JP2019046859A - SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態にかかるSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、c面に対してオフ角を有する面を主面とする4H−SiC単結晶基板の外周端部の上面を、80μm以下の曲率半径に加工する工程を有する。
実施例1では、単結晶基板のベベル部の形状を変えながら、外端ステップバンチングの発生の有無を確認した。ベベル部の形状は、斜面部を有する場合は図5(a)の形状とし、斜面部を有さない場合は、図5(c)の形状とした。そして、曲率半径R(図5(a)、(c)参照)、斜面部32の斜面長さA1(図5(a)参照)、基板部11とベベル部12との接続点のなす角θ1の異なる単結晶基板を準備した。ここで、基板部11とベベル部12との接続点のなす角θ1は、図5(a)の場合は斜面部32の斜面と基板部11の主面とのなす角であり、図5(c)の場合は外周端部35の上面35e1と基板部11の主面とのなす角である。そして、これらの単結晶基板上に、エピタキシャル膜を10μm成膜した。その結果を、表1に示す。なお、表1において、反OFはSiCエピタキシャルウェハの中心に対してオリエンテーションフラットと反対側を意味し、反IFはSiCエピタキシャルウェハの中心に対してインデックスフラットと反対側を意味する。
実施例2では、単結晶基板上に成長させるエピタキシャル膜の厚みを変更した。その結果を表2に示す。
1 単結晶基板
2 エピタキシャル膜
11 基板部
12 ベベル部
1a 主面
1b 外周上端
10e 外周端
22,22a,22b テラス
23,23a,23b ステップ
31,33,35 外周端部
32 斜面部
31e,33e,35e 外周端面
35e1 上面
35e2 側面
35e3 下面
Claims (4)
- c面に対してオフ角を有する面を主面とし、周縁部にベベル部を有する4H−SiC単結晶基板と、
前記4H−SiC単結晶基板上に形成されたSiCエピタキシャル膜と、を備え、
前記SiCエピタキシャル膜の外周端から延在し、前記外周端より3mm以上内側の位置まで至る外端ステップバンチングを有さない、SiCエピタキシャルウェハ。 - 前記外周端から3mm以内の領域にも外端ステップバンチングを有さない、請求項1に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- c面に対してオフ角を有する面を主面とし、周縁部にベベル部を有する4H−SiC単結晶基板と、
前記4H−SiC単結晶基板上に形成されたSiCエピタキシャル膜と、を備え、
前記ベベル部の外周端部の上面の曲率半径が80μm以下である、SiCエピタキシャルウェハ。 - c面に対してオフ角を有する面を主面とする4H−SiC単結晶基板の外周端部の上面を、80μm以下の曲率半径に加工する工程を有する、SiCエピタキシャルウェハの製造方法。
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