JP5074786B2 - 面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザ素子 - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1にかかる面発光レーザ素子について説明する。本実施の形態1に係る面発光レーザ素子100は、III族元素であるGaを含むGaAs系半導体材料からなる面発光レーザ素子である。
図4〜7は、本実施の形態2に係る面発光レーザ素子の製造方法を説明する説明図である。はじめに、たとえば有機金属気相成長(MOCVD)法を用いて、図4に示すように、基板1上に、下部DBRミラー2、Nクラッド層3、活性層4を順次積層し、さらに、多層電流狭窄層5を形成するための被選択酸化層15を形成する。この被選択酸化層15は、図5に示すように、3つのAlAs層151と、2つのGaAs層152とを97:3〜99:1の厚さ比率で交互に積層して形成する。なお、AlAs層151の厚さはたとえば4.95nmであり、GaAs層152の厚さはたとえば0.05nmである。この厚さは、材料ガスを供給する際の供給口の開閉時間によって調整できる。なお、層厚が1ML(モノレイヤー)以下の場合、層厚は積層面内の平均の積層厚さで規定される。
2 下部DBRミラー
3 Nクラッド層
4 活性層
5 多層電流狭窄層
51 電流狭窄層
52 AlGaAs層
5a 電流狭窄部
5b 選択酸化部
6 Pクラッド層
7 上部DBRミラー
8 P電極
8a 開口部
9 N電極
10 メサポスト
11 P引出電極
12 N引出電極
15 被選択酸化層
151 AlAs層
152 GaAs層
100 面発光レーザ素子
Claims (6)
- 選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、
活性層を含む複数の半導体層上に、AlAs層と、III族元素であるXを含むXAs層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を100nm以下の厚さに形成する積層工程と、
前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、
を含み、
前記積層工程は、前記厚さ比率を97:3〜99:1にすることを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法。 - 前記積層工程は、前記被選択酸化層を50nm以下の厚さに形成することを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子の製造方法。
- 前記積層工程は、前記各AlAs層を16nm以下の厚さに積層することを特徴とする請求項1または2に記載の面発光レーザ素子の製造方法。
- 前記積層工程は、前記各AlAs層を2nm以上の厚さに積層することを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ素子の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか1つに記載の製造方法によって製造したことを特徴とする面発光レーザ素子。
- 前記面発光レーザ素子を1枚の基板上に複数作製することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の面発光レーザ素子の製造方法。
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