JP2008108892A - 半導体装置の配線形成方法及び配線 - Google Patents

Abstract

【課題】 所定の厚さを確保したビアを形成可能で、かつ、膜厚が厚い配線を良好に形成することができる半導体装置の配線形成方法及び配線を実現する。
【解決手段】 第１層間絶縁膜形成工程により、基板面１０ａ上に第１層間絶縁膜１２を形成し、ビア溝形成工程により、異方性エッチング法により、第１層間絶縁膜１２を下層配線１１に到達するまでエッチングして、ビア溝１３を形成し、第２層間絶縁膜形成工程により、第１層間絶縁膜１１及びビア溝１３上に、第２層間絶縁膜１４を形成し、配線溝形成工程により、異方性エッチング法により、第２層間絶縁膜１４及び第１層間絶縁膜１２をエッチングして、配線溝１５をビア溝１２と連結して形成し、配線形成工程により、ビア溝１３及び配線溝１５の内部に配線材料を充填し、ビア１８及び上層配線１９を形成することができる。
【選択図】 図２

Description

この発明は、半導体装置の配線形成方法及び配線に関する。

多層配線が形成される半導体装置において、配線形成工程を短縮するために、例えば、特許文献１に示すように、半導体基板上に形成された絶縁膜に、上層配線が形成される配線溝と、この上層配線を下層配線に接続するビア溝とを形成し、配線材料（例えば、銅）を充填することにより、ビアと上層配線とを一度に形成するデュアルダマシン法と呼ばれる工法が用いられるようになってきた。
従来の配線形成方法を図６に示す。まず、図６（Ａ）に示すように、下層配線１１１が形成された半導体基板１１０上に絶縁膜１１２を形成した後に、フォトリソグラフ法によりビア溝１１３のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして絶縁膜１１２をエッチングすることにより、ビア溝１１３が形成される。
次に、図６（Ｂ）に示すように、ビア溝１１３を覆って幅広に形成されたレジストパターンをマスクとして、絶縁膜１１２を下層配線１１１が露出するまでエッチングすることにより、配線溝１１５を形成し、ビア溝１１３と下層配線１１１とを連結させる。ここで、ビア溝１１３と下層配線１１１とが確実に連結するようにするために、通常、必要最小限のエッチング量を超えた量のオーバーエッチングを行う。
そして、図６（Ｃ）に示すように、ビア溝１１３及び配線溝１１５の内部に配線材料の拡散防止のためのバリア層１１６及びシード層１１７を形成した後に、配線材料を充填し、化学機械研磨法（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などにより平坦化することにより、ビア１１８及び上層配線１１９が形成される。
これにより、例えば、厚さ１μｍのビア１１８と厚さ１μｍの上層配線１１９とが形成される。
特許第３４０３０５８号公報

近年、CMOS、バイポーラ、パワー素子を複合した複合ICにおいてパワー素子の大電流化やボンディング時における下地材料への衝撃吸収、また熱伝導性を利用して放熱を効果的に行うために、上層配線１１９を厚く形成することのニーズがある。
しかし、従来の方法では、上層配線１１９を厚く形成するために、絶縁膜１１２を厚く形成した場合には、絶縁膜１１２の膜厚バラツキの増大や配線溝１１５を形成するためのエッチング量が多くなり、エッチングされる膜厚のばらつきが増大する。
そのため、ビア溝１１３と下層配線１１１とが確実に連結するようにするために、オーバーエッチング量を大きく設定する必要があるが、過度のオーバーエッチングを行うと、ビア１１８が薄くなりすぎて、上層配線１１９と下層配線１１１との間の絶縁膜の膜厚が薄くなり、リーク電流増加によるショート不良が生じるという問題があった。

そこで、この発明は、所定の厚さを確保したビアを形成可能で、かつ、膜厚が厚い配線を良好に形成することができる半導体装置の配線形成方法及び配線を実現することを目的とする。

