JP5069671B2 - 加速度センサの製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態における半導体加速度センサの基本構成は図12に示した従来構成と略同じであって、図1(d)に示すように、接合用金属層17と上部キャップ30との間に隙間60(図14参照)が形成される部位と図1(d)において単結晶シリコン基板10の主表面側の左端に設けられたダイシングレーンであるスクライブ線(図示せず)との間の所定位置に、ダイシング時の水流が上記隙間60へ到達するのを防ぐための障壁17aを形成してある点に特徴がある。ここに、障壁17aは接合用金属層17と同じ材料により形成され、接合用金属層17表面から突設されている。
本実施形態の半導体加速度センサの基本構成および製造方法は実施形態1と略同じであり、図3に示すように、接合用金属層17と上部キャップ30との間に隙間60(図14参照)が形成される部位と図3において単結晶シリコン基板10の主表面側の左端に設けられたスクライブ線(図示せず)との間の所定位置に、ダイシング時の水流が上記隙間60へ到達するのを防ぐための障壁17bを形成してある点に特徴がある。ここに、障壁17bは接合用金属層17およびパッド16と同じ材料(例えばアルミニウム)により形成されている。
本実施形態の半導体加速度センサの基本構成および製造方法は実施形態1と略同じであり、図4に示すように、接合用金属層17と上部キャップ30との間に隙間60(図14参照)が形成される部位の近傍にダイシング時の水流が撓み部11(図1参照)へ到達するのを防ぐための障壁17cを形成してある点に特徴がある。ここに、障壁17cは接合用金属層17およびパッド16と同じ材料(例えばアルミニウム)により形成されている。
本実施形態の半導体加速度センサの基本構成および製造方法は実施形態3と基本的に同じであって、図5に示すように上記障壁17cが収納される凹部30cが形成された上部キャップ30を接合用金属層17を介して単結晶シリコン基板10に接合している点に特徴がある。
本実施形態の半導体加速度センサの基本構成は図12に示した従来の半導体加速度センサと略同じであり、図6に示すように、接合用金属層17とシリコン窒化膜19aとの間に多結晶シリコン層8を介在させている点が相違だけである。
本実施形態の半導体加速度センサの基本構成および製造方法は従来例と略同じであり、図7に示すように、接合用金属層17と上部キャップ30との間に隙間60(図14参照)が形成される部位と図7において単結晶シリコン基板10の主表面側の左端に設けられたスクライブ線(図示せず)との間の所定位置に、ダイシング時の水流(図7中に矢印で示す)が上記隙間60へ到達するのを防ぐための障壁30dを形成してある点に特徴がある。ここに、障壁30dはガラスよりなり上部キャップ30に一体に形成されている。
本実施形態の半導体加速度センサの基本構成および製造方法は実施形態6と略同じであり、図8に示す障壁30dが上部キャップ30へのメタライズ処理を利用して形成されている点が相違するだけである。ここにおいて、障壁30dは実施形態6と同様の位置において上部キャップ30から突設されている。
本実施形態の半導体加速度センサの基本構成は図12に示した従来構成と略同じであり、図9に示すように、接合用金属層17と上部キャップ30との間に隙間60(図14参照)が形成される部位と、パッド16との間に溝19cが形成されている点に特徴がある。
本実施形態の半導体加速度センサの基本構成は実施形態8と略同じであり、図10に示すように、上部キャップ30とパッド16との間を、接合用金属層17とパッド16との間に形成された溝19cが埋まるように接着剤(例えばシリコーンペースト)7により埋め込んである点が相違する。
本実施形態の半導体加速度センサの基本構成は図12に示した従来構成と略同じであり、図11に示すように、単結晶シリコン基板10の主表面側においてパッド16が接合用金属層17よりも低い位置に形成されている点が相違する。
15 拡散抵抗配線
17 接合用金属層
17a 障壁
18a シリコン酸化膜
19a シリコン窒化膜
30 上部キャップ
Claims (5)
- 支持部に薄肉の撓み部を介して揺動自在に支持された重り部を有し、撓み部に撓み部の変形を検出するセンシング部が形成され、センシング部から支持部にわたって拡散抵抗配線が形成された半導体基板と、半導体基板の主表面側に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に支持部に対応して重り部および撓み部を囲むように形成された接合用の金属層と、該金属層を介して半導体基板に接合された第1のキャップと、半導体基板の裏面側に接合され少なくとも重り部および撓み部を囲む第2のキャップとを備えた加速度センサの製造方法であって、半導体基板の主表面上に上記絶縁膜を形成した後、上記絶縁膜上に上記金属層を形成するとともに、上記金属層と第1のキャップとの間に隙間が形成される部位とスクライブ線との間の所定位置にダイシング時の水流が上記隙間へ到達するのを防ぐための障壁を形成し、その後、第1のキャップを上記金属層を介して半導体基板に接合し、さらに第2のキャップを半導体基板の裏面側に接合し、上記第2のキャップを半導体基板の裏面側に接合した後に、上記障壁と上記第1のキャップとの間を接着剤により埋め込み、その後にダイシングを行うことを特徴とする加速度センサの製造方法。
- 支持部に薄肉の撓み部を介して揺動自在に支持された重り部を有し、撓み部に撓み部の変形を検出するセンシング部が形成され、センシング部から支持部にわたって拡散抵抗配線が形成された半導体基板と、半導体基板の主表面側に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に支持部に対応して重り部および撓み部を囲むように形成された接合用の金属層と、該金属層を介して半導体基板に接合された第1のキャップと、半導体基板の裏面側に接合され少なくとも重り部および撓み部を囲む第2のキャップとを備えた加速度センサの製造方法であって、半導体基板の主表面上に上記絶縁膜を形成した後、上記絶縁膜上に多結晶シリコン層を介在させて上記金属層を形成し、その後、第1のキャップを上記金属層を介して半導体基板に接合し、さらに第2のキャップを半導体基板の裏面側に接合することを特徴とする加速度センサの製造方法。
- 支持部に薄肉の撓み部を介して揺動自在に支持された重り部を有し、撓み部に撓み部の変形を検出するセンシング部が形成され、センシング部から支持部にわたって拡散抵抗配線が形成された半導体基板と、半導体基板の主表面側に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に支持部に対応して重り部および撓み部を囲むように形成された接合用の金属層と、該金属層を介して半導体基板に接合された第1のキャップと、半導体基板の裏面側に接合され少なくとも重り部および撓み部を囲む第2のキャップとを備えた加速度センサの製造方法であって、半導体基板の主表面上に上記絶縁膜を形成した後、上記絶縁膜上に上記金属層を形成し、その後、上記金属層と第1のキャップとの間に隙間が形成される部位とスクライブ線との間の所定位置にダイシング時の水流が上記隙間へ到達するのを防ぐための障壁が突設された第1のキャップを上記金属層を介して半導体基板に接合し、さらに第2のキャップを半導体基板の裏面側に接合するものであり、上記障壁を第1のキャップへのメタライズ処理を利用して形成することを特徴とする加速度センサの製造方法。
- 支持部に薄肉の撓み部を介して揺動自在に支持された重り部を有し、撓み部に撓み部の変形を検出するセンシング部が形成され、センシング部から支持部にわたって拡散抵抗配線が形成された半導体基板と、半導体基板の主表面側に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成され上記拡散抵抗配線に接続されたパッドと、絶縁膜上に支持部に対応して重り部および撓み部を囲むように形成された接合用の金属層と、該金属層を介して半導体基板に接合された第1のキャップと、半導体基板の裏面側に接合され少なくとも重り部および撓み部を囲む第2のキャップとを備えた加速度センサの製造方法であって、上記絶縁膜を形成する前に、半導体基板の主表面において上記パッドに対応する部位と上記金属層に対応する部位との間に溝を形成し、半導体基板の主表面上に上記絶縁膜を形成した後、上記絶縁膜上に上記金属層を形成し、その後、第1のキャップを上記金属層を介して半導体基板に接合し、さらに第2のキャップを半導体基板の裏面側に接合し、上記第2のキャップを半導体基板の裏面側に接合した後に、上記パッドと上記第1のキャップとの間を、上記溝に対応して形成された上記絶縁膜の溝が埋まるように樹脂により埋め込み、その後にダイシングを行うことを特徴とする加速度センサの製造方法。
- 支持部に薄肉の撓み部を介して揺動自在に支持された重り部を有し、撓み部に撓み部の変形を検出するセンシング部が形成され、センシング部から支持部にわたって拡散抵抗配線が形成された半導体基板と、半導体基板の主表面側に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成され上記拡散抵抗配線に接続されたパッドと、絶縁膜上に支持部に対応して重り部および撓み部を囲むように形成された接合用の金属層と、該金属層を介して半導体基板に接合された第1のキャップと、半導体基板の裏面側に接合され少なくとも重り部および撓み部を囲む第2のキャップとを備えた加速度センサの製造方法であって、上記絶縁膜を形成する前に、半導体基板の主表面において上記パッドに対応する部位が上記金属層に対応する部位よりも低くなるような段差を形成し、半導体基板の主表面上に上記絶縁膜を形成した後、上記絶縁膜上に上記金属層を形成し、その後、第1のキャップを上記金属層を介して半導体基板に接合し、さらに第2のキャップを半導体基板の裏面側に接合することを特徴とする加速度センサの製造方法。
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