JP5084241B2 - 多結晶シリコン層、多結晶シリコン層の製造方法、及び平板表示装置 - Google Patents
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Description
図1A〜図1Fは、第1の実施の形態による多結晶シリコン層の製造方法を示す工程断面図である。
図2A〜図2Fは第2の実施の形態による多結晶シリコン層の製造方法を示す工程断面図である。
110 バッファ層
120 非晶質シリコン層
130 第1パターン層
140 第2パターン層
150 金属触媒層
170 シード領域
190 結晶化領域
Claims (27)
- 基板と、
前記基板上に位置し、シード領域及び前記シード領域から成長した結晶化領域と、
を備え、
前記シード領域は、幅が3.5μm以上であり、かつ、金属触媒の濃度が1×10 13 atoms/cm 2 以下となる領域であり、
(a)前記金属触媒を拡散させないための第1のパターン層を、非晶質シリコン層上に、前記非晶質シリコン層の所定領域を露出させるように形成し、
(b)前記金属触媒の拡散が可能な第2のパターン層を、少なくとも前記所定領域上に形成し、
(c)前記金属触媒を含む金属触媒層を、前記第2のパターン層上の領域のうち、少なくとも前記所定領域上に位置する領域に形成し、
(d)前記金属触媒中の前記金属触媒を、前記第2のパターン層を介して前記所定領域内に拡散させる熱処理を行い、
(e)前記第1のパターン層、前記第2のパターン層、及び前記金属触媒層を除去する
ことで前記所定領域内に形成され、
前記結晶化領域は、前記非晶質シリコン層の少なくとも一部が結晶化することで形成されることを特徴とする、多結晶シリコン層。 - 前記結晶化領域は、前記シード領域の結晶性が成長して結晶化した領域であることを特徴とする、請求項1記載の多結晶シリコン層。
- 前記シード領域は、少なくとも長さが幅より大きいライン形態であることを特徴とする、請求項1または2に記載の多結晶シリコン層。
- 前記シード領域は、少なくとも1つのシードを含んでいることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の多結晶シリコン層。
- 前記シードは、金属触媒を含んでいることを特徴とする、請求項4に記載の多結晶シリコン層。
- 前記シード領域の幅は、50μm以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の多結晶シリコン層。
- 前記シード領域の結晶粒界の主方向は、不規則であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の多結晶シリコン層。
- 前記結晶化領域の結晶粒界の主方向は、前記シード領域の長さ方向と垂直であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の多結晶シリコン層。
- 前記第1のパターン層は、シリコン酸化膜を含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の多結晶シリコン層。
- 前記シリコン酸化膜の厚さは、50〜5000Åであることを特徴とする、請求項9に記載の多結晶シリコン層。
- 前記第2のパターン層は、シリコン窒化膜を含んでいることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載の多結晶シリコン層。
- 基板と、
前記基板上に位置し、シード領域及び前記シード領域から成長した結晶化領域と、
を備え、
前記シード領域は、幅が3.5μm以上であり、かつ、金属触媒の濃度が1×10 13 atoms/cm 2 以下となる領域であり、
(a)前記金属触媒の拡散が可能な第2のパターン層を、非晶質シリコン層上に形成し、
(b)前記金属触媒を拡散させないための第1のパターン層を、前記第2のパターン層上の領域のうち、前記非晶質シリコン層の所定領域上に位置する領域を露出させるように形成し、
(c)前記金属触媒を含む金属触媒層を、少なくとも前記第2のパターン層が露出された領域に形成し、
(d)前記金属触媒中の前記金属触媒を、前記第2のパターン層を介して前記所定領域内に拡散させる熱処理を行い、
(e)前記第1のパターン層、前記第2のパターン層、及び前記金属触媒層を除去する
ことで前記所定領域内に形成され、
前記結晶化領域は、前記非晶質シリコン層の少なくとも一部が結晶化することで形成されることを特徴とする、多結晶シリコン層。 - 前記第1のパターン層は、シリコン酸化膜を含んでいることを特徴とする、請求項12に記載の多結晶シリコン層。
- 前記シリコン酸化膜の厚さは、50〜5000Åであることを特徴とする、請求項13に記載の多結晶シリコン層。
- 前記第2のパターン層は、シリコン窒化膜を含んでいることを特徴とする、請求項12〜14のいずれかに記載の多結晶シリコン層。
- 前記シリコン窒化膜は、50〜5000Åであることを特徴とする、請求項15に記載の多結晶シリコン層。
- (a)基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、