この発明は、上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体装置の配線形成方法において、基板面に下層配線が形成された基板を用意し、前記基板面上に、第１層間絶縁膜を形成する第１層間絶縁膜形成工程と、異方性エッチング法により、前記第１層間絶縁膜を前記下層配線に到達するまでエッチングして、前記下層配線と上層配線とを連結するビアを形成するためのビア溝を形成するビア溝形成工程と、前記第１層間絶縁膜及び前記ビア溝上に、第２層間絶縁膜を成膜する第２層間絶縁膜形成工程と、異方性エッチング法により、前記第２層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜をエッチングして、前記上層配線を形成するための配線溝を前記ビア溝と連結して形成する配線溝形成工程と、前記第２層間絶縁膜形成工程及び配線溝形成工程を所定回数実施した後に、前記ビア溝及び前記配線溝の内部に配線材料を充填し、前記ビア及び前記上層配線を形成する配線形成工程と、を備えた、という技術的手段を用いる。

請求項１に記載の発明によれば、第１層間絶縁膜形成工程により、基板面上に第１層間絶縁膜を形成し、ビア溝形成工程により、異方性エッチング法によって、第１層間絶縁膜を下層配線に到達するまでエッチングして、ビア溝を形成し、第２層間絶縁膜形成工程により、第１層間絶縁膜及びビア溝上に、第２層間絶縁膜を形成し、配線溝形成工程により、異方性エッチング法によって、第２層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜をエッチングして、配線溝をビア溝と連結して形成し、第２層間絶縁膜形成工程及び配線溝形成工程を所定回数実施した後に、配線形成工程により、ビア溝及び配線溝の内部に配線材料を充填し、ビア及び上層配線を形成することができる。
ビア溝形成工程では、第１層間絶縁膜の膜厚分のビア溝が確実に形成されるため、第２層間絶縁膜形成工程において第２層間絶縁膜を形成した後に、配線溝形成工程において、エッチング量を第２層間絶縁膜の厚さより大きくなるように制御することにより、ビア溝を確実に下層配線に到達させることができる。
従って、所定の厚さを確保したビアを形成することができるため、過度のオーバーエッチングにより上層配線と下層配線との間の第１層間絶縁膜の膜厚が薄くなり過ぎることがないので、リーク電流増加によるショート不良が生じるおそれがない。
つまり、所定の厚さを確保したビアを形成可能で、かつ、膜厚が厚い配線を良好に形成することができる半導体装置の配線形成方法を実現することができる。

請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置の配線形成方法において、前記第２層間絶縁膜形成工程は、前記第２層間絶縁膜を、前記第１層間絶縁層と同じ厚さ、または、前記第１層間絶縁層より薄い厚さに形成する、という技術的手段を用いる。

請求項２に記載の発明によれば、第２層間絶縁膜形成工程は、第１層間絶縁層と同じ厚さ、または、第１層間絶縁層より薄い厚さに形成するため、配線溝形成工程において、配線溝をビア溝と連結して形成するために必要なエッチング量を少なくすることができるので、エッチング量のばらつきを小さくすることができるとともに、ビア厚さの制御をより正確に行うことができる。

請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の配線形成方法において、前記配線溝形成工程は、エッチング量が前記第２層間絶縁膜の厚さより大きくなるように、前記第２層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜をエッチングする、という技術的手段を用いる。

請求項３に記載の発明によれば、配線溝形成工程は、エッチング量が第２層間絶縁膜の厚さより大きくなるように、第２層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜をエッチングするため、上層配線を形成するための配線溝を確実に下層配線に到達させることができる。

請求項４に記載の発明では、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の半導体装置の配線形成方法により形成される配線であって、前記ビアは、前記下層配線に向かって幅が狭くなるように形成されたスロープ部を有する前記ビア溝により形成された、という技術的手段を用いる。

請求項４に記載の発明によれば、ビアは、下層配線に向かって幅が狭くなるように形成されたスロープ部を有するビア溝により形成されているので、配線形成工程においてビア溝の内部に配線材料を充填するときに、配線材料を充填しやすく、欠陥のないビアを形成することができる。また、配線材料を充填する前に、ビア溝の内面にバリア層やシード層を形成する場合には、ビア溝の底部までバリア層やシード層を良好な状態で形成することができるので、配線材料をビア溝の内部に確実に充填することができ、ビア溝の形状を正確に転写したビアを得ることができる。

