JP5085566B2 - イメージセンサおよびディスプレイ - Google Patents

イメージセンサおよびディスプレイ Download PDF

Info

Publication number
JP5085566B2
JP5085566B2 JP2008556981A JP2008556981A JP5085566B2 JP 5085566 B2 JP5085566 B2 JP 5085566B2 JP 2008556981 A JP2008556981 A JP 2008556981A JP 2008556981 A JP2008556981 A JP 2008556981A JP 5085566 B2 JP5085566 B2 JP 5085566B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
image sensor
photodiode
transistor
sensor according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008556981A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009540628A (ja
Inventor
ジェームズ ブラウン クリストファー
ジェームズ ハドウェン ベン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of JP2009540628A publication Critical patent/JP2009540628A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5085566B2 publication Critical patent/JP5085566B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
    • H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
    • H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
    • H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
    • H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Description

本発明は、イメージセンサ、およびそのイメージセンサを含むディスプレイに関する。
アクティブマトリクス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤｓ）用薄膜トランジスタ基板の製造において採用されているプロセスに適合する薄膜ポリシリコンプロセスにおいてイメージセンサを製造したいという要望がある。このような、製造プロセスを採用することで、イメージセンサは、例えば、タッチ入力やペン入力を検出するための入力機能を提供するために、ＡＭＬＣＤに一体に統合される。このような構成において、各画素は、イメージセンシング素子と表示素子との両方を含み、イメージセンシング素子が持つイメージセンシングの空間分解能（空間解像度）と、表示素子が持つ表示の空間解像度とは、同等である。しかしながら、このようなディスプレイは、イメージセンシング機能が画素内にあることで、イメージセンシング機能を持たないディスプレイに比べて開口比が低下する。
半導体イメージセンサには、いくつかの種類があり、例えば、電荷結合デバイス（ＣＣＤ）の技術に基づくものや、相補型金属酸化膜シリコン（ＣＭＯＳ）の技術に基づくものが挙げられる。ＣＣＤは、歴史的に、光発生電荷の転送効率を最大化するための特殊なプロセス技術のため、ＣＭＯＳイメージセンサより高い品質性能を提供してきた。しかしながら、ＣＭＯＳイメージセンサには、撮像アレイと、信号処理するための電子回路との両方を、同じチップ上に集積できるという利点がある一方、ＣＣＤプロセスは、その特殊な性質のため、このような集積が不可能である。ＣＭＯＳイメージセンサは、このため、種々の適用について、例えば家庭用電化製品において、コストが低いという利点を有している。
主に、２種類のＣＭＯＳイメージセンサが知られている。すなわち、受動画素センサ（ＰＰＳ；Passive Pixel Sensor）と、能動画素センサ（ＡＰＳ；Active Pixel Sensor）とである。受動画素センサは、フォトダイオードまたはこれに類する感光性デバイスと、イメージセンサの各画素内にある“選択”トランジスタとを含む。イメージセンサのアレイは、行単位でアドレスされ、各フォトダイオードが生成した電流は、１行の期間の間、積分器によって積分される。積分器は、典型的には各列の下端に位置する。各画素が２つの能動デバイスしか含まないため、受動画素構成は、高分解能アレイを実現できる。しかしながら、このようなアレイのサイズは、各行を順番に積分していくのに必要な時間と、積分する間の列電流の変動に付随する比較的大きな度合のノイズを含む出力信号とによって制限される。
ＡＰＳデバイスは、各画素に増幅器を含むので、ＰＰＳ構成の制限を受けない。添付図面の図１は、フォトゲートベースの画素回路をもつＡＰＳの例を示すものであり、例えば、米国特許第５，４７１，５１５号に開示されている。動作中、積分期間の間、電子は、フォトゲート電極の真下にある基板上に入射する光子束に比例して、フォトゲート３０の真下にある電位ウェルに蓄積する。各積分期間の終わりには、フローティング拡散領域４０の電位は、リセット信号パルスＲＳＴを印加することで初期レベルにリセットされる。フォトゲート上に蓄積された電荷は、その後、パルスＴＸによって制御される転送ステップの間に、フローティング拡散領域４０に転送される。したがって、フローティング拡散領域４０の電位は、積分期間の間に蓄積される電荷を示す。
１行の画素がサンプリングされたときに、行選択トランジスタ６０は、行走査パルス（ＲＯＷ）によってオン状態にされる。トランジスタ５５は、画素アレイの列の端に配置されたバイアストランジスタ６５と協働するソースフォロワとして接続されている。トランジスタ５５のゲートは、フローティング拡散ノードに接続されている。このため、ソースフォロワの出力は、トランジスタ５５のゲートにおける電圧を示し、それゆえ、積分期間の間、画素内に蓄積された電荷を示す。
イメージセンサチップは、また、図１の符号７０に示すように、サンプリングされた画素信号を読み出す回路構成も含む。センサ素子を含む行が選択されたとき、入射光強度を示すソースフォロワ出力電圧が、トランジスタ２００を介してキャパシタ２０５に蓄えられる。トランジスタ２１０、２１５、および２２０は、センサ素子を含む列のための別のソースフォロワを形成する。列選択信号ＣＯＬがパルス化されると、列ソース・フォロワの出力は、出力ＯＵＴを介してチップ増幅器に供給される。イメージセンサ出力電圧が、アレイの各画素に入射する光の強度を時系列的に示せるように、列ソース・フォロワは、順番に作動する。