(b)金属触媒を拡散させないための第1のパターン層を、前記非晶質シリコン層上に、前記非晶質シリコン層の所定領域を露出させるように形成する段階と、
(c)前記金属触媒の拡散が可能な第2のパターン層を、少なくとも前記所定領域上に形成する段階と、
(d)前記金属触媒を含む金属触媒層を、前記第2のパターン層上の領域のうち、少なくとも前記所定領域上に位置する領域に形成する段階と、
(e)前記金属触媒中の前記金属触媒を、前記第2のパターン層を介して前記所定領域内に拡散させる熱処理を行うことで、幅が3.5μm以上であり、かつ、金属触媒の濃度が1×10 13 atoms/cm 2 以下となるシード領域を前記所定領域内に形成する段階と、
(f)前記シード領域内にシードを形成し、前記シードによって少なくともシード領域を結晶化し、前記シード領域の結晶性を成長させることで、前記所定領域以外の非晶質シリコン層を結晶化領域に結晶化する段階と、
を含むことを特徴とする、多結晶シリコン層の製造方法。 - 前記熱処理は、400〜800℃の温度範囲で、1〜3000分の工程時間で行うことを特徴とする、請求項17に記載の多結晶シリコン層の製造方法。
- 前記第1のパターン層はシリコン酸化膜を含んでおり、前記第2のパターン層はシリコン窒化膜を含んでいることを特徴とする、請求項17または18に記載の多結晶シリコン層の製造方法。
- 前記金属触媒層は、1011〜1015atoms/cm2の濃度で前記金属触媒が形成されていることを特徴とする、請求項17〜19のいずれかに記載の多結晶シリコン層の製造方法。
- (a)基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、
(b)前記非晶質シリコン層上に金属触媒の拡散が可能な第2のパターン層を形成する段階と、
(c)前記金属触媒を拡散させないための第1のパターン層を、前記第2のパターン層上の領域のうち、前記非晶質シリコン層の所定領域上に位置する領域を露出させるように形成する段階と、
(d)前記金属触媒を含む金属触媒層を、少なくとも前記第2のパターン層が露出された領域に形成する段階と、
(f)前記金属触媒中の前記金属触媒を、前記第2のパターン層を介して前記所定領域内に拡散させる熱処理を行うことで、幅が3.5μm以上であり、かつ、金属触媒の濃度が1×10 13 atoms/cm 2 以下となるシード領域を前記所定領域内に形成する段階と、
(f)前記シード領域内にシードを形成し、前記シードによって少なくともシード領域を結晶化し、前記シード領域の結晶性を成長させることで、前記所定領域以外の非晶質シリコン層を結晶化領域に結晶化する段階と、
を含むことを特徴とする、多結晶シリコン層の製造方法。 - 前記熱処理は、400〜800℃の温度範囲で、1〜3000分の工程時間で行うことを特徴とする、請求項21に記載の多結晶シリコン層の製造方法。
- 前記第1のパターン層はシリコン酸化膜を含んでおり、前記第2のパターン層はシリコン窒化膜を含んでいることを特徴とする、請求項21または22に記載の多結晶シリコン層の製造方法。
- 前記金属触媒層は、1011〜1015atoms/cm2の濃度で前記金属触媒が形成されていることを特徴とする、請求項21〜23のいずれかに記載の多結晶シリコン層の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に位置して、幅が3.5μm以上であり、かつ、金属触媒の濃度が1×10 13 atoms/cm 2 以下となるシード領域から成長した結晶化領域のうち、前記結晶化領域の結晶粒界の主方向に対して、長さ方向が垂直または平行となる部分をパターニングされた半導体層と、
前記半導体層上に位置したゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に位置したゲート電極と、
前記ゲート電極上に位置した層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に位置して、前記半導体層とコンタクトするソース/ドレイン電極と、
を備え、
前記シード領域は、
(a)前記金属触媒を拡散させないための第1のパターン層を、非晶質シリコン層上に、前記非晶質シリコン層の所定領域を露出させるように形成し、
(b)前記金属触媒の拡散が可能な第2のパターン層を、少なくとも前記所定領域上に形成し、
(c)前記金属触媒を含む金属触媒層を、前記第2のパターン層上の領域のうち、少なくとも前記所定領域上に位置する領域に形成し、
(d)前記金属触媒中の前記金属触媒を、前記第2のパターン層を介して前記所定領域内に拡散させる熱処理を行い、
(e)前記第1のパターン層、前記第2のパターン層、及び前記金属触媒層を除去する
ことで前記所定領域内に形成され、
前記結晶化領域は、前記非晶質シリコン層の少なくとも一部が結晶化することで形成される
ことで形成された領域であることを特徴とする、平板表示装置。 - 前記ソース/ドレイン電極と連結された第1電極をさらに備えることを特徴とする、請求項25に記載の平板表示装置。
- 前記結晶粒界は、SGS結晶化法で結晶化された領域から、結晶性が成長して結晶化される時に形成されることを特徴とする、請求項25に記載の平板表示装置。
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