JP4558655B2 - 半導体力学量センサ - Google Patents
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Description
以下、この発明の第1の実施の形態を図面を用いて説明する。本実施の形態においては、半導体加速度センサに適用している。より詳しくは、サーボ制御式の差動容量型半導体力学量センサに適用している。
次に、第2の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に図面に基づき説明する。
次に、第3の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
次に、第4の実施の形態を図面に基づき説明する。
基板表面に平行な方向の振動において梁構造体81,82の質量部86の速度は固定端側では「0」、中心で最大となることから、コリオリ力も同様となり図33に示すように、基板の表面に垂直な方向の変位も固定端側では「0」、中心で最大となって梁構造体81,82の質量部86は楕円を描く。ここで、梁構造体81,82の質量部86(即ち、2つの質量部86)は振動の位相を180度ずらすことにより、変位方向が逆となり差動検出が可能となる。梁構造体81,82の質量部86が単独であると(差動励振を行わないと)コリオリ力と振動その他による加速度が分離できないが、差動検出を行うことで加速度によるノイズ成分をキャンセルできる。一般にコリオリ力は微小であるため共振の効果を利用する。具体的には(1)式に示した速度Vを大きくするために梁構造体81,82の質量部86の励振(基板の表面に平行な方向)を共振周波数とし振幅を大きくする。ここで、コリオリ力は振動と同周期で発生するので検出(基板の表面に垂直な)方向も励振と等しい共振周波数とすれば、コリオリ力による変位も増大させることができる。
2 電気接続部材としての梁構造体
7a,7b,7c,7d 可動電極
8a,8b,8c,8d 可動電極
9a,9b,9c,9d 第1の固定電極
10a,10b,10c,10d アンカー部
11a,11b,11c,11d 第2の固定電極
12a,12b,12c,12d アンカー部
13a,13b,13c,13d 第1の固定電極
14a,14b,14c,14d アンカー部
15a,15b,15c,15d 第2の固定電極
16a,16b,16c,16d アンカー部
17 半導体基板としてのシリコン基板
18 下層側絶縁体薄膜
19 導電性薄膜
20 上層側絶縁体薄膜
21 積層体
22,23,24,25 配線パターン
26 静電気力相殺用固定電極としての下部電極
27a,27b,27c,27d 電気接続部材としての電極取出部
29a,29b,29c,29d 開口部
31a,31b,31c,31d 開口部
32 開口部
33 開口部
40 第1の半導体基板としての単結晶シリコン基板
41 犠牲層用薄膜としてのシリコン酸化膜
43 第1の絶縁体薄膜としてのシリコン窒化膜
44a,44b,44c,44d 開口部
45 導電性薄膜としてのポリシリコン薄膜
46 第2の絶縁体薄膜としてのシリコン酸化膜
46 貼合用薄膜としてのポリシリコン薄膜
48 第2の半導体基板としての単結晶シリコン基板
49 溝パターン(溝)
60 第1の半導体基板としてのシリコン基板
61 溝パターン(溝)
62 犠牲層用薄膜としてのシリコン酸化膜
64 第1の絶縁体薄膜としてのシリコン窒化膜
65a,65b,65c 開口部
66 導電性薄膜としてのポリシリコン薄膜
67 第2の絶縁体薄膜としてのシリコン酸化膜
68 貼合用薄膜としてのポリシリコン薄膜
69 第2の半導体基板としての単結晶シリコン基板
80 基板
81 梁構造体
82 梁構造体
87 第1の可動電極としての励振用可動電極
88 第2の可動電極としての励振用可動電極
90 第1の励振用固定電極としての櫛歯電極
91 第2の励振用固定電極としての櫛歯電極
97 下層側絶縁体薄膜
98 導電性薄膜
99 上層側絶縁体薄膜
100 積層体
101 下部電極
102 下部電極
103 配線パータン
104 配線パータン
105 電気接続部材としての電極取出部
106 電気接続部材としての電極取出部
109 開口部
Claims (7)
- 基板と、
前記基板の上面から所定間隔を隔てた位置に配置され、互いに平行に延びる複数の可動電極を有する梁構造体と、
前記基板の上面に固定され、前記各可動電極の一方の側面にそれぞれ対向して配置された複数の第1の固定電極と、
前記基板の上面に固定され、前記各可動電極の他方の側面にそれぞれ対向して配置された複数の第2の固定電極とを備え、
前記梁構造体の可動電極と前記第1の固定電極とにより第1のコンデンサが形成されるとともに、前記梁構造体の可動電極と前記第2の固定電極とにより第2のコンデンサが形成された半導体力学量センサであって、
前記基板の上面部と前記複数の第1の固定電極及び前記複数の第2の固定電極との間に、下層側絶縁体薄膜と導電性薄膜と所定領域が開口した上層側絶縁体薄膜との積層体が配置され、
前記導電性薄膜により構成され、前記複数の第1の固定電極を相互に接続する第1の配線パターンと、
前記導電性薄膜により構成され、前記複数の第2の固定電極を相互に接続する第2の配線パターンと
を備えることを特徴とする半導体力学量センサ。 - 半導体基板上に下層側絶縁体薄膜、導電性薄膜および所定領域が開口した上層側絶縁体薄膜がこの順に積層配置されてなる基板と、
前記基板の上面から所定間隔を隔てた位置に配置され、互いに平行に延びる複数の可動電極を有する梁構造体と、
前記基板の上面に固定され、前記各可動電極の一方の側面にそれぞれ対向して配置され、前記梁構造体の可動電極とともに第1のコンデンサを構成する複数の第1の固定電極、及び前記各可動電極の他方の側面にそれぞれ対向して配置され、前記梁構造体の可動電極とともに第2のコンデンサを構成する複数の第2の固定電極と、
前記導電性薄膜により構成され、前記複数の第1の固定電極を相互に接続する第1の配線パターン、及び前記複数の第2の固定電極を相互に接続する第2の配線パターンと
を備えることを特徴とする半導体力学量センサ。 - 前記第1の配線パターンは、開口した前記所定領域に配置された第1のアンカー部を介して前記第1の固定電極を相互に接続するものであり、
前記第2の配線パターンは、開口した前記所定領域に配置された第2のアンカー部を介して前記第2の固定電極を相互に接続するものである請求項1又は請求項2記載の半導体力学量センサ。 - 前記第1の固定電極と前記第1の配線パターンとで第1の固定電極用通電ラインが構成され、前記第2の固定電極と前記第2の配線パターンとで第2の固定電極用通電ラインが構成され、前記第1の固定電極用通電ラインと前記第2の固定電極用通電ラインが交差していることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の半導体力学量センサ。
- 前記導電性薄膜により構成され、前記基板の上面部における前記梁構造体と対向する領域に、上層側絶縁体薄膜における開口部および梁構造体のアンカー部を通して前記梁構造体とを電気的に接続されることで前記梁構造体と等電位に設定され、前記梁構造体と前記基板との間に生じる静電気力を相殺する静電気力相殺用固定電極を更に備えることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか記載の半導体力学量センサ。
- 半導体基板上に下層側絶縁体薄膜、導電性薄膜および所定領域が開口した上層側絶縁体薄膜がこの順に積層配置されてなる基板と、
前記基板の前記導電性薄膜の上方に配置され、質量部、及び該質量部の一方の側面に配置されて互いに平行に延びる複数の第1の可動電極、を有する梁構造体と、
前記基板の上面に固定され、前記各第1可動電極の一方の側面にそれぞれ対向して配置され前記第1の可動電極とともに第1のコンデンサを構成する複数の第1の固定電極、及び前記各第1の可動電極の他方の側面にそれぞれ対向して配置され前記第1の可動電極とともに第2のコンデンサを構成する複数の第2の固定電極と、
前記導電性薄膜により構成され、前記複数の第1の固定電極を相互に接続する帯状の第1の配線パターン、及び前記複数の第2の固定電極を相互に接続する帯状の第2の配線パターンと
を備えることを特徴とする半導体力学量センサ。 - 前記梁構造体は、更に前記質量部の他方の側面に配置されて互いに平行に延びる複数の第2の可動電極を有するものであり、
前記基板の上面に固定され、前記各第2可動電極の一方の側面にそれぞれ対向して配置され前記第2の可動電極とともに第3のコンデンサを構成する複数の第3の固定電極、及び前記各第2の可動電極の他方の側面にそれぞれ対向して配置され前記第2の可動電極とともに第4のコンデンサを構成する複数の第4の固定電極と、
前記導電性薄膜により構成され、前記複数の第3の固定電極を相互に接続する帯状の第3の配線パターン、及び前記複数の第4の固定電極を相互に接続する帯状の第4の配線パターンと
を備えることを特徴とする請求項6記載の半導体力学量センサ。
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