この発明に係る半導体装置の配線形成方法について、図を参照して説明する。
図１ないし図３は、配線形成方法を示す断面説明図である。図１（Ａ）は、第１層間絶縁膜形成工程、図１（Ｂ）は、ビア溝形成工程を示す断面説明図である。図２（Ａ）は、第２層間絶縁膜形成工程、図２（Ｂ）及び（Ｃ）は、配線溝形成工程を示す断面説明図である。図３は、配線形成工程を示す断面説明図である。図４は、本実施形態の配線形成方法による配線の変更例である。
なお、いずれの図においても、説明のために一部を拡大して誇張して示している。また、以下の説明において、ある層が他の層の上に存在すると記述される場合には、ある層が他の層の真上に存在する場合と、ある層と他の層との間に第３の層が介在される場合とを示す。

（第１層間絶縁膜形成工程）
まず、図１（Ａ）に示すように、基板面１０ａ上に所定の下層配線１１が形成された基板１０を用意する。基板１０としては、各種素子が形成されたシリコン基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを用いることができる。本実施形態では、下層配線１１は、Ｃｕにより形成されているが、Ａｌ、Ｍｏなど他の金属で形成してもよい。また、拡散防止のために、図示しないバリア層により覆ってもよい。

次に、基板１０の基板面１０ａ上に、第１層間絶縁膜１２を形成する。第１層間絶縁膜１２は、内部に後述するビア溝１３及び配線溝１５を形成するために必要な厚さｔ１を有している。また、クロストークを低減するために低誘電率なＬｏｗ−ｋ膜であることが好ましい。本実施形態では、第１層間絶縁膜１２は、ＣＶＤ法により形成された厚さｔ１が３．５μｍのＳｉＯ_２膜である。その他、ＳｉＯ_２膜に多量の炭素を含有させたＳｉＯＣ、フッ素ドープケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、リン含有ケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）、ホウ素リン含有ケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）など、低誘電率を有する材料で形成することができる。

（ビア溝形成工程）
続いて、第１層間絶縁膜１２の表面に公知のフォトリソグラフィ技術によりフォトレジスト塗布後、下層配線１１と上層配線１９を連結するビア溝１３を形成する領域に相当するパターンで第１層間絶縁膜１２の表面を一部露出させた所定形状のレジストパターンを形成する。
続いて、図１（Ｂ）に示すように、レジストパターンをマスクとして、第１層間絶縁膜１２を深さ方向に異方性エッチングを行い、例えば、幅Ｗ１が１μｍのビア溝１３を形成する。異方性エッチングは、例えば、ドライエッチングにて、ガス組成、圧力、出力などの条件を適宜調整することにより行う。エッチングは、下層配線１１に到達するまで、つまり、第１層間絶縁膜１２の厚さ分だけ行う。この場合、下層配線１１をエッチングストッパ層として作用させてもよい。これにより、底部がフラットで、エッチング量にばらつきのない第１層間絶縁膜１２の膜厚ｔ１のビア溝１３が形成される。
ビア溝１３を形成後に、公知の方法によりレジストパターンを除去する。
本実施形態では、層間絶縁膜をビア溝形成工程と後述する配線溝形成工程との２回に分けて形成するため、一度に厚い層間絶縁膜を形成する場合に比べて、ビア溝１３のアスペクト比を小さくすることができ、幅が狭いビア溝１３も容易に下層配線１１に到達するように形成することができる。

（第２層間絶縁膜形成工程）
続いて、図２（Ａ）に示すように、ビア溝１３を形成された第１層間絶縁膜１２上に第２層間絶縁膜１４を成膜する。第２層間絶縁膜１４は、第１層間絶縁膜１２と同じ厚さ、または、第１層間絶縁膜１２より薄い厚さに形成されており、例えば、ＳｉＯ_２膜により厚さｔ２が２．５μｍとなるように形成されている。ここで、第２層間絶縁膜１４は、第１層間絶縁膜形成工程で例示した材料などにより第１層間絶縁膜１２と異なる材料で形成してもよい。
第２層間絶縁膜１４は、ビア溝１３の底面にも形成され、ビア溝１３の底部から深さ方向に膜厚ｔ２分だけ堆積される。これにより、ビア溝１３は、下層配線１１から厚さｔ２分だけ上方に移動する。更に、第２層間絶縁膜１４は内側面にも形成され、ビア溝１３の内部に深さ方向に向かって内側に傾斜するスロープ部１３ａが形成される。

（配線溝形成工程）
続いて、ビア溝形成工程と同様の手順で、第２層間絶縁膜１４の表面にフォトレジスト塗布後、上層配線１９を形成するための配線溝１５を形成する領域に相当するパターンで第２層間絶縁膜１４の表面を一部露出させた所定形状のレジストパターンを形成する。配線溝１５のレジストパターンは、ビア溝１３の形成領域を含み、ビア溝１３より幅が広い溝状に形成される。
続いて、レジストパターンをマスクとして、第２層間絶縁膜１４を深さ方向に異方性エッチングを行い、例えば、幅Ｗ２が１．５μｍの配線溝１５を形成する。異方性エッチングは、例えば、ドライエッチングにて、ガス組成、圧力、出力などの条件を適宜調整することにより行う。
ここで、異方性エッチングのエッチング量ｔ３が、第２層間絶縁膜１４の厚さｔ２より大きくなるように、例えば、５μｍに制御する。

エッチングの過程を図２（Ｂ）及び（Ｃ）に示す。エッチング初期は、レジストパターンの形状に従って、配線溝１５が形成され、ビア溝１３は形状を保ったまま、深さ方向下方に移動する。図２（Ｂ）に示すように、エッチングが進んでビア溝１３の底部が下層配線１１に到達すると、下層配線１１はエッチストッパとして作用するため、エッチングの進行につれて配線溝１５の深さが増大し、配線溝１５の深さが増大した分だけ、ビア溝１３の深さが減少する。
そして、図２（Ｃ）に示すように、ビア溝１３は所定の厚さｔ４、ここでは、１μｍの厚さを残し、エッチングが終了する。
これにより、第１及び第２層間絶縁膜１２，１４に、幅１．５μｍ、厚さ５μｍの配線溝１５が形成され、配線溝１５の中央下部に連通して、第１層間絶縁膜１２に、上端部の幅が１μｍ、下端部の幅が０．５〜０．８μｍのスロープ部１５ａを有するビア溝１３が形成される。
従って、エッチング量を、第２層間絶縁膜１４の厚さｔ２より大きくなるように制御することにより、ビア溝１３の底部を確実に下層配線１１に到達させることができるとともに、所定の厚さｔ４のビア溝１３を形成することができる。
配線溝１５を形成後に、ビア溝１３形成工程と同様にレジストパターンを除去する。

（配線形成工程）
続いて、配線溝１５及びビア溝１３に、導電性の配線材料、例えば、Ｃｕを埋め込んで、配線を形成する。
まず、配線溝１５及びビア溝１３の内壁に、配線材料（Ｃｕ）の第１及び第２層間絶縁膜１２，１４への拡散を防止するためのバリア層１６を形成する。バリア層１６として、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法により形成されたＴａＮ、ＴｉＮなどが用いられる。
次に、バリア層１６の表面に、Ｃｕ埋込時に電極の役割をするシード層１７を形成する。シード層１７は、Ｃｕのスパッタ等により形成する。
続いて、電解めっきにより配線溝１５及びビア溝１３に配線材料であるＣｕを充填し、第２層間絶縁膜１４表面に残った余分なＣｕを化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により除去し、平坦化する。

ここで、ビア溝１３にはスロープ部１３ａが形成されているため、スロープ部１３ａが形成されていないビア溝１３に比べて、バリア層１６及びシード層１７を形成しやすい。これにより、シード層１７が良好に形成されているため、電気めっきによりビア溝１３内部に確実にＣｕが充填されるので、所定の形状のビア１８を得ることができる。
これにより、第１及び第２層間絶縁膜１２，１４に、幅１．５μｍ、厚さ５μｍの上層配線１９が形成され、上層配線１９の中央下部に連通して、第１層間絶縁膜１２に、上端部の幅が１μｍ、下端部の幅が０．５〜０．８μｍのスロープ部を有するビアが形成される。
上層配線１９を形成する配線材料として、Ｃｕ以外にも、例えば、Ａｌを用いて、リフローなどにより配線溝１５及びビア溝１３に埋め込んで配線を形成することもできる。
ここで、上述した構造を有するビア１８及び上層配線１９は、上述した工程により形成されたものと推定できる。

上層配線１９は、ＣＭＰ以外の方法、例えば、エッチバック等により平坦化して形成してもよい。

［最良の形態の効果］
（１）第１層間絶縁膜形成工程により、基板面１０ａ上に第１層間絶縁膜１２を形成し、ビア溝形成工程により、異方性エッチング法により、第１層間絶縁膜１２を下層配線１１に到達するまでエッチングして、ビア溝１３を形成し、第２層間絶縁膜形成工程により、第１層間絶縁膜１２及びビア溝１３上に、第２層間絶縁膜１４を形成し、配線溝形成工程により、異方性エッチング法により、第２層間絶縁膜１４及び第１層間絶縁膜１２をエッチングして、配線溝１５をビア溝１３と連結して形成し、第２層間絶縁膜形成工程及び配線溝形成工程を所定回数実施した後に、配線形成工程により、ビア溝１３及び配線溝１５の内部に配線材料を充填し、ビア１８及び上層配線１９を形成することができる。
ビア溝形成工程では、第１層間絶縁膜１２の膜厚分のビア溝１３が確実に形成されるため、第２層間絶縁膜形成工程において第２層間絶縁膜１４を形成した後に、配線溝形成工程において、エッチング量を第２層間絶縁膜１４の厚さより大きくなるように制御することにより、ビア溝１３を確実に下層配線１１に到達させることができる。
従って、所定の厚さを確保したビア１８を形成することができるため、過度のオーバーエッチングにより上層配線１９と下層配線１１との間の第１層間絶縁膜１２の膜厚が薄くなり過ぎることがないので、リーク電流増加によるショート不良が生じるおそれがない。
つまり、所定の厚さを確保したビア１８を形成可能で、かつ、膜厚が厚い上層配線１９を良好に形成することができる半導体装置の配線形成方法を実現することができる。

（２）第２層間絶縁膜形成工程は、第２層間絶縁膜１４を、第１層間絶縁膜１２と同じ厚さ、または、第１層間絶縁層１２より薄い厚さに形成するため、配線溝形成工程において、配線溝１５をビア溝１３と連結するために必要なエッチング量を少なくすることができるので、エッチング量のばらつきを小さくすることができるとともに、ビア１８の厚さの制御をより正確に行うことができる。

（３）配線溝形成工程は、エッチング量が第２層間絶縁膜の厚さより大きくなるように、第２層間絶縁膜１４及び第１層間絶縁膜１２をエッチングするため、ビア溝１３の底部を確実に下層配線１１に到達させることができる。

（４）ビア溝１３は、下層配線１１に向かって、幅が狭くなるように形成されたスロープ部１３ａを有するため、ビア溝１３の底部までバリア層１６やシード層１７を良好な状態で形成することができるので、配線材料をビア溝１３の内部に確実に充填することができ、ビア溝１３の形状を正確に転写したビア１８を得ることができる。

〈その他の実施形態〉
（１）ビア溝形成工程において、下層配線１１をエッチングストッパ層として作用させたが、あらかじめ下層配線１１の表面に、第１層間絶縁膜１２に対するエッチング選択比が大きい物質、例えば窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、または、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等によりエッチングストッパ層を形成しておいてもよい。この構成を用いた場合、配線形成工程前に、エッチングストッパ層をエッチングにより除去すればよい。

（２）第２層間絶縁膜形成工程及び配線溝形成工程を複数回実施した後に、配線形成工程を行うことにより、上層配線１９の厚さを増大させることができる。
例えば、図４に示すように、最下層の第２層間絶縁膜１４ａを形成し、配線溝１５を形成した後に、厚さ２μｍの第２層間絶縁膜１４ｂ〜１４ｅを１層ずつ積層し、１層積層する度に、第２層間絶縁膜形成工程と配線溝形成工程とを繰り返すことにより、配線溝１５を積層形成する。このとき、上方に向かうにつれて、配線幅を広くすることができる。そして、４層を追加で積層した後に、配線形成工程に移行し、Ｃｕを充填して、ビア１８と厚さ１３μｍの厚い上層配線１９とを形成することができる。

（３）また、上層配線１９を形成した後に、第１層間絶縁膜形成工程から配線形成工程に至る一連の工程を行い、上層配線１９の上に、ビア１８及び上層配線１９を形成することにより、配線の厚さを増大させることができる。
例えば、図５に示すように、上層配線１９ａ及びビア１８ａを形成した後に、第１層間絶縁膜形成工程から配線形成工程に至る一連の工程を１回追加して行うことにより、上層配線１９ａの上にビア１８ｂ及び上層配線１９ｂがこの順で積層された厚い配線を形成することができる。ここで、上層配線１９ａは、下層電極１１よりも幅が広いので、ビア１８ｂはビア１８ａより幅広に形成することができる。また、上層配線１９ｂも上層配線１９ａより幅広に形成することができる。

配線形成方法を示す断面説明図である。図１（Ａ）は、第１層間絶縁膜形成工程、図１（Ｂ）は、ビア溝形成工程を示す断面説明図である。 配線形成方法を示す断面説明図である。図２（Ａ）は、第２層間絶縁膜形成工程、図２（Ｂ）及び（Ｃ）は、配線溝形成工程を示す断面説明図である。 配線形成工程を示す断面説明図である。 本実施形態の配線形成方法による配線の変更例である。 本実施形態の配線形成方法による配線の変更例である。 従来の配線形成工程を示す断面説明図である。

符号の説明

１０ 半導体基板
１０ａ 基板面
１１ 下層配線
１２ 第１層間絶縁膜
１３ ビア溝
１３ａ スロープ部
１４ 第２層間絶縁膜
１５ 配線溝
１８ ビア
１９ 上層配線

Claims (4)

1. 基板面に下層配線が形成された基板を用意し、前記基板面上に、第１層間絶縁膜を形成する第１層間絶縁膜形成工程と、
   異方性エッチング法により、前記第１層間絶縁膜を前記下層配線に到達するまでエッチングして、前記下層配線と上層配線とを連結するビアを形成するためのビア溝を形成するビア溝形成工程と、
   前記第１層間絶縁膜及び前記ビア溝上に、第２層間絶縁膜を形成する第２層間絶縁膜形成工程と、
   異方性エッチング法により、前記第２層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜をエッチングして、前記上層配線を形成するための配線溝を前記ビア溝と連結して形成する配線溝形成工程と、
   前記第２層間絶縁膜形成工程及び配線溝形成工程を所定回数実施した後に、前記ビア溝及び前記配線溝の内部に配線材料を充填し、前記ビア及び前記上層配線を形成する配線形成工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
2. 前記第２層間絶縁膜形成工程は、前記第２層間絶縁膜を、前記第１層間絶縁層と同じ厚さ、または、前記第１層間絶縁層より薄い厚さに形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の配線形成方法。
3. 前記配線溝形成工程は、エッチング量が前記第２層間絶縁膜の厚さより大きくなるように、前記第２層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜をエッチングすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の配線形成方法。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の半導体装置の配線形成方法により形成される配線であって、
   前記ビアは、前記下層配線に向かって幅が狭くなるように形成されたスロープ部を有する前記ビア溝により形成されたことを特徴とする半導体装置の配線。

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