JPH11220139A - 半導体力学量センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気化学エッチングを用いて半導体力学量セ
ンサを製造する場合に、エッチング用の電圧を印加する
ために必要とされるチップ内の配線領域を小さくする。 【解決手段】 ウェハ２０のチップ領域にパッド５〜７
を形成するとともに、パッド５〜７と接続されかつウェ
ハ２０のスクライブライン領域に沿って配設されるエッ
チング用配線２１、２２を形成し、エッチング用配線２
１、２２からパッド５〜７を介してエッチング用の電圧
を印加しつつ、電気化学エッチングを行って、半導体力
学量センサの可動部、例えば加速度センサの梁構造体を
形成し、この後、スクライブライン領域をカットしてチ
ップ化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、加速度、圧力、振
動、角速度などの力学量を検出する半導体力学量センサ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体加速度センサにおける梁構
造体あるいは半導体圧力センサにおけるダイヤフラムな
どの可動部を電気化学エッチングを用いて形成するよう
にしたものがある（特開昭６２−６７８８０号公報、特
開平６−１２３６３１号公報、特開平６−４５６１８号
公報など）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記した電気化学エッ
チングを用いた製造方法においては、例えばＰ型半導体
基板の上にＮ型半導体層が形成されたウェハを用い、Ｎ
型半導体層にエッチング用の電圧として正の電圧を印加
しながらウェハを異方性エッチング液に浸漬させて、Ｐ
型半導体領域のみをエッチングすることにより、可動部
を形成することができる。

【０００４】しかしながら、この電気化学エッチングを
用いる場合には、Ｎ型半導体層に正の電圧を印加するた
めの配線をチップ内に形成する必要があり、その配線の
ための余分な領域が必要になるという問題がある。本発
明は上記問題に鑑みたもので、エッチング用の電圧を印
加するために必要とされるチップ内の配線領域を小さく
することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、ウェハ（２０、
２００）のチップ領域に形成されるパッド（５〜７、２
０７〜２１４）と接続され、かつ前記ウェハ（２０、２
００）のスクライブライン領域に沿って配設されるエッ
チング用配線（２１、２２）を形成し、エッチング用配
線（２１、２２）からパッド（５〜７、２０７〜２１
４）を介して半導体層（１２、２２２）にエッチング用
の電圧を印加し、半導体基板（１１、２２１）を電気化
学エッチングして、可動部（２、２０２）を形成し、こ
の後、スクライブライン領域をカットしてチップ化する
ようにしたことを特徴としている。

【０００６】このように、センサの回路配線上必要とさ
れるパッド（５〜７、２０７〜２１４）を利用すること
によって、エッチング用の電圧を印加するために必要な
チップ内の配線領域を小さくすることができる。請求項
２に記載の発明においては、請求項１に記載の発明に対
し、ウェハ（２０）の表面側からの電気化学エッチング
によって、梁構造体（２）および固定電極（３、４）を
有する半導体力学量センサを製造することができる。

【０００７】この場合、請求項３に記載の発明のよう
に、梁構造体（２）用の第１のパッド（５）と固定電極
（３、４）用の第２のパッド（６、７）のそれぞれにエ
ッチング用の電圧を印加することによって、請求項２に
記載の半導体力学量センサを適切に製造することができ
る。また、請求項４に記載の発明のように、埋め込み絶
縁膜（１４）をストッパとして電気化学エッチングを行
うようにすれば、埋め込み絶縁膜（１４）によってエッ
チング領域が制限されるため、梁構造体（２）および固
定電極（３、４）を精度よく形成することができる。

【０００８】また、請求項５に記載の発明においては、
請求項１に記載の発明に対し、ウェハ（２００）の表面
側からの電気化学エッチングによって、ダイヤフラム部
（２０２）を有する半導体圧力センサを製造することが
できる。なお、上記した括弧内の符号は、後述する実施
形態記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１に、本発明
を用いて製造された半導体加速度センサの平面構成を示
し、図２に、図１中のＡ−Ａ断面構成を示す。加速度セ
ンサは、基板１をエッチング加工して形成された梁構造
体２を有する構造になっている。この梁構造体２は、梁
部２ａと、おもり部（質量部）２ｂと、おもり部２ｂの
両側に形成された複数の可動電極２ｃとから構成されて
おり、図の左右方向に加速度が生じたとき、その加速度
によっておもり部２ｂが変位するようになっている。ま
た、それぞれの可動電極２ｃの一方の側には固定電極３
が対向して配置され、他方の側には固定電極４が対向し
て配置されている。

【００１０】基板１の上にはアルミのパッド５、６、７
および配線８ａ、８ｂ、９、１０が形成されている。パ
ッド５は、配線８ａ、８ｂを介して梁構造体２における
可動電極２ｃと電気的に接続されており、パッド６は、
配線９を介して固定電極３と電気的に接続され、さらに
パッド７は、配線１０を介して固定電極４と電気的に接
続されている。なお、パッド５、６、７は、図示しない
回路部とワイヤボンディングによって電気的に接続され
ている。

【００１１】基板１は、図２に示すように、Ｐ型シリコ
ン基板１１上にＮ型エピタキシャル層１２、酸化膜１３
が形成された構造になっている。また、素子分離領域を
形成するために、梁構造体２における付け根部（アンカ
部）および固定電極３、４を形成する箇所に埋め込み絶
縁膜１４が形成されており、この埋め込み絶縁膜１４を
ストッパとした電気化学エッチングにより梁構造体２お
よび固定電極３、４が形成されている。この梁構造体２
および固定電極３、４は、埋め込み絶縁膜１４によって
支持（固定）されており、かつＰ型シリコン基板１１と
電気的に絶縁分離されている。

【００１２】このような構成において、おもり部２ｂが
加速度を受けて変位すると、可動電極２ｃもそれに応じ
て変位する。可動電極２ｃと固定電極３、４はそれぞれ
差動の容量を構成しているため、可動電極２ｃの変位に
応じて容量が変化し、この容量変化を検出することによ
り加速度を検出することができる。例えば、容量変化を
検出し、可動電極２ｃを所定の位置に保持するように可
動電極２ｃにフィードバック電圧を印加するサーボ制御
を行うようにして、加速度検出を行うことができる。

【００１３】次に、上記した加速度センサの製造方法に
ついて図３、図４に示す工程図を参照して説明する。な
お、この図３、図４に示す工程図においては、図２に示
すのと同じ断面で示している。まず、図３（ａ）に示す
ように、Ｐ型シリコン基板１１上にＮ型エピタキシャル
層１２を形成したウェハ２０を用意する。次に、図３
（ｂ）の工程において、Ｎ型エピタキシャル層１２の上
に酸化膜１５を形成し、素子分離領域を形成するパター
ンでパターニングした後、ドライエッチングしてトレン
チ１６を形成する。この場合、トレンチ１６を、Ｎ型エ
ピタキシャル層１２を貫通しＰ型シリコン基板１１内に
達する深さで形成する。

【００１４】そして、図３（ｃ）の工程において、トレ
ンチ１６を酸化膜（ＳｉＯ₂ ）などの絶縁膜で埋め戻
し、埋め込み絶縁膜１４とする。この後、全面の酸化膜
を除去し、新たに熱酸化膜１３を形成する。次に、図３
（ｄ）の工程において、電気接続をとる領域に開口部１
７を形成する。このとき、ウェハ２０をチップ化する際
に用いるスクライブライン領域上の酸化膜１３は残した
ままにする。

【００１５】そして、図４（ａ）の工程において、パッ
ド５、６、７および配線８ａ、８ｂ、９、１０をアルミ
で形成する。また、この工程において、ウェハ２０のス
クライブライン領域に沿って配線を形成するとともにそ
の配線をパッド５、６、７に接続する配線をアルミで形
成する。具体的には、図５に示すように、ウェハ２０に
おける各チップの周囲のスクライブライン領域に沿って
配線２１を形成し、またその配線２１を各チップのパッ
ド５、６、７に接続する接続配線２２を形成する。ま
た、ウェハ２０の所定箇所に、配線２１と接続された電
極２３、２４を形成する。

【００１６】この後、図４（ｂ）の工程において、梁構
造体２を画定するパターンでトレンチ１８を形成する。
このトレンチ１８も、トレンチ１６と同様、Ｎ型エピタ
キシャル層１２を貫通しＰ型シリコン基板１１内に達す
る深さで形成する。このトレンチ１８を形成した後、電
気化学エッチングを行う。この場合、図６に示すよう
に、ウェハ２０の裏面側（トレンチ１８が形成されてい
ない側）をセラミック基板３０に接触させてワックスに
て貼り付ける。そして、ウェハ２０の表面に形成された
電極２３、２４のいずれかにＰｔ配線３１を付けてワッ
クス３２で固定する。この状態で異方性エッチング液
（例えばＴＭＡＨ液）３５中に浸し、Ｐｔ配線３１とＴ
ＭＡＨ液３５中のＰｔ配線３４の間に１〜２０Ｖ程度の
電圧を印加して、電気化学エッチングを行う。

【００１７】この場合、各チップにおけるＮ型エピタキ
シャル層１２には、Ｐｔ配線３１から電極２３（又は２
４）を介し、さらに配線２２、配線２１、パッド５、
６、７を介して正の電圧が印加されるため、Ｎ型エピタ
キシャル層１２はエッチングされないが、Ｐ型シリコン
基板１１はトレンチ１８から侵入したＴＭＡＨ液２５に
よってエッチングされる。このため、Ｎ型エピタキシャ
ル層１２の裏側には、図４（ｃ）に示すように、空洞領
域１９が形成され、Ｎ型エピタキシャル層１２によって
可動部をなす梁構造体２が形成される。また、埋め込み
絶縁膜１４はエッチングされないため、この埋め込み絶
縁膜１４によって横方向のエッチング領域が制限され
る。

【００１８】このような電気化学エッチングを行った
後、図５中の点線で示す位置にて、ウェハ２０のスクラ
イブライン領域をダイシングカットし、図１、図２に示
す構造の加速度センサを得る。このとき、スクライブラ
イン領域に形成された配線２１および配線２２が切断さ
れるため、パッド５〜７は互いに電気的に分離された状
態になる。

【００１９】上記した製造方法によれば、埋め込み絶縁
膜１４によって横方向のエッチング領域を制限するよう
にしている。このため、エッチング液の状態（組成、温
度、濃度等）、エッチング時間などのエッチング条件が
変化しても、エッチング領域を一定にすることことがで
きる。また、空洞領域１９におけるＰ型シリコン基板１
１の表面が凹凸形状になるため、その表面に可動電極２
ｃを付着しにくくすることができる。また、埋め込み絶
縁膜１４によって、梁構造体２および固定電極３、４が
下側のＰ型シリコン基板１１と絶縁分離されているた
め、ＰＮリーク電流が発生せず、センサ精度を良好にす
ることができる。

【００２０】また、電気化学エッチング時には、スクラ
イブライン領域に沿って形成した配線２１から接続配線
２２を介しパッド５、６、７にエッチング用の正の電圧
を印加するようにしているから、パッド５、６、７を利
用することによって、エッチング用の電圧を印加するの
に必要とされる配線領域を極力少なくすることができ
る。 （第２実施形態）図７に、本発明を用いて製造された半
導体加速度スイッチの平面構成を示し、図８に、図７中
のＢ−Ｂ断面構成を示す。

【００２１】加速度スイッチは、基板１０１をエッチン
グ加工して形成された梁構造体１０２を有する構造にな
っている。この梁構造体１０２は、梁部１０２ａと、お
もり可動電極１０２ｂとから構成されており、おもり可
動電極１０２ｂにおける図の左側の側面が接点部１０２
ｃになっている。また、おもり可動電極１０２ｂの左側
には固定電極１０３が配設されており、この固定電極１
０３は、おもり可動電極１０２ｂの接点部１０２ｃに対
向する接点部１０３ａを有している。

【００２２】基板１０１の上にはアルミのパッド１０
４、１０５および配線１０６、１０７が形成されてい
る。パッド１０４は、配線１０６を介して梁構造体２に
おけるおもり可動電極１０２ｂと電気的に接続されてお
り、パッド１０５は、配線１０７を介して固定電極１０
３と電気的に接続されている。基板１０１は、図７に示
すように、Ｐ型シリコン基板１１１上にＮ型エピタキシ
ャル層１１２が形成され、その上に酸化膜１１３が形成
された構造になっている。また、素子分離領域を形成す
るために、梁構造体１０２における付け根部（アンカ
部）および固定電極１０３を形成する箇所に埋め込み絶
縁膜１１４が形成されており、この埋め込み絶縁膜１１
４をストッパとした電気化学エッチングにより梁構造体
１０２および固定電極１０３が形成されている。この梁
構造体１０２および固定電極１０３は、埋め込み絶縁膜
１１４によって支持（固定）されており、かつＰ型シリ
コン基板１１１と絶縁分離されている。

【００２３】上記のように構成された加速度スイッチに
おいて、その動作には、パッド１０４、パッド１０５を
介しておもり可動電極１０２ｂ、固定電極１０３間に所
定の電位差を与えておく。この状態において、基板１の
表面に平行な方向に加速度が生じ、おもり可動電極１０
２ｂが図の左方向に変位して、おもり可動電極１０２ｂ
の接点部１０２ｃと可動電極１０３の接点部１０３ａと
が接触すると、おもり可動電極１０２ｂから可動電極１
０３に電流が流れるため、所定値以上の加速度が生じた
ことを検出することができる。

【００２４】この加速度スイッチは、第１実施形態で示
したのと同様の製造工程を用いて製造することができ
る。この場合、電気化学エッチングにより梁構造体１０
２を形成するときには、図５で示したのと同様に、スク
ライブライン領域に沿って形成した配線２１から接続配
線２２を介しパッド１０４、１０５にエッチング用の正
の電圧を印加して行う。 （第３実施形態）図９に、本発明を用いて製造された半
導体圧力センサの平面構成を示し、図１０に、図９中の
Ｃ−Ｃ断面構成を示す。

【００２５】圧力センサは、基板２０１に薄肉のダイヤ
フラム部２０２が形成された構造となっている。このダ
イヤフラム部２０２には、その歪みに応じて抵抗値が変
化する歪ゲージ２０３〜２０６が形成されている。歪ゲ
ージ２０３はパッド２０７、２０８に電気接続され、同
様に、歪ゲージ２０４はパッド２０９、２１０に電気接
続され、歪ゲージ２０５はパッド２１１、２１２に電気
接続され、歪ゲージ２０６はパッド２１３、２１４に電
気接続されている。なお、パッド２０７〜２１４は、図
示しない回路部とワイヤボンディングによって電気的に
接続されている。

【００２６】基板２０１は、図１０に示すように、Ｐ型
シリコン基板２２１上にＮ型エピタキシャル層２２２、
酸化膜２２３が形成された構造になっている。この基板
２０１の所定領域には、薄肉のダイヤフラム部２０２が
形成されており、このダイヤフラム部２０２の下には空
洞領域２２４が形成されている。このダイヤフラム部２
０２は、Ｎ型エピタキシャル層２２２とその上部に形成
された封止膜２２５で構成されており、Ｎ型エピタキシ
ャル層２２２に形成されたトレンチ（後述する）を封止
膜２２５で封止することにより、ダイヤフラム部２０２
の下部に形成された空洞領域２２４を基準圧力室として
いる。

【００２７】このような構成とすることにより、ダイヤ
フラム部２０２にかかる圧力が変化すると、ダイヤフラ
ム部２０２が変位し、歪ゲージ２０３〜２０６の抵抗値
が変化する。そして、その抵抗値変化により圧力を検出
することができる。次に、上記した圧力センサの製造方
法について図１１に示す工程図を参照して説明する。な
お、この図１１に示す工程図においては、図１０に示す
のと同じ断面で示している。

【００２８】まず、図１１（ａ）に示すように、Ｐ型シ
リコン基板２２１上にＮ型エピタキシャル層２２２を形
成したウェハ２００を用意する。次に、図１１（ｂ）の
工程において、Ｎ型エピタキシャル層２２２の上に酸化
膜２２３を形成し、ダイヤフラム部２０２となる領域に
Ｐ型拡散層により歪ゲージ２０３〜２０６を形成し、こ
れらの歪ゲージ２０３〜２０６に対して電気接続をとる
領域およびダイヤフラム部２０２の電位固定をとる領域
に開口部２２６を形成する。また、このとき、ウェハ２
００をチップ化する際に用いるスクライブライン領域上
の酸化膜は残したままにする。

【００２９】そして、図１１（ｃ）の工程において、パ
ッド２０７〜２１４をアルミで形成する。また、この工
程において、図５で示したのと同様に、ウェハ２００に
おける各チップの周囲のスクライブライン領域に沿って
配線２１を形成し、またその配線２１と各チップのパッ
ド２０７〜２１４のぞれぞれに接続する配線２２を形成
する。また、ウェハ２００の所定箇所に、配線２１と接
続された電極２３、２４を形成する。

【００３０】この後、図１１（ｄ）の工程において、ダ
イヤフラム部２０２となる領域において、図９に示す四
角形状のパターンでトレンチ２２７を複数形成する。こ
の場合、トレンチ２２７を、Ｎ型エピタキシャル層２２
２を貫通しＰ型シリコン基板２２１内に達する深さで形
成する。このトレンチ２２７を形成した後、電気化学エ
ッチングを図６で示したのと同様の方法で行う。その結
果、図１１（ｅ）に示すように、空洞領域２２４が形成
される。そして、減圧下で封止膜２２５を全面に堆積さ
せる。このことにより、ダイヤフラム部２０２が構成さ
れ、空洞領域２２４が基準圧力室になる。なお、封止膜
２２５としては、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ₂ 膜、ＴＥＯＳ膜又
はこれらの複合膜等を用いることができる。

【００３１】この後、ウェハ２００をダイシングカット
して図８、図９に示す構造の圧力センサを得る。このと
き、スクライブライン領域に形成された配線２１および
配線２２が切断されるため、パッド２０７〜２１４は互
いに電気的に分離された状態になる。なお、上記した種
々の実施形態において、Ｐ型シリコン基板の上にエピタ
キシャル層を形成したウェハを用いるものを示したが、
Ｐ型シリコン基板の表面にＮ層を拡散させたウェハを用
いてもよい。また、電気化学エッチングに用いるエッチ
ング液としては、ＴＭＡＨ液以外にＫＯＨ液、ＨＦ液を
用いてもよい。但し、この場合には、アルミがエッチン
グされるため、パッドおよび配線に対する保護膜が必要
となる。

【００３２】また、パッド５〜７（又は２０７〜２１
４）と接続される配線２２に、チップ内でダイオードを
接続するようにしておき、センサ実動作時に配線２２か
らセンサ端部にリーク電流が流れるのを防止するように
してもよい。例えば、第１実施形態の加速度センサの場
合を例にとると、図１２に示すように、パッド５〜７に
接続される配線２２において、チップ内でダイオード２
５〜２７を接続するようにする。

【００３３】また、本発明は上記した加速度センサ、加
速度スイッチ、圧力センサ以外に、角速度センサにも同
様に適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を用いて製造された半導体加速度センサ
の平面構成を示す図である。

【図２】図１中のＡ−Ａ断面構成を示す図である。

【図３】図１、図２に示す半導体加速度センサの製造方
法を示す工程図である。

【図４】図３に続く製造工程を示す工程図である。

【図５】配線、パッドをウェハに形成した状態を示す図
である。

【図６】電気化学エッチングを行う工程を示す図であ
る。

【図７】本発明を用いて製造された半導体加速度スイッ
チの平面構成を示す図である。

【図８】図７中のＢ−Ｂ断面構成を示す図である。

【図９】本発明を用いて製造された半導体圧力センサの
平面構成を示す図である。

【図１０】図９中のＣ−Ｃ断面構成を示す図である。

【図１１】図９、図１０に示す半導体圧力センサの製造
方法を示す工程図である。

【図１２】本発明の他の実施形態を示す図である。

【符号の説明】

２…梁構造体、２ａ…梁部、２ｂ…おもり部、２ｃ…可
動電極、３、４…固定電極、１１…Ｐ型シリコン基板、
１２…Ｎ型エピタキシャル層、１４…埋め込み絶縁膜、
２０…ウェハ、１０２…梁構造体、１０２ａ…梁部、１
０２ｂ…おもり可動電極、１１１…Ｐ型シリコン基板、
１１２…Ｎ型エピタキシャル層、１１４…埋め込み絶縁
膜、２００…ウェハ、２０２…ダイヤフラム部、２０３
〜２０６…歪ゲージ、２２１…Ｐ型シリコン基板、２２
２…Ｎ型エピタキシャル層。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｐ型の半導体基板（１１、２２１）上に
   Ｎ型の半導体層（１２、２２２）を有するウェハ（２
   ０、２００）を用意する工程と、 前記ウェハ（２０、２００）のチップ領域に前記半導体
   層（１２、２２２）と電気接続されるパッド（５〜７、
   ２０７〜２１４）を形成するとともに、このパッド（５
   〜７、２０７〜２１４）と接続されかつ前記ウェハ（２
   ０、２００）のスクライブライン領域に沿って配設され
   るエッチング用配線（２１、２２）を形成する工程と、 前記エッチング用配線（２１、２２）から前記パッド
   （５〜７、２０７〜２１４）を介して前記半導体層（１
   ２、２２２）にエッチング用の電圧を印加し、前記半導
   体基板（１１、２２１）を電気化学エッチングして、可
   動部（２、２０２）を形成する工程と、 この後、前記スクライブライン領域をカットしてチップ
   化する工程とを有することを特徴とする半導体力学量セ
   ンサの製造方法。
2. 【請求項２】 可動電極（２ｃ）を有する梁構造体
   （２）および前記可動電極（２ｃ）に対向配置された固
   定電極（３、４）を有する半導体力学量センサを製造す
   る方法であって、 表面側にＮ型の半導体層（１２）が形成されたＰ型の半
   導体基板（１１）からなるウェハ（２０）を用意する工
   程と、 前記ウェハ（２０）のチップ領域に前記半導体層（１
   ２）と電気接続されるパッド（５〜７）を形成するとと
   もに、このパッド（５〜７）と接続されかつ前記ウェハ
   （２０）のスクライブライン領域に沿って配設されるエ
   ッチング用配線（２１、２２）を形成する工程と、 前記半導体層（１２）に前記梁構造体（２）を画定する
   パターンでトレンチ（１８）を形成する工程と、 この後、 前記エッチング用配線（２１、２２）から前
   記パッド（５〜７、２０７〜２１４）を介して前記半導
   体層（１２、２２２）にエッチング用の電圧を印加し、
   前記ウェハ（２０）の表面側から電気化学エッチングを
   行って、前記梁構造体（２）および前記固定電極（３、
   ４）を形成する工程と、 この後、前記スクライブライン領域をカットしてチップ
   化する工程とを有することを特徴とする半導体力学量セ
   ンサの製造方法。
3. 【請求項３】 前記パッド（５〜７）として、前記梁構
   造体（２）を構成する前記半導体層（１２）と電気接続
   される第１のパッド（５）と前記固定電極（３、４）を
   構成する前記半導体層（１２）と電気接続される第２の
   パッド（６、７）とを形成し、 前記エッチング用配線（２１、２２）を前記第１、第２
   のパッド（５〜７）のそれぞれに接続して形成すること
   を特徴とする請求項２に記載の半導体力学量センサの製
   造方法。
4. 【請求項４】 前記半導体層（１２）を貫通し前記半導
   体基板（１１）内に達するように埋め込み絶縁膜（１
   ４）を形成する工程を有し、 前記埋め込み絶縁膜（１４）をストッパとして前記電気
   化学エッチングを行うことにより、前記梁構造体（２）
   および前記固定電極（３、４）を形成することを特徴と
   する請求項２又は３に記載の半導体力学量センサの製造
   方法。
5. 【請求項５】 表面側にＮ型の半導体層（２２２）が形
   成されたＰ型の半導体基板（２２１）からなるウェハ
   （２００）を用意する工程と、 前記ウェハ（２００）のチップ領域に前記半導体層（２
   ２２）と電気接続されるパッド（２０７〜２１４）を形
   成するとともに、このパッド（２０７〜２１４）と接続
   されかつ前記ウェハ（２００）のスクライブライン領域
   に沿って配設されるエッチング用配線（２１、２２）を
   形成する工程と、 ダイヤフラム部（２０２）となる領域において、前記半
   導体層（２２２）にトレンチ（２２７）を形成する工程
   と、 前記エッチング用配線（２１、２２）から前記パッド
   （５〜７、２０７〜２１４）を介して前記半導体層（２
   ２２）にエッチング用の電圧を印加して前記ウェハ（２
   ００）の表面側から電気化学エッチングを行い、この
   後、前記トレンチ（２２７）を封止膜（２２５）で封止
   して、前記ダイヤフラム部（２０２）を形成する工程
   と、 この後、前記スクライブライン領域をカットしてチップ
   化する工程とを有することを特徴とする半導体圧力セン
   サの製造方法。