JP5036732B2 - マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 87
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 56
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 102
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 description 70
- 230000008569 process Effects 0.000 description 52
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 51
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 24
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 15
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 4
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000007516 diamond turning Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70208—Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Description
本出願は、2006年2月17日出願の米国特許仮出願出願番号第60/774、850号及び2006年6月9日出願の米国特許出願出願番号第60/804、369号の恩典を主張するものである。これらの以前の出願の全開示は、本明細書において引用により組み込まれている。
本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システムにおいて複数の2次光源を生成するための光結合器に関する。本発明は、更に、このような照明システムで使用される細長マイクロレンズのアレイを製造する方法に関する。細長マイクロレンズのアレイは、このような照明システム光結合器又は散乱板に収容されることが多い。
投影露光装置は、一般的に、照明システムと、マスクを整列させるマスクステージと、投影レンズと、フォトレジストで被覆したウェーハを整列させるウェーハアラインメントステージとを含む。照明システムは、(細長)矩形又はリングセグメントの形状を有することが多いマスク上の視野を照らす。
しかし、このような高度の照明システムでさえも、マスク上に衝突する投影光の望ましい放射照度及び角度分布に関して将来の照明システムに適用されることになる厳しい仕様を満たすことは困難である。
マイクロレンズのピッチのこの変動により、遠視野の不要な強度ピークが低減される。しかし、マイクロレンズのピッチが非常に小さい上に1mm未満であることが多いので、精巧に研磨された屈折面さえも、高性能の照明システムでは許容することができない波紋を遠視野強度分布に生成する。
同様の結果は、J.B.Arnold他著「赤外線窓材料及び金属の機械加工性研究」、SPIE、第93巻、「光学器械の精密機械加工の進歩」(1976年)、96ページから103ページの小論文に説明されている。
微小溝のフライカット形成のバリの形成に関連した問題は、F.Z.FANG他著「バリ形成及びフライカット」という名称の小論文に説明されており、これは、2007年1月29日付けwww.simtech.a−star.edu.sg/research/technicalreports/tr0311.pdfの下で入手可能である。
本発明の更に別の目的は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システムで使用される細長マイクロレンズのアレイを非常に正確に製造する方法を提供することである。
対応するマイクロレンズの頂点線間の傾斜角の導入の代わりに又はそれに加えて、様々なピッチを有する第2のマイクロレンズを設置することを想定することができる。対応する頂点線の間の完全な一致は、たとえ第1及び第2の頂点線が直線的であるとしても、こうして回避される。
マイクロレンズの湾曲した表面プロファイルのこのような変動により、光結合器の出口表面にわたって分布したある一定の区域のマイクロレンズにより生成される角度分布を変えることができる。例えば、マスク平面に衝突する投影光のテレセントリック性及び楕円率特性の視野依存の変動を導入することができる。
遠視野におけるテレセントリック性及び楕円率特性を修正するために、通常は、複数の第2のマイクロレンズの縦軸に沿って変化する湾曲した表面プロファイルを有する複数の隣接した第2のマイクロレンズを設置することが好ましい。例えば、第2のマイクロレンズの第2のアレイは、第2のマイクロレンズが第1の湾曲した表面プロファイルを有する少なくとも1つの第1の区域を含むことができる。少なくとも1つの第2の区域において、第2のマイクロレンズは、材料が局所的に除去されたという点で、第1の湾曲した表面プロファイルと異なる第2の湾曲した表面プロファイルを有する。材料が、例えば、研磨又はイオンビームエッチングにより少なくとも1つの第2の区域のみで除去された場合、湾曲した表面プロファイルは局所的に修正され、これは、照明システムのテレセントリック性及び楕円率特性の視野依存の変化をもたらす。材料が除去される前に、第2の湾曲した表面プロファイルは、例えば、曲率半径又はマイクロレンズピッチに関して全て同一である場合があり、又は互いと異なる場合もある。
表面はまた、少なくとも1つのマイクロレンズを研磨することにより、又はイオンビームに少なくとも1つのマイクロレンズ又は少なくともその一部分を露光することにより再加工することができる。イオンビームは、少なくとも1つのマイクロレンズのピッチよりも大きい最大寸法を備えた断面を有するべきである。複数のマイクロレンズは、次に、マイクロレンズ表面上に平行に衝突するイオンの同じ流れに露光される。イオンビーム方向と表面の間で形成される角度がマイクロレンズの縦方向と垂直な断面において大きく変化するので、エッチング速度も断面内で大きく変化する。これは、単一のマイクロレンズの一部分上に非常に細いイオンビームを向け、かつエッチング時間を制御することによってエッチング速度を変える必要がなく、均質なイオンビームでマイクロレンズの湾曲した表面プロファイルを修正することを可能にする。エッチング速度に影響を与えるために、例えば、マイクロレンズアレイを有する基板が装着された傾斜台を用いて、少なくとも1つのマイクロレンズ又はその一部分とイオンビームの間の向きを変えることができる。
本発明の様々な特徴及び利点は、添付図面に関連して行う以下の詳細説明を参照してより容易に理解することができる。
以下に、本発明による光結合器の一般的構造及び機能を説明する。
1.1.一般的構造
図1は、10により全体として示す光結合器の単純化した斜視図である。この実施形態の光結合器10は、第1の結合器部材12及び第2の結合器部材14から成る。第1の結合器部材12は、X方向に沿って整列した平行した縦軸を有する円柱マイクロレンズ12Yの第1のアレイを含む。第1の結合器部材12は、X方向に垂直であるY方向に沿って整列した平行した縦軸を有する第2の円柱マイクロレンズのアレイ12Xを更に含む。マイクロレンズ12Y、12Xの縦軸は直線的であるので、第1のマイクロレンズ12Yは、Y方向だけに沿って屈折力を有し、第2のマイクロレンズ12Xは、X方向だけの屈折力を有する。
図示の実施形態では、マイクロレンズ12X、12Y、14X、14Yの焦点距離及び光軸OAに沿った結合器部材12、14間の距離は、第2のマイクロレンズ12Xにより生成された焦線が、第3のマイクロレンズ14Xの頂点上に位置するように選択される。第3のマイクロレンズ14Xは、第2のマイクロレンズ12Xと同じ焦点距離を有するので、これは、第3のマイクロレンズ14Xの焦線が第2のマイクロレンズ12Xの頂点上に位置することを意味する。同じ条件が、変更すべき点を変更して、それぞれ第1及び第4のマイクロレンズ12Y及び14Yにも適用される。
各マイクロレンズ12Y、12X、14X、14Yは、その縦軸、そのピッチ、すなわち、その縦軸に垂直な幅、及び屈折面の湾曲した表面プロファイルにより幾何学的に定められる。用語「プロファイル」は、マイクロレンズの縦軸に垂直な(あらゆる)断面での表面の形状に関連する。
マイクロレンズ12Y、12X、14X、14Yのピッチは、5mm未満、より良くは、2mm未満であるべきである。図示の実施形態では、ピッチは、数マイクロメートルと数百マイクロメートルまで、例えば、500μmの間に範囲にある。通常、光結合器10を通じて伝播する光の波長よりも、例えば、係数3だけ大きいピッチを有することが好ましい。
光結合器10は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システムにおいて複数の2次光源を生成することを目的としたものである。各2次光源は、マスク上で漏れなく照明視野を照らす。これを図2を参照して説明する。機能の更に詳細な説明は、上述の国際特許出願番号PCT/EP2007/001267にある。
図2は、3つの第3のマイクロレンズ14X、照明システムの集光レンズ16、及び光結合器10により照らされるマスク平面18(又は、中間視野面)を示している。各マイクロレンズ14Xは、対応する第2のマイクロレンズ12Xにより照らされると、拡散的光束を生成する。光束の角度強度分布は、マイクロレンズ14Xの湾曲した表面プロファイルで判断される。集光レンズ16は、マスク平面18において角度分布を強度分布に変える。
光結合器10は、設計された、すなわち、意図的に導入された変動を特徴とする。すなわち、第3のマイクロレンズ14X又は第3のマイクロレンズ中の異なる部分は、ピッチ及び/又は縦軸及び/又は湾曲した表面プロファイルに関して互いに異なっている。これを節3.3以下でより詳細に説明する。
以下に、光結合器10を製造する方法を図3から図16を参照して説明する。好ましい方法は、フライカット機械で行われるフライカット処理を伴っている。
2.1.フライカット機械の概要
図3は、20により全体として示すフライカット機械の概略側面図である。簡潔さを期すために、図3の図は、縮尺通りでない。
機械20は、フライカット処理を手段として適切な基板上でマイクロレンズ12Y、12X、14X、14Yを生成するのに使用される。フライカット処理は、加工物がゆっくり移動され、工具が別の方向に回転されるか又は迅速に移動されるという点で、ゆっくり移動する工具に対して加工物が回転される従来の回転工程と異なっている。
昇降台36は、矢印線40及び42により図3で示すように、2つの直交するX及びY方向の周りに基板30を傾かせることを可能にする傾斜台38に取り付けられる。傾斜台38は、好ましくはスピンドル26の回転軸28と交差する回転軸46(二重矢印線48を参照されたい)周りに基板30を回転させることを可能にする回転台44上に取り付けられる。回転台44は、Z方向に垂直な平面において直交するX及びY方向に沿って基板30を変位させることを可能にする位置決め台50上に取り付けられる。位置決め台50は、スピンドル26に対して、及び従って回転中の刃先24に対して、10nm又は更にそれよりも大きい位置決め精度を有することができる。
