに支持されている。

第１の一方アンカー部材２１ａと第１の他方アンカー部材２１ｂとは第１の梁部１６１によって電気的に等電位になるよう接続されている。第２の一方アンカー部材２２ａと第２の他方アンカー部材２２ｂとは第２の梁部１６２によって電気的に等電位になるよう接続されている。第１の一方電極部材１１Ｆと第１の他方電極部材１１Ｓとは第３の梁部１６３によって電気的に等電位になるよう接続されている。第２の一方電極部材１２Ｆと第２の他方電極部材１２Ｓとは第４の梁部１６４によって電気的に等電位になるよう接続されている。

本実施の形態の加速度センサ１では、第１の一方電極部材１１Ｆと、第２の一方電極部材１２Ｆと、第１の一方アンカー部材２１ａと、第２の一方アンカー部材２２ａと、第１〜第４の絶縁部７１〜７４によって、可動部３が封止されている。

本実施の形態の加速度センサ１によれば、梁部１６は、第１の固定部材１０ａと第２の固定部材１０ｂとに支持され、かつ変形可能である。このため、絶縁部７に発生する応力による変形が第２の固定部材１０ｂに与える影響を梁部１６によって緩和することができる。つまり、本実施の形態の加速度センサ１では、シリコンよりなる第２の導電性基板１０２と熱膨張係数の異なる絶縁部７に発生する応力による変形が第１および第２の固定電極１１，１２、第１および第２のアンカー部２１，２２に与える影響を第１〜第４の梁部１６１〜１６４の変形によって緩和することができる。これにより、絶縁部７に発生する応力によるセンサ出力特性への影響を抑えることができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。

１ 加速度センサ、２ 固定部、３ 可動部、６ 梁、７ 絶縁部、１０ 固定電極、１０ａ 第１の固定部材、１０ｂ 第２の固定部材、１１〜１４ 第１〜４の固定電極、１６ 梁部、２０ アンカー部、２１ 第１のアンカー部、２２ 第２のアンカー部、３０ 慣性質量体、３１ 第１の可動櫛歯電極、３２ 第２の可動櫛歯電極、４１〜４４ 第１〜４の固定櫛歯電極、７１〜７６ 第１〜６の絶縁部、８１ 第１の熱酸化膜、８２ 第２の熱酸化膜、１０１〜１０３ 第１〜３の導電性基板、ＳＬ スリット。

Claims (8)

1. 第１の導電性基板と、
   前記第１の導電性基板に接合された第２の導電性基板と、
   前記第２の導電性基板に接合された第３の導電性基板とを備え、
   前記第２の導電性基板は、前記第１の導電性基板と前記第３の導電性基板との間に配置されており、
   前記第２の導電性基板は、前記第１の導電性基板に固定された固定部と、前記固定部に対して変位可能な可動部と、前記可動部と前記固定部との間に配置された絶縁部とを含み、
   前記可動部は、前記第１および第３の導電性基板と前記固定部と前記絶縁部とにより閉塞された空間内に配置されており、かつ前記固定部に対して前記絶縁部により電気的に分離されている、加速度センサ。
2. 前記第２の導電性基板は、不純物が添加されることにより導電性を有するシリコンよりなり、
   前記絶縁部は、前記シリコンの酸化物により構成されている、請求項１に記載の加速度センサ。
3. 前記固定部は、固定電極を含み、
   前記第２の導電性基板の面内方向に加速度が印加されることにより、前記固定電極と前記可動部との間に形成された静電容量が変化するように構成されている、請求項１または２に記載の加速度センサ。
4. 前記固定部は、前記可動部との間に電圧が印加されることによって前記可動部との間に発生する静電力により前記可動部の変位を制御可能に構成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の加速度センサ。
5. 前記固定部は、前記絶縁部に接続された第１の固定部材と、前記第１の固定部材と離れて配置された第２の固定部材とを含み、
   前記第２の導電性基板は梁部を含み、
   前記梁部は、前記第１の固定部材と前記第２の固定部材とに支持され、かつ変形可能である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の加速度センサ。
6. 第１の導電性基板に接合され、かつ不純物が添加されることにより導電性を有するシリコンよりなる第２の導電性基板を準備する工程と、
   前記第２の導電性基板に、前記第１の導電性基板に固定された固定部と、前記固定部に対して変位可能な可動部と、前記可動部と前記固定部との間に配置された絶縁部とを形成する工程と、
   前記第２の導電性基板に第３の導電性基板を接合する工程とを備え、
   可動部は、前記第１および第３の導電性基板と前記固定部と前記絶縁部とにより閉塞された空間内に配置され、
   前記絶縁部は、前記シリコンを熱酸化することにより形成される、加速度センサの製造方法。
7. 前記絶縁部は、前記第２の導電性基板に形成されたスリットが前記シリコンの酸化物で埋められることにより形成される、請求項６に記載の加速度センサの製造方法。
8. 前記スリットは複数個形成される、請求項７に記載の加速度センサの製造方法。

Images