JP5062581B2 - タンタル酸リチウム基板およびその製造方法ならびにタンタル酸リチウム基板の表面処理方法 - Google Patents
タンタル酸リチウム基板およびその製造方法ならびにタンタル酸リチウム基板の表面処理方法 Download PDFInfo
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Description
中川原修、寺本哲浩、長谷川正幸、家木英治、"エピタキシャルAl電極を用いた38.5°Y−X LiTaO3基板上での超高耐電力SAWデバイス"、2004年春季応用物理学会28a−P1−4 電子情報通信学会論文誌J77−C−1、No.5(1994)、P229
10a 表面
100 加熱処理システム
Claims (13)
- タンタル酸リチウム基板を、大気中において700±50℃で所定の時間加熱処理し、該加熱処理の後に毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却することによって取得され、
表面が原子スケールで平坦であり、かつ、前記表面が単一元素で終端されている
ことを特徴とするタンタル酸リチウム基板。 - タンタル酸リチウム基板を、大気中において700±50℃で所定の時間加熱処理し、該加熱処理の後に毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却することによって取得され、
2nm〜5μmの広いテラス幅を有する極平坦なテラスと0.22nmの高さのステップとにより構成されタンタル原子で終端された表面を有する
ことを特徴とするタンタル酸リチウム基板。 - タンタル酸リチウム基板を、大気中において700±50℃で所定の時間加熱処理し、該加熱処理の後に毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却することによって取得され、
平坦なテラスと均一高さのステップとの周期構造からなり単一元素で終端された表面を有する
ことを特徴とするタンタル酸リチウム基板。 - 素子基板として各種素子に用いられるタンタル酸リチウム基板の製造方法であって、
タンタル酸リチウム基板を、大気中において、700±50℃で所定の時間加熱処理する第1の工程と、
前記第1の工程で加熱処理された前記タンタル酸リチウム基板を、毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却する第2の工程と
を有し、
製造されるタンタル酸リチウム基板の表面が原子スケールで平坦であり、かつ、前記表面が単一元素で終端されている
ことを特徴とするタンタル酸リチウム基板の製造方法。 - 素子基板として各種素子に用いられるタンタル酸リチウム基板の製造方法であって、
タンタル酸リチウム基板を、大気中において、700±50℃で所定の時間加熱処理する第1の工程と、
前記第1の工程で加熱処理された前記タンタル酸リチウム基板を、毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却する第2の工程と
を有し、
製造されるタンタル酸リチウム基板は、2nm〜5μmの広いテラス幅を有する極平坦なテラスと0.22nmの高さのステップとにより構成されタンタル原子で終端された表面を有する
ことを特徴とするタンタル酸リチウム基板の製造方法。 - 素子基板として各種素子に用いられるタンタル酸リチウム基板の製造方法であって、
タンタル酸リチウム基板を、大気中において、700±50℃で所定の時間加熱処理する第1の工程と、
前記第1の工程で加熱処理された前記タンタル酸リチウム基板を、毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却する第2の工程と
を有し、
製造されるタンタル酸リチウム基板は、平坦なテラスと均一高さのステップとの周期構造からなり単一元素で終端された表面を有する
ことを特徴とするタンタル酸リチウム基板の製造方法。 - 素子基板として各種素子に用いられるタンタル酸リチウム基板の製造方法であって、
タンタル酸リチウム基板を、大気中において、700±50℃で1時間加熱処理する第1の工程と、
前記第1の工程で加熱処理された前記タンタル酸リチウム基板を、毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却する第2の工程と
を有することを特徴とするタンタル酸リチウム基板の製造方法。 - 請求項4、5、6または7のいずれか1項に記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法において、
加熱処理される前記タンタル酸リチウム基板は、所定のサイズに切り出され、予め表面に鏡面研磨処理のみが施されたものである
タンタル酸リチウム基板の製造方法。 - タンタル酸リチウム基板を、大気中において、700±50℃で所定の時間加熱処理した後、毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却することで、前記タンタル酸リチウム基板の表面を原子スケールで平坦とし、かつ、前記表面を単一元素で終端する
ことを特徴とするタンタル酸リチウム基板の表面処理方法。 - タンタル酸リチウム基板を、大気中において、700±50℃で所定の時間加熱処理した後、毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却することで、前記タンタル酸リチウム基板の表面を、2nm〜5μmの広いテラス幅を有する極平坦なテラスと0.22nmの高さのステップとにより構成しタンタル原子で終端する
ことを特徴とするタンタル酸リチウム基板の表面処理方法。 - タンタル酸リチウム基板を、大気中において、700±50℃で所定の時間加熱処理した後、毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却することで、前記タンタル酸リチウム基板の表面を、平坦なテラスと均一高さのステップとの周期構造からなり単一元素で終端する
ことを特徴とするタンタル酸リチウム基板の表面処理方法。 - タンタル酸リチウム基板を、大気中において、700±50℃で1時間加熱処理した後、毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却する
ことを特徴とするタンタル酸リチウム基板の表面処理方法。 - 請求項9、10、11または12のいずれか1項に記載のタンタル酸リチウム基板の表面処理方法において、
表面に鏡面研磨処理のみが施されたタンタル酸リチウム基板を加熱処理する
ものであるタンタル酸リチウム基板の表面処理方法。
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