JPH02125475A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH02125475A JPH02125475A JP29882888A JP29882888A JPH02125475A JP H02125475 A JPH02125475 A JP H02125475A JP 29882888 A JP29882888 A JP 29882888A JP 29882888 A JP29882888 A JP 29882888A JP H02125475 A JPH02125475 A JP H02125475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- diaphragm
- etching
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 50
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 28
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 16
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 27
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、半導体圧力センサの製造方法に関するもので
ある。
ある。
従来、機械的応力を加えることによってピエゾ抵抗効果
によりその抵抗値が変化することを利用して、単結晶シ
リコン基板の一部の肉厚を薄<シダイヤフラムを形成し
、そのダイヤフラムに歪ゲージを拡散層等で形成して、
ダイヤフラムに加わる圧力により歪ゲージを変形させ、
ピエゾ抵抗効果による抵抗値の変化を検出して圧力を測
定する半導体圧力センサが知られており、この半導体圧
力センサの製造方法として、第8図(a)、第8図伽)
に示すように、ピエゾ抵抗素子101を有するダイヤフ
ラム部102を形成するために、基板100をエツチン
グしているが、このダイヤフラム部102の厚さと幅は
エツチング時間によって制御している。
によりその抵抗値が変化することを利用して、単結晶シ
リコン基板の一部の肉厚を薄<シダイヤフラムを形成し
、そのダイヤフラムに歪ゲージを拡散層等で形成して、
ダイヤフラムに加わる圧力により歪ゲージを変形させ、
ピエゾ抵抗効果による抵抗値の変化を検出して圧力を測
定する半導体圧力センサが知られており、この半導体圧
力センサの製造方法として、第8図(a)、第8図伽)
に示すように、ピエゾ抵抗素子101を有するダイヤフ
ラム部102を形成するために、基板100をエツチン
グしているが、このダイヤフラム部102の厚さと幅は
エツチング時間によって制御している。
また、超小型の半導体圧力センサの製造方法が、Pro
ceedings of the 6 th 5ens
or Symposium。
ceedings of the 6 th 5ens
or Symposium。
1986、pp、23〜27に示されている。これは、
基板上にダイヤフラムを形成し、そのダイヤフラム上に
ピエゾ抵抗を形成し、その後にダイヤフラムに小孔をあ
け、その小孔部から基板をエツチングすることによりダ
イヤフラム下部に空間を形成するものである。
基板上にダイヤフラムを形成し、そのダイヤフラム上に
ピエゾ抵抗を形成し、その後にダイヤフラムに小孔をあ
け、その小孔部から基板をエツチングすることによりダ
イヤフラム下部に空間を形成するものである。
しかし、前述した従来の半導体圧力センサの製造方法に
あっては、ダイヤフラムの厚さをシリコンのエツチング
時間で制御しているので、圧力センサを小型化する場合
、ダイヤフラムの厚さやはば正確に制御するのが困難で
あり、更にはダイヤフラムの表面が平坦でないので、機
械的強度が弱いという問題点を有していた。また、上記
Pro−ceedings of the 6th
5ensor Symposium。
あっては、ダイヤフラムの厚さをシリコンのエツチング
時間で制御しているので、圧力センサを小型化する場合
、ダイヤフラムの厚さやはば正確に制御するのが困難で
あり、更にはダイヤフラムの表面が平坦でないので、機
械的強度が弱いという問題点を有していた。また、上記
Pro−ceedings of the 6th
5ensor Symposium。
1986、pp、23〜27に示されている超小型の半
導体圧力センサの製造方法にあっては、表面からのエツ
チング孔の存在によってダイヤフラムが平坦でな(機械
的強度が弱くなるという問題点を有していた。
導体圧力センサの製造方法にあっては、表面からのエツ
チング孔の存在によってダイヤフラムが平坦でな(機械
的強度が弱くなるという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、ダイヤフ
ラムの形状を正確に制御でき、しかもダイヤフラムの機
械的強度が強く信頼性の高い半導体圧力センサの製造方
法を提供することを目的としている。
ラムの形状を正確に制御でき、しかもダイヤフラムの機
械的強度が強く信頼性の高い半導体圧力センサの製造方
法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明においては、基板の
主表面側に、該基板と異なる部材を形成する工程と、 前記基板の主表面側にダイヤフラムとなる膜、及びこの
膜に圧力変換素子を形成する工程と、前記基板の他主面
側から前記基板と異なる部材に連通ずる穴を形成し、こ
の穴を介して前記基板と異なる部材を除去することによ
り、ダイヤフラムを形成する工程とを備えることをその
要旨とするものである。
主表面側に、該基板と異なる部材を形成する工程と、 前記基板の主表面側にダイヤフラムとなる膜、及びこの
膜に圧力変換素子を形成する工程と、前記基板の他主面
側から前記基板と異なる部材に連通ずる穴を形成し、こ
の穴を介して前記基板と異なる部材を除去することによ
り、ダイヤフラムを形成する工程とを備えることをその
要旨とするものである。
また、基板の主表面側に形成される該基板と異なる部材
は、所定のエツチング液に対して前記ダイヤフラムとな
る膜よりエツチング速度の大きい部材であり、該基板と
異なる部材を除去する工程は、前記所定のエツチング液
を用いたエツチングにて除去するようにしてもよい。
は、所定のエツチング液に対して前記ダイヤフラムとな
る膜よりエツチング速度の大きい部材であり、該基板と
異なる部材を除去する工程は、前記所定のエツチング液
を用いたエツチングにて除去するようにしてもよい。
更には、前記基板の主表面の少なくとも一部は酸化され
ており、前記基板と異なる部材は多結晶シリコンとして
もよい。
ており、前記基板と異なる部材は多結晶シリコンとして
もよい。
以下、図面を用いて本発明を説明する。第1図(a)〜
(6)は本発明の第1実施例の工程を説明するための断
面図である。
(6)は本発明の第1実施例の工程を説明するための断
面図である。
まず、第1図(a)に示すように、厚さが300〜60
0IIm(本実施例では500μmのものを使用)で3
〜5Ω・cmのN型導電型であって、結晶面が(100
)の単結晶シリコン基板1の主表面上の所定領域にシリ
コン酸化膜(SiOz)2を形成する。
0IIm(本実施例では500μmのものを使用)で3
〜5Ω・cmのN型導電型であって、結晶面が(100
)の単結晶シリコン基板1の主表面上の所定領域にシリ
コン酸化膜(SiOz)2を形成する。
そして、このシリコン酸化膜2をマスクとして水酸化カ
リウム(、KOH)等による異一方性のエツチング液を
用いてシリコン基板1をエツチングし、第1図(b)に
示すように凹部3を形成する。尚、ここで用いる基板と
しては、その結晶面は(110)でもよく、又、パイレ
ックスガラス、サファイヤ等に凹部を形成したものであ
ってもよい。
リウム(、KOH)等による異一方性のエツチング液を
用いてシリコン基板1をエツチングし、第1図(b)に
示すように凹部3を形成する。尚、ここで用いる基板と
しては、その結晶面は(110)でもよく、又、パイレ
ックスガラス、サファイヤ等に凹部を形成したものであ
ってもよい。
次に、XeC1(波長:308nm)のエキシマレーザ
Lbを上方(主表面側)からシリコン基板1の凹部3内
に照射し、裏面側に延びる例えば30am×30μmの
穴4を450amの深さで2つ形成する。このエキシマ
レーザLbはパルス発振であり、パルス数によりエツチ
ング深さを精度よくコントロールできるとともに、エキ
シマレーザLb光はSi表面のみで作用し、周囲へのダ
メージも少なく、小口径の穴あけに対してコントロール
性もよく、かつ形状制御が容易である。又、本実施例で
はXeC1を用いたが、他のエキシマレーザでもよいこ
とはいうまでもない。さらに、この穴あけは本実施例で
はエキシマレーザを用いたが、KOH等による異方性エ
ツチングを用いても可能である。さらに、本実施例では
2個の穴4をあけたが、1個でもあるいは2個以上でも
よい。
Lbを上方(主表面側)からシリコン基板1の凹部3内
に照射し、裏面側に延びる例えば30am×30μmの
穴4を450amの深さで2つ形成する。このエキシマ
レーザLbはパルス発振であり、パルス数によりエツチ
ング深さを精度よくコントロールできるとともに、エキ
シマレーザLb光はSi表面のみで作用し、周囲へのダ
メージも少なく、小口径の穴あけに対してコントロール
性もよく、かつ形状制御が容易である。又、本実施例で
はXeC1を用いたが、他のエキシマレーザでもよいこ
とはいうまでもない。さらに、この穴あけは本実施例で
はエキシマレーザを用いたが、KOH等による異方性エ
ツチングを用いても可能である。さらに、本実施例では
2個の穴4をあけたが、1個でもあるいは2個以上でも
よい。
次に、第1図(C)に示すように、前記凹部3と穴4の
内部にCVD法により充填材料としてのシリコン酸化物
(SiCh)5を埋め込む、このCVD法によるシリコ
ン酸化物5はシリコン基板1及びダイヤフラムとなる後
記する膜(窒化膜6)よりエツチング速度が大きい材料
であり、Sin。
内部にCVD法により充填材料としてのシリコン酸化物
(SiCh)5を埋め込む、このCVD法によるシリコ
ン酸化物5はシリコン基板1及びダイヤフラムとなる後
記する膜(窒化膜6)よりエツチング速度が大きい材料
であり、Sin。
5の代わりにポリシリコンを埋めてもよい。このシリコ
ン基板l及びダイヤフラムとなる膜(窒化膜6)よりエ
ツチング速度が大きい材料として、他にも5i−B−0
ガラス等を使用してもよい。
ン基板l及びダイヤフラムとなる膜(窒化膜6)よりエ
ツチング速度が大きい材料として、他にも5i−B−0
ガラス等を使用してもよい。
そして、このように、シリコン酸化物5を埋め込んだ後
に、研磨によりそのシリコン酸化物50表面を平滑にす
る。即ち、凹部3を含むシリコン基板1の主表面を平滑
にする。
に、研磨によりそのシリコン酸化物50表面を平滑にす
る。即ち、凹部3を含むシリコン基板1の主表面を平滑
にする。
続いて、シリコン基板1の表面に200〜1000人(
DSi:+N4膜をいわゆるLPCVD法で形成すると
ともに、引き続き1〜2pmのP−3iN(プラズマ窒
化膜)を形成して第1図(d)に示すダイヤフラムとな
る膜としての窒化膜6を形成する。
DSi:+N4膜をいわゆるLPCVD法で形成すると
ともに、引き続き1〜2pmのP−3iN(プラズマ窒
化膜)を形成して第1図(d)に示すダイヤフラムとな
る膜としての窒化膜6を形成する。
このLPCVD法によるSi、N、膜により緻密なダイ
ヤフラムにすることができ、圧力に対して高真空が保た
れる。このLPCVD法による5t3N4膜は相対圧セ
ンサとして用いる場合はなくてもよい。
ヤフラムにすることができ、圧力に対して高真空が保た
れる。このLPCVD法による5t3N4膜は相対圧セ
ンサとして用いる場合はなくてもよい。
次に、第1図(e)に示すように、前記ダイヤフラムと
なる窒化膜6上の所定領域にポリシリコンを1000〜
5000人の厚さで析出し、ボロンを拡散し、圧力変換
素子としてのP型のピエゾ抵抗7を形成する。この際、
N型でピエゾ抵抗を形成してもよいことはいうまでもな
い。さらに、いわゆるビームアニール手法によりこのポ
リシリコンを再結晶化して単結晶にしてもよく、このと
き、シリコン基板1からいわゆるシードを取りレーザ等
で溶融し再結晶化(単結晶化)すれば高性能化されたピ
エゾ抵抗を形成できる。
なる窒化膜6上の所定領域にポリシリコンを1000〜
5000人の厚さで析出し、ボロンを拡散し、圧力変換
素子としてのP型のピエゾ抵抗7を形成する。この際、
N型でピエゾ抵抗を形成してもよいことはいうまでもな
い。さらに、いわゆるビームアニール手法によりこのポ
リシリコンを再結晶化して単結晶にしてもよく、このと
き、シリコン基板1からいわゆるシードを取りレーザ等
で溶融し再結晶化(単結晶化)すれば高性能化されたピ
エゾ抵抗を形成できる。
次に、第1図(f)で示すように、前面にP−3tN膜
(プラズマ窒化膜)8を0.5〜1μmの厚さで形成し
、電極として/19による配線を行う。
(プラズマ窒化膜)8を0.5〜1μmの厚さで形成し
、電極として/19による配線を行う。
続いて、第1図(2)に示すように、シリコン基板lの
裏面を研磨し、穴4内に埋め込んだシリコン酸化物5が
あわられるようにする。引き続き、表面をワックス等で
覆い、穴4を介してHF水溶液にて凹部3及び4内のシ
リコン酸化物5をエツチング除去する。即ち、シリコン
酸化物(Stow)5は基板l及びダイヤフラムとなる
窒化膜6よりエツチング速度が大きいので、シリコン酸
化物5のみを除去できる。尚、シリコン酸化物5の代わ
りにポリシリコンを使用した場合は、エツチング液とし
てKOH水溶液を用いればよい。
裏面を研磨し、穴4内に埋め込んだシリコン酸化物5が
あわられるようにする。引き続き、表面をワックス等で
覆い、穴4を介してHF水溶液にて凹部3及び4内のシ
リコン酸化物5をエツチング除去する。即ち、シリコン
酸化物(Stow)5は基板l及びダイヤフラムとなる
窒化膜6よりエツチング速度が大きいので、シリコン酸
化物5のみを除去できる。尚、シリコン酸化物5の代わ
りにポリシリコンを使用した場合は、エツチング液とし
てKOH水溶液を用いればよい。
このとき、複数の穴を形成しておくとエツチング後のエ
ツチング液の除去、洗浄を効果的に行うことができる。
ツチング液の除去、洗浄を効果的に行うことができる。
即ち、例えば第1図(匂において1つの穴4から洗浄液
を導入し、もう1つの穴4がら排出することができる。
を導入し、もう1つの穴4がら排出することができる。
このようにして、ピエゾ抵抗7が配置されたダイヤフラ
ムとなる窒化膜6の下に空間が形成されるとともに、穴
4がその空間への連通穴となる。
ムとなる窒化膜6の下に空間が形成されるとともに、穴
4がその空間への連通穴となる。
本実施例では図示していないが、単結晶シリコン基板l
に通常のCMOSプロセス、バイポーラプロセスにより
各種デバイスを同時に形成することも可能である。
に通常のCMOSプロセス、バイポーラプロセスにより
各種デバイスを同時に形成することも可能である。
このように本実施例によれば、従来の方法とは異なり、
基板の表面側からダイヤフラムに小孔を形成することが
ないので、ダイヤフラムの機械的強度を強くすることが
でき、センサとして信頼性の高いものとすることができ
る。又、従来の方法による半導体圧力センサでは相対圧
の検出ができなかったが、本実施例の半導体圧力センサ
は孔4を介して相対圧を検出することができる。又、S
iOt5の表面は研磨によって滑らかになっているので
、ダイヤフラムとなる膜6の表面が平坦となり、機械的
強度が強くなる。さらに、従来の方法においては、エツ
チング工程をウェハプロセスの途中で入れなければなら
ず、KOH等のエツチング液の残留があり、ウェハプロ
セスの汚染及び製造装置の汚染を引き起こすおそれがあ
ったが、本実施例の方法ではウェハプロセスの最後の工
程にてエツチングを行っているので、エツチング液の残
留に起因するウェハプロセスの汚染及び製造装置の汚染
を制御することができる。
基板の表面側からダイヤフラムに小孔を形成することが
ないので、ダイヤフラムの機械的強度を強くすることが
でき、センサとして信頼性の高いものとすることができ
る。又、従来の方法による半導体圧力センサでは相対圧
の検出ができなかったが、本実施例の半導体圧力センサ
は孔4を介して相対圧を検出することができる。又、S
iOt5の表面は研磨によって滑らかになっているので
、ダイヤフラムとなる膜6の表面が平坦となり、機械的
強度が強くなる。さらに、従来の方法においては、エツ
チング工程をウェハプロセスの途中で入れなければなら
ず、KOH等のエツチング液の残留があり、ウェハプロ
セスの汚染及び製造装置の汚染を引き起こすおそれがあ
ったが、本実施例の方法ではウェハプロセスの最後の工
程にてエツチングを行っているので、エツチング液の残
留に起因するウェハプロセスの汚染及び製造装置の汚染
を制御することができる。
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば、上記実施例ではシリコン基板lに直接凹部3を
形成したが、第2図に示すように基板1上に所定領域が
開口した膜を形成することにより凹部3を形成してもよ
い。即ち、例えば、熱酸化膜、析出膜(P−3iN膜等
)10の所定領域をエツチングすることにより凹部3を
形成してもよい。
例えば、上記実施例ではシリコン基板lに直接凹部3を
形成したが、第2図に示すように基板1上に所定領域が
開口した膜を形成することにより凹部3を形成してもよ
い。即ち、例えば、熱酸化膜、析出膜(P−3iN膜等
)10の所定領域をエツチングすることにより凹部3を
形成してもよい。
又、上記実施例ではCVDによるシリコン酸化物5を凹
部3及び孔4内へ埋め込んだが、完全に又はある程度選
択的にエツチング除去できるものであれば、どのような
材料を用いてもよく、前述したようにポリシリコンでも
よい。
部3及び孔4内へ埋め込んだが、完全に又はある程度選
択的にエツチング除去できるものであれば、どのような
材料を用いてもよく、前述したようにポリシリコンでも
よい。
さらに、凹部3及び孔4内に埋め込む充填材料を加熱す
ることにより溶融又は昇華する物質を使用し、その充填
材料の除去・は加熱することにより行ってもよい。この
材料としては、例えばポリ−α−メチルスチレンがあり
、加温し蒸発させることにより穴4から除去できる。尚
、この物質を用いる場合は、同ポリ−α−メチルスチレ
ンの融点が99°Cであり変形しない85°C以下で工
程を進める必要があり、そのためにECRプラズマデポ
ジション等でダイヤフラムとなるP−3iN膜(プラズ
マ窒化膜)及び圧力変換素子としてのピエゾ抵抗用のア
モルファスSiを形成し、上記ポリ−α−メチルスチレ
ンを除去後熱処理してアモルファスSiをポリシリコン
(多結晶シリコン)化すればよい。
ることにより溶融又は昇華する物質を使用し、その充填
材料の除去・は加熱することにより行ってもよい。この
材料としては、例えばポリ−α−メチルスチレンがあり
、加温し蒸発させることにより穴4から除去できる。尚
、この物質を用いる場合は、同ポリ−α−メチルスチレ
ンの融点が99°Cであり変形しない85°C以下で工
程を進める必要があり、そのためにECRプラズマデポ
ジション等でダイヤフラムとなるP−3iN膜(プラズ
マ窒化膜)及び圧力変換素子としてのピエゾ抵抗用のア
モルファスSiを形成し、上記ポリ−α−メチルスチレ
ンを除去後熱処理してアモルファスSiをポリシリコン
(多結晶シリコン)化すればよい。
さらに、上記実施例では穴4はシリコン基板1の途中で
形成を止め、シリコン酸化物5を埋め込んだが、穴は基
板1の裏面まで貫通してもよい。
形成を止め、シリコン酸化物5を埋め込んだが、穴は基
板1の裏面まで貫通してもよい。
又、上記実施例では凹部3及び穴4内に埋め込んだシリ
コン酸化物5を除去する前にピエゾ抵抗7を形成したが
、シリコン酸化物5を除去した後にピエゾ抵抗7を形成
してもよい。
コン酸化物5を除去する前にピエゾ抵抗7を形成したが
、シリコン酸化物5を除去した後にピエゾ抵抗7を形成
してもよい。
又、上記実施例では穴4は凹部3内に充填材料としての
シリコン酸化物5を埋め込む前に形成し、該穴4に充填
材料としてのシリコン酸化物5を埋め込みこの穴4を介
して凹部3内の充填材料を除去したが、前記第1図(b
)に示す穴4は凹部3に充填材料を埋め込む前に作成せ
ずに、凹部形成後、この凹部3内に充填材料(シリコン
酸化物5)を埋め込み、平滑化及びダイヤフラム形成後
に凹部3に連通ずる穴をレーザ等により形成してもよい
。
シリコン酸化物5を埋め込む前に形成し、該穴4に充填
材料としてのシリコン酸化物5を埋め込みこの穴4を介
して凹部3内の充填材料を除去したが、前記第1図(b
)に示す穴4は凹部3に充填材料を埋め込む前に作成せ
ずに、凹部形成後、この凹部3内に充填材料(シリコン
酸化物5)を埋め込み、平滑化及びダイヤフラム形成後
に凹部3に連通ずる穴をレーザ等により形成してもよい
。
そして、この穴を介して凹部3内の充填材料(シリコン
酸化物5)を除去してもよい。
酸化物5)を除去してもよい。
さらに、穴4は基板の主表面から裏面側に延びる方向に
形成したが、他の主表面以外の面(側面)から形成して
もよく、要はダイヤフラムを貫通させることなく凹部3
に連通されていればよい。
形成したが、他の主表面以外の面(側面)から形成して
もよく、要はダイヤフラムを貫通させることなく凹部3
に連通されていればよい。
次に、本発明の第2実施例を、その工程を示す断面図で
ある第3図(a)乃至第3図(e)を用いて説明する。
ある第3図(a)乃至第3図(e)を用いて説明する。
まず、第3図(a)に示すように、厚さが300〜60
011m(本実施例では500 pmのもの)で3〜5
Ω・1のN型導電型であって、結晶面が(100)又は
(110)の単結晶シリコン基板30上に200〜10
00人の5isNa膜32をLPCVD法で形成した後
、いわゆるLOCO3法によってLOGO3酸化膜(S
iO,)34を形成する。次に第3図(b)に示すよう
に鏡面研磨を行い、基板30の表面を平坦化する。その
後、第3図(C)に示すように、シリコン基板36の表
面にS i Ot 3 B (S 1sN4でもよい)
を形成し、その表面に5iNO(ナイトライデッドオキ
サイド)膜40を形成したもののS iNoN過膜側と
、第3図(b)に示す基板30の5iOz34側とを直
接接合法により接合する。次に、第3図(d)に示すよ
うに、シリコン基板36の厚さが数μm(本実施例では
5μm)になるように研磨した後、第1実施例と同様に
エキシマレーザLbにより圧力導入孔42を形成する。
011m(本実施例では500 pmのもの)で3〜5
Ω・1のN型導電型であって、結晶面が(100)又は
(110)の単結晶シリコン基板30上に200〜10
00人の5isNa膜32をLPCVD法で形成した後
、いわゆるLOCO3法によってLOGO3酸化膜(S
iO,)34を形成する。次に第3図(b)に示すよう
に鏡面研磨を行い、基板30の表面を平坦化する。その
後、第3図(C)に示すように、シリコン基板36の表
面にS i Ot 3 B (S 1sN4でもよい)
を形成し、その表面に5iNO(ナイトライデッドオキ
サイド)膜40を形成したもののS iNoN過膜側と
、第3図(b)に示す基板30の5iOz34側とを直
接接合法により接合する。次に、第3図(d)に示すよ
うに、シリコン基板36の厚さが数μm(本実施例では
5μm)になるように研磨した後、第1実施例と同様に
エキシマレーザLbにより圧力導入孔42を形成する。
ここで、シリコン基板30を(110)のものを使用す
れば、この圧力導入孔42はエキシマレーザLbの代わ
りにKOHによるアルカリエツチングによって形成する
ことができる。その後、HFにより5iOz34をエツ
チング除去した後、シリコン36にボロンを拡散し、圧
力変換素子としてのP型のピエゾ抵抗44を形成し、そ
の上に0.5〜1μmの眉間絶縁膜としてのプラズマ窒
化膜46を形成し、電極としてA148による配線を行
うと、第3図(e)に示すようになる。
れば、この圧力導入孔42はエキシマレーザLbの代わ
りにKOHによるアルカリエツチングによって形成する
ことができる。その後、HFにより5iOz34をエツ
チング除去した後、シリコン36にボロンを拡散し、圧
力変換素子としてのP型のピエゾ抵抗44を形成し、そ
の上に0.5〜1μmの眉間絶縁膜としてのプラズマ窒
化膜46を形成し、電極としてA148による配線を行
うと、第3図(e)に示すようになる。
尚、本実施例では図示していないが単結晶シリコン基板
30及び36上に通常のCMOSプロセス、バイポーラ
プロセスにより各種デバイスを形成することも可能であ
る。
30及び36上に通常のCMOSプロセス、バイポーラ
プロセスにより各種デバイスを形成することも可能であ
る。
また、本実施例においては圧力変換素子としてピエゾ抵
抗44を用いたが、これに限られず、圧力を検出して電
気信号に変換するものならば他のものでもよく、例えば
rTechnical Digest ofthe 7
th 5ensor Symposium + 19
88 Jの55頁〜58頁に記載しである共鳴歪ゲージ
でも良い。
抗44を用いたが、これに限られず、圧力を検出して電
気信号に変換するものならば他のものでもよく、例えば
rTechnical Digest ofthe 7
th 5ensor Symposium + 19
88 Jの55頁〜58頁に記載しである共鳴歪ゲージ
でも良い。
以上説明したように、上記第2実施例によれば、前記第
1実施例で得られる効果に加えて、凹部を形成する工程
とSin、を埋め込む工程とを1工程とすることができ
、さらには圧力導入孔を形成する工程は、アルミ配線や
各種デバイスの形成の前でも後でも可能になるという効
果を奏する。
1実施例で得られる効果に加えて、凹部を形成する工程
とSin、を埋め込む工程とを1工程とすることができ
、さらには圧力導入孔を形成する工程は、アルミ配線や
各種デバイスの形成の前でも後でも可能になるという効
果を奏する。
次に、本発明の第3実施例を、その工程を示す断面図で
ある第4図(a)乃至第4図(e)を用いて説明する。
ある第4図(a)乃至第4図(e)を用いて説明する。
まず、第4図(a)に示すように単結晶シリコン基板5
0の主表面上に、S i、N452をマスクとしてKO
Hによるアルカリエツチングにて凹部を形成した後、選
択変化させ、凹部の表面にSiO□54を形成する。次
に、第4図細)に示すように凹部以外の表面を鏡面研磨
してS 1zN452を除去する。次に、第4図(C)
に示すように、シリコン基板36の表面にSiO□3
B (S i xN4でもよい)を形成し、その表面に
5iNO膜40を形成したものと、第4図(b)に示す
基板50とを直接接合法により接合する。以下、第4図
(d)、第4図(e)に示す工程は前記第2実施例から
分かるように、エツチング等により圧力導入孔を形成し
た後、ピエゾ抵抗4やA!48による配線を行う。
0の主表面上に、S i、N452をマスクとしてKO
Hによるアルカリエツチングにて凹部を形成した後、選
択変化させ、凹部の表面にSiO□54を形成する。次
に、第4図細)に示すように凹部以外の表面を鏡面研磨
してS 1zN452を除去する。次に、第4図(C)
に示すように、シリコン基板36の表面にSiO□3
B (S i xN4でもよい)を形成し、その表面に
5iNO膜40を形成したものと、第4図(b)に示す
基板50とを直接接合法により接合する。以下、第4図
(d)、第4図(e)に示す工程は前記第2実施例から
分かるように、エツチング等により圧力導入孔を形成し
た後、ピエゾ抵抗4やA!48による配線を行う。
次に、本発明の第4実施例を、その工程を示す断面図で
ある第5図(a)乃至第5図(f)を用いて説明する。
ある第5図(a)乃至第5図(f)を用いて説明する。
まず、第5図(a)に示すように、単結晶シリコン基板
60の表面に、テーバ状のSiO□62を0.5〜2μ
mの厚さで形成する。次に、第5図O))に示すように
S 1sNn64を形成する。次に、第5図(C)に示
すように、5isN464の上にダイヤフラムとなるP
o1y−3t膜66を形成した後、ボロンを拡散して圧
力変換素子としてのP型のピエゾ抵抗68を形成し、更
にその上に保護膜として窒化シリコン膜70を形成する
。次に、第5図(d)に示すように、KOHを用いたア
ルカリエツチングにより圧力導入孔72を形成する。本
実施例においては、このKOHによるアルカリエツチン
グを行う際に、5iOz62はエツチングストッパの役
目をも果たしているが、SiO□62をSiで構成した
場合には、圧力導入孔72を形成した際に、そのStも
エツチング除去される。また、圧力導入孔72はレーザ
によって形成してもよい。
60の表面に、テーバ状のSiO□62を0.5〜2μ
mの厚さで形成する。次に、第5図O))に示すように
S 1sNn64を形成する。次に、第5図(C)に示
すように、5isN464の上にダイヤフラムとなるP
o1y−3t膜66を形成した後、ボロンを拡散して圧
力変換素子としてのP型のピエゾ抵抗68を形成し、更
にその上に保護膜として窒化シリコン膜70を形成する
。次に、第5図(d)に示すように、KOHを用いたア
ルカリエツチングにより圧力導入孔72を形成する。本
実施例においては、このKOHによるアルカリエツチン
グを行う際に、5iOz62はエツチングストッパの役
目をも果たしているが、SiO□62をSiで構成した
場合には、圧力導入孔72を形成した際に、そのStも
エツチング除去される。また、圧力導入孔72はレーザ
によって形成してもよい。
次に、第5図(e)に示すように、HFによって5i6
2をエツチング除去する。その後は第5図(f)に示す
ようにA2配線74を形成する。その後は、他の実施例
と同様、CMOSプロセスやバイポーラプロセス等によ
り各種デバイスを形成してもよい。
2をエツチング除去する。その後は第5図(f)に示す
ようにA2配線74を形成する。その後は、他の実施例
と同様、CMOSプロセスやバイポーラプロセス等によ
り各種デバイスを形成してもよい。
尚、上記第4実施例の変形例として、第6図(a)に示
すように、単結晶シリコン基板30上に200〜100
0人の5tiNa膜32をLPCVD法で形成した後、
第6図(b)に示すように、いわゆるLOCO3法によ
ってLOGO3酸化膜(Si(h)34を形成し、その
上に5lsN4膜32を再び堆積させ、あとは上記第4
実施例の第5図(C)以後に示す工程と同じ工程により
第6図(C)に示す半導体圧力センサを作るようにして
もよい、また、第7図(a)乃至第7図(d)に示すよ
うに、基板90上のs tiNm92をマスクとしてK
OHアルカリエツチングを行い、その凹部にSiO□9
4を形成した後、アミン液(ピペラジン)とポリエステ
ル製の平面パッドを用いた選択化学ポリッシングにて表
面を平坦にするようにしてもよい。
すように、単結晶シリコン基板30上に200〜100
0人の5tiNa膜32をLPCVD法で形成した後、
第6図(b)に示すように、いわゆるLOCO3法によ
ってLOGO3酸化膜(Si(h)34を形成し、その
上に5lsN4膜32を再び堆積させ、あとは上記第4
実施例の第5図(C)以後に示す工程と同じ工程により
第6図(C)に示す半導体圧力センサを作るようにして
もよい、また、第7図(a)乃至第7図(d)に示すよ
うに、基板90上のs tiNm92をマスクとしてK
OHアルカリエツチングを行い、その凹部にSiO□9
4を形成した後、アミン液(ピペラジン)とポリエステ
ル製の平面パッドを用いた選択化学ポリッシングにて表
面を平坦にするようにしてもよい。
次に本発明の第5実施例を、第9図(a)乃至第9図(
f)を用いて説明する。まず、第9図(a)に示すよう
に、単結晶シリコン基板110の主表面上にシリコン酸
化物(SiO2)112を形成した後、第9図(b)に
示すようにポリシリコン(多結晶シリコン)114を形
成する0次に、第9図(C)に示すように、LPCVD
法により、窒化膜(SisNa)116を形成する。な
お、窒化膜116の代わりにSingを使用してもよい
。次に、第9図(d)に示すように、窒化膜116上の
所定の領域にポリシリコンを1000〜5000人の厚
さで析出し、ボロンを拡散し、圧力変換素子としてのP
型ピエゾ抵抗11Bを形成する。次に、第9図(e)に
示すように、KOHによる異方性エツチングを用い、シ
リコン酸化物112をストッパーとして穴あけを行う。
f)を用いて説明する。まず、第9図(a)に示すよう
に、単結晶シリコン基板110の主表面上にシリコン酸
化物(SiO2)112を形成した後、第9図(b)に
示すようにポリシリコン(多結晶シリコン)114を形
成する0次に、第9図(C)に示すように、LPCVD
法により、窒化膜(SisNa)116を形成する。な
お、窒化膜116の代わりにSingを使用してもよい
。次に、第9図(d)に示すように、窒化膜116上の
所定の領域にポリシリコンを1000〜5000人の厚
さで析出し、ボロンを拡散し、圧力変換素子としてのP
型ピエゾ抵抗11Bを形成する。次に、第9図(e)に
示すように、KOHによる異方性エツチングを用い、シ
リコン酸化物112をストッパーとして穴あけを行う。
次に、第9図(f)に示すように、HFを用いてシリコ
ン酸化物112をエツチング除去する。
ン酸化物112をエツチング除去する。
以上説明したように本実施例によれば、Si0g112
をエツチングする際に、エツチングストッパとしてポリ
シリコン114を用いているので、エツチングストッパ
が5isNnに比べてHFに対するエツチング速度が遅
く、ダイヤフラムの侵食が少ないという効果がある。
をエツチングする際に、エツチングストッパとしてポリ
シリコン114を用いているので、エツチングストッパ
が5isNnに比べてHFに対するエツチング速度が遅
く、ダイヤフラムの侵食が少ないという効果がある。
次に、本発明の第6実施例を、第10図(a)乃至第1
0図(e)を用いて説明する。
0図(e)を用いて説明する。
まず、第10図(a)に示すように、単結晶シリコン基
板120上にいわゆるLOCO3法によりLacos酸
化膜(SiOt)122を形成する。
板120上にいわゆるLOCO3法によりLacos酸
化膜(SiOt)122を形成する。
次に、第10図(b)に示すようにポリシリコン124
を形成した後、第10図(C)に示すように、LPCV
D法により窒化膜(S 13N4) 126を形成する
。その後、第10図(ロ)に示すように、窒化膜126
上の所定の領域に圧力変換素子としてのピエゾ抵抗12
8を形成する0次に、第1O図(e)に示すように、シ
リコン単結晶基板120の裏面からKOHによる異方性
エツチングを複数の穴より行う。これにより、圧力導入
孔130が形成されると同時に、ポリシリコン124の
除去が行われる。
を形成した後、第10図(C)に示すように、LPCV
D法により窒化膜(S 13N4) 126を形成する
。その後、第10図(ロ)に示すように、窒化膜126
上の所定の領域に圧力変換素子としてのピエゾ抵抗12
8を形成する0次に、第1O図(e)に示すように、シ
リコン単結晶基板120の裏面からKOHによる異方性
エツチングを複数の穴より行う。これにより、圧力導入
孔130が形成されると同時に、ポリシリコン124の
除去が行われる。
本実施例によれば、圧力導入孔130とダイヤフラム形
成のためのエツチングを同時に行え(エツチング液は1
種類で済み)、更にはLOCO3酸化膜122のために
、ダイヤフラムが滑らかであるという優れた効果を奏す
る。また、ダイヤフラム126の厚さは、LPCVD法
によるために正確に制御できるという効果もある。
成のためのエツチングを同時に行え(エツチング液は1
種類で済み)、更にはLOCO3酸化膜122のために
、ダイヤフラムが滑らかであるという優れた効果を奏す
る。また、ダイヤフラム126の厚さは、LPCVD法
によるために正確に制御できるという効果もある。
次に、本発明の第7実施例を、第11図(a)乃至第1
1図(ハ)を用いて説明する。まず、第11図(a)に
示すように、シリコン単結晶基板132上にシリコン酸
化膜(Stow)134を形成する0次に、第11図(
ロ)に示すように、シリコン酸化膜134の所定領域上
にポリシリコン136を形成した後、第11図(C)に
示すように窒化膜(SisN4)138を形成して研磨
により表面を平坦にする(尚、この研磨の工程と第11
図(d)に示す工程はなくともよい)。その後、第11
図(d)に示すように、窒化膜(S 1sN4) 14
0を形成する。次に第11図(e) ニ示すように、窒
化膜(stsN4)140上の所定の位置に圧力変換素
子としてのピエゾ抵抗142を形成し、プラズマ窒化膜
やSin。
1図(ハ)を用いて説明する。まず、第11図(a)に
示すように、シリコン単結晶基板132上にシリコン酸
化膜(Stow)134を形成する0次に、第11図(
ロ)に示すように、シリコン酸化膜134の所定領域上
にポリシリコン136を形成した後、第11図(C)に
示すように窒化膜(SisN4)138を形成して研磨
により表面を平坦にする(尚、この研磨の工程と第11
図(d)に示す工程はなくともよい)。その後、第11
図(d)に示すように、窒化膜(S 1sN4) 14
0を形成する。次に第11図(e) ニ示すように、窒
化膜(stsN4)140上の所定の位置に圧力変換素
子としてのピエゾ抵抗142を形成し、プラズマ窒化膜
やSin。
等の保護WA144を形成する。その後、第11図(f
)に示すように、KOH水溶液を用いた異方性エツチン
グによりシリコン単結晶基板132に穴をあける。次に
、第11図(樽に示すように、HF水溶液を用いて5t
Oz134の一部をエツチングした後、第11図(ハ)
に示すようにKOHアルカリエツチングによりポリシリ
コン136をエツチング除去する。
)に示すように、KOH水溶液を用いた異方性エツチン
グによりシリコン単結晶基板132に穴をあける。次に
、第11図(樽に示すように、HF水溶液を用いて5t
Oz134の一部をエツチングした後、第11図(ハ)
に示すようにKOHアルカリエツチングによりポリシリ
コン136をエツチング除去する。
以上説明したように、本実施例によれば、ダイヤフラム
膜となる窒化膜に比べてポリシリコン136のKOHに
対するエツチング速度が大変速いので、ダイヤフラムの
厚さを正確に制御することができるという優れた効果を
奏する。
膜となる窒化膜に比べてポリシリコン136のKOHに
対するエツチング速度が大変速いので、ダイヤフラムの
厚さを正確に制御することができるという優れた効果を
奏する。
なお、本実施例において、第11図(a)に示す工程で
、シリコン酸化膜134の形成をあらかじめ第11図(
2)に示すように穴を設ける形にしておいてもよく、そ
の場合はHF水溶液によるSingのエツチング工程が
不要となる。
、シリコン酸化膜134の形成をあらかじめ第11図(
2)に示すように穴を設ける形にしておいてもよく、そ
の場合はHF水溶液によるSingのエツチング工程が
不要となる。
以上詳述したように、本発明によれば、ダイヤフラムの
形状を正確に制御でき、また、ダイヤフラムの機械的強
度が強く信頼性の高い半導体圧力センサを製造すること
ができるという優れた効果を奏する。
形状を正確に制御でき、また、ダイヤフラムの機械的強
度が強く信頼性の高い半導体圧力センサを製造すること
ができるという優れた効果を奏する。
第1図(a)乃至(6)は本発明の第1実施例の工程を
示す断面図、第2図は上記第1実施例の変形例を示す断
面図、第3図(a)乃至第3図(e)は本発明の第2実
施例の工程を示す断面図、第4図(a)乃至第4図(e
)は本発明の第3実施例の工程を示す断面図、第5図(
a)乃至第5図(f)は本発明の第4実施例の工程を示
す断面図、第6図(a)乃至第6図(C)、及び第7図
(a)乃至第7図(d)は上記第4実施例の変形例を示
す断面図、第8図(a)及び第8図(b)は従来の半導
体圧力センサの製造工程を示す断面図、第9図(a)乃
至第9図げ)は本発明の第5実施例の工程を示す断面図
、第1O図(a)乃至第10図(6)は本発明の第6実
施例の工程を示す断面図、第11図(a)乃至第11図
(ハ)は本発明の第7実施例の工程を示す断面図である
。 1・・・単結晶シリコン基板、3・・・凹部、4・・・
圧力導入孔、5・・・充填材料としてのシリコン酸化物
。 6・・・ダイヤフラムとなる膜としての窒化膜、7・・
・圧力変換素子としてのピエゾ抵抗。 代理人弁理士 岡 部 隆 (a”) (C) (d) ・: (e) 第1図 第 図 <c> 第 図 (d) 第 図 第 図 第 図 第 図 (C) 第 図 (b) 隋 図 第 図 (C) 第 図
示す断面図、第2図は上記第1実施例の変形例を示す断
面図、第3図(a)乃至第3図(e)は本発明の第2実
施例の工程を示す断面図、第4図(a)乃至第4図(e
)は本発明の第3実施例の工程を示す断面図、第5図(
a)乃至第5図(f)は本発明の第4実施例の工程を示
す断面図、第6図(a)乃至第6図(C)、及び第7図
(a)乃至第7図(d)は上記第4実施例の変形例を示
す断面図、第8図(a)及び第8図(b)は従来の半導
体圧力センサの製造工程を示す断面図、第9図(a)乃
至第9図げ)は本発明の第5実施例の工程を示す断面図
、第1O図(a)乃至第10図(6)は本発明の第6実
施例の工程を示す断面図、第11図(a)乃至第11図
(ハ)は本発明の第7実施例の工程を示す断面図である
。 1・・・単結晶シリコン基板、3・・・凹部、4・・・
圧力導入孔、5・・・充填材料としてのシリコン酸化物
。 6・・・ダイヤフラムとなる膜としての窒化膜、7・・
・圧力変換素子としてのピエゾ抵抗。 代理人弁理士 岡 部 隆 (a”) (C) (d) ・: (e) 第1図 第 図 <c> 第 図 (d) 第 図 第 図 第 図 第 図 (C) 第 図 (b) 隋 図 第 図 (C) 第 図
Claims (3)
- (1)基板の主表面側に、該基板と異なる部材を形成す
る工程と、 前記基板の主表面側にダイヤフラムとなる膜、及びこの
膜に圧力変換素子を形成する工程と、前記基板の他主面
側から前記基板と異なる部材に連通する穴を形成し、こ
の穴を介して前記基板と異なる部材を除去することによ
り、ダイヤフラムを形成する工程と を備えることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法
。 - (2)基板の主表面側に形成される該基板と異なる部材
は、所定のエッチング液に対して前記ダイヤフラムとな
る膜よりエッチング速度の大きい部材であり、該基板と
異なる部材を除去する工程は、前記所定のエッチング液
を用いたエッチングにて除去するものである請求項1記
載の半導体圧力センサの製造方法。 - (3)前記基板の主表面の少なくとも一部は酸化されて
おり、前記基板と異なる部材は多結晶シリコンであるこ
とを特徴とする請求項2記載の半導体圧力センサの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63298828A JP2625994B2 (ja) | 1987-11-26 | 1988-11-25 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29820887 | 1987-11-26 | ||
JP63-184192 | 1988-07-22 | ||
JP62-298208 | 1988-07-22 | ||
JP18419288 | 1988-07-22 | ||
JP63298828A JP2625994B2 (ja) | 1987-11-26 | 1988-11-25 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02125475A true JPH02125475A (ja) | 1990-05-14 |
JP2625994B2 JP2625994B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=27325389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63298828A Expired - Fee Related JP2625994B2 (ja) | 1987-11-26 | 1988-11-25 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2625994B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02181472A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-16 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
EP1585218A2 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and methods of making the same |
JP2007006486A (ja) * | 2005-06-20 | 2007-01-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd | 懸架型デバイスおよびその製造方法 |
US7663450B2 (en) | 2004-11-23 | 2010-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Monolithic duplexer |
JP2018129561A (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-16 | 新日本無線株式会社 | バルク弾性波共振器の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63119583A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Sharp Corp | 微細空洞室の作製方法 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63298828A patent/JP2625994B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63119583A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Sharp Corp | 微細空洞室の作製方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02181472A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-16 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
EP1585218A2 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and methods of making the same |
US7622846B2 (en) | 2004-04-06 | 2009-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator, filter and duplexer and methods of making same |
EP1585218B1 (en) * | 2004-04-06 | 2012-04-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and methods of making the same |
US7663450B2 (en) | 2004-11-23 | 2010-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Monolithic duplexer |
US8720023B2 (en) | 2004-11-23 | 2014-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a monolithic duplexer |
JP2007006486A (ja) * | 2005-06-20 | 2007-01-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd | 懸架型デバイスおよびその製造方法 |
JP2018129561A (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-16 | 新日本無線株式会社 | バルク弾性波共振器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2625994B2 (ja) | 1997-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3277467B2 (ja) | ダイアフラム利用センサを製造する方法及びそれを使用して構成される装置 | |
EP2193542B1 (en) | Wafer level packaged mems device | |
WO1993022690A1 (en) | Acceleration sensor and its manufacture | |
JPH09181332A (ja) | 半導体力学量センサの製造方法および異方性エッチングマスク | |
JPH1022510A (ja) | 圧電抵抗作用を使用する歪みゲージセンサおよびその製造方法 | |
US20040065638A1 (en) | Method of forming a sensor for detecting motion | |
JP3638290B2 (ja) | 半導体力学センサ | |
JP2006062002A (ja) | 半導体装置の個片化方法 | |
JPH02125475A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JP3290047B2 (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
JPH0563211A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0831608B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JPH11186566A (ja) | 微小装置の製造方法 | |
JP3744218B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JPH07107938B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JP3725078B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
JPH02224277A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
JP3725059B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
JP3246023B2 (ja) | 加速度センサの製造方法 | |
JP4063272B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
JPS61191038A (ja) | 薄膜部を有するSiキヤビテイ構造の製造方法 | |
JPH07260821A (ja) | 半導体センサ | |
JP2002181551A (ja) | 半導体力学量センサ | |
JPH09167847A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JPH10107296A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |