JP5444648B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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誘電体分離基板となる貼り合わせウェハ123(SOI(Silicon On Insulator)ウェハ)の第2半導体基板となる貼り合わされたウェハ3にpウェル領域4を形成し、pウェル領域4と離してnバッファ領域7を形成する。pウェル領域4の表面層にn+エミッタ領域6を形成し、さらにp+コンタクト領域5を形成し、nバッファ領域7の表面層にp+コレクタ領域8を形成する。
但し、横型IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)のn+エミッタ領域6と横型ダイオードが隣接する領域では、横型IGBTのp+コンタクト領域5が横型ダイオードのp+アノード領域12を兼ねている。
図14は、第2の従来例の半導体装置の製造方法であり、同図(a)〜同図(e)は工程順に示した要部製造工程断面図である。第2の従来例は特許文献2に開示されている。尚、図中の番号は図13との重複を避けるために特許文献2に記載された図面に付与された番号をつぎのように変更した。1は51、2は52、3は53、4は54、5は55、6は56に変更した。
図15は、第3の従来例の半導体装置の製造方法であり、同図(a)〜同図(d)は工程順に示した要部製造工程断面図である。第3の従来例は特許文献3に開示されている。尚、図中の番号は図13との重複を避けるために特許文献3に記載された図面に付与された番号をつぎのように変更した。1は61、2は62、10は70、11は71、12は72に変更した。
特にPDP(Plasma Display Panel)スキャンドライバICの場合、ウェハ3上へのIC製造プロセスコストの3〜4割に当たるコストが貼り合わせウェハ123の作製にかかっており、コストダウンの妨げとなっていた。
通常、このような薄ウェハ化する場合、研磨前に金属性リングにテープでウェハを貼り付け、研磨処理を行う。そのため、研磨後にイオン注入、拡散、アニ−ル、デポジションおよびエッチングなどの半導体プロセスを施すことができない。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、トレンチに絶縁層を充填した絶縁分離領域を有するウェハにおいて、リブ構造を形成して薄ウェハ化し、ウェハの反りを抑制し、製造工程プロセスでの割れ、欠けを防止できる半導体装置の製造方法を提供することである。
前記個々の半導体チップにする工程では、前記半導体チップ形成領域と前記非研磨領域もしくは非エッチング領域とを分離する製造方法とする。
研磨もしくはエッチングする工程と前記個々の半導体チップにする工程との間に、前記非研磨領域もしくは前記非エッチング領域を前記研磨面もしくは前記エッチング面まで研削する工程を含む製造方法とする。
研磨もしくはエッチングする工程と前記個々の半導体チップにする工程との間に、前記研磨面もしくは前記エッチング面に絶縁膜を形成する工程と、前記非研磨領域もしくは前記非エッチング領域を前記絶縁膜の表面高さまで研削する工程を含む製造方法とする。
また、前記半導体ウェハの第2主面側を研磨する工程の後に前記半導体ウェハの第2主面側に裏面拡散層を形成するとよい。
また、前記半導体ウェハの第2主面側を研磨する工程の後に前記半導体ウェハの第2主面側に絶縁層を形成するとよい。
また、前記絶縁分離領域が、酸化膜、ポリイミド、酸化膜と該酸化膜を介したポリシリコン膜もしくは酸化膜と該酸化膜を介したポリイミド膜のいずれかで形成されるとよい。
また、前記裏面拡散層が、イオン注入とイオン注入により導入された不純物を電気的に活性化するためのレーザーアニールで形成するとよい。
また、リブ構造とすることで、例えばCZウェハを用いて、チップ形成領域をSOIウェハの第2半導体基板並みに薄くできるため、従来のSOIプロセスに比べて低コストのプロセスでSOIウェハと同じように絶縁分離領域を有する半導体装置が作製できる。
半導体基板であるウェハ201(半導体ウェハのこと)の第1主面(表面)に、トレンチ絶縁分離領域である絶縁分離領域202、デバイス203や集積回路204を形成し、その後で層間絶縁膜205およびパシべーション膜206を形成する。前記のデバイス203とはMOSFETやIGBTなどの個別素子のことである。また前記デバイス203や集積回路204が形成された活性領域221は絶縁分離領域202で囲まれている。この絶縁分離領域202は酸化膜、ポリイミド膜、酸化膜を介して充填されるポリシリコン膜もしくは酸化膜を介して充填されるポリイミド膜で形成される。また、ウェハ201はCZ(Czochralski)ウェハまたはFZ(Floating Zone)ウェハである(同図(a))。
このように、使用するウェハ201はCZウェハやFZウェハで良く、SOIウェハと比べてコスト的に非常に有利に作製できる。また、ウェハの外周部にリブ構造を残すことで、ウェハの機械的強度を補強できて、絶縁分離領域を形成した大口径ウェハの場合でも工程中でのウェハの割れ、欠けを防止できる。
また、光エンドポイントによる方法(例えば、Siから絶縁分離領域202に変わったタイミングで光の反射が変わるタイミングをとらえる)、あるいは、トルクによる方法(例えば、Siから絶縁分離領域202に変わったタイミングで研磨装置側のトルクが変わるタイミングをとらえる)等の検出方法を上記のCMP研磨時に用いてもよい。
(1)図9のように、非研磨領域208を削除した後にレジスト207を除去し、研削面にテープを貼って、通常のダイシングにより個々のチップに切断する。これは実施例1〜6に対応する。尚、通常のダイシングとはここではブレードによるダイシングをいう。また、通常はレジスト207を除去した後、ダイシングラインに沿ってダイシングするが、ウェハ201のオリエンテーションフラットを位置決めに用いて、図1(c)に示すようにレジスト207を除去せずにダイシングすることもできる。
(2)図10のように、ウェハ201の内側に、非研磨領域208の厚さと同じ厚さになるように、テープ等を挿入する。これは、(1)のダシシングを行うときのテープと同じ材質のものが好ましい。そのテープを挿入した状態で、通常のダイシングを行う。この場合、図1(c)と違って、非研磨領域208を残した状態で個々のチップに切断することができる。
(3)図11のように、第1主面(表面)のダイシングラインと同じ第2主面(裏面)位置に、レーザ光などにより第2主面(裏面)に凹部(刻印)を形成してマーキングを行う(図11(b))。その位置を基準として、ウェハ201を反転させて(図11(c))、第2主面(裏面)側よりレーザダイシング(ブレードダイシングでもよい)を行う。このとき、図示しない表面保護用のシート(ダイシング用テープ)をウェハ201の第1主面(表面)側に貼る。この場合、図1(c)と違って、非研磨領域208を残した状態で個々のチップに切断することができる。
図12(a)に示すように、CCDカメラの中心線にレーザマーカーから出射されるレーザ光の焦点を合わせる。つぎにCCDカメラとレーザマーカーの間にX−Yステージに搭載されたウェハを移動させる。このとき、CCDカメラの中心線にウェハ201の表面のダイシングラインの交点を合わせる。レーザマーカー装置からレーザ光をウェハ201の第2主面(裏面)に照射して凹部を形成しレーザマーキング(刻印)を行なう。レーザマーキングは、例えば、図12(b)に示すようにウェハ201の第2主面(裏面)の隅のダイシングラインの交点の3箇所で行なう。尚、(1)のダイシング方法は、実施例1〜6に適用できる。(2)のダイシング方法は実施例7、8に適用できる。(3)のダイシング方法は、実施例1〜6にも適用できるが、主に、実施例7、8に有効である。また、前記のレーザマーキングの代わりに裏面に露出した絶縁分離領域202をマーカーとして使用することもできる。
埋め込み層209を形成した半導体基板であるウェハ201aの第1主面(表面)に、絶縁分離領域202、デバイス203や集積回路204を形成し、層間絶縁膜205およびパシべーション膜206を形成する。埋め込み層209は、下地のウェハ上に埋め込み層209となる第1エピタキシャル層または拡散層を形成しさらにその上に第2エピタキシャル層を形成することで得られる。従って、ウェハ201aはエピタキシャルウェハや拡散ウェハ(詳しくは、拡散とエピタキシャル成長を組み合わせたウェハ)である(同図(a))。
つぎに、図示しない枠付きダイシング用テープにウェハ201aを貼り付け、チップ形成領域222に対応する裏面に図示しない絶縁膜を形成した後、非研磨領域208を削除して個々のチップに切断(ダイシング)する(同図(c))。
半導体基板であるウェハ201の第1主面(表面)に、絶縁分離領域202、デバイス203や集積回路204を形成し、層間絶縁膜205およびパシべーション膜206を形成する(同図(a))。
