JP3401992B2 - 半導体感歪センサ - Google Patents
半導体感歪センサInfo
- Publication number
- JP3401992B2 JP3401992B2 JP11832095A JP11832095A JP3401992B2 JP 3401992 B2 JP3401992 B2 JP 3401992B2 JP 11832095 A JP11832095 A JP 11832095A JP 11832095 A JP11832095 A JP 11832095A JP 3401992 B2 JP3401992 B2 JP 3401992B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- glass
- glass pedestal
- strain gauge
- strain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 33
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 29
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、応力を検出する半導体
感歪センサ、例えばダイヤフラム部を有する半導体圧力
センサに関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ガラス陽極接合技術を用いて半導
体チップの表面（拡散面）にガラスを接合して基準圧室
を形成した半導体圧力センサとして、特開昭６２ー２９
１０７３号公報に示すものがある。このものの構成を図
５に示す。図５において、３１は単結晶シリコンからな
る半導体基板であり、その主表面上にはシリコン酸化膜
による絶縁層３２が形成され、この絶縁層３２上に多結
晶シリコン層３３が形成されている。この多結晶シリコ
ン層３３内の４ケ所の所定領域には歪みゲージ３４が形
成され、さらにこれらの歪みゲージ３４を電気的に接続
しブリッジ回路を構成するための配線層３５が形成され
ている。さらに、この配線層３５上にはＡｌ電極３６が
形成されている。 【０００３】そして、多結晶シリコン層３３、歪みゲー
ジ３４及び配線層３５上の所定領域にパッシベーション
層３７が形成され、さらにパッシベーション層３７上
に、陽極接合するための接合用薄膜としての多結晶シリ
コン３８が形成されている。また、半導体基板３１には
ダイヤフラム部３１ａが形成されている。そして、ダイ
ヤフラム部３１ａに相当する部分を含むようにして、有
底孔を有するガラス台座３９を接合用薄膜３８上に配置
し、この状態で接合用薄膜３８とガラス台座３９の陽極
接合を行い、真空室（基準圧室）４０を形成するように
している。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のものは、半導体チップ表面にガラス台座３９を陽極
接合するために、接合用薄膜３８を用いなければならい
という問題がある。このような接合用薄膜３８を用いる
ことは加工工程を複雑にするとともに製造コストを高く
する。 【０００５】本発明は上記問題に鑑みたもので、接合用
薄膜を用いることなく基板表面にガラス台座が陽極接合
された構造を得ることを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】この種の半導体圧力セン
サにおいて、半導体歪みゲージをＮａ+ イオン等から保
護するために、保護膜としての酸化膜表面にリンガラス
（ＰＳＧ）を形成したものがある。本発明者は、このＰ
ＳＧを利用し、ＰＳＧとガラス台座との陽極接合を行う
ことを着想した。 【０００７】このような観点に基づく本発明の第１の特
徴は、請求項１に記載されているように、半導体基板
（１）の変位部（１ａ）に歪みゲージ（２）が形成され
るとともに、その表面にりんを含むシリケイトガラス
（６ａ）が保護膜として形成されており、前記歪みゲー
ジ（２）の抵抗値により前記変位部（１ａ）の変位を検
出するようにした半導体感歪センサにおいて、前記変位
検出のための基準圧室（８）を形成するガラス台座
（７）が前記りんを含むシリケイトガラス（６ａ）との
間で陽極接合されていることにある。 【０００８】りんを含むシリケイトガラスとしては、Ｐ
ＳＧあるいはＢＰＳＧとすることができる。 【０００９】 【００１０】なお、上記各手段のカッコ内の符号は、後
述する実施例記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。 【００１１】 【発明の作用効果】請求項１に記載の発明によれば、上
述したように、半導体感歪センサに用いられている既存
の保護膜、すなわちりんを含むシリケイトガラスを利用
して、従来のもののように余分な接合用薄膜を用いなく
ても基板表面ガラス台座が陽極接合された構造を得るこ
とができる。 【００１２】 【実施例】 （第１実施例）図１に本発明の第１実施例を示す半導体
圧力センサの断面構成を示す。１はＮ型の単結晶シリコ
ンからなる半導体基板であり、図中の矢印方向から圧力
を受けて変位するダイヤフラム部１ａが形成されてい
る。この半導体基板１には、歪みゲージ２及び拡散リー
ド３及びコンタクト拡散層４が形成されている。この歪
みゲージ２は、ダイヤフラム部１ａの変位により抵抗値
が変化するものであり、その変化に応じた電気信号がＰ
+ 型コンタクト拡散層４を介しＡｌ電極５から外部に取
り出される。 【００１３】半導体基板１の表面には、保護膜としての
絶縁膜６が形成されている。この絶縁膜６は、熱酸化に
より形成されたＳｉＯ2 の表面にＰＳＧ６ａが形成され
たものであり、ＰＳＧ６ａはアルカリ金属（Ｎａ+ イオ
ン、Ｋ+ イオン）をゲッタリングし半導体基板１内の拡
散層を保護する。また、ダイヤフラム部１ａに相当する
部分を含むようにして有底孔を有するガラス台座７が絶
縁層６におけるＰＳＧ６ａとの間で陽極接合され、基準
圧室８が形成されている。 【００１４】ここで、ガラス台座７としては、ほうけい
酸ガラス（商品名パイレックスガラス）、結晶化ガラス
（商品名デビトロン）、あるいはけい酸アルミナガラス
（３Ａｌ2 Ｏ3 、２ＳｉＯ2 ）等を用いることができ
る。本実施例では、ガラス台座７をほうけい酸ガラスに
より構成している。また、陽極接合を基準圧力下、例え
ば真空状態にて行えば基準圧室８の圧力は真空圧に保持
され、被測定媒体の絶対圧力を測定することができる。 【００１５】図２に、図１に示す半導体圧力センサの平
面的構成を示す。なお、図１は図２中のＡ−Ａ断面図と
なっている。この図２に示すように、歪みゲージ２は４
ケ所に形成されており、それぞれが拡散リード３により
接続されてブリッジ回路を構成している。そして、それ
ぞれの拡散リード３はＡｌ電極５から外部の電気的処理
回路に接続され、その電気処理回路にて圧力が検出され
る。なお、図２中の点線は、ガラス台座７が陽極接合さ
れる位置を示している。 【００１６】次に、図１に示す半導体圧力センサの製造
方法について説明する。図３にその製造工程を示す。Ｎ
型の単結晶シリコンからなる半導体基板１を用意すると
ともに、その表面を酸化し、０．５μｍ厚の酸化膜１０
を形成し、コンタクト拡散用の窓を酸化膜に開け、再び
酸化して薄い酸化膜１１を形成する。この後、Ｂ+ イオ
ンを注入してＰ+ 型コンタクト拡散層４を形成し、全面
にＣＶＤ−ＳｉＯ2 １２を堆積し、さらに活性化アニー
ルを行って、コンタクト拡散層４を電気的に活性化する
（図３（ａ））。 【００１７】次に、歪みゲージ２及び拡散リード３を形
成するエリアの酸化膜１０、１２をエッチングで窓開け
し酸化して薄い酸化膜（ＳｉＯ2 ）６を形成し、レジス
トをマスク材としてＢ+ イオンを注入し、歪みゲージ２
及び拡散リード３を構成するＰ+ 型拡散層を形成する
（図３（ｂ））。この後、歪みゲージ２及び拡散リード
３の活性化アニールを兼ねてリン処理を行う（図３
（ｃ））。リン処理とはＰＯＣｌ3 等を拡散炉内に導入
し、酸化膜６の表面にＰＳＧ６ａを形成することであ
る。 【００１８】次に、コンタクト拡散層４のコンタクト部
に窓開けし、Ａｌ配線５を形成する（図３（ｄ））。こ
の後、裏面にダイヤフラム部１ａを形成し（図３
（ｅ））、基板表面にガラス台座７を陽極接合する（図
３（ｆ））。この陽極接合は、Ｓｉウエハ（図３（ｅ）
の状態のもの）とガラス台座７を重ね合わせ、その両側
に電極をおき、Ｓｉウエハ側の電極を陽極、ガラス台座
７側の電極を陰極として、４００℃程度に加熱し１００
０Ｖ程度の電圧を印加することにより行う。 【００１９】この陽極接合によりＰＳＧ６ａとガラス台
座７が結合する。この結合のメカニズムは、ガラス台座
７内でＮａ2 Ｏが分極し、Ｏ- が陽極側（Ｓｉウエハ
側）へ移動し、この移動したＯ- がＰＳＧ６ａ表面のＳ
ｉと結合する。なお、ＰＳＧ６ａ中の導電はその中のＨ
+ によっておこると考えられる。なお、上記実施例にお
いては、酸化膜６表面にＰＳＧ６ａを形成するものを示
したが、リンを含むシリケイトガラスであればよく、Ｂ
ＰＳＧを用いることもできる。 【００２０】また、上記実施例では、ガラス台座７によ
り形成される基準圧室８を真空圧として絶対圧を検出す
るものを示したが、ガラス台座７に開口部を設けて相対
圧を検出するようにしてもよい。 （第２実施例）上記第１実施例では、圧力検出を行う電
気的処理回路を外部に設けるものを示したが、この第２
実施例では、半導体基板１に電気的処理回路を形成する
ようにしている。このものの断面構造を図４に示す。 【００２１】図４において、圧力検出を行う電気的処理
回路をバイポーラトランジスタ２０により構成してい
る。このようなバイポーラトランジスタ２０を形成した
場合には、基板表面に窒化膜（ＳｉＮ）２１が保護膜と
して形成される。そして、この実施例においては、窒化
膜２１とガラス台座７とが陽極接合される。この場合
も、陽極接合時にガラス台座７中のＯ- と窒化膜２１表
面のＳｉとが結合する。 【００２２】なお、この第２実施例において、バイポー
ラトランジスタ２０はガラス台座７の外側に位置してい
るが、内側に形成するようにしてもよい。また、上記第
１、第２実施例とも、本発明を半導体圧力センサに適用
するものを示したが、加速度を検出する加速度センサに
適用するようにしてもよい。
感歪センサ、例えばダイヤフラム部を有する半導体圧力
センサに関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ガラス陽極接合技術を用いて半導
体チップの表面（拡散面）にガラスを接合して基準圧室
を形成した半導体圧力センサとして、特開昭６２ー２９
１０７３号公報に示すものがある。このものの構成を図
５に示す。図５において、３１は単結晶シリコンからな
る半導体基板であり、その主表面上にはシリコン酸化膜
による絶縁層３２が形成され、この絶縁層３２上に多結
晶シリコン層３３が形成されている。この多結晶シリコ
ン層３３内の４ケ所の所定領域には歪みゲージ３４が形
成され、さらにこれらの歪みゲージ３４を電気的に接続
しブリッジ回路を構成するための配線層３５が形成され
ている。さらに、この配線層３５上にはＡｌ電極３６が
形成されている。 【０００３】そして、多結晶シリコン層３３、歪みゲー
ジ３４及び配線層３５上の所定領域にパッシベーション
層３７が形成され、さらにパッシベーション層３７上
に、陽極接合するための接合用薄膜としての多結晶シリ
コン３８が形成されている。また、半導体基板３１には
ダイヤフラム部３１ａが形成されている。そして、ダイ
ヤフラム部３１ａに相当する部分を含むようにして、有
底孔を有するガラス台座３９を接合用薄膜３８上に配置
し、この状態で接合用薄膜３８とガラス台座３９の陽極
接合を行い、真空室（基準圧室）４０を形成するように
している。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のものは、半導体チップ表面にガラス台座３９を陽極
接合するために、接合用薄膜３８を用いなければならい
という問題がある。このような接合用薄膜３８を用いる
ことは加工工程を複雑にするとともに製造コストを高く
する。 【０００５】本発明は上記問題に鑑みたもので、接合用
薄膜を用いることなく基板表面にガラス台座が陽極接合
された構造を得ることを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】この種の半導体圧力セン
サにおいて、半導体歪みゲージをＮａ+ イオン等から保
護するために、保護膜としての酸化膜表面にリンガラス
（ＰＳＧ）を形成したものがある。本発明者は、このＰ
ＳＧを利用し、ＰＳＧとガラス台座との陽極接合を行う
ことを着想した。 【０００７】このような観点に基づく本発明の第１の特
徴は、請求項１に記載されているように、半導体基板
（１）の変位部（１ａ）に歪みゲージ（２）が形成され
るとともに、その表面にりんを含むシリケイトガラス
（６ａ）が保護膜として形成されており、前記歪みゲー
ジ（２）の抵抗値により前記変位部（１ａ）の変位を検
出するようにした半導体感歪センサにおいて、前記変位
検出のための基準圧室（８）を形成するガラス台座
（７）が前記りんを含むシリケイトガラス（６ａ）との
間で陽極接合されていることにある。 【０００８】りんを含むシリケイトガラスとしては、Ｐ
ＳＧあるいはＢＰＳＧとすることができる。 【０００９】 【００１０】なお、上記各手段のカッコ内の符号は、後
述する実施例記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。 【００１１】 【発明の作用効果】請求項１に記載の発明によれば、上
述したように、半導体感歪センサに用いられている既存
の保護膜、すなわちりんを含むシリケイトガラスを利用
して、従来のもののように余分な接合用薄膜を用いなく
ても基板表面ガラス台座が陽極接合された構造を得るこ
とができる。 【００１２】 【実施例】 （第１実施例）図１に本発明の第１実施例を示す半導体
圧力センサの断面構成を示す。１はＮ型の単結晶シリコ
ンからなる半導体基板であり、図中の矢印方向から圧力
を受けて変位するダイヤフラム部１ａが形成されてい
る。この半導体基板１には、歪みゲージ２及び拡散リー
ド３及びコンタクト拡散層４が形成されている。この歪
みゲージ２は、ダイヤフラム部１ａの変位により抵抗値
が変化するものであり、その変化に応じた電気信号がＰ
+ 型コンタクト拡散層４を介しＡｌ電極５から外部に取
り出される。 【００１３】半導体基板１の表面には、保護膜としての
絶縁膜６が形成されている。この絶縁膜６は、熱酸化に
より形成されたＳｉＯ2 の表面にＰＳＧ６ａが形成され
たものであり、ＰＳＧ６ａはアルカリ金属（Ｎａ+ イオ
ン、Ｋ+ イオン）をゲッタリングし半導体基板１内の拡
散層を保護する。また、ダイヤフラム部１ａに相当する
部分を含むようにして有底孔を有するガラス台座７が絶
縁層６におけるＰＳＧ６ａとの間で陽極接合され、基準
圧室８が形成されている。 【００１４】ここで、ガラス台座７としては、ほうけい
酸ガラス（商品名パイレックスガラス）、結晶化ガラス
（商品名デビトロン）、あるいはけい酸アルミナガラス
（３Ａｌ2 Ｏ3 、２ＳｉＯ2 ）等を用いることができ
る。本実施例では、ガラス台座７をほうけい酸ガラスに
より構成している。また、陽極接合を基準圧力下、例え
ば真空状態にて行えば基準圧室８の圧力は真空圧に保持
され、被測定媒体の絶対圧力を測定することができる。 【００１５】図２に、図１に示す半導体圧力センサの平
面的構成を示す。なお、図１は図２中のＡ−Ａ断面図と
なっている。この図２に示すように、歪みゲージ２は４
ケ所に形成されており、それぞれが拡散リード３により
接続されてブリッジ回路を構成している。そして、それ
ぞれの拡散リード３はＡｌ電極５から外部の電気的処理
回路に接続され、その電気処理回路にて圧力が検出され
る。なお、図２中の点線は、ガラス台座７が陽極接合さ
れる位置を示している。 【００１６】次に、図１に示す半導体圧力センサの製造
方法について説明する。図３にその製造工程を示す。Ｎ
型の単結晶シリコンからなる半導体基板１を用意すると
ともに、その表面を酸化し、０．５μｍ厚の酸化膜１０
を形成し、コンタクト拡散用の窓を酸化膜に開け、再び
酸化して薄い酸化膜１１を形成する。この後、Ｂ+ イオ
ンを注入してＰ+ 型コンタクト拡散層４を形成し、全面
にＣＶＤ−ＳｉＯ2 １２を堆積し、さらに活性化アニー
ルを行って、コンタクト拡散層４を電気的に活性化する
（図３（ａ））。 【００１７】次に、歪みゲージ２及び拡散リード３を形
成するエリアの酸化膜１０、１２をエッチングで窓開け
し酸化して薄い酸化膜（ＳｉＯ2 ）６を形成し、レジス
トをマスク材としてＢ+ イオンを注入し、歪みゲージ２
及び拡散リード３を構成するＰ+ 型拡散層を形成する
（図３（ｂ））。この後、歪みゲージ２及び拡散リード
３の活性化アニールを兼ねてリン処理を行う（図３
（ｃ））。リン処理とはＰＯＣｌ3 等を拡散炉内に導入
し、酸化膜６の表面にＰＳＧ６ａを形成することであ
る。 【００１８】次に、コンタクト拡散層４のコンタクト部
に窓開けし、Ａｌ配線５を形成する（図３（ｄ））。こ
の後、裏面にダイヤフラム部１ａを形成し（図３
（ｅ））、基板表面にガラス台座７を陽極接合する（図
３（ｆ））。この陽極接合は、Ｓｉウエハ（図３（ｅ）
の状態のもの）とガラス台座７を重ね合わせ、その両側
に電極をおき、Ｓｉウエハ側の電極を陽極、ガラス台座
７側の電極を陰極として、４００℃程度に加熱し１００
０Ｖ程度の電圧を印加することにより行う。 【００１９】この陽極接合によりＰＳＧ６ａとガラス台
座７が結合する。この結合のメカニズムは、ガラス台座
７内でＮａ2 Ｏが分極し、Ｏ- が陽極側（Ｓｉウエハ
側）へ移動し、この移動したＯ- がＰＳＧ６ａ表面のＳ
ｉと結合する。なお、ＰＳＧ６ａ中の導電はその中のＨ
+ によっておこると考えられる。なお、上記実施例にお
いては、酸化膜６表面にＰＳＧ６ａを形成するものを示
したが、リンを含むシリケイトガラスであればよく、Ｂ
ＰＳＧを用いることもできる。 【００２０】また、上記実施例では、ガラス台座７によ
り形成される基準圧室８を真空圧として絶対圧を検出す
るものを示したが、ガラス台座７に開口部を設けて相対
圧を検出するようにしてもよい。 （第２実施例）上記第１実施例では、圧力検出を行う電
気的処理回路を外部に設けるものを示したが、この第２
実施例では、半導体基板１に電気的処理回路を形成する
ようにしている。このものの断面構造を図４に示す。 【００２１】図４において、圧力検出を行う電気的処理
回路をバイポーラトランジスタ２０により構成してい
る。このようなバイポーラトランジスタ２０を形成した
場合には、基板表面に窒化膜（ＳｉＮ）２１が保護膜と
して形成される。そして、この実施例においては、窒化
膜２１とガラス台座７とが陽極接合される。この場合
も、陽極接合時にガラス台座７中のＯ- と窒化膜２１表
面のＳｉとが結合する。 【００２２】なお、この第２実施例において、バイポー
ラトランジスタ２０はガラス台座７の外側に位置してい
るが、内側に形成するようにしてもよい。また、上記第
１、第２実施例とも、本発明を半導体圧力センサに適用
するものを示したが、加速度を検出する加速度センサに
適用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体圧力センサの
断面図である。 【図２】図１に示す半導体圧力センサの平面図である。 【図３】図１に示す半導体圧力センサの製造工程を示す
工程図である。 【図４】本発明の第２実施例を示す半導体圧力センサの
断面図である。 【図５】従来の半導体圧力センサの断面図である。 【符号の説明】 １…半導体基板、１ａ…ダイヤフラム部、２…歪みゲー
ジ、３…拡散リード、４…コンタクト拡散層、５…Ａｌ
電極、６…絶縁膜、６ａ…ＰＳＧ、７…ガラス台座、８
…基準圧室。
断面図である。 【図２】図１に示す半導体圧力センサの平面図である。 【図３】図１に示す半導体圧力センサの製造工程を示す
工程図である。 【図４】本発明の第２実施例を示す半導体圧力センサの
断面図である。 【図５】従来の半導体圧力センサの断面図である。 【符号の説明】 １…半導体基板、１ａ…ダイヤフラム部、２…歪みゲー
ジ、３…拡散リード、４…コンタクト拡散層、５…Ａｌ
電極、６…絶縁膜、６ａ…ＰＳＧ、７…ガラス台座、８
…基準圧室。
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01L 9/00 303
H01L 29/84
G01B 7/16
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板の変位部に歪みゲージが形成
されるとともに、その表面にりんを含むシリケイトガラ
スが保護膜として形成されており、前記歪みゲージの抵
抗値により前記変位部の変位を検出するようにした半導
体感歪センサにおいて、 前記変位検出のための基準圧室を形成するガラス台座が
前記りんを含むシリケイトガラスとの間で陽極接合され
ていることを特徴とする半導体感歪センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11832095A JP3401992B2 (ja) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 半導体感歪センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11832095A JP3401992B2 (ja) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 半導体感歪センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08313380A JPH08313380A (ja) | 1996-11-29 |
| JP3401992B2 true JP3401992B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=14733757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11832095A Expired - Fee Related JP3401992B2 (ja) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 半導体感歪センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3401992B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015052588A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-03-19 | 株式会社デンソー | 力学量センサ |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7622782B2 (en) * | 2005-08-24 | 2009-11-24 | General Electric Company | Pressure sensors and methods of making the same |
| JP5069671B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2012-11-07 | パナソニック株式会社 | 加速度センサの製造方法 |
| JP6566357B2 (ja) * | 2015-10-22 | 2019-08-28 | セイコーＮｐｃ株式会社 | 温度検出方法 |
| TWI583931B (zh) * | 2016-02-02 | 2017-05-21 | Asia Pacific Microsystems Inc | Miniature piezoresistive pressure sensor |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831609B2 (ja) * | 1986-10-28 | 1996-03-27 | 日本電装株式会社 | 静電接合方法および半導体圧力センサ |
| JP2638813B2 (ja) * | 1987-04-09 | 1997-08-06 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
| JP3144830B2 (ja) * | 1991-06-28 | 2001-03-12 | ホーヤ株式会社 | 結晶化ガラス |
| JPH06296032A (ja) * | 1993-04-09 | 1994-10-21 | Riken Corp | 力変換素子 |
| JP3153710B2 (ja) * | 1994-01-21 | 2001-04-09 | ホーヤ株式会社 | シリコン台座用ガラス及びシリコン基材型センサー |
-
1995
- 1995-05-17 JP JP11832095A patent/JP3401992B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015052588A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-03-19 | 株式会社デンソー | 力学量センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08313380A (ja) | 1996-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0010204B1 (en) | Semiconductor absolute pressure transducer assembly | |
| US4295115A (en) | Semiconductor absolute pressure transducer assembly and method | |
| USRE41213E1 (en) | Dynamic amount sensor and process for the production thereof | |
| US5912499A (en) | Pressure transducer comprising a sealed transducer with a rigid diaphragm | |
| US5320705A (en) | Method of manufacturing a semiconductor pressure sensor | |
| EP0302654B1 (en) | Method of sealing an electrical feedthrough in a semiconductor device | |
| EP0280905A2 (en) | A method for manufacturing semiconductor absolute pressure sensor units | |
| JPH06129933A (ja) | 過圧保護ポリシリコン容量性差圧センサー及びその製造方法 | |
| US5589810A (en) | Semiconductor pressure sensor and related methodology with polysilicon diaphragm and single-crystal gage elements | |
| US5095349A (en) | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same | |
| JP3551527B2 (ja) | 半導体感歪センサの製造方法 | |
| JPH11344402A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3401992B2 (ja) | 半導体感歪センサ | |
| JP2850558B2 (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JP3310216B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH11186566A (ja) | 微小装置の製造方法 | |
| JP4396009B2 (ja) | 集積化センサ | |
| JPS63175482A (ja) | 圧力センサ | |
| CN113899488B (zh) | 半导体压力传感器及其制造方法 | |
| JPH02240971A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0735768A (ja) | 静電容量型センサ及びその製造方法 | |
| JPH1022512A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| JPS6325512B2 (ja) | ||
| JP2003207516A (ja) | 半導体加速度センサおよびその製造方法 | |
| JPH03208375A (ja) | 半導体圧力センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090228 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100228 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |