JP5020147B2 - 高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法 - Google Patents
高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5020147B2 JP5020147B2 JP2008094377A JP2008094377A JP5020147B2 JP 5020147 B2 JP5020147 B2 JP 5020147B2 JP 2008094377 A JP2008094377 A JP 2008094377A JP 2008094377 A JP2008094377 A JP 2008094377A JP 5020147 B2 JP5020147 B2 JP 5020147B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- layer
- oriented
- film
- intermediate layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
2:下地ダイヤモンド層
3、4:金属膜
5、6、9、10:高配向ダイヤモンド層
7、8:セラミックス層
Claims (8)
- 表面に複数の凹凸を有する下地ダイヤモンド層を、基板上に形成する下地ダイヤモンド層形成工程と、
前記下地ダイヤモンド層上に金属膜又はセラミックス膜からなる中間層を形成する中間層形成工程と、
前記下地ダイヤモンド層及び前記中間層を加熱し、前記下地ダイヤモンド層の凹部が前記中間層で覆われた状態で、前記下地ダイヤモンド層の凸部の一部を前記中間層から部分的に露出させる中間層加熱工程と、
前記中間層の表面に前記ダイヤモンド層の凸部の一部が露出した状態で、その上に高配向ダイヤモンド層を成長させるダイヤモンド追成長工程と、
を有し、
前記下地ダイヤモンド層は、配向性ダイヤモンド粒子と非配向性ダイヤモンド粒子とが混在し、前記下地ダイヤモンド層の前記凸部は配向性ダイヤモンド粒子からなり、前記下地ダイヤモンド層の前記凹部は非配向性ダイヤモンド粒子からなり、前記中間層加熱工程において、前記凸部の少なくとも頂部が前記中間層から露出していることを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - 前記中間層加熱工程は、水素プラズマ処理により前記下地ダイヤモンド層及び前記中間層を加熱するものであることを特徴とする請求項1に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。
- 前記中間層は、白金、金、銀、銅、パラジウム、又はこれらの合金からなる金属膜であって、前記金属膜の厚さは100nm乃至500nmであり、
前記金属膜からなる中間層形成工程において前記基板は50℃乃至100℃に加熱され、前記中間層加熱工程において前記金属膜は600℃乃至1000℃に加熱されることを特徴とする請求項1又は2に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - 前記中間層は、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒素化珪素、酸化チタン、窒素化チタン、窒素化アルミニウム、窒素化ガリウム、又はこれらの混合物からなるセラミックス膜であって、前記セラミックス膜の厚さは100nm乃至500nmであり、
前記セラミックス膜からなる中間層形成工程において前記基板は50℃乃至100℃に加熱され、前記中間層加熱工程において前記セラミックス膜は600℃乃至1000℃に加熱されることを特徴とする請求項1又は2に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - 前記下地ダイヤモンド層形成工程は、前記基板の表面を炭化させ、バイアス核を発生させ、配向粒子を成長させるものであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。
- 前記基板はシリコン基板であり、前記下地ダイヤモンド層の平均厚さは、0.5乃至5μmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。
- 前記ダイヤモンド追成長工程は、水素と炭化水素と酸素の混合ガスを用いて化学気相成長法によりダイヤモンドを成長させる配向粒子成長工程と、前記配向粒子成長工程よりも炭化水素の割合を低くした水素と炭化水素と酸素の混合ガスを用いて化学気相成長法によりダイヤモンドを成長させる平坦化成長工程とを有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。
- 基板と、この基板上に形成され表面が凹凸を有する下地ダイヤモンド層と、この下地ダイヤモンド層の前記凹凸の凹部を埋め込む金属膜又はセラミックス膜からなる中間層と、この中間層と中間層に覆われていない前記下地ダイヤモンド層上に形成された高配向ダイヤモンド層と、を有し、
前記下地ダイヤモンド層は、配向性ダイヤモンド粒子と非配向性ダイヤモンド粒子とが混在し、前記下地ダイヤモンド層の前記凸部は配向性ダイヤモンド粒子からなり、前記下地ダイヤモンド層の前記凹部は非配向性ダイヤモンド粒子からなり、前記下地ダイヤモンド層の平均厚さは0.5乃至5μmであり、前記中間層の厚さは100乃至500nmであることを特徴とする高配向ダイヤモンド膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094377A JP5020147B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094377A JP5020147B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009242214A JP2009242214A (ja) | 2009-10-22 |
JP5020147B2 true JP5020147B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=41304579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008094377A Expired - Fee Related JP5020147B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5020147B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5363370B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-12-11 | 株式会社神戸製鋼所 | 高配向ダイヤモンド膜の製造方法 |
GB201819946D0 (en) | 2018-12-06 | 2019-01-23 | Element Six Uk Ltd | A polycrystalline diamond construction and method of making same |
CN114959699B (zh) * | 2022-08-02 | 2022-12-06 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种低摩擦的金属/超纳米金刚石复合涂层及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04357195A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド疑似単結晶の形成方法 |
JPH0769793A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-14 | Canon Inc | ダイヤモンド結晶の選択成長法及び選択エピタキシャル成長法 |
JPH09309794A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド膜およびその合成方法 |
JP3929669B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2007-06-13 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド膜の製造方法 |
JP4646752B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2011-03-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法並びに高配向ダイヤモンド膜を備えた電子デバイス |
JP2007204307A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの合成方法 |
-
2008
- 2008-03-31 JP JP2008094377A patent/JP5020147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009242214A (ja) | 2009-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4646752B2 (ja) | 高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法並びに高配向ダイヤモンド膜を備えた電子デバイス | |
JP4987792B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
TWI364777B (en) | Multilayered semiconductor wafer and process for manufacturing the same | |
JP4946264B2 (ja) | 炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法 | |
JP4786223B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 | |
JP4719314B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 | |
JP4954593B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を用いてなるデバイス | |
JP4954654B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 | |
JP6262352B2 (ja) | 基板近傍の熱伝導性が改善された多結晶性cvdダイヤモンドを含む半導体デバイス構造体 | |
JP6298926B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP5316612B2 (ja) | 炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法 | |
JP2005123619A (ja) | シリコン基板上に形成された窒化物半導体及びその製造方法 | |
JP2009218575A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP5181785B2 (ja) | ダイヤモンド多結晶基板の製造方法 | |
JP5020147B2 (ja) | 高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法 | |
US20150031193A1 (en) | Semiconductor substrate suitable for the realization of electronic and/or optoelectronic devices and relative manufacturing process | |
JP2006062931A (ja) | サファイア基板とその熱処理方法、及び結晶成長方法 | |
JP6052465B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 | |
CN100550440C (zh) | 半导体元件以及半导体元件的制造方法 | |
EP3967793A1 (en) | Diamond crystal substrate and production method for diamond crystal substrate | |
JP3185535B2 (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
JP3929669B2 (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法 | |
JP2005223215A (ja) | Si基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法及びそれを用いて製造される炭化珪素半導体装置 | |
JP2002261011A (ja) | デバイス用多層構造基板 | |
JPH06263594A (ja) | ダイヤモンド結晶、ダイヤモンド結晶膜、ダイヤモンド発光素子およびそれらの形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120612 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |