JP4120036B2 - 半導体力学量センサの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、加速度、圧力、振動、角速度などの力学量を検出する半導体力学量センサの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体加速度センサにおける梁構造体あるいは半導体圧力センサにおけるダイヤフラムなどの可動部を電気化学エッチングを用いて形成するようにしたものがある(特開昭62−67880号公報、特開平6−123631号公報、特開平6−45618号公報など)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記した電気化学エッチングを用いた製造方法においては、例えばP型半導体基板の上にN型半導体層が形成されたウェハを用い、N型半導体層にエッチング用の電圧として正の電圧を印加しながらウェハを異方性エッチング液に浸漬させて、P型半導体領域のみをエッチングすることにより、可動部を形成することができる。
【0004】
しかしながら、この電気化学エッチングを用いる場合には、N型半導体層に正の電圧を印加するための配線をチップ内に形成する必要があり、その配線のための余分な領域が必要になるという問題がある。
本発明は上記問題に鑑みたもので、エッチング用の電圧を印加するために必要とされるチップ内の配線領域を小さくすることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明においては、可動電極(2c)を有する梁構造体(2)および前記可動電極(2c)に対向配置された固定電極(3、4)を有する半導体力学量センサを製造する方法であって、表面側にN型の半導体層(12)が形成されたP型の半導体基板(11)からなるウェハ(20)を用意する工程と、前記ウェハ(20)のチップ領域に前記梁構造体(2)を構成する前記半導体層(12)と電気接続される第1のパッド(5)と前記固定電極(3、4)を構成する前記半導体層(12)と電気接続される第2のパッド(6、7)とを形成するとともに、前記第1、第2のパッド(5〜7)と接続されかつ前記ウェハ(20)のスクライブライン領域に沿って配設されるエッチング用配線(21、22)を形成する工程と、前記半導体層(12)に前記梁構造体(2)を画定するパターンでかつ前記半導体基板(11)まで達する深さでトレンチ(18)を形成する工程と、この後、前記エッチング用配線(21、22)から前記第1、第2のパッド(5〜7、207〜214)を介して前記半導体層(12、222)にエッチング用の電圧を印加し、前記ウェハ(20)の表面側から電気化学エッチングを行って、前記梁構造体(2)および前記固定電極(3、4)を形成する工程と、この後、前記スクライブライン領域をカットしてチップ化し、そのとき前記スクライブライン領域に沿って形成されたエッチング用配線(21、22)が電気的に分離されるようにする工程とを有することを特徴としている。
【0006】
このように、半導体力学量センサの回路配線上必要とされるパッド(5〜7)を利用することによって、エッチング用の電圧を印加するために必要なチップ内の配線領域を小さくすることができる。
【0007】
この場合、請求項2に記載の発明のように、埋め込み絶縁膜(14)をストッパとして電気化学エッチングを行うようにすれば、埋め込み絶縁膜(14)によってエッチング領域が制限されるため、梁構造体(2)および固定電極(3、4)を精度よく形成することができる。
【0008】
また、請求項3に記載の発明においては、ウェハ(200)の表面側からの電気化学エッチングによって、ダイヤフラム部(202)を有する半導体圧力センサを製造することができる。なお、上記した括弧内の符号は、後述する実施形態記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
図1に、本発明を用いて製造された半導体加速度センサの平面構成を示し、図2に、図1中のA−A断面構成を示す。
加速度センサは、基板1をエッチング加工して形成された梁構造体2を有する構造になっている。この梁構造体2は、梁部2aと、おもり部(質量部)2bと、おもり部2bの両側に形成された複数の可動電極2cとから構成されており、図の左右方向に加速度が生じたとき、その加速度によっておもり部2bが変位するようになっている。また、それぞれの可動電極2cの一方の側には固定電極3が対向して配置され、他方の側には固定電極4が対向して配置されている。
【0010】
基板1の上にはアルミのパッド5、6、7および配線8a、8b、9、10が形成されている。パッド5は、配線8a、8bを介して梁構造体2における可動電極2cと電気的に接続されており、パッド6は、配線9を介して固定電極3と電気的に接続され、さらにパッド7は、配線10を介して固定電極4と電気的に接続されている。なお、パッド5、6、7は、図示しない回路部とワイヤボンディングによって電気的に接続されている。
【0011】
基板1は、図2に示すように、P型シリコン基板11上にN型エピタキシャル層12、酸化膜13が形成された構造になっている。また、素子分離領域を形成するために、梁構造体2における付け根部(アンカ部)および固定電極3、4を形成する箇所に埋め込み絶縁膜14が形成されており、この埋め込み絶縁膜14をストッパとした電気化学エッチングにより梁構造体2および固定電極3、4が形成されている。この梁構造体2および固定電極3、4は、埋め込み絶縁膜14によって支持(固定)されており、かつP型シリコン基板11と電気的に絶縁分離されている。
【0012】
このような構成において、おもり部2bが加速度を受けて変位すると、可動電極2cもそれに応じて変位する。可動電極2cと固定電極3、4はそれぞれ差動の容量を構成しているため、可動電極2cの変位に応じて容量が変化し、この容量変化を検出することにより加速度を検出することができる。例えば、容量変化を検出し、可動電極2cを所定の位置に保持するように可動電極2cにフィードバック電圧を印加するサーボ制御を行うようにして、加速度検出を行うことができる。
【0013】
次に、上記した加速度センサの製造方法について図3、図4に示す工程図を参照して説明する。なお、この図3、図4に示す工程図においては、図2に示すのと同じ断面で示している。
まず、図3(a)に示すように、P型シリコン基板11上にN型エピタキシャル層12を形成したウェハ20を用意する。次に、図3(b)の工程において、N型エピタキシャル層12の上に酸化膜15を形成し、素子分離領域を形成するパターンでパターニングした後、ドライエッチングしてトレンチ16を形成する。この場合、トレンチ16を、N型エピタキシャル層12を貫通しP型シリコン基板11内に達する深さで形成する。
【0014】
そして、図3(c)の工程において、トレンチ16を酸化膜(SiO2 )などの絶縁膜で埋め戻し、埋め込み絶縁膜14とする。この後、全面の酸化膜を除去し、新たに熱酸化膜13を形成する。
次に、図3(d)の工程において、電気接続をとる領域に開口部17を形成する。このとき、ウェハ20をチップ化する際に用いるスクライブライン領域上の酸化膜13は残したままにする。
【0015】
そして、図4(a)の工程において、パッド5、6、7および配線8a、8b、9、10をアルミで形成する。また、この工程において、ウェハ20のスクライブライン領域に沿って配線を形成するとともにその配線をパッド5、6、7に接続する配線をアルミで形成する。具体的には、図5に示すように、ウェハ20における各チップの周囲のスクライブライン領域に沿って配線21を形成し、またその配線21を各チップのパッド5、6、7に接続する接続配線22を形成する。また、ウェハ20の所定箇所に、配線21と接続された電極23、24を形成する。
【0016】
この後、図4(b)の工程において、梁構造体2を画定するパターンでトレンチ18を形成する。このトレンチ18も、トレンチ16と同様、N型エピタキシャル層12を貫通しP型シリコン基板11内に達する深さで形成する。
このトレンチ18を形成した後、電気化学エッチングを行う。この場合、図6に示すように、ウェハ20の裏面側(トレンチ18が形成されていない側)をセラミック基板30に接触させてワックスにて貼り付ける。そして、ウェハ20の表面に形成された電極23、24のいずれかにPt配線31を付けてワックス32で固定する。この状態で異方性エッチング液(例えばTMAH液)35中に浸し、Pt配線31とTMAH液35中のPt配線34の間に1〜20V程度の電圧を印加して、電気化学エッチングを行う。
【0017】
この場合、各チップにおけるN型エピタキシャル層12には、Pt配線31から電極23(又は24)を介し、さらに配線22、配線21、パッド5、6、7を介して正の電圧が印加されるため、N型エピタキシャル層12はエッチングされないが、P型シリコン基板11はトレンチ18から侵入したTMAH液25によってエッチングされる。このため、N型エピタキシャル層12の裏側には、図4(c)に示すように、空洞領域19が形成され、N型エピタキシャル層12によって可動部をなす梁構造体2が形成される。また、埋め込み絶縁膜14はエッチングされないため、この埋め込み絶縁膜14によって横方向のエッチング領域が制限される。
【0018】
このような電気化学エッチングを行った後、図5中の点線で示す位置にて、ウェハ20のスクライブライン領域をダイシングカットし、図1、図2に示す構造の加速度センサを得る。このとき、スクライブライン領域に形成された配線21および配線22が切断されるため、パッド5〜7は互いに電気的に分離された状態になる。
【0019】
上記した製造方法によれば、埋め込み絶縁膜14によって横方向のエッチング領域を制限するようにしている。このため、エッチング液の状態(組成、温度、濃度等)、エッチング時間などのエッチング条件が変化しても、エッチング領域を一定にすることことができる。また、空洞領域19におけるP型シリコン基板11の表面が凹凸形状になるため、その表面に可動電極2cを付着しにくくすることができる。また、埋め込み絶縁膜14によって、梁構造体2および固定電極3、4が下側のP型シリコン基板11と絶縁分離されているため、PNリーク電流が発生せず、センサ精度を良好にすることができる。
【0020】
また、電気化学エッチング時には、スクライブライン領域に沿って形成した配線21から接続配線22を介しパッド5、6、7にエッチング用の正の電圧を印加するようにしているから、パッド5、6、7を利用することによって、エッチング用の電圧を印加するのに必要とされる配線領域を極力少なくすることができる。
(第2実施形態)
図7に、本発明を用いて製造された半導体加速度スイッチの平面構成を示し、図8に、図7中のB−B断面構成を示す。
【0021】
加速度スイッチは、基板101をエッチング加工して形成された梁構造体102を有する構造になっている。この梁構造体102は、梁部102aと、おもり可動電極102bとから構成されており、おもり可動電極102bにおける図の左側の側面が接点部102cになっている。また、おもり可動電極102bの左側には固定電極103が配設されており、この固定電極103は、おもり可動電極102bの接点部102cに対向する接点部103aを有している。
【0022】
基板101の上にはアルミのパッド104、105および配線106、107が形成されている。パッド104は、配線106を介して梁構造体2におけるおもり可動電極102bと電気的に接続されており、パッド105は、配線107を介して固定電極103と電気的に接続されている。
基板101は、図7に示すように、P型シリコン基板111上にN型エピタキシャル層112が形成され、その上に酸化膜113が形成された構造になっている。また、素子分離領域を形成するために、梁構造体102における付け根部(アンカ部)および固定電極103を形成する箇所に埋め込み絶縁膜114が形成されており、この埋め込み絶縁膜114をストッパとした電気化学エッチングにより梁構造体102および固定電極103が形成されている。この梁構造体102および固定電極103は、埋め込み絶縁膜114によって支持(固定)されており、かつP型シリコン基板111と絶縁分離されている。
【0023】
上記のように構成された加速度スイッチにおいて、その動作には、パッド104、パッド105を介しておもり可動電極102b、固定電極103間に所定の電位差を与えておく。この状態において、基板1の表面に平行な方向に加速度が生じ、おもり可動電極102bが図の左方向に変位して、おもり可動電極102bの接点部102cと可動電極103の接点部103aとが接触すると、おもり可動電極102bから可動電極103に電流が流れるため、所定値以上の加速度が生じたことを検出することができる。
【0024】
この加速度スイッチは、第1実施形態で示したのと同様の製造工程を用いて製造することができる。この場合、電気化学エッチングにより梁構造体102を形成するときには、図5で示したのと同様に、スクライブライン領域に沿って形成した配線21から接続配線22を介しパッド104、105にエッチング用の正の電圧を印加して行う。
(第3実施形態)
図9に、本発明を用いて製造された半導体圧力センサの平面構成を示し、図10に、図9中のC−C断面構成を示す。
【0025】
圧力センサは、基板201に薄肉のダイヤフラム部202が形成された構造となっている。このダイヤフラム部202には、その歪みに応じて抵抗値が変化する歪ゲージ203〜206が形成されている。歪ゲージ203はパッド207、208に電気接続され、同様に、歪ゲージ204はパッド209、210に電気接続され、歪ゲージ205はパッド211、212に電気接続され、歪ゲージ206はパッド213、214に電気接続されている。なお、パッド207〜214は、図示しない回路部とワイヤボンディングによって電気的に接続されている。
【0026】
基板201は、図10に示すように、P型シリコン基板221上にN型エピタキシャル層222、酸化膜223が形成された構造になっている。この基板201の所定領域には、薄肉のダイヤフラム部202が形成されており、このダイヤフラム部202の下には空洞領域224が形成されている。このダイヤフラム部202は、N型エピタキシャル層222とその上部に形成された封止膜225で構成されており、N型エピタキシャル層222に形成されたトレンチ(後述する)を封止膜225で封止することにより、ダイヤフラム部202の下部に形成された空洞領域224を基準圧力室としている。
【0027】
このような構成とすることにより、ダイヤフラム部202にかかる圧力が変化すると、ダイヤフラム部202が変位し、歪ゲージ203〜206の抵抗値が変化する。そして、その抵抗値変化により圧力を検出することができる。
次に、上記した圧力センサの製造方法について図11に示す工程図を参照して説明する。なお、この図11に示す工程図においては、図10に示すのと同じ断面で示している。
【0028】
まず、図11(a)に示すように、P型シリコン基板221上にN型エピタキシャル層222を形成したウェハ200を用意する。次に、図11(b)の工程において、N型エピタキシャル層222の上に酸化膜223を形成し、ダイヤフラム部202となる領域にP型拡散層により歪ゲージ203〜206を形成し、これらの歪ゲージ203〜206に対して電気接続をとる領域およびダイヤフラム部202の電位固定をとる領域に開口部226を形成する。また、このとき、ウェハ200をチップ化する際に用いるスクライブライン領域上の酸化膜は残したままにする。
【0029】
そして、図11(c)の工程において、パッド207〜214をアルミで形成する。また、この工程において、図5で示したのと同様に、ウェハ200における各チップの周囲のスクライブライン領域に沿って配線21を形成し、またその配線21と各チップのパッド207〜214のぞれぞれに接続する配線22を形成する。また、ウェハ200の所定箇所に、配線21と接続された電極23、24を形成する。
【0030】
この後、図11(d)の工程において、ダイヤフラム部202となる領域において、図9に示す四角形状のパターンでトレンチ227を複数形成する。この場合、トレンチ227を、N型エピタキシャル層222を貫通しP型シリコン基板221内に達する深さで形成する。このトレンチ227を形成した後、電気化学エッチングを図6で示したのと同様の方法で行う。その結果、図11(e)に示すように、空洞領域224が形成される。そして、減圧下で封止膜225を全面に堆積させる。このことにより、ダイヤフラム部202が構成され、空洞領域224が基準圧力室になる。なお、封止膜225としては、SiN膜、SiO2 膜、TEOS膜又はこれらの複合膜等を用いることができる。
【0031】
この後、ウェハ200をダイシングカットして図8、図9に示す構造の圧力センサを得る。このとき、スクライブライン領域に形成された配線21および配線22が切断されるため、パッド207〜214は互いに電気的に分離された状態になる。
なお、上記した種々の実施形態において、P型シリコン基板の上にエピタキシャル層を形成したウェハを用いるものを示したが、P型シリコン基板の表面にN層を拡散させたウェハを用いてもよい。また、電気化学エッチングに用いるエッチング液としては、TMAH液以外にKOH液、HF液を用いてもよい。但し、この場合には、アルミがエッチングされるため、パッドおよび配線に対する保護膜が必要となる。
【0032】
また、パッド5〜7(又は207〜214)と接続される配線22に、チップ内でダイオードを接続するようにしておき、センサ実動作時に配線22からセンサ端部にリーク電流が流れるのを防止するようにしてもよい。例えば、第1実施形態の加速度センサの場合を例にとると、図12に示すように、パッド5〜7に接続される配線22において、チップ内でダイオード25〜27を接続するようにする。
【0033】
また、本発明は上記した加速度センサ、加速度スイッチ、圧力センサ以外に、角速度センサにも同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を用いて製造された半導体加速度センサの平面構成を示す図である。
【図2】図1中のA−A断面構成を示す図である。
【図3】図1、図2に示す半導体加速度センサの製造方法を示す工程図である。
【図4】図3に続く製造工程を示す工程図である。
【図5】配線、パッドをウェハに形成した状態を示す図である。
【図6】電気化学エッチングを行う工程を示す図である。
【図7】本発明を用いて製造された半導体加速度スイッチの平面構成を示す図である。
【図8】図7中のB−B断面構成を示す図である。
【図9】本発明を用いて製造された半導体圧力センサの平面構成を示す図である。
【図10】図9中のC−C断面構成を示す図である。
【図11】図9、図10に示す半導体圧力センサの製造方法を示す工程図である。
【図12】本発明の他の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
2…梁構造体、2a…梁部、2b…おもり部、2c…可動電極、
3、4…固定電極、11…P型シリコン基板、12…N型エピタキシャル層、
14…埋め込み絶縁膜、20…ウェハ、102…梁構造体、102a…梁部、
102b…おもり可動電極、111…P型シリコン基板、
112…N型エピタキシャル層、114…埋め込み絶縁膜、200…ウェハ、
202…ダイヤフラム部、203〜206…歪ゲージ、
221…P型シリコン基板、222…N型エピタキシャル層。
Claims (3)
- 可動電極(2c)を有する梁構造体(2)および前記可動電極(2c)に対向配置された固定電極(3、4)を有する半導体力学量センサを製造する方法であって、
表面側にN型の半導体層(12)が形成されたP型の半導体基板(11)からなるウェハ(20)を用意する工程と、
前記ウェハ(20)のチップ領域に前記梁構造体(2)を構成する前記半導体層(12)と電気接続される第1のパッド(5)と前記固定電極(3、4)を構成する前記半導体層(12)と電気接続される第2のパッド(6、7)とを形成するとともに、前記第1、第2のパッド(5〜7)と接続されかつ前記ウェハ(20)のスクライブライン領域に沿って配設されるエッチング用配線(21、22)を形成する工程と、
前記半導体層(12)に前記梁構造体(2)を画定するパターンでかつ前記半導体基板(11)まで達する深さでトレンチ(18)を形成する工程と、
この後、前記エッチング用配線(21、22)から前記第1、第2のパッド(5〜7、207〜214)を介して前記半導体層(12、222)にエッチング用の電圧を印加し、前記ウェハ(20)の表面側から電気化学エッチングを行って、前記梁構造体(2)および前記固定電極(3、4)を形成する工程と、
この後、前記スクライブライン領域をカットしてチップ化し、そのとき前記スクライブライン領域に沿って形成されたエッチング用配線(21、22)が電気的に分離されるようにする工程とを有することを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。 - 前記半導体層(12)を貫通し前記半導体基板(11)内に達するように埋め込み絶縁膜(14)を形成する工程を有し、
前記埋め込み絶縁膜(14)をストッパとして前記電気化学エッチングを行うことにより、前記梁構造体(2)および前記固定電極(3、4)を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体力学量センサの製造方法。 - 表面側にN型の半導体層(222)が形成されたP型の半導体基板(221)からなるウェハ(200)を用意する工程と、
前記ウェハ(200)のチップ領域に前記半導体層(222)と電気接続されるパッド(207〜214)を形成するとともに、このパッド(207〜214)と接続されかつ前記ウェハ(200)のスクライブライン領域に沿って配設されるエッチング用配線(21、22)を形成する工程と、
ダイヤフラム部(202)となる領域において、前記半導体層(222)に前記半導体基板(221)まで達する深さでトレンチ(227)を形成する工程と、
前記エッチング用配線(21、22)から前記パッド(5〜7、207〜214)を介して前記半導体層(222)にエッチング用の電圧を印加して前記ウェハ(200)の表面側から電気化学エッチングを行い、この後、前記トレンチ(227)を封止膜(225)で封止して、前記ダイヤフラム部(202)を形成する工程と、
この後、前記スクライブライン領域をカットしてチップ化し、そのとき前記スクライブライン領域に沿って形成されたエッチング用配線(21、22)が電気的に分離されるようにする工程とを有することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
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