JP5096278B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図5は、トランスデバイスの構造を示す模式的な断面図である。
トランスデバイス101は、図示しない半導体基板上に、SiO2(酸化シリコン)からなる第1配線層102を備えている。
第2配線層112には、第2配線溝113が形成されている。第2配線溝113は、第2配線層112の上面から層間絶縁膜110の上面まで掘り下がっている。第2配線溝113には、バリアメタル114を介して、Cu配線材料からなる第2配線115が埋設されている。また、第2配線層112には、第2配線溝113と間隔を空けて、第2配線溝113と同じ深さを有する平面視渦巻状のコイル溝116が形成されている。コイル溝116には、バリアメタル117を介して、第1コイル108とともにトランスを構成する第2コイル118が埋設されている。
そこで、本発明の目的は、半導体基板(半導体ウエハ)上に比較的大きな厚さの層間絶縁膜が形成される構成において、半導体基板に反り変形が生じることを抑制できる、半導体装置およびその製造方法を提供することである。
第1絶縁膜および前記第2絶縁膜にビアホールを形成するために、第1絶縁膜および前記第2絶縁膜の選択的なエッチングが行われる。また、ビアホールにビアを埋設するために、第1絶縁膜上に形成されるビアの材料および第1絶縁膜の表面の平坦化(たとえば、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械的研磨)法による平坦化)が行われる。第1絶縁膜が圧縮応力を有する圧縮応力膜であっても、それらの処理(工程)が行われることにより、第1絶縁膜の圧縮応力を低減する。よって、層間絶縁膜が比較的大きな厚さに形成されても、半導体基板に反り変形が生じることを抑制できる。
また、前記第1絶縁膜は圧縮応力膜であり、前記第2絶縁膜は引張応力膜であるので、半導体基板上において、圧縮応力膜の圧縮応力と引張応力膜の引張応力とが相互に打ち消し合う。したがって、層間絶縁膜が比較的大きな厚さに形成されても、半導体基板に反り変形が生じることを一層抑制できる。
請求項3に記載のように、前記圧縮応力膜がSiO2からなり、前記引張応力膜がSiNからなっていてもよい。
また、請求項4に記載のように、前記層間絶縁膜の厚さが4.5μm以上であることが好ましい。
請求項6に記載のように、前記第1コイルおよび前記第2コイルは、Cuを含む金属材料からなっていてもよい。
請求項7に記載のように、前記ビアは、Cuを含む金属材料からなり、前記ビアホールの内面に配置され、Cuに対するバリア性を有する材料からなるバリア膜をさらに含むことが好ましい。
請求項8に記載のように、前記第1配線、前記第1コイル、前記第2配線および前記第2コイルが、Cuを含む金属材料からなることが好ましい。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す模式的な断面図である。
半導体装置1は、トランスデバイスであり、半導体基板2を備えている。半導体基板2としては、Si(シリコン)基板、SiC(炭化珪素)基板などを例示することができる。
エッチングストッパ膜3上には、第1配線層4が積層されている。第1配線層4は、SiO2からなり、圧縮応力を有している。第1配線層4の厚さは、たとえば、2.1μmである。
第1配線溝5の内面(側面および底面)上には、バリアメタル6が形成されている。バリアメタル6は、半導体基板2側からTa(タンタル)膜、TaN(窒化タンタル)膜およびTa膜をこの順に積層した構造を有している。そして、第1配線溝5には、バリアメタル6を介して、Cu配線材料(Cuを主成分とする金属材料)からなる第1配線7が埋設されている。第1配線7は、その表面が第1配線層4の表面と面一をなしている。バリアメタル6により、第1配線7に含まれるCuが第1配線層4中に拡散することが防止されている。
第1コイル溝8の内面(側面および底面)上には、バリアメタル9が形成されている。バリアメタル9は、第1配線溝5の内面上に形成されているバリアメタル6と同じ積層構造を有している。すなわち、バリアメタル9は、半導体基板側からTa膜、TaN膜およびTa膜をこの順に積層した構造を有している。そして、第1コイル溝8には、バリアメタル9を介して、第1配線7の材料と同じ材料であるCu配線材料からなる第1コイル10が埋設されている。第1コイル10は、その表面が第1配線層4の表面と面一をなしている。バリアメタル6により、第1コイル10に含まれるCuが第1配線層4中に拡散することが防止されている。
第2絶縁膜14は、SiNからなり、引張応力を有している。第2絶縁膜14の厚さは、たとえば、0.3μmである。
層間絶縁膜12上には、エッチングストッパ膜15が積層されている。エッチングストッパ膜15は、SiNからなり、引張応力を有している。エッチングストッパ膜15の厚さは、たとえば、0.3μm(=300nm)である。
第2配線層16には、第2配線溝17が形成されている。第2配線溝17は、第2配線層16の上面から掘り下がった凹状をなし、第2配線層16およびその下方のエッチングストッパ膜15を貫通している。
第2コイル溝20の内面(側面および底面)上には、バリアメタル21が形成されている。バリアメタル21は、第2配線溝17の内面上に形成されているバリアメタル18と同じ積層構造を有している。すなわち、バリアメタル21は、半導体基板2側からTa膜、TaN膜およびTa膜をこの順に積層した構造を有している。そして、第2コイル溝20には、バリアメタル21を介して、第2配線19の材料と同じ材料であるCu配線材料からなる第2コイル22が埋設されている。第2コイル22は、その表面が第2配線層16の表面と面一をなしている。バリアメタル21により、第2コイル22に含まれるCuが第2配線層16中に拡散することが防止されている。
具体的には、層間絶縁膜12の各第1絶縁膜13には、ビアホール24が形成されている。上層側の第1絶縁膜13に形成されているビアホール24は、その第1絶縁膜13を貫通し、さらに第1絶縁膜13の下方の第2絶縁膜14を貫通している。下層側の第1絶縁膜13に形成されているビアホール24は、その第1絶縁膜13を貫通し、さらに第1絶縁膜13の下方の拡散防止/エッチングストッパ膜11を貫通している。各ビアホール24の内面には、バリアメタル25が形成されている。バリアメタル25は、半導体基板2側からTa膜、TaN膜およびTa膜をこの順に積層した構造を有している。そして、各ビアホール24には、バリアメタル25を介して、Cu配線材料からなるビア23が埋設されている。バリアメタル25により、ビア23に含まれるCuが第1絶縁膜13中に拡散することが防止されている。第1配線7と第2配線19とは、ビア23およびバリアメタル25を介して電気的に接続されている。
図2Aに示すように、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法により、半導体基板2上に、エッチングストッパ膜3および第1配線層4が積層される。
次に、図2Bに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第1配線溝5および第1コイル溝8が形成される。このとき、エッチングストッパ膜3が第1配線層4のエッチングに対するエッチングストッパとして利用される。
そして、シングルダマシン法により、ビア23が形成される。
具体的には、図2Fに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ビアホール24が形成される。このとき、拡散防止/エッチングストッパ膜11が第1絶縁膜13のエッチングに対するエッチングストッパとして利用される。
そして、図2F〜2Hに示す工程と同様の工程を経て、図2Jに示すように、上層側の第1絶縁膜13にビアホール24が形成され、このビアホール24にバリアメタル25を介してビア23が埋設される。このとき、第2絶縁膜14が第1絶縁膜13のエッチングに対するエッチングストッパとして利用される。
次に、図2Lに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第2配線溝17および第2コイル溝20が形成される。エッチングストッパ膜15が第2配線層16のエッチングに対するエッチングストッパとして利用される。
以上のように、半導体基板2上に形成される層間絶縁膜12は、複数の第1絶縁膜13の積層構造を有している。また、半導体基板2上には、トランスを構成する第1コイル10および第2コイル22が層間絶縁膜12を挟んで対向して設けられている。そして、各第1絶縁膜13には、第1絶縁膜13を貫通するビアホール24が形成され、各ビアホール24には、ビア23が埋設されている。
半導体基板2の母体である直径300mmの半導体ウエハ(ベアシリコンウエハ)を3枚用意し、その3枚の半導体ウエハの表面上に、それぞれ厚さ約8μm、約11μmおよび約13μmのSiO2からなる圧縮応力膜を成膜し、各圧縮応力膜に貫通孔を形成するためのエッチング工程の前後で、各半導体ウエハの反り量(平面に対する高さ)を測定した。図3に、エッチング工程前の反り量を黒丸で示し、エッチング工程後の反り量を白丸で示す。
また、約13μmの圧縮応力膜上のエッチング工程後、その圧縮応力膜上に0.3μmのSiNからなる引張応力膜を形成し、半導体ウエハの反り量を測定した。このときの反り量は、半導体ウエハの表面が凸となる側に約300μmであり、引張応力膜の形成前の反り量である約460μmよりもはるかに小さくなることが理解される。
半導体基板2の母体である直径300mmの半導体ウエハ(ベアシリコンウエハ)を用意し、その半導体ウエハの表面上にSiO2からなる圧縮応力膜を成膜する過程で、圧縮応力膜の厚さが1.2μmだけ大きくなる度に、半導体ウエハの反り量(平面に対する高さ)を測定した。図4に、その測定結果を白丸で示す。
2 半導体基板
10 第1コイル
12 層間絶縁膜
13 第1絶縁膜(圧縮応力膜)
14 第2絶縁膜(引張応力膜)
22 第2コイル
23 ビア
Claims (10)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、複数の第1絶縁膜と、該第1絶縁膜間に配置され前記第1絶縁膜の材料とは異なる材料からなるとともに該第1絶縁膜よりも薄い第2絶縁膜とが交互に繰り返す積層構造を有する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に対して前記半導体基板側に設けられた第1コイルと、
前記第1コイルと前記層間絶縁膜を挟んで対向し、前記第1コイルとともにトランスを構成するための第2コイルと、
各前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜を貫通するビアホールに個別に形成された複数のビアとを含み、
前記第1絶縁膜は圧縮応力膜であり、前記第2絶縁膜は引張応力膜である、半導体装置。 - 前記第2絶縁膜が前記第1絶縁膜の1/8〜1/7の厚さを有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記圧縮応力膜がSiO2からなり、前記引張応力膜がSiNからなる、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記層間絶縁膜の厚さが4.5μm以上である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記ビアは、シングルダマシン法により形成されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1コイルおよび前記第2コイルは、Cuを含む金属材料からなる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記ビアは、Cuを含む金属材料からなり、
前記ビアホールの内面に配置され、Cuに対するバリア性を有する材料からなるバリア膜をさらに含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1配線、前記第1コイル、前記第2配線および前記第2コイルが、Cuを含む金属材料からなる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に第1コイルを形成する工程と、
前記第1コイル上に圧縮応力膜からなる複数の第1絶縁膜と、該第1絶縁膜間に配置され前記第1絶縁膜の材料とは異なる材料からなるとともに該第1絶縁膜よりも薄い引張応力膜からなる第2絶縁膜とが交互に繰り返す積層構造を有する層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1コイルと前記層間絶縁膜を挟んで対向する位置に、前記第1コイルとともにトランスを構成するための第2コイルを形成する工程とを含み、
前記層間絶縁膜を形成する工程では、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜を形成する工程と、エッチングにより、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜にビアホールを形成する工程と、前記ビアホールにビアを埋設する工程とがこの順に繰り返される、半導体装置の製造方法。 - 前記第2絶縁膜が前記第1絶縁膜の1/8〜1/7の厚さに形成される、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
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