昇降台36、傾斜台38、回転台44、及び位置決め台50により生成される様々な運動の重ね合わせにより、速く回転している刃先24に対して基板の実質的にあらゆる動きを生成することができる。これは、次に、不規則形状を有することさえある基板上の広範な構造を生成することを可能にする。
図5及び6は、それぞれ、斜視図及び上面図で工具22を示している。工具22は、基本的に三日月形であり、刃先24は、三日月形の内側に形成される。
工具22は、単結晶ダイヤモンドで製造されることが好ましい。基板の材料により、従来のダイヤモンド、超硬合金、又はセラミックのような他の材料も想定することができる。
以下に、フライカット機械20を用いたフライカット処理を簡潔に説明する。
最初に、好ましくは平行平面板の形状を有する基板を加工物保持具32に取り付けて、スピンドル26の方向を指しているその上面が正確にZ方向に対して垂直であるように傾斜台38を使って調節する。昇降台36は、刃先24が完全に基板30の表面に切り込むようにZ方向に沿って基板30を変位させるために使用される。スピンドル26回転中に、位置決め台50の助けを借りて、製造対象のマイクロレンズの縦軸を定める第1の方向に沿って基板30をゆっくり移動させる。このフライカット処理では、図5及び図6で示すような工具で直線的な縦軸を有する第1の凸状に成形された円筒形のマイクロレンズを生成する。
昇降台36の助けを借りてZ軸に沿って基板30を移動させる代わりに、スピンドル26は、小さいが非常に正確に制御可能な距離だけZ方向に沿って、スピンドル26、及び従って刃先24を移動させることを可能にする調節ユニットに接続することができる。
マイクロレンズを生成する従来の方法の一部と同様に、フライカット処理がエッチング段階を含まないので、CaF2から成るマイクロレンズも製造することができる。これは、CaF2が200nm未満の波長で使用される光結合器に非常に重要な光学材料であるので、有意な利点である。
フライカット処理により、優れた縁部鮮明度を有するマイクロレンズを生成することができる。これは、特に、隣接したマイクロレンズが直接に接しているマイクロレンズアレイには重要である。図12の拡大切欠き図で分るように、隣接するマイクロレンズは、曲率が理想的な場合にゼロである直線縁62に沿って当接する。しかし、フライカット処理で達成することができる良好な縁部鮮明度のために、非常に良好な程度まで縁部62に沿って理想的な形状に近づけることができる。従って、光学的に使用不能であるか又は不要な方向に光を屈折させるアレイ区域を非常に小さく保つことができる。
刃先24と基板30の間の速い相対速度の結果として、マイクロレンズの非常に滑らかな表面が達成される。それでも、この表面は、多くの場合に全く滑らかとは限らず、微細な粗さが現れる。この微細な粗さは、基板30の材料特性、更に工具22の品質及び摩耗条件に依存する場合がある。例えば、CaF2基板の結晶欠陥は、結果として、直径数マイクロメートル及び深さ数ナノメートルの材料破損になる可能性がある。
以下で、フライカット処理のある一定の改良点をより詳細に説明する。
表面の微細な粗さは、散乱の原因になり、表面研磨費用増大が必要になる。散乱光は、一般的に、結果としてシステム性能の劣化になる。
同方性光学材料、例えば、CaF2においても、表面粗度は、刃先が基板に切り込む方向に依存する。この切削方向は、基板がフライカット処理中にゆっくり移動される方向と区別すべきである。
CaF2の場合、結晶軸は、{111}結晶面が光軸に垂直に配置されるように、光軸に対して一定方向に向けられることが多い。ここでは、表現{111}は、Miller指数形式を使っている1組の同等結晶面を示している。CaF2のような立方結晶においては、各平面{111}は、等しい結晶方向(111)の1つに垂直である。(111)の丸括弧は、全ての同等結晶方向の組<111>、<−1−1−1>、<−1−11>、<1−1−1>、<11−1>、<−111>、<1−11>、及び<11−1>を示している。Miller指数、結晶方向、及び結晶面に関する詳細に対しては、本出願人に譲渡されたUS2004/0105170A1を参照されたい。
CaF2の結晶が光学面に垂直に、すなわち、マイクロレンズが形成される基板の機械加工面と平行に{111}結晶面が一定方向に向けられるように、一定方向に向けられる場合、結晶は、切削表面粗度に関する最適の結果が達成される方向に対して三重の対称性を示している。
結合器部材12及び14の場合に当て嵌まるように、マイクロレンズの2つの直交するアレイを{111}CaF2結晶の両側に製造すべきである場合、理想的な切削方向で両方のアレイを製造することは不可能である。この状況においては、両方の実際の切削方向が理想的な切削方向にできるだけ近いものであるという妥協をすることができる。
多くの場合、フライカット処理で生成されるマイクロレンズの湾曲した表面プロファイルを修正することができることが望ましい。1つの誘因は、非円形の表面プロファイルを有するマイクロレンズを製造しにくいということであろう。これは、非円形である刃先24の製造が非常に高度な処理であり、例えば、10nm尺度で刃の湾曲及び波形を判断することができる測定装置の使用を必要とする場合があるからである。これとは対照的に、円形の刃先24による工具22の製造の方が遥かに単純かつ安上がりである。従って、フライカット処理に円形の表面プロファイルを有するマイクロレンズを製造して、次に、他の手段でこのプロファイルを修正することが、多くの場合に有利であると考えられる。
これを第2の結合器部材14の上面図を示す図10を参照して説明する。簡潔さを期すために、左上のコーナでは、第3のマイクロレンズ14Xの一部だけが示されている。第3のマイクロレンズ14Xの湾曲した表面プロファイルは、より多くの光エネルギが区域72でマイクロレンズ14Xにより放