つぎに、イオン注入とドライブまたはデポ拡散(デポジション拡散)により、裏面拡散層210を形成する。このドライブはレーザアニールで行ってもよい(同図(c))。
この後、図示しない絶縁性接着剤により、ダイパッドに接着し、パッケージ化する。この方法により各デバイス203や集積回路204を形成した活性領域221は絶縁分離領域202と絶縁性接着剤により完全に分離される。使用するウェハ201はCZウェハ基板で良く、コスト的に有利に作製できる。第1実施例に比べ、裏面拡散層210を設けることで、高性能バイポーラトランジスタの集積が可能となる。
半導体基板であるウェハ201の第1主面(表面)に、絶縁分離領域202、デバイス203や集積回路204を形成し、層間絶縁膜205およびパシべーション膜206を形成する(同図(a))。
つぎに、絶縁層211をCVD(Chemical Vapor Deposition)またはスピン塗布、またはテープ貼り付けにより、第2主面(裏面)に形成する。この絶縁膜211は同図(b)の研磨面に形成するためその表面は平坦になる(同図(c))。
この後、図示しない絶縁性接着剤により、ダイパッドに接着し、パッケージ化する。この方法により各デバイス203や集積回路204を形成した活性領域221は絶縁分離領域202と絶縁性接着剤により完全に分離される。使用するウェハ201はCZウェハで良く、コスト的に非常に有利に作製できる。
埋め込み層209を形成した、半導体基板であるウェハ201aの第1主面(表面)に、絶縁分離領域202、デバイス203や集積回路204を形成し、層間絶縁膜205およびパシべーション膜206を形成する(同図(a))。
つぎに、絶縁層212をCVDまたはスピン塗布、またはテープ貼り付けにより、第2主面(裏面)に形成する(同図(c))。
この後、図示しない絶縁性接着剤により、ダイパッドに接着し、パッケージ化する。この方法により各デバイス203や集積回路204を形成した活性領域221は絶縁分離領域202と絶縁性接着剤により完全に分離される。使用するウェハ201aはCZウェハ上に埋め込み層を形成し、エピタキシャル成長させた基板で良く、コスト的に有利に作製できる。実施例1ほどコスト的に有利ではないが、埋め込み層209を活用することで、高性能バイポーラトランジスタの集積が可能となる。
半導体基板であるウェハ201の第1主面(表面)に、絶縁分離領域202、デバイス203や集積回路204を形成し、層間絶縁膜205およびパシべーション膜206を形成する(同図(a))。
つぎに、イオン注入とドライブまたはデポ拡散(デポジション拡散)により、裏面拡散層210を形成する。続いて、絶縁層213をCVDまたはスピン塗布、またはテープ貼り付けにより、第2主面(裏面)に形成する(同図(c))。
この後、図示しない絶縁性接着剤により、ダイパッドに接着し、パッケージ化する。この方法により各デバイス203や集積回路204を形成した活性領域221は絶縁分離領域202と絶縁性接着剤により完全に分離される。使用するウェハ201はCZウェハ基板で良く、コスト的に有利に作製できる。第1の実施例に比べ、裏面拡散層210を設けることで、高性能バイポーラトランジスタの集積が可能となる。
実施例1〜6において、絶縁分離領域202の絶縁膜は酸化膜またはポリイミドにより形成されることで、絶縁性を確保できる。また、絶縁膜213は酸化膜と該酸化膜を介したポリシリコンまたはポリイミドにより形成される場合もある。
実施例3、6において、第2主面(裏面)側の裏面拡散層210を形成する方法としてイオン注入とイオン注入により導入された不純物を電気的に活性化する方法としてレーザーアニール工程を含む場合もある。
半導体基板であるウェハ201の第1主面(表面)に、絶縁分離領域202、デバイス203や集積回路204を形成し、層間絶縁膜205およびパシべーション膜206を形成する(同図(a))。
この後、図示しない絶縁性接着剤により、ダイパッドに接着し、パッケージ化する。この方法により各デバイス203や集積回路204を形成した活性領域221は絶縁分離領域202と絶縁性接着剤により完全に分離される。使用するウェハ201はCZウェハで良く、コスト的に非常に有利に作製できる。
この実施例は実施例1についてウェハ201内部に非研磨領域208aとしてリブを残した場合であるが、実施例2〜6についても同様にウェハ201内部に非研磨領域208aとしてリブを残すことで、ウェハ201の反りの抑制、割れ欠けを回避している。
202 絶縁分離領域
203 デバイス
204 集積回路
205 層間絶縁膜
206 パシベーション
207 レジスト
208、208a 非研磨領域
209 埋め込み層
210 裏面拡散層
211、212、213 絶縁層
221 活性領域
222 チップ形成領域
Claims (10)
- 所定距離離れて複数の絶縁分離領域と該絶縁分離領域で囲まれた活性領域を含む半導体チップ形成領域を第1主面側に有する半導体ウェハの第2主面側から隣接する前記絶縁分離領域間に対応する箇所および前記半導体チップ形成領域を取り囲む前記半導体ウェハの外周部を非研磨領域もしくは非エッチング領域として残し前記絶縁分離領域が露出するまで研磨もしくはエッチングする工程と、前記半導体ウェハをスクライブラインに沿って切断することで前記半導体チップ形成領域を分離し個々の半導体チップにする工程とを含み、
前記個々の半導体チップにする工程では、前記半導体チップ形成領域と前記非研磨領域もしくは非エッチング領域とを分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 所定距離離れて複数の絶縁分離領域と該絶縁分離領域で囲まれた活性領域を含む半導体チップ形成領域を第1主面側に有する半導体ウェハの第2主面側から隣接する前記絶縁分離領域間に対応する箇所および前記半導体チップ形成領域を取り囲む前記半導体ウェハの外周部を非研磨領域もしくは非エッチング領域として残し前記絶縁分離領域が露出するまで研磨もしくはエッチングする工程と、前記半導体ウェハをスクライブラインに沿って切断することで前記半導体チップ形成領域を分離し個々の半導体チップにする工程とを含み、
研磨もしくはエッチングする工程と前記個々の半導体チップにする工程との間に、前記非研磨領域もしくは前記非エッチング領域を前記研磨面もしくは前記エッチング面まで研削する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 所定距離離れて複数の絶縁分離領域と該絶縁分離領域で囲まれた活性領域を含む半導体チップ形成領域を第1主面側に有する半導体ウェハの第2主面側から隣接する前記絶縁分離領域間に対応する箇所および前記半導体チップ形成領域を取り囲む前記半導体ウェハの外周部を非研磨領域もしくは非エッチング領域として残し前記絶縁分離領域が露出するまで研磨もしくはエッチングする工程と、前記半導体ウェハをスクライブラインに沿って切断することで前記半導体チップ形成領域を分離し個々の半導体チップにする工程とを含み、
研磨もしくはエッチングする工程と前記個々の半導体チップにする工程との間に、前記研磨面もしくは前記エッチング面に絶縁膜を形成する工程と、前記非研磨領域もしくは前記非エッチング領域を前記絶縁膜の表面高さまで研削する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁分離領域と接し前記活性領域の直下を覆うように埋め込み層を形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体ウェハの第2主面側を研磨する工程の後に前記半導体ウェハの第2主面側に裏面拡散層を形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体ウェハの第2主面側を研磨する工程の後に前記半導体ウェハの第2主面側に絶縁層を形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁分離領域と接し前記埋め込み層の表面に絶縁層を形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁分離領域が、酸化膜、ポリイミド、酸化膜と該酸化膜を介したポリシリコン膜もしくは酸化膜と該酸化膜を介したポリイミド膜のいずれかで形成されることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記裏面拡散層が、イオン注入とイオン注入により導入された不純物を電気的に活性化するためのレーザーアニールで形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体ウェハが、CZウェハ、FZウェハ、エピタキシャルウェハもしくは拡散ウェハのいずれかであることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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