JP2625994B2 - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体圧力センサの製造方法に関するもの
である。
である。
従来、機械的応力を加えることによってピエゾ抵抗効
果によりその抵抗値が変化することを利用して、単結晶
シリコン基板の一部の肉厚を薄くしダイヤフラムを形成
し、そのダイヤフラムに歪ゲージを拡散層等で形成し
て、ダイヤフラムに加わる圧力により歪ゲージを変形さ
せ、ピエゾ抵抗効果による抵抗値の変化を検出して圧力
を測定する半導体圧力センサが知られており、この半導
体圧力センサの製造方法として、第４図（ａ）、第４図
（ｂ）に示すように、ピエゾ抵抗素子101を有するダイ
ヤフラム部102を形成するために、基板100をエッチング
しているが、このダイヤフラム部102の厚さと幅はエッ
チング時間によって制御している。
果によりその抵抗値が変化することを利用して、単結晶
シリコン基板の一部の肉厚を薄くしダイヤフラムを形成
し、そのダイヤフラムに歪ゲージを拡散層等で形成し
て、ダイヤフラムに加わる圧力により歪ゲージを変形さ
せ、ピエゾ抵抗効果による抵抗値の変化を検出して圧力
を測定する半導体圧力センサが知られており、この半導
体圧力センサの製造方法として、第４図（ａ）、第４図
（ｂ）に示すように、ピエゾ抵抗素子101を有するダイ
ヤフラム部102を形成するために、基板100をエッチング
しているが、このダイヤフラム部102の厚さと幅はエッ
チング時間によって制御している。
また、超小型の半導体圧力センサの製造方法が、Proc
eedings of the 6th Sensor Symposium,1986.pp.2
3〜27に示されている。これは、基板上にダイヤフラム
を形成し、そのダイヤフラム上にピエゾ抵抗を形成し、
その後にダイヤフラムに小孔をあけ、その小孔部から基
板をエッチングすることによりダイヤフラム下部に空間
を形成するものである。
eedings of the 6th Sensor Symposium,1986.pp.2
3〜27に示されている。これは、基板上にダイヤフラム
を形成し、そのダイヤフラム上にピエゾ抵抗を形成し、
その後にダイヤフラムに小孔をあけ、その小孔部から基
板をエッチングすることによりダイヤフラム下部に空間
を形成するものである。
しかし、前述した従来の半導体圧力センサの製造方法
にあっては、ダイヤフラムの厚さをシリコンのエッチン
グ時間で制御しているので、圧力センサを小型化する場
合、ダイヤフラムの厚さやはばを正確に制御するのが困
難であり、更にはダイヤフラムの表面が平坦でないの
で、機械的強度が弱いという問題点を有していた。ま
た、上記Preceedings of the 6th Sensor Symposi
um,1986.pp.23〜27に示されている超小型の半導体圧力
センサの製造方法にあっては、表面からのエッチング孔
の存在によってダイヤフラムが平坦でなく機械的強度が
弱くなるという問題点を有していた。
にあっては、ダイヤフラムの厚さをシリコンのエッチン
グ時間で制御しているので、圧力センサを小型化する場
合、ダイヤフラムの厚さやはばを正確に制御するのが困
難であり、更にはダイヤフラムの表面が平坦でないの
で、機械的強度が弱いという問題点を有していた。ま
た、上記Preceedings of the 6th Sensor Symposi
um,1986.pp.23〜27に示されている超小型の半導体圧力
センサの製造方法にあっては、表面からのエッチング孔
の存在によってダイヤフラムが平坦でなく機械的強度が
弱くなるという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、ダイヤ
フラムの形状を正確に制御でき、しかもダイヤフラムの
機械的強度が強く信頼性の高い半導体圧力センサの製造
方法を提供することを目的としている。
フラムの形状を正確に制御でき、しかもダイヤフラムの
機械的強度が強く信頼性の高い半導体圧力センサの製造
方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明においては、 基板の主表面側に、該基板と異なる部材を形成する工
程と、 前記基板の主表面側にダイヤフラムとなる膜、及びこ
の膜に圧力変換素子を形成する工程と、 前記基板の他主面側から前記基板と異なる部材に連通
する複数の穴を形成し、これらの穴を介して前記基板と
異なる部材を除去することにより、ダイヤフラムを形成
する工程と を備えることをその要旨とするものである。
程と、 前記基板の主表面側にダイヤフラムとなる膜、及びこ
の膜に圧力変換素子を形成する工程と、 前記基板の他主面側から前記基板と異なる部材に連通
する複数の穴を形成し、これらの穴を介して前記基板と
異なる部材を除去することにより、ダイヤフラムを形成
する工程と を備えることをその要旨とするものである。
また、基板の主表面側に形成される該基板と異なる部
材は、所定のエッチング液に対して前記ダイヤフラムと
なる膜よりエッチング速度の大きい部材であり、該基板
と異なる部材を除去する工程は、前記所定のエッチング
液を用いたエッチングにて除去するようにてもよい。
材は、所定のエッチング液に対して前記ダイヤフラムと
なる膜よりエッチング速度の大きい部材であり、該基板
と異なる部材を除去する工程は、前記所定のエッチング
液を用いたエッチングにて除去するようにてもよい。
更には、前記基板の主表面の少なくとも一部は酸化さ
れており、前記基板と異なる部材は多結晶シリコンとし
てもよい。
れており、前記基板と異なる部材は多結晶シリコンとし
てもよい。
以下、図面を用いて本発明を説明する。第１図（ａ）
〜（ｇ）は本発明の第１実施例の工程を説明するための
断面図である。
〜（ｇ）は本発明の第１実施例の工程を説明するための
断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、厚さが300〜600μ
ｍ（本実施例では500μｍのものを使用）で３〜５Ω・c
mのＮ型導電型であって、結晶面が（100）の単結晶シリ
コン基板１の主表面上の所定領域にシリコン酸化膜（Si
O2）２を形成する。
ｍ（本実施例では500μｍのものを使用）で３〜５Ω・c
mのＮ型導電型であって、結晶面が（100）の単結晶シリ
コン基板１の主表面上の所定領域にシリコン酸化膜（Si
O2）２を形成する。
そして、このシリコン酸化膜２をマスクとして水酸化
カリウム（KOH）等による異方性のエッチング液を用い
てシリコン基板１をエッチングし、第１図（ｂ）に示す
ように凹部３を形成する。尚、ここで用いる基板として
は、その結晶面は（110）でもよく、又、パイレックス
ガラス、サファイヤ等に凹部を形成したものであっても
よい。
カリウム（KOH）等による異方性のエッチング液を用い
てシリコン基板１をエッチングし、第１図（ｂ）に示す
ように凹部３を形成する。尚、ここで用いる基板として
は、その結晶面は（110）でもよく、又、パイレックス
ガラス、サファイヤ等に凹部を形成したものであっても
よい。
次に、XeCl（波長:308nm）のエキシマレーザLbを上方
（主表面側）からシリコン基板１の凹部３内に照射し、
裏面側に延びる例えば30μｍ×30μｍの穴４を450μｍ
の深さで２つ形成する。このエキシマレーザLbはパルス
発振であり、パルス数によりエッチング深さを精度よく
コントロールできるとともに、エキシマレーザLb光はSi
表面のみで作用し、周囲へのダメージも少なく、小口径
の穴あけに対してコントロール性もよく、かつ形状制御
が容易である。又、本実施例ではXeClを用いたが、他の
エキシマレーザでもよいことはいうまでもない。さら
に、この穴あけは本実施例ではエキシマレーザを用いた
が、KOH等による異方性エッチングを用いても可能であ
る。さらに、本実施例では２個の穴４をあけたが、２個
以上でもよい。
（主表面側）からシリコン基板１の凹部３内に照射し、
裏面側に延びる例えば30μｍ×30μｍの穴４を450μｍ
の深さで２つ形成する。このエキシマレーザLbはパルス
発振であり、パルス数によりエッチング深さを精度よく
コントロールできるとともに、エキシマレーザLb光はSi
表面のみで作用し、周囲へのダメージも少なく、小口径
の穴あけに対してコントロール性もよく、かつ形状制御
が容易である。又、本実施例ではXeClを用いたが、他の
エキシマレーザでもよいことはいうまでもない。さら
に、この穴あけは本実施例ではエキシマレーザを用いた
が、KOH等による異方性エッチングを用いても可能であ
る。さらに、本実施例では２個の穴４をあけたが、２個
以上でもよい。
次に、第１図（ｃ）に示すように、前記凹部３と穴４
の内部にCVD法により充填材料としてのシリコン酸化物
（SiO2）５を埋め込む。このCVD法によるシリコン酸化
物５はシリコン基板１及びダイヤフラムとなる後記する
膜（窒化膜６）よりエッチング速度が大きい材料であ
り、SiO25の代わりにポリシリコンを埋めてもよい。こ
のシリコン基板１及びダイヤフラムとなる膜（窒化膜
６）よりエッチング速度が大きい材料として、他にもSi
−Ｂ−Ｏガラス等を使用してもよい。そして、このよう
に、シリコン酸化物５を埋め込んだ後に、研磨によりそ
のシリコン酸化物５の表面を平滑にする。即ち、凹部３
を含むシリコン基板１の主表面を平滑にする。
の内部にCVD法により充填材料としてのシリコン酸化物
（SiO2）５を埋め込む。このCVD法によるシリコン酸化
物５はシリコン基板１及びダイヤフラムとなる後記する
膜（窒化膜６）よりエッチング速度が大きい材料であ
り、SiO25の代わりにポリシリコンを埋めてもよい。こ
のシリコン基板１及びダイヤフラムとなる膜（窒化膜
６）よりエッチング速度が大きい材料として、他にもSi
−Ｂ−Ｏガラス等を使用してもよい。そして、このよう
に、シリコン酸化物５を埋め込んだ後に、研磨によりそ
のシリコン酸化物５の表面を平滑にする。即ち、凹部３
を含むシリコン基板１の主表面を平滑にする。
続いて、シリコン基板１の表面に200〜1000ÅのSi3N4
膜をいわゆるLPCVD法で形成するとともに、引き続き１
〜２μｍのＰ−SiN（プラズマ窒化膜）を形成して第１
図（ｄ）に示すダイヤフラムとなる膜としての窒化膜６
を形成する。このLPCVD法によるSi3N4膜により緻密なダ
イヤフラムにすることができ、圧力に対して高真空が保
たれる。このLPCVD法によるSi3N4膜は相対圧センサとし
て用いる場合はなくてもよい。
膜をいわゆるLPCVD法で形成するとともに、引き続き１
〜２μｍのＰ−SiN（プラズマ窒化膜）を形成して第１
図（ｄ）に示すダイヤフラムとなる膜としての窒化膜６
を形成する。このLPCVD法によるSi3N4膜により緻密なダ
イヤフラムにすることができ、圧力に対して高真空が保
たれる。このLPCVD法によるSi3N4膜は相対圧センサとし
て用いる場合はなくてもよい。
次に、第１図（ｅ）に示すように、前記ダイヤフラム
となる窒化膜６上の所定領域にポリシリコンを1000〜50
00Åの厚さで析出し、ボロンを拡散し、圧力変換素子と
してのＰ型のピエゾ抵抗７を形成する。この際、Ｎ型で
ピエゾ抵抗を形成してもよいことはいうまでもない。さ
らに、いわゆるビームアニール手法によりこのポリシリ
コンを再結晶化して単結晶にしてもよく、このとき、シ
リコン基板１からいわゆるシードを取りレーザ等で溶融
し再結晶化（単結晶化）すれば高性能化されたピエゾ抵
抗を形成できる。
となる窒化膜６上の所定領域にポリシリコンを1000〜50
00Åの厚さで析出し、ボロンを拡散し、圧力変換素子と
してのＰ型のピエゾ抵抗７を形成する。この際、Ｎ型で
ピエゾ抵抗を形成してもよいことはいうまでもない。さ
らに、いわゆるビームアニール手法によりこのポリシリ
コンを再結晶化して単結晶にしてもよく、このとき、シ
リコン基板１からいわゆるシードを取りレーザ等で溶融
し再結晶化（単結晶化）すれば高性能化されたピエゾ抵
抗を形成できる。
次に、第１図（ｆ）で示すように、前面にＰ−SiN膜
（プラズマ窒化膜）８を0.5〜１μｍの厚さで形成し、