図１に示す構成は、また、オフセット誤差を低減させるために設けられるチップ増幅器のための基準電圧を生成するのに用いられるデバイス１１６、２２５、２３０、２３５、２４０、および２４５も含む。このような構成の動作は公知なので、これ以上説明しない。
添付図面の図２は、例えば、“128x128 CMOS photodiode-type active pixel sensor with on-chip timing, control, and signal chain electronics”（E Fossumら、Charge-Coupled Devices and Solid-State Optical Sensors V、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ ２４１５、１１７〜２２３ページ、１９９５年）に開示されているような、“バルク”型または縦型のフォトダイオード１を含むＡＰＳ型のセンサ素子を示している。センサ素子は、供給線ＶＤＤとフォトダイオード１のカソード３との間に接続されたリセットトランジスタ２を含む。トランジスタ２のゲートは、リセット信号を受信し、フォトダイオード１に対して、その静電容量を予め定められた電圧まで充電するよう、逆バイアスをかける。リセット段階の次に、フォトダイオード電流が、フォトダイオード１に入射する光子束に比例した割合で、その静電容量を放電し、積分を行う検知段階が続く。トランジスタ４は、ソースフォロワとして接続されており、そのソース−ドレイン経路または“主導電（main conduction）”路が、供給線ＶＤＤとセンサ素子アレイの列バスＣＯＬ ＢＵＳ６との間に、選択トランジスタ５のソース−ドレイン経路または“主導電”路と直列に接続されている。１列の画素が選択されると、列選択トランジスタ５は、パルスＲＳによってオン状態にされる。列バスは、列の画素からの出力電圧をセンサで読み出すことを可能にする列読み取り構成に接続されている。上記列読み取り構成は、例えば、図１におけるトランジスタ６５および回路７０によって示されるタイプのものである。
米国特許出願公開第２００６／００３３７２９Ａ１号には、添付図面の図３に示すように、ＡＭＬＣＤ内に統合されたイメージセンサを含むデバイスが開示されている。各画素は、表示部と、添付図面の図２に示すものと類似のタイプのイメージセンシング部とを含む。このデバイスにおいては、各フォトダイオードは、ＡＭＬＣＤ薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造に用いられるものと同様のプロセス技術を用いて製造された薄膜フォトダイオードを含む。この場合、薄膜フォトダイオードの自己静電容量に対する光電流の比が、バルクＣＭＯＳデバイスと比較して大きいことから、別個の積分キャパシタが必要になる。このため、積分キャパシタが無ければ、画素放電率が高くなり過ぎて実用化できない。
このようなデバイスは、シャドウモードまたは反射モードで動作する。シャドウモードでは、ＡＭＬＣＤの上にある物体は、周辺光の光路をさえぎって、ディスプレイ表面に影を投じる。そして、当該影が、イメージセンサアレイによって検出される。このモードは、例えば、タッチ入力、ペン入力、またはジェスチャー入力に用いられる。反射モードでは、添付図面の図４に示すように、ディスプレイのバックライト２３からの光が、対向基板２４、液晶層２５、およびＴＦＴ基板２１を通過して、デバイスの前にある物体２２上に入射する。物体２２からの反射光は、イメージセンサアレイに戻り、対応する信号に変換される。反射モードの適用例としては、接触式イメージスキャンや、指紋認証、指紋による身元確認などが挙げられる。
本発明の第１の面によれば、少なくとも１つのセンサ素子を含むイメージセンサであって、上記センサ素子（センサ素子が１つの場合）または各センサ素子（センサ素子が複数の場合）が、半導体増幅素子と、積分キャパシタと、フォトダイオードとを含み、該フォトダイオードが、上記半導体増幅素子の第１の制御電極および上記積分キャパシタの第１の端子に接続された第１の電極と、第１の制御入力に接続された第２の電極とを有し、上記第１の制御入力が、検知段階の間、上記フォトダイオードに逆バイアスをかけるための第１の電圧を受けるように、かつ、リセット段階の間、上記積分キャパシタを予め定められた電圧まで充電するように上記フォトダイオードに順バイアスをかけるための第２の電圧を受けるように構成されているイメージセンサが提供される。
上記リセット段階および上記検知段階は、周期的に繰り返されてもよい。
上記フォトダイオードは、横型フォトダイオードであってもよい。
上記フォトダイオードは、薄膜ダイオードであってもよい。
上記半導体増幅素子は、電圧フォロワ構成を含んでいてもよい。
上記半導体増幅素子は、第１のトランジスタを含んでいてもよい。上記第１のトランジスタは、薄膜トランジスタであってもよい。上記第１のトランジスタは、電界効果トランジスタであってもよい。上記第１のトランジスタがソースフォロワとして接続され、上記第１の制御電極がトランジスタゲートを含んでいてもよい。
上記イメージセンサは、上記半導体増幅素子の主導電路と直列に接続された主導電路と、読み出し段階の間、上記センサ素子の選択を制御するための第２の制御入力に接続された第２の制御電極と有する半導体選択素子を含んでいてもよい。上記半導体選択素子は、第２のトランジスタを含んでいてもよい。上記第２のトランジスタは、薄膜トランジスタであってもよい。
上記積分キャパシタは、検知段階の間、上記半導体増幅素子を非作動にすると共に上記積分キャパシタによる上記フォトダイオードからの光電流の積分を可能とするための第３の電圧を受けるように、かつ、読み取り段階の間、上記半導体増幅素子を作動させるための第４の電圧を受けるように構成された第２の制御入力に接続された第２の端子を有していてもよい。
上記少なくとも１つのセンサ素子は、複数の行および複数の列を含む第１のアレイとして構成された複数のセンサ素子を含んでいてもよい。上記イメージセンサは、複数の第１の行制御入力を含み、それら第１の行制御入力の各々は、それぞれの行の上記センサ素子の上記第１の制御入力に接続されていてもよい。上記イメージセンサは、複数の第２の行制御入力を含み、それら第２の行制御入力の各々は、それぞれの行の上記センサ素子の上記第２の制御入力に接続されていてもよい。上記イメージセンサは、複数の列出力を含み、それら列出力の各々は、それぞれの列の上記センサ素子の出力に接続されていてもよい。各列出力は、それぞれのバイアス用素子に接続されていてもよい。各バイアス用素子は、第３のトランジスタを含んでいてもよい。上記第３のトランジスタの各々は、薄膜トランジスタであってもよい。
上記イメージセンサは、上記センサ素子をアドレスするためのアクティブマトリクスアドレッシング構成を含んでいてもよい。
本発明の第４の面によれば、本発明の第１の面に係るイメージセンサと、少なくとも１つの表示画素とを含むディスプレイが提供される。
上記少なくとも１つの表示画素は、複数の行および複数の列を含む第２のアレイとして構成された複数の表示画素を含んでいてもよい。上記センサ素子の各々は、上記少なくとも１つの表示画素の一部を形成していてもよい。上記ディスプレイは、複数の画素列データ線を含み、該画素列データ線の少なくとも２つが上記列出力をそれぞれの列のセンサ素子の上記センサ素子出力に接続してもよい。
上記表示画素は、液晶画素であってもよい。
上記アクティブマトリクスアドレッシング構成は、対応する行の上記表示画素の線ブランキング期間の間、各行の上記センサ素子をアドレスするように構成されていてもよい。
したがって、公知の構成と比較して各センサ素子の占有面積が縮小されたイメージセンサを提供することができる。このイメージセンサは、例えば、「記録密度(packing density)」の向上したセンサ素子を提供し、空間分解能の向上したイメージセンサを提供するのに用いることができる。イメージセンサおよびディスプレイを複合化した構成の場合、上記センサ素子の面積が縮小され、その結果として、所定の空間分解能を得るために、画素領域のより多くの部分を表示目的に利用でき、例えば、見た目が改善したより明るいディスプレイを提供できる。例えば、このような構成は、薄膜半導体プロセスやシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）半導体プロセス技術を用いて製造されるデバイスに用いることができる。ディスプレイと複合化されたセンサの場合、例えば統合されたイメージセンシング機能を持つＡＭＬＣＤの、開口比を、実質的に向上させることができる。
全図を通して、同じ参照番号は、同じ部材を参照する。
イメージセンサは、複数行および複数列のセンサ素子からなるアレイを含んでおり、これらセンサ素子の各々は、図５中に１０で示す構成となっている。センサ素子１０は、例えば薄膜トランジスタ技術やシリコン・オン・インシュレータ技術を用いて、アドレッシング回路および出力回路と共に共通基板上に集積されている。上記イメージセンサは、アクティブマトリクスデバイスを含んでおり、該アクティブマトリクスデバイスは、後述するような液晶タイプのアクティブマトリクスディスプレイと複合化することができる。
センサ素子１０は、横型の薄膜フォトダイオードＤ１の形をとっている光検出器を含んでいる。フォトダイオードＤ１のアノードは、同じ行内の全てのセンサ素子１０に共用されるリセット線ＲＳＴに接続されている。フォトダイオードＤ１のカソードは、積分ノード１１に接続されており、積分ノード１１は、積分キャパシタＣ１の第１の電極または極板に接続されており、積分キャパシタＣ１の他の電極または極板は、供給線ＶＤＤに接続されている。
センサ素子１０は、薄膜絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ１の形をとっている半導体増幅素子を含んでおり、トランジスタＭ１は、ソースフォロワとして構成され、トランジスタＭ１のゲートは、フォトダイオードＤ１のカソードおよび積分キャパシタＣ１の第１の電極に接続され、トランジスタＭ１のドレインは、供給線ＶＤＤに接続され、トランジスタＭ１のソースは、出力信号を供給する。トランジスタＭ１のソース−ドレイン経路は、供給線ＶＤＤと列出力線６との間に、他の絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ２のソース−ドレイン経路と直列に接続されている。トランジスタＭ２のゲートは、行選択線ＲＳに接続されており、行選択線ＲＳは、同じ行内のセンサ素子１０に共用されている。トランジスタＭ２のソースは、センサ素子１０の出力を形成し、同じ列内のセンサ素子１０の出力は、同じ列出力線６に接続されている。
列出力線６の端は、絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ３のドレインに接続されており、トランジスタＭ３のソースは、他の供給線ＶＳＳに接続されており、トランジスタＭ３のゲートは、基準電圧線ＶＢを介して基準電圧発生器に接続されている。トランジスタＭ３は、読み出し用に現在選択されている列の各センサ素子１０のトランジスタＭ１のための能動ソース負荷を形成する、バイアス用素子として機能する。トランジスタＭ３のドレインは、列出力を含み、任意の適切なタイプの出力読み取り回路、例えば図１を参照して前述したようなタイプの出力読み取り回路に接続されている。
センサ素子１０の各々は、種々の段階を有する、繰り返し動作サイクルを実行する。積分期間を含む検知段階の最初に、フォトダイオードＤ１に順バイアスがかけられるように、パルスがリセット線ＲＳＴに供給される。したがって、フォトダイオードＤ１が導通し、その結果として、積分キャパシタＣ１の両端間の電圧が予め定められた初期値に設定される。例えば、リセット線ＲＳＴの電圧は、通常はＶＳＳであり、ＶＳＳは、供給線ＶＳＳの電圧であり、典型的には０ボルトである。積分キャパシタＣ１の両端間の初期電圧が、供給線電圧ＶＤＤから、フォトダイオードＤ１における順方向電圧降下を引いたものに等しくなるように、上記パルスは、ＶＤＤと等しい振幅を有している。リセットに続いて、フォトダイオードＤ１に逆バイアスがかけられるように、リセット線ＲＳＴの電圧が値ＶＳＳに戻される。
上記積分期間の間、フォトダイオード電流は、上記フォトダイオードＤ１上に入射する光子束に比例した割合で積分キャパシタＣ１を放電させる。上記積分期間の終わりに、積分キャパシタＣ１の両端間の電圧は、フォトダイオード電流と上記積分期間の時間長との積を（フォトダイオードＤ１の静電容量およびトランジスタＭ１のゲート容量と並列である）積分キャパシタＣ１の静電容量で割ったものに等しい量だけ低下する。
上記積分期間の終わりに、行選択パルスが、行選択線ＲＳに供給される。したがって、トランジスタＭ２をオン状態とするために、トランジスタＭ２のゲートに供給された電圧は、トランジスタ閾電圧未満の電圧からトランジスタ閾電圧を超える電圧まで上昇する。したがって、トランジスタＭ１のソースは、制御線６を介してバイアストランジスタＭ３のドレインに接続されてソースフォロワを形成し、このソースフォロワは、電圧フォロワ構成として機能する。上記ソースフォロワの出力電圧は、上記積分期間中に積分されたフォトダイオード電流の大きさを与え、したがって、フォトダイオードＤ１上に入射した光の強度の大きさを与える。
センサ素子１０は、公知の構成よりも占有面積が小さい一方、素子全体が薄膜技術やシリコン・オン・インシュレータ技術を用いて形成可能である。例えば、図３に示す公知の構成が３つのトランジスタを必要とするのに対して、図５のセンサ素子１０は２つのトランジスタしか必要としない。これは、単位面積のセンサ素子数がより多く低コストであるイメージセンサを製造可能にし、イメージセンシングの空間分解能の向上を実現できる。あるいは、イメージセンサがディスプレイの一部を形成する場合、例えば図３に示す構成と比較して、センサ素子の占有面積が縮小され、その結果としてディスプレイの開口比が向上する。したがって、公知の構成と比較して、改善された輝度および品質を有するディスプレイを達成できる。
