JP5363370B2 - 高配向ダイヤモンド膜の製造方法 - Google Patents
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Description
面方位が(001)のオフ面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に、幅が5〜10μm、ピッチが50〜200μmの格子状にマスクを形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする。
面方位が(001)のオフ面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜の表面に、幅が20〜50μm、ピッチが50〜200μmの格子状に溝を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする。
面方位が(001)のオフ面基板を使用し、この基板の表面に、幅が20〜50μm、ピッチが50〜200μmの格子状に溝を形成する工程と、
前記オフ面基板の上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする。
基準面が(001)のジャスト面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜をオフ面研磨する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に、幅が5〜10μm、ピッチが50〜200μmの格子状にマスクを形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする。
基準面が(001)のジャスト面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜をオフ面研磨する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜の表面に、幅が20〜50μm、ピッチが50〜200μmの格子状に溝を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする。
2、15:格子状マスク
7、16:溝
8、11、100:オフ面Si基板
14:オフ面
Claims (8)
- 面方位が(001)のオフ面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に、幅が5〜10μm、ピッチが50〜200μmの格子状にマスクを形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - 面方位が(001)のオフ面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜の表面に、幅が20〜50μm、ピッチが50〜200μmの格子状に溝を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - 面方位が(001)のオフ面基板を使用し、この基板の表面に、幅が20〜50μm、ピッチが50〜200μmの格子状に溝を形成する工程と、
前記オフ面基板の上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - 基準面が(001)のジャスト面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜をオフ面研磨する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に、幅が5〜10μm、ピッチが50〜200μmの格子状にマスクを形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - 基準面が(001)のジャスト面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜をオフ面研磨する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜の表面に、幅が20〜50μm、ピッチが50〜200μmの格子状に溝を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - 前記オフ面基板のオフ角の傾斜方向は<100>であり、前記マスク又は溝の方向は<110>であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。
- 前記第1の高配向ダイヤモンド膜のオフ角の傾斜方向は<100>であり、前記マスク又は溝の方向は<110>であることを特徴とする請求項4又は5に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。
- オフ角は3乃至11°であることを特徴とする請求項6又は7に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。
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JP2010024723A JP5363370B2 (ja) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 高配向ダイヤモンド膜の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010024723A JP5363370B2 (ja) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 高配向ダイヤモンド膜の製造方法 |
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JP2011162373A JP2011162373A (ja) | 2011-08-25 |
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JP2005136200A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Univ Nagoya | 窒化物半導体結晶層の作製方法、窒化物半導体結晶層、及び窒化物半導体結晶層作製用の基材 |
JP5020147B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2012-09-05 | 株式会社神戸製鋼所 | 高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
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2010
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