JP2011162373A - 高配向ダイヤモンド膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(001)オフ面基板上に、[100]方向に成長するように、第1の高配向ダイヤモンド膜1を成長させる。次いで、格子状のマスク2を第1の高配向ダイヤモンド膜1上に形成し、その後、平坦化膜としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により成長させる。その後、マスクを除去する。
【選択図】図6
Description
オフ面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に格子状にマスクを形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする。
オフ面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜の表面に格子状に溝を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする。
オフ面基板を使用し、この基板の表面に格子状に溝を形成する工程と、
前記オフ面基板の上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする。
ジャスト面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜をオフ面研磨する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に格子状にマスクを形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする。
ジャスト面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜をオフ面研磨する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜の表面に格子状に溝を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする。
2、15:格子状マスク
7、16:溝
8、11、100:オフ面Si基板
14:オフ面
Claims (8)
- オフ面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に格子状にマスクを形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - オフ面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜の表面に格子状に溝を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - オフ面基板を使用し、この基板の表面に格子状に溝を形成する工程と、
前記オフ面基板の上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - ジャスト面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜をオフ面研磨する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に格子状にマスクを形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - ジャスト面基板を使用し、この基板上に第1の高配向ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜をオフ面研磨する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜の表面に格子状に溝を形成する工程と、
前記第1の高配向ダイヤモンド膜上に平坦化層としての第2の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により形成する工程と、
を有することを特徴とする高配向ダイヤモンド膜の製造方法。 - 前記オフ面基板の面方位は(001)であり、オフ角の傾斜方向は<100>であり、前記マスク又は溝の方向は<110>であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。
- 前記ジャスト面基板の基準面は(001)であり、前記第1の高配向ダイヤモンド膜のオフ角の傾斜方向は<100>であり、前記マスク又は溝の方向は<110>であることを特徴とする請求項4又は5に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。
- オフ角は3乃至11°であることを特徴とする請求項6又は7に記載の高配向ダイヤモンド膜の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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