電極としてA19による配線を行う。
（プラズマ窒化膜）８を0.5〜１μｍの厚さで形成し、
電極としてA19による配線を行う。
続いて、第１図（ｇ）に示すように、シリコン基板１
の裏面を研磨し、穴４内に埋め込んだシリコン酸化膜５
があらわれるようにする。引き続き、表面をワックス等
で覆い、穴４を介してHF水溶液にて凹部３及び４内のシ
リコン酸化物５をエッチング除去する。即ち、シリコン
酸化物（SiO2）５は基板１及びダイヤフラムとなる窒化
膜６よりエッチング速度が大きいので、シリコン酸化物
５のみを除去できる。尚、シリコン酸化物５の代わりに
ポリシリコンを使用した場合は、エッチング液としてKO
H水溶液を用いればよい。
の裏面を研磨し、穴４内に埋め込んだシリコン酸化膜５
があらわれるようにする。引き続き、表面をワックス等
で覆い、穴４を介してHF水溶液にて凹部３及び４内のシ
リコン酸化物５をエッチング除去する。即ち、シリコン
酸化物（SiO2）５は基板１及びダイヤフラムとなる窒化
膜６よりエッチング速度が大きいので、シリコン酸化物
５のみを除去できる。尚、シリコン酸化物５の代わりに
ポリシリコンを使用した場合は、エッチング液としてKO
H水溶液を用いればよい。
このとき、複数の穴を形成しておくとエッチング後の
エッチング液の除去、洗浄を効果的に行うことができ
る。即ち、例えば第１図（ｇ）において１つの穴４から
洗浄液を導入し、もう１つの穴４から排出することがで
きる。
エッチング液の除去、洗浄を効果的に行うことができ
る。即ち、例えば第１図（ｇ）において１つの穴４から
洗浄液を導入し、もう１つの穴４から排出することがで
きる。
このようにして、ピエゾ抵抗７が配置されたダイヤフ
ラムとなる窒化膜６の下に空間が形成されるとともに、
穴４がその空間への連通穴となる。
ラムとなる窒化膜６の下に空間が形成されるとともに、
穴４がその空間への連通穴となる。
本実施例では図示していないが、単結晶シリコン基板
１に通常のCMOSプロセス、バイポーラプロセスにより各
種デバイスを同時に形成することも可能である。
１に通常のCMOSプロセス、バイポーラプロセスにより各
種デバイスを同時に形成することも可能である。
このように本実施例によれば、従来の方法とは異な
り、基板の表面側からダイヤフラムに小孔を形成するこ
とがないので、ダイヤフラムの機械的強度を強くするこ
とができ、センサとして信頼性の高いものとすることが
できる。又、従来の方法による半導体圧力センサでは相
対圧の検出ができなかったが、本実施例の半導体圧力セ
ンサは孔４を介して相対圧を検出することができる。
又、SiO25の表面は研磨によって滑らかになっているの
で、ダイヤフラムとなる膜６の表面が平坦となり、機械
的強度が強くなる。さらに、従来の方法においては、エ
ッチング工程をウェハプロセスの途中で入れなければな
らず、KOH等のエッチング液の残留があり、ウェハプロ
セスの汚染及び製造装置の汚染を引き起こすおそれがあ
ったが、本実施例の方法ではウェハプロセスの最後の工
程にてエッチングを行っているので、エッチング液の残
留に起因するウェハプロセスの汚染及び製造装置の汚染
を制御することができる。
り、基板の表面側からダイヤフラムに小孔を形成するこ
とがないので、ダイヤフラムの機械的強度を強くするこ
とができ、センサとして信頼性の高いものとすることが
できる。又、従来の方法による半導体圧力センサでは相
対圧の検出ができなかったが、本実施例の半導体圧力セ
ンサは孔４を介して相対圧を検出することができる。
又、SiO25の表面は研磨によって滑らかになっているの
で、ダイヤフラムとなる膜６の表面が平坦となり、機械
的強度が強くなる。さらに、従来の方法においては、エ
ッチング工程をウェハプロセスの途中で入れなければな
らず、KOH等のエッチング液の残留があり、ウェハプロ
セスの汚染及び製造装置の汚染を引き起こすおそれがあ
ったが、本実施例の方法ではウェハプロセスの最後の工
程にてエッチングを行っているので、エッチング液の残
留に起因するウェハプロセスの汚染及び製造装置の汚染
を制御することができる。
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではな
く、例えば、上記実施例ではシリコン基板１に直接凹部
３を形成したが、第２図に示すように基板１上に所定領
域が開口した膜を形成することにより凹部３を形成して
もよい。即ち、例えば、熱酸化膜、析出膜（Ｐ−SiN膜
等）10の所定領域エッチングすることにより凹部３を形
成してもよい。
く、例えば、上記実施例ではシリコン基板１に直接凹部
３を形成したが、第２図に示すように基板１上に所定領
域が開口した膜を形成することにより凹部３を形成して
もよい。即ち、例えば、熱酸化膜、析出膜（Ｐ−SiN膜
等）10の所定領域エッチングすることにより凹部３を形
成してもよい。
又、上記実施例ではCVDによるシリコン酸化物５を凹
部３及び孔４内へ埋め込んだが、完全に又はある程度選
択的にエッチング除去できるものであれば、どのような
材料を用いてもよく、前述したようにポリシリコンでも
よい。
部３及び孔４内へ埋め込んだが、完全に又はある程度選
択的にエッチング除去できるものであれば、どのような
材料を用いてもよく、前述したようにポリシリコンでも
よい。
さらに、凹部３及び孔４内に埋め込む充填材料を加熱
することにより溶融又は昇華する物質を使用し、その充
填材料の除去は加熱することにより行ってもよい。この
材料としては、例えばポリ−α−メチルスチレンがあ
り、加温し蒸発させることにより穴４から除去できる。
尚、この物質を用いる場合は、同ポリ−α−メチルスチ
レンの融点が99℃であり変形しない85℃以下で工程を進
める必要があり、そのためにECRプラズマデポジション
等でダイヤフラムとなるＰ−SiN膜（プラズマ窒化膜）
及び圧力変換素子としてのピエゾ抵抗用のアモルファス
Siを形成し、上記ポリ−α−メチルスチレンを除去後熱
処理してアモルファスSiをポリシリコン（多結晶シリコ
ン）化すればよい。
することにより溶融又は昇華する物質を使用し、その充
填材料の除去は加熱することにより行ってもよい。この
材料としては、例えばポリ−α−メチルスチレンがあ
り、加温し蒸発させることにより穴４から除去できる。
尚、この物質を用いる場合は、同ポリ−α−メチルスチ
レンの融点が99℃であり変形しない85℃以下で工程を進
める必要があり、そのためにECRプラズマデポジション
等でダイヤフラムとなるＰ−SiN膜（プラズマ窒化膜）
及び圧力変換素子としてのピエゾ抵抗用のアモルファス
Siを形成し、上記ポリ−α−メチルスチレンを除去後熱
処理してアモルファスSiをポリシリコン（多結晶シリコ
ン）化すればよい。
さらに、上記実施例では穴４はシリコン基板１の途中
で形成を止め、シリコン酸化物５を埋め込んだが、穴は
基板１の裏面まで貫通してもよい。
で形成を止め、シリコン酸化物５を埋め込んだが、穴は
基板１の裏面まで貫通してもよい。
又、上記実施例では凹部３及び穴４内に埋め込んだシ
リコン酸化物５を除去する前にピエゾ抵抗７を形成した
が、シリコン酸化物５を除去した後にピエゾ抵抗７を形
成してもよい。
リコン酸化物５を除去する前にピエゾ抵抗７を形成した
が、シリコン酸化物５を除去した後にピエゾ抵抗７を形
成してもよい。
又、上記実施例では穴４は凹部３内に充填材料として
のシリコン酸化物５を埋め込む前に形成し、該穴４に充
填材料としてのシリコン酸化物５を埋め込みこの穴４を
介して凹部３内の充填材料を除去してが、前記第１図
（ｂ）に示す穴４は凹部３に充填材料を埋め込む前に作
成せずに、凹部形成後、この凹部３内に充填材料（シリ
コン酸化物５）を埋め込み、平滑化及びダイヤフラム形
成後に凹部３に連通する穴をレーザ等により形成しても
よい。
のシリコン酸化物５を埋め込む前に形成し、該穴４に充
填材料としてのシリコン酸化物５を埋め込みこの穴４を
介して凹部３内の充填材料を除去してが、前記第１図
（ｂ）に示す穴４は凹部３に充填材料を埋め込む前に作
成せずに、凹部形成後、この凹部３内に充填材料（シリ
コン酸化物５）を埋め込み、平滑化及びダイヤフラム形
成後に凹部３に連通する穴をレーザ等により形成しても
よい。
そして、この穴を介して凹部３内の充填材料（シリコ
ン酸化物５）を除去してもよい。
ン酸化物５）を除去してもよい。
さらに、穴４は基板の主表面から裏面側に延びる方向
に形成したが、他の主表面以外の面（側面）から形成し
てもよく、要はダイヤフラムを貫通させることなく凹部
３に連通されていればよい。
に形成したが、他の主表面以外の面（側面）から形成し
てもよく、要はダイヤフラムを貫通させることなく凹部
３に連通されていればよい。
次に、本発明の第２実施例を、第３図（ａ）乃至第３
図（ｅ）を用いて説明する。
図（ｅ）を用いて説明する。
まず、第３図（ａ）に示すように、単結晶シリコン基
板120上にいわゆるLOCOS法によりLOCOS酸化膜（SiO2）1
22を形成する。次に、第３図（ｂ）に示すようにポリシ
リコン124を形成した後、第３図（ｃ）に示すように、L
PCVD法により窒化膜（Si3N4）126を形成する。その後、
第３図（ｄ）に示すように、窒化膜126上の所定の領域
に圧力変換素子としてのピエゾ抵抗128を形成する。次
に、第３図（ｅ）に示すように、シリコン単結晶基板12
0の裏面からKOHによる異方性エッチングを複数の穴より
行う。これにより、圧力導入孔130が形成されると同時
に、ポリシリコン124の除去が行われる。
板120上にいわゆるLOCOS法によりLOCOS酸化膜（SiO2）1
22を形成する。次に、第３図（ｂ）に示すようにポリシ
リコン124を形成した後、第３図（ｃ）に示すように、L
PCVD法により窒化膜（Si3N4）126を形成する。その後、
第３図（ｄ）に示すように、窒化膜126上の所定の領域
に圧力変換素子としてのピエゾ抵抗128を形成する。次
に、第３図（ｅ）に示すように、シリコン単結晶基板12
0の裏面からKOHによる異方性エッチングを複数の穴より
行う。これにより、圧力導入孔130が形成されると同時
に、ポリシリコン124の除去が行われる。
本実施例によれば、圧力導入孔130とダイヤフラム形
成のためのエッチングを同時に行え（エッチング液は１
種類で済み）、更にはLOCOS酸化膜122のために、ダイヤ
フラムが滑らかであるという優れた効果を奏する。ま
た、ダイヤフラム126の厚さは、LPCVD法によるために正
確に制御できるという効果もある。
成のためのエッチングを同時に行え（エッチング液は１
種類で済み）、更にはLOCOS酸化膜122のために、ダイヤ
フラムが滑らかであるという優れた効果を奏する。ま
た、ダイヤフラム126の厚さは、LPCVD法によるために正
確に制御できるという効果もある。
以上詳述したように、本発明によれば、ダイヤフラム
の形状を正確に制御でき、また、ダイヤフラムの機械的
強度が強く信頼性の高い半導体圧力センサを製造するこ
とができるという優れた効果を奏する。
の形状を正確に制御でき、また、ダイヤフラムの機械的
強度が強く信頼性の高い半導体圧力センサを製造するこ
とができるという優れた効果を奏する。
第１図（ａ）乃至第１図（ｇ）は本発明の第１実施例の
工程を示す断面図、第２図は上記第１実施例の変形例を
示す断面図、第３図（ａ）乃至第３図（ｅ）は本発明の
第２実施例の工程を示す断面図、第４図（ａ）及び第４
図（ｂ）は従来の半導体圧力センサの製造工程を示す断
面図である。 １……単結晶シリコン基板,3……凹部,4……圧力導入
孔,5……充填材料としてのシリコン酸化物,6……ダイヤ
フラムとなる膜としての窒化膜,7……圧力変換素子とし
てのピエゾ抵抗。
工程を示す断面図、第２図は上記第１実施例の変形例を
示す断面図、第３図（ａ）乃至第３図（ｅ）は本発明の
第２実施例の工程を示す断面図、第４図（ａ）及び第４
図（ｂ）は従来の半導体圧力センサの製造工程を示す断
面図である。 １……単結晶シリコン基板,3……凹部,4……圧力導入
孔,5……充填材料としてのシリコン酸化物,6……ダイヤ
フラムとなる膜としての窒化膜,7……圧力変換素子とし
てのピエゾ抵抗。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−119583（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−117271（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−2671（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−92671（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】基板の主表面側に、該基板と異なる部材を
形成する工程と、 前記基板の主表面側にダイヤフラムとなる膜、及びこの
膜に圧力変換素子を形成する工程と、 前記基板の他主面側から前記基板と異なる部材に連通す
る複数の穴を形成し、これらの穴を介して前記基板と異
なる部材を除去することにより、ダイヤフラムを形成す
る工程と を備えることを特徴とする半導体圧力センサの製造方
法。 - 【請求項２】基板の主表面側に形成される該基板と異な
る部材は、所定のエッチング液に対して前記ダイヤフラ
ムとなる膜よりエッチング速度の大きい部材であり、該
基板と異なる部材を除去する工程は、前記所定のエッチ
ング液を用いたエッチングにて除去するものである請求
項１記載の半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項３】前記基板の主表面の少なくとも一部は酸化
されており、前記基板と異なる部材は多結晶シリコンで
あることを特徴とする請求項２記載の半導体圧力センサ
の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP63298828A JP2625994B2 (ja) | 1987-11-26 | 1988-11-25 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
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|---|---|---|---|
| JP29820887 | 1987-11-26 | ||
| JP63-184192 | 1988-07-22 | ||
| JP62-298208 | 1988-07-22 | ||
| JP18419288 | 1988-07-22 | ||
| JP63298828A JP2625994B2 (ja) | 1987-11-26 | 1988-11-25 | 半導体圧力センサの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125475A JPH02125475A (ja) | 1990-05-14 |
| JP2625994B2 true JP2625994B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=27325389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63298828A Expired - Fee Related JP2625994B2 (ja) | 1987-11-26 | 1988-11-25 | 半導体圧力センサの製造方法 |
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-
1988
- 1988-11-25 JP JP63298828A patent/JP2625994B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02125475A (ja) | 1990-05-14 |
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