JP5037594B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
図1Aないし図1Cに基づいて、基本構成の形態に係る電界効果トランジスタについて説明する。
ここで、図11Bに示した従来例のようにリセス部が直線的に形成された場合と、図1B、図2および図3のように蛇行した形状に形成された場合とにおけるオン抵抗の値をシミュレーションして比較し、その結果を以下に示す。
図9Aないし図9Cに基づいて、本発明の実施の形態に係る電界効果トランジスタについて説明する。なお、基本構成の形態と同様の機能を有する構成要素については同じ符号を付し、その説明を省略する。
10、110 基板
11、111 チャネル層
12、112 キャリア供給層
13、113 リセス部
15、115 2DEG層
21、121 ソース電極
22、122 ドレイン電極
23、23d、123 第1ゲート電極
23a 電界緩和部
24 第2ゲート電極
25 下部領域
31 第1絶縁層
31a 表面絶縁部
32 第2絶縁層
131 絶縁膜
Claims (8)
- 基板の上に形成されたチャネル層と、
前記チャネル層の上に形成され、前記チャネル層とヘテロ接合を構成するキャリア供給層と、
前記キャリア供給層の表面から掘り下げて形成されたリセス部と、
前記リセス部に沿って形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の上に形成された第1ゲート電極と、
前記キャリア供給層の上であって、前記リセス部に対してチャネル長方向の一方側に形成されたソース電極と、
前記キャリア供給層の上であって、前記リセス部に対して前記チャネル長方向の他方側に形成されたドレイン電極と、
前記キャリア供給層の上に形成された第2絶縁層と、
前記第1ゲート電極の上に形成された第2ゲート電極とを備えた電界効果トランジスタであって、
平面視において、前記チャネル方向と直交する方向をチャネル幅方向とするとき、
前記リセス部は、前記ソース電極と前記ドレイン電極とが平面視で平行に対向する前記チャネル長の範囲内において、蛇行しながら前記チャネル長方向と交差する方向に延長され、
前記第1ゲート電極は、前記チャネル幅方向において、前記ソース電極および前記ドレイン電極との間隔が変動する形状とされ、
前記第2ゲート電極は、前記第1ゲート電極よりも前記ドレイン電極側に突出した形状であり、平面視で前記ドレイン電極と平行に対向した形状であること
を特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1に記載の電界効果トランジスタであって、
前記リセス部は、前記チャネル層まで掘り下げて形成されていること
を特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1から請求項2までのいずれか一つに記載の電界効果トランジスタであって、
前記リセス部は、平面視において一定幅で延長されていること
を特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一つに記載の電界効果トランジスタであって、
前記リセス部の前記ドレイン電極側の側面は、平面視における複数の屈曲部を連結して形成され、
複数の前記屈曲部のなす角度は、鈍角であること
を特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一つに記載の電界効果トランジスタであって、
前記リセス部の前記ドレイン電極側の側面は、平面視における円弧を有する複数の弧状部を連結して形成されていること
を特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一つに記載の電界効果トランジスタであって、
前記第1絶縁層は、前記キャリア供給層の上に延長して形成された表面絶縁部を備え、
前記第1ゲート電極は、前記表面絶縁部の上に形成された電界緩和部を備え、
前記電界緩和部の前記ドレイン電極側の側面は、平面視で前記ドレイン電極と平行に対向した形状であること
を特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1から請求項6までのいずれか一つに記載の電界効果トランジスタであって、
前記チャネル層は、GaNで形成され、前記キャリア供給層は、AlGaNで形成されていること
を特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1から請求項7までのいずれか一つに記載の電界効果トランジスタであって、
前記第1ゲート電極は、前記リセス部を充填して形成されていること
を特徴とする電界効果トランジスタ。
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