図６に示すセンサ素子１０は、カソードがリセット線ＲＳＴに接続される一方、アノードが積分ノード１１に接続されるように、フォトダイオードＤ１の極性が反転されている点で、図５に示すセンサ素子１０と異なる。また、リセット線ＲＳＴは、通常は供給線ＶＤＤの電圧ＶＤＤを保持し、リセットパルスは、この電圧を供給線ＶＳＳの電圧ＶＳＳまで低下させる。センサ素子１０の動作は、図５に示すセンサ素子１０の動作と類似している。しかしながら、リセット段階の間、積分キャパシタＣ１の第１の極板によって形成される積分ノードの電位は、電圧ＶＳＳとフォトダイオードＤ１における順方向電圧降下とを足した電位に設定され、積分期間の間、積分ノード１１に存在する静電容量とフォトダイオードＤ１を流れる光電流とによって決まる割合で上昇する。
図７は、図５のセンサ素子１０の変形を示す。この変形は、図６のセンサ素子１０にも適用できる。具体的には、光シールド（遮光体）１１ａは、フォトダイオードＤ１の上に設けられ、センサ素子１０の積分ノード１１に接続されている。
そのような光シールド１１ａの使用は、例えばセンサ素子１０がＡＭＬＣＤなどのようなディスプレイの一部である場合に必要である。そのような場合、ディスプレイ基板は、透明であり、検知されるべき周辺光に加えて、バックライトにもさらされる。光シールド１１ａは、例えばＴＦＴプロセスの任意の適切な層内に作製することができ、実質的に入射した周辺光だけがフォトダイオード電流に寄与するようにフォトダイオードＤ１の感光性領域に入るバックライトからの光を遮断する構成となっている。
図８は、１つのトランジスタＭ１しか必要とせず、それゆえに占有する基板面積がさらに小さく、さらに高いイメージセンシング空間分解能および／またはディスプレイ開口比を実現可能とする、イメージセンサのセンサ素子を示す。ソースフォロワ・トランジスタＭ１およびバイアス用のトランジスタＭ３は、前述した通りである。フォトダイオードＤ１のカソードおよび積分キャパシタＣ１の第１の電極（端子）は、積分ノード１１に接続されると共にトランジスタＭ１のゲートに接続されている。フォトダイオードＤ１のアノードは、リセット線ＲＳＴに接続されている。積分キャパシタＣ１の第２の電極（端子）は、行選択線ＲＳに接続され、トランジスタＭ２は、省略されている。図９に示す上側の波形および下側の波形はそれぞれ、リセット線ＲＳＴ上の波形および行選択線ＲＳ上の波形をそれぞれ示す。
前述したように、センサ素子は、リセット段階、積分段階、および読み取り段階からなる繰り返しサイクルを実行する。上記サイクルは、同じ行内のセンサ素子１０について互いに同期され、異なる行についてのサイクルは、例えば既知のアクティブマトリクスアドレッシング技術に従って、時間的に交互交代とされるか、あるいは時間的にずらされる（オフセットされる）。
リセット段階の最初に、リセット線ＲＳＴ上の信号は、そのより高いレベルＶＤＤＲまで上昇する。したがって、フォトダイオードＤ１に順バイアスがかけられるようになって、フォトダイオードＤ１が導通し、その結果として積分ノード１１が（ＶＤＤＲ−ＶＤ）の電位まで充電される（ＶＤはフォトダイオードＤ１の順電圧）。電圧ＶＤＤＲは、トランジスタＭ１の閾電圧未満であり、それゆえ、リセット段階およびそれに続く積分段階の間、トランジスタＭ１はオフ状態のまま維持される。
リセット信号がその低い方の値に戻ると、積分段階が始まる。積分段階の間、フォトダイオード電流は、フォトダイオードＤ１上に入射する光子束に比例した割合で積分キャパシタＣ１を放電させる。積分段階の終わり（行が読み取り用に選択されているとき）において、積分ノード１１の電圧ＶＩＮＴは、次式で与えられる。
ＶＩＮＴ＝ＶＤＤＲ−ＶＤ−ＩＰＨＯＴＯ．ｔＩＮＴ／ＣＴ
（上記式中において、ＩＰＨＯＴＯはフォトダイオードＤ１を流れる電流であり、ｔＩＮＴは積分期間の時間長であり、ＣＴは積分ノード１１の全静電容量である。）
全静電容量ＣＴは、積分キャパシタＣ１の静電容量と、フォトダイオードＤ１の自己容量と、トランジスタＭ１のゲート容量との合計である。
読み取り段階の最初に、線ＲＳの上の行選択信号がその高い方の値まで上昇する。電荷注入が積分キャパシタＣ１に起こり、その結果として積分ノード１１の電位が次式で表される電位まで上昇する。
ＶＩＮＴ＝ＶＤＤＲ−ＶＤ−ＩＰＨＯＴＯ．ｔＩＮＴ／ＣＴ
＋（ＶＲＳ．Ｈ−ＶＲＳ．Ｌ）．ＣＩＮＴ／ＣＴ
（上記式中において、ＶＲＳ．ＨおよびＶＲＳ．Ｌは、それぞれ行選択信号の高い方の電位および行選択信号の低い方の電位であり、それぞれＶＤＤおよびＶＳＳと等しい電位とすることができる。）
したがって、積分ノード１１の電位は、ソースフォロワ・トランジスタＭ１の閾電圧を超える電圧まで上昇し、その結果として、トランジスタＭ１は、列の端にあるバイアストランジスタＭ３と共にソースフォロワ増幅器として動作する。列出力に供給された出力電圧は、積分段階中に積分されたフォトダイオード電流を表し、したがって、フォトダイオードＤ１上に入射する光の強度を表す。
読み取り段階の終わりに、線ＲＳ上の行選択信号はその低い方の値に戻る。積分キャパシタＣ１への電荷注入によって、積分ノード１１から電荷が取り除かれる。したがって、積分ノード１１の電位は、トランジスタＭ１の閾電圧未満まで低下し、トランジスタＭ１がオフ状態とされる。
前述したように、積分キャパシタＣ１の第２の端子は、行選択線ＲＳの形をとっている供給線（第２の制御入力）ＶＤＤに接続されている。検知段階または積分段階の間、行選択線ＲＳは、電圧（第３の電圧）ＶＤＤＲ／ＶＳＳを受ける。この電圧ＶＤＤＲ／ＶＳＳは、増幅素子ｍｌを非作動にし、光電流の積分を可能とする。積分期間の終わりの読み取り段階の間、図９の下側のグラフに示すように、行選択線ＲＳは、電圧（第４の電圧）ＶＤＤを受け、電圧ＶＤＤは、電荷注入によって、トランジスタＭ１のゲートの電圧を、トランジスタ閾電圧を超える電圧まで上昇させて、積分期間中にフォトダイオードＤ１上に入射した光によって少なくとも部分的に決定される電圧とし、それによってトランジスタＭ１を作動させる。
前述したように、図８のセンサ素子１０によって占有される基板面積は、行選択トランジスタＭ２の省略によって、前述した実施形態よりもさらに小さくなる。
前述したように、センサ素子１０のアレイ、および列の下端にある出力回路は、ディスプレイ内に組み込むことができ、そうすることによって入力機能を備えたディスプレイを、例えば「タッチスクリーン」の形で、提供できる。図１０は、例えば薄膜技術やシリコン・オン・インシュレータ技術によってそのようなデバイスの全ての構成要素を共通基板上に集積したときの、共通基板上のデバイスのレイアウトを示す。例えばガラス製である透明基板１２は、センサ素子を含む表示画素のアレイまたはマトリクスを行方向および列方向に伸びる適切な電極と共に含む画素マトリクス１３を保持している。上記ディスプレイは、任意の適切な画像源からタイミング信号および電力と共に画像データを受け取る。上記ディスプレイは、ディスプレイソースドライバ１４およびディスプレイゲートドライバ１５を含んでいる。そのようなドライバは、アクティブマトリクスデバイスの分野において公知であり、それゆえこれ以上説明しない。上記デバイスは、センサ行ドライバ１６およびセンサ読み出しドライバ１７も含んでいる。センサ行ドライバ１６およびセンサ読み出しドライバ１７は、センサデータを処理するための装置からタイミング信号および電力信号を受け取る。センサ読み出しドライバ１７は、前述したような従来型のものとすることができ、センサ行ドライバ１６は、ディスプレイゲートドライバ１５と同様のものとすることができる。
図１１は、図１０のディスプレイおよびイメージセンサが複合化された構成の例であって、イメージセンシング機能を含むアクティブマトリクス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤ）の形をとっている構成を示している。アレイを形成する複数の画素回路１８のうちの１つの回路図を詳細に示している。上記表示画素は、公知のタイプのものであり、薄膜絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ４を含んでおり、トランジスタＭ４のゲートは、行ゲート線ＧＬを介してディスプレイゲートドライバ１５に接続されており、トランジスタＭ４のソースは、列ソース線ＳＬを介してディスプレイソースドライバ１４に接続されている。トランジスタＭ４のドレインは、キャパシタＣ２の一つの電極に接続されていると共に液晶画素ＣＬＣの一つの電極に接続されている。キャパシタＣ２の他の電極は、共通線ＴＦＴＣＯＭを介してディスプレイゲートドライバ１５に接続されている。上記他の画素電極は、共通の対向電極電圧ＶＣＯＭを受けるように接続された、対向デバイス基板上の対向電極によって構成されている。
センサ素子１０は、図８に示すタイプのものであり、単一のトランジスタＭ１、薄膜横型フォトダイオードＤ１、および積分キャパシタＣ１を含んでいる。供給線ＶＤＤおよび列出力線６は、センサ読み出しドライバ１７に接続されている。行選択線ＲＳおよびリセット線ＲＳＴは、センサ行ドライバ１６に接続されている。
そのようなＡＭＬＣＤ中における画像表示画素の動作は、周知であるので、これ以上説明しない。センサ素子１０、センサ行ドライバ１６、およびセンサ読み出しドライバ１７を含むイメージセンサの動作は、前述した通りである。表示画素およびセンサ素子のアドレスは独立して行うことができるが、そのようなアドレスは、一般に、一行ごとを基準として同期される。そのようなアドレスのタイミングの例については後述する。
図１１のディスプレイでは、イメージセンシングの空間分解能（空間解像度）が画像表示の空間解像度と同じになるように、各画素回路１８内に各センサ素子１０が配置される。しかしながら、センシングの分解能（解像度）および表示の解像度は、同じである必要はなく、各々を任意の特定用途の要求に応じて選択できる。例えば、図１２は、複合フルカラー画素を形成する３つの色成分画素のセットの各々について１つのセンサ素子１０が設けられたディスプレイを示す。複合画素の各列のＲＧＢ成分画素について個別のソース線ＳＬｒ、ＳＬｇ、およびＳＬｂが設けられている。フォトダイオードＤ１および積分キャパシタＣ１は、色成分画素のうちの１つの画素内に、この場合には赤色画素内に配置されている一方、トランジスタＭ１は緑色色成分画素内に配置されている。これは、各色成分画素内におけるセンサ素子回路によって占有される面積を縮小し、その結果として最低画素開口比を増大させることができる。１つの色の色成分画素の下にフォトダイオードＤ１を配置することは、イメージセンサをその色の単色光に対して感応性にするであろう。これは、上記デバイスの全体にわたって異なるカラーフィルタ色の下に上記フォトダイオードを配置するか、あるいは、例えば図４に示すように上記デバイスを最上部のアクティブマトリクス基板と共に動作させることによって、回避できる。図４の構成において、周辺光は、上記フォトダイオード上に入射する前にディスプレイのカラーフィルタを通過しない。
図１３は、最低画素開口比をさらに増加させるために上記ソース線が上記イメージセンサの列出力線６としても使用される点で、図１２のディスプレイと異なるディスプレイを示す。線がソース線および列出力線として共用されるため、上記画像表示画素および上記センサ素子のアドレスまたは走査を適切なタイミングで行うことが必要である。そのようなタイミングの例を図１４の波形図に示す。各行の行アドレッシング時間全体の比較的小さな部分の間、各センサ素子行の読み取り段階を行うことだけが必要である。これは、表示機能の水平ブランキング期間と一致するように構成することができる。表示機能の水平ブランキング期間は、通常、その間は上記ソース線がディスプレイソースドライバ１４から切断される期間である。
図１４に示すように、各表示行期間は、水平同期パルスＨＳＹＮＣで始まり、その後、公知のアドレス方式で一行ずつ画像をリフレッシュするように、選択行の色成分画素の光学状態を制御するために、ソース線ＳＬｒ、ＳＬｇ、およびＳＬｂが適切な電圧で駆動される。
行の画像表示画素への信号転送に続いて、上記ソース線が上記ブランキング期間の最初にディスプレイソースドライバ１４から切断される。これは、液晶材料の劣化を防止するように対向電極の極性を反転させるために、公知のＡＭＬＣＤにおいて一般に使用される。ブランキング期間の間、センサ素子行選択信号は線ＲＳ上で上昇し、バイアス電圧ＶＢがトランジスタＭ３に印加され、現在選択された行のイメージ素子中のソースフォロワ構成を作動させるように、列出力線６がトランジスタＭ３に接続される。したがって、上記センサデータは、列線ＳＬｇを介してセンサ読み出しドライバ１７へ出力される。センサ読み出しドライバ１７は、センサ素子１０と上記デバイスのセンサ出力との間のインターフェイスとして機能する。
センサ素子の選択された行の読み取り段階の終わりに、行選択信号およびバイアス信号がそれらの低い方の電位に戻る。上記積分ノードを予め定められた電圧へリセットするように、選択された行の上記センサ素子のためのリセット線ＲＳＴにリセット信号が印加される。その後、上記リセット信号は、行アドレッシング期間ｔＲＯＷの終わりに除去され、その後、上記プロセスは、次の画素行について繰り返される。
図１３に示す構成は、一例を提供する。この例は、センサ素子の構成要素を複数の画素に跨るように広げて最低画素開口比を増加させ、かつ、共通ラインを共有してセンサ素子の占有面積を縮小し、その結果としてディスプレイの開口比を増加させる。しかしながら、センサ素子の構成要素は、任意の適切な形式で複数の表示画素に跨るように構成することができる。さらに、他の共通ラインを共有する構成も可能である。
公知のタイプのイメージセンサの一部を示す概略図である。 公知のタイプのイメージセンシング素子を示す回路図である。 イメージセンサを組み込んだ公知のディスプレイの一部を示す回路図である。 反射モードで動作しているときの、イメージセンサを組み込んだ公知のディスプレイの略断面図である。 本発明の一実施形態に係るイメージセンサの一部を示す回路図である。 図５に示す実施形態の考えられる変形例を示す回路図である。 図５に示すイメージセンサにおいて発生する波形を示すタイミング図である。 本発明の他の実施形態に係るイメージセンサの一部を示す回路図である。 図８に示すイメージセンサにおいて発生する波形を示すタイミング図である。 本発明の一実施形態に係る、イメージセンサを含む表示デバイスを示す概略図である。 図１０に示す実施形態の一例の詳細を示す図である。 図１０に示す実施形態の他の例の詳細を示す図である。 図１０に示す実施形態のさらに他の例の詳細を示す図である。 図１０に示す実施形態の動作を示すタイミング図である。

Claims (13)

  1. 少なくとも１つのセンサ素子を含むイメージセンサであって、
    上記センサ素子（センサ素子が１つの場合）または各センサ素子（センサ素子が複数の場合）が、半導体増幅素子と、積分キャパシタと、フォトダイオードとを含み、
    上記フォトダイオードが、上記半導体増幅素子の第１の制御電極および上記積分キャパシタの第１の端子に接続された第１の電極と、第１の制御入力に接続された第２の電極とを有し、上記第１の制御入力が、検知段階の間、上記フォトダイオードに逆バイアスをかけるための第１の電圧を受けるように、かつ、リセット段階の間、上記積分キャパシタを予め定められた電圧まで充電するように上記フォトダイオードに順バイアスをかけるための第２の電圧を受けるように構成されており、
    上記第１の制御入力に入力される第１の制御信号は、上記第１の電圧、および上記第２の電圧からなる２値信号であり、
    上記リセット段階および上記検知段階が、周期的に繰り返され、
    上記フォトダイオードは、横型フォトダイオードであり、
    上記第２の電圧は、上記第１の制御入力が上記リセット段階の前に受けていた電圧を、より高いレベルに上昇させたものであり、
    上記フォトダイオードが、薄膜ダイオードであり、
    上記積分キャパシタが、検知段階の間、上記半導体増幅素子を非作動にすると共に上記積分キャパシタによる上記フォトダイオードからの光電流の積分を可能とするための第３の電圧を受けるように、かつ、読み取り段階の間、上記半導体増幅素子を作動させるための第４の電圧を受けるように構成された第２の制御入力に接続された第２の端子を有しており、
    上記第２の制御入力に入力される第２の制御信号は、上記第３の電圧、および上記第４の電圧からなる２値信号であることを特徴とするイメージセンサ。
  2. 上記半導体増幅素子が、電圧フォロワ構成を含む請求項１に記載のイメージセンサ。
  3. 上記半導体増幅素子が、第１のトランジスタを含む請求項１または２に記載のイメージセンサ。
  4. 上記第１のトランジスタが、薄膜トランジスタである請求項３に記載のイメージセンサ。
  5. 上記第１のトランジスタが、電界効果トランジスタである請求項３または４に記載のイメージセンサ。
  6. 上記少なくとも１つのセンサ素子が、複数の行および複数の列を含む第１のアレイとして構成された複数のセンサ素子を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載のイメージセンサ。
  7. 複数の第１の行制御入力を含み、それら第１の行制御入力の各々が、それぞれの行の上記センサ素子の上記第１の制御入力に接続されている請求項６に記載のイメージセンサ。
  8. 複数の列出力を含み、それら列出力の各々は、それぞれの列の上記センサ素子の出力に接続されている請求項６または７に記載のイメージセンサ。
  9. 各列は、それぞれのバイアス用素子に接続されている請求項８に記載のイメージセンサ。
  10. 各バイアス用素子が、第３のトランジスタを含む請求項９に記載のイメージセンサ。
  11. 上記第３のトランジスタの各々が、薄膜トランジスタである請求項１０に記載のイメージセンサ。
  12. 上記センサ素子をアドレスするためのアクティブマトリクスアドレッシング構成を含む請求項７〜１１のいずれか１項に記載のイメージセンサ。
  13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載のイメージセンサと、少なくとも１つの表示画素とを含むディスプレイ。
JP2008556981A 2006-06-12 2007-06-11 イメージセンサおよびディスプレイ Expired - Fee Related JP5085566B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0611537.2 2006-06-12
GB0611537A GB2439118A (en) 2006-06-12 2006-06-12 Image sensor and display
PCT/JP2007/062184 WO2007145346A1 (en) 2006-06-12 2007-06-11 Image sensor and display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009540628A JP2009540628A (ja) 2009-11-19
JP5085566B2 true JP5085566B2 (ja) 2012-11-28

Family

ID=36745683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008556981A Expired - Fee Related JP5085566B2 (ja) 2006-06-12 2007-06-11 イメージセンサおよびディスプレイ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9123613B2 (ja)
EP (1) EP2027717B1 (ja)
JP (1) JP5085566B2 (ja)
KR (1) KR101014019B1 (ja)
CN (1) CN101467443B (ja)
GB (1) GB2439118A (ja)
WO (1) WO2007145346A1 (ja)

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053967B2 (en) 2002-05-23 2006-05-30 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
WO2003073159A1 (en) 2002-02-20 2003-09-04 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US7009663B2 (en) 2003-12-17 2006-03-07 Planar Systems, Inc. Integrated optical light sensitive active matrix liquid crystal display
US20080084374A1 (en) 2003-02-20 2008-04-10 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US7773139B2 (en) 2004-04-16 2010-08-10 Apple Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
JP2008017288A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Rohm Co Ltd 光電変換回路及びこれを用いた固体撮像装置
GB2448869A (en) * 2007-04-20 2008-11-05 Sharp Kk Stray light compensation in ambient light sensor
US8248081B2 (en) 2007-09-06 2012-08-21 Cypress Semiconductor Corporation Calibration of single-layer touch-sensor device
US8629927B2 (en) * 2008-04-09 2014-01-14 Gentex Corporation Imaging device
US8294079B2 (en) 2008-04-28 2012-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Diode, photodetector circuit including same, and display device
KR101286543B1 (ko) * 2008-05-21 2013-07-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
RU2457550C1 (ru) * 2008-06-03 2012-07-27 Шарп Кабусики Кайся Дисплейное устройство
EP2287657A4 (en) * 2008-06-03 2013-07-03 Sharp Kk DISPLAY DEVICE
US8427464B2 (en) 2008-07-16 2013-04-23 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
RU2449345C1 (ru) 2008-09-02 2012-04-27 Шарп Кабусики Кайся Дисплейное устройство
WO2010026809A1 (ja) 2008-09-02 2010-03-11 シャープ株式会社 表示装置
JPWO2010038513A1 (ja) * 2008-09-30 2012-03-01 シャープ株式会社 表示装置
WO2010058631A1 (ja) * 2008-11-21 2010-05-27 シャープ株式会社 ２次元センサアレイ、表示装置、電子機器
CN102341749B (zh) * 2009-03-02 2015-02-25 夏普株式会社 显示装置
KR101257607B1 (ko) * 2009-03-30 2013-04-29 샤프 가부시키가이샤 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법
US20120019496A1 (en) * 2009-03-30 2012-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Optical sensor circuit, display device and method for driving optical sensor circuit
JP2012160772A (ja) * 2009-06-04 2012-08-23 Sharp Corp 光センサおよび表示装置
JP5246795B2 (ja) * 2009-08-19 2013-07-24 株式会社ジャパンディスプレイウェスト センサ装置、センサ素子の駆動方法、入力機能付き表示装置および電子機器
US8624875B2 (en) * 2009-08-24 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving touch panel
EP2472854A4 (en) 2009-08-26 2013-12-04 Sharp Kk LIGHT DETECTOR AND DISPLAY DEVICE
KR101022118B1 (ko) * 2009-09-02 2011-03-17 삼성모바일디스플레이주식회사 광 감지회로 및 그 구동방법과 이를 구비한 터치 스크린 패널
KR101751902B1 (ko) * 2009-10-26 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 반도체 장치
GB2475054A (en) * 2009-11-03 2011-05-11 Sharp Kk Touch sensing circuits with a voltage dependent capacitor
KR20120116403A (ko) * 2009-11-06 2012-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 터치 패널의 구동 방법
JP2011123876A (ja) * 2009-11-12 2011-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
WO2011065558A1 (ja) 2009-11-30 2011-06-03 シャープ株式会社 表示装置
RU2507605C1 (ru) * 2009-11-30 2014-02-20 Шарп Кабусики Кайся Устройство отображения
CN102713999B (zh) * 2010-01-20 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 电子设备和电子系统
CN102792677B (zh) 2010-03-08 2015-08-05 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011111490A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101773992B1 (ko) 2010-03-12 2017-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2555088A1 (en) 2010-03-29 2013-02-06 Sharp Kabushiki Kaisha Display device having touch panel functionality
CN102906674B (zh) 2010-05-20 2015-10-21 夏普株式会社 带有触摸传感器的显示装置
CN102906807B (zh) 2010-05-20 2015-06-17 夏普株式会社 带有触摸传感器的显示装置
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5797471B2 (ja) * 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9286848B2 (en) * 2010-07-01 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device
US8653832B2 (en) * 2010-07-06 2014-02-18 Sharp Kabushiki Kaisha Array element circuit and active matrix device
WO2012014861A1 (ja) 2010-07-27 2012-02-02 シャープ株式会社 表示装置
JP5745369B2 (ja) * 2010-09-06 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
US9310923B2 (en) 2010-12-03 2016-04-12 Apple Inc. Input device for touch sensitive devices
JP5856826B2 (ja) * 2010-12-10 2016-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP5743066B2 (ja) * 2011-03-04 2015-07-01 株式会社Ｊｏｌｅｄ 光検出回路、光検出方法、表示パネルおよび表示装置
KR101804316B1 (ko) 2011-04-13 2017-12-05 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US8928635B2 (en) 2011-06-22 2015-01-06 Apple Inc. Active stylus
US9329703B2 (en) 2011-06-22 2016-05-03 Apple Inc. Intelligent stylus
US8638320B2 (en) 2011-06-22 2014-01-28 Apple Inc. Stylus orientation detection
JP2013069201A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Seiko Epson Corp 光センサーとその駆動方法、及び静脈センサー、指紋センサー
KR101874034B1 (ko) 2012-02-10 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 광 센서, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
US8432170B1 (en) * 2012-03-14 2013-04-30 Cypress Semiconductor Corporation Integrated capacitance model circuit
US9176604B2 (en) 2012-07-27 2015-11-03 Apple Inc. Stylus device
US9557845B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Apple Inc. Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation
US9652090B2 (en) 2012-07-27 2017-05-16 Apple Inc. Device for digital communication through capacitive coupling
GB2506631A (en) * 2012-10-04 2014-04-09 Sony Comp Entertainment Europe Combined image display and sensing device
CN102916085A (zh) * 2012-10-30 2013-02-06 上海奕瑞光电子科技有限公司 氧化物半导体薄膜探测器的制备方法及其应用
US10048775B2 (en) 2013-03-14 2018-08-14 Apple Inc. Stylus detection and demodulation
CN103354082B (zh) * 2013-06-26 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸驱动电路、液晶面板及其驱动方法
KR101376228B1 (ko) 2013-07-17 2014-04-01 실리콘 디스플레이 (주) 광학식 및 정전용량방식으로 지문인식이 가능한 지문인식센서
CN103411635B (zh) * 2013-07-26 2016-06-22 广东工业大学 一种绝对光栅尺编码宏微复合采集方法
US10067580B2 (en) 2013-07-31 2018-09-04 Apple Inc. Active stylus for use with touch controller architecture
JP2014116608A (ja) * 2013-12-23 2014-06-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び表示装置
JP6459271B2 (ja) 2014-07-23 2019-01-30 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 イメージセンサ及びその駆動方法
CN104318205A (zh) 2014-09-29 2015-01-28 上海箩箕技术有限公司 信息检测显示装置及其检测方法和显示方法
KR102323762B1 (ko) * 2014-11-10 2021-11-10 엘지디스플레이 주식회사 포토 센서를 갖는 어레이 기판 및 이를 이용한 표시 장치
US10061449B2 (en) 2014-12-04 2018-08-28 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch and stylus
CN104867431B (zh) * 2015-06-12 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、探测器
CN105487312B (zh) * 2015-12-31 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及其驱动方法
US10474277B2 (en) 2016-05-31 2019-11-12 Apple Inc. Position-based stylus communication
CN106940602B (zh) * 2017-03-14 2020-04-03 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板、感光触控电路及其控制方法
KR102355515B1 (ko) * 2017-05-24 2022-01-26 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
US10775500B2 (en) 2017-09-14 2020-09-15 Qualcomm Incorporated Ultrasonic transducer pixel readout circuitry and methods for ultrasonic phase imaging
JP6960831B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-05 エイブリック株式会社 センサ装置
CN108922940B (zh) * 2018-07-17 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 光学检测像素单元、电路、光学检测方法和显示装置
CN110097038A (zh) * 2019-05-28 2019-08-06 武汉华星光电技术有限公司 光学指纹识别电路及阵列
CN112149474A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110532987B (zh) * 2019-09-04 2022-04-22 武汉天马微电子有限公司 指纹识别电路、指纹识别方法和显示面板
CN110675837A (zh) * 2019-09-23 2020-01-10 Oppo广东移动通信有限公司 一种显示屏组件及电子设备
US11558567B2 (en) * 2020-03-17 2023-01-17 Sharp Kabushiki Kaisha Optical active pixel sensor using TFT pixel circuit
TWI765481B (zh) * 2020-06-30 2022-05-21 敦泰電子股份有限公司 指紋畫素單元、指紋顯示裝置及驅動其之積體電路及方法
US11475701B2 (en) 2020-06-30 2022-10-18 Focaltech Systems Co., Ltd. Fingerprint display device and integration integrated circuit and method for driving the same
CN112333404A (zh) * 2020-11-17 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 感光单元、感光装置、驱动方法及显示装置
KR20230046388A (ko) * 2021-09-29 2023-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2593319B1 (fr) * 1986-01-17 1988-03-25 Thomson Csf Procede de lecture d'element photosensible constitue d'une photodiode et d'une capacite
US4746804A (en) * 1986-09-16 1988-05-24 Ovonic Imaging Systems, Inc. Photosensitive pixel with exposed blocking element
JP2599726B2 (ja) * 1987-08-20 1997-04-16 キヤノン株式会社 受光装置
AU609508B2 (en) 1987-08-20 1991-05-02 Canon Kabushiki Kaisha Photosensor device
US5204661A (en) 1990-12-13 1993-04-20 Xerox Corporation Input/output pixel circuit and array of such circuits
US5376782A (en) * 1992-03-04 1994-12-27 Fuji Xerox Co., Ltd. Image pickup device providing decreased image lag
JPH05276442A (ja) 1992-03-30 1993-10-22 Hamamatsu Photonics Kk 残像積分固体撮像デバイス
US5471515A (en) 1994-01-28 1995-11-28 California Institute Of Technology Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer
JP3275579B2 (ja) * 1994-10-24 2002-04-15 日産自動車株式会社 イメージセンサ
US5705807A (en) 1994-10-24 1998-01-06 Nissan Motor Co., Ltd. Photo detecting apparatus for detecting reflected light from an object and excluding an external light componet from the reflected light
US5719626A (en) 1994-12-16 1998-02-17 Nikon Corporation Solid-state image pickup device
JP3697769B2 (ja) 1995-02-24 2005-09-21 株式会社ニコン 光電変換素子及び光電変換装置
JPH09247536A (ja) 1996-03-13 1997-09-19 Toshiba Corp Ｍｏｓ型固体撮像装置及びその駆動方法
JP3579194B2 (ja) 1996-09-17 2004-10-20 株式会社東芝 固体撮像装置の駆動方法
JP3383523B2 (ja) 1996-09-19 2003-03-04 株式会社東芝 固体撮像装置及びその駆動方法
US5952686A (en) * 1997-12-03 1999-09-14 Hewlett-Packard Company Salient integration mode active pixel sensor
JP4178571B2 (ja) 1997-12-09 2008-11-12 ソニー株式会社 画像処理装置および画像処理方法、並びにカメラ
JP3546985B2 (ja) * 1997-12-15 2004-07-28 シャープ株式会社 増幅型光電変換素子、増幅型固体撮像装置及びその駆動方法
US6384413B1 (en) 1998-10-13 2002-05-07 California Institute Of Technology Focal plane infrared readout circuit
US7242449B1 (en) 1999-07-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and integral image recognition/display apparatus
JP4651785B2 (ja) * 1999-07-23 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3774597B2 (ja) 1999-09-13 2006-05-17 キヤノン株式会社 撮像装置
GB0014961D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements
GB0108309D0 (en) 2001-04-03 2001-05-23 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix array devices with flexible substrates
JP2002314756A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Sharp Corp 表示装置
US7224389B2 (en) * 2001-07-16 2007-05-29 Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba Method to adjust the signal level of an active pixel and corresponding active pixel
EP1301028A1 (en) 2001-10-05 2003-04-09 STMicroelectronics Limited Improvements in or relating to CMOS Image sensors
US6794627B2 (en) 2001-10-24 2004-09-21 Foveon, Inc. Aggregation of active pixel sensor signals
JP4145587B2 (ja) * 2002-07-12 2008-09-03 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置
CN1331347C (zh) 2002-07-12 2007-08-08 东芝松下显示技术有限公司 显示装置
JP4364553B2 (ja) * 2002-08-30 2009-11-18 シャープ株式会社 光電変換装置及びその製造方法
CN100440291C (zh) * 2002-09-23 2008-12-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 带有光敏单元的矩阵显示器件
GB2398916A (en) * 2003-02-28 2004-09-01 Sharp Kk Display and sensor apparatus
JP2004319067A (ja) 2003-03-28 2004-11-11 Tdk Corp 光記録媒体
US20040191687A1 (en) 2003-03-28 2004-09-30 Tdk Corporation Optical recording medium
JP4257221B2 (ja) 2003-03-31 2009-04-22 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置および情報端末装置
JP2004318067A (ja) 2003-03-31 2004-11-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 画像表示装置およびその製造方法
JP4434618B2 (ja) 2003-04-25 2010-03-17 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置
GB0313460D0 (en) 2003-06-11 2003-07-16 Koninkl Philips Electronics Nv Colour electroluminescent display devices
JP4383833B2 (ja) * 2003-11-17 2009-12-16 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置
KR100983524B1 (ko) 2003-12-01 2010-09-24 삼성전자주식회사 광감지 패널과, 이를 갖는 광감지 장치 및 이의 구동 방법
US7612818B2 (en) 2004-03-29 2009-11-03 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Input sensor containing display device and method for driving the same
US7342256B2 (en) 2004-07-16 2008-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device mounted with read function and electric appliance
JP5364227B2 (ja) 2004-07-16 2013-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 読み取り機能付き表示装置及びそれを用いた電子機器
US7602380B2 (en) 2004-08-10 2009-10-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Display device with optical input function
KR101061849B1 (ko) * 2004-09-21 2011-09-02 삼성전자주식회사 정보 인식 장치 및 정보 인식 표시 장치
KR101097920B1 (ko) * 2004-12-10 2011-12-23 삼성전자주식회사 광 센서와, 이를 구비한 표시 패널 및 표시 장치
JP4834482B2 (ja) * 2006-07-24 2011-12-14 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置
CN101281916B (zh) * 2007-04-06 2010-05-26 群康科技(深圳)有限公司 光感测器和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2027717B1 (en) 2012-11-14
KR20090018159A (ko) 2009-02-19
US9123613B2 (en) 2015-09-01
JP2009540628A (ja) 2009-11-19
GB2439118A (en) 2007-12-19
CN101467443A (zh) 2009-06-24
WO2007145346A1 (en) 2007-12-21
CN101467443B (zh) 2012-01-18
EP2027717A1 (en) 2009-02-25
US20100238135A1 (en) 2010-09-23
GB0611537D0 (en) 2006-07-19
KR101014019B1 (ko) 2011-02-14
EP2027717A4 (en) 2009-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5085566B2 (ja) イメージセンサおよびディスプレイ
JP4604121B2 (ja) イメージセンサと組み合わされた表示デバイス
RU2457550C1 (ru) Дисплейное устройство
JP5068320B2 (ja) 表示装置
US8759739B2 (en) Optical sensor and display apparatus
US20110122111A1 (en) Display device
JP5132771B2 (ja) 表示装置
RU2510931C2 (ru) Устройство отображения
WO2010007890A1 (ja) 表示装置
WO2010001929A1 (ja) 表示装置
WO2010092709A1 (ja) 表示装置
WO2010001652A1 (ja) 表示装置
WO2010097984A1 (ja) 光センサおよびこれを備えた表示装置
JP5421355B2 (ja) 表示装置
WO2010100785A1 (ja) 表示装置
JP5661399B2 (ja) 光センサ、および光センサアレイ

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100922

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101102

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101224

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110425

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110510

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20110930

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120810

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120905

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5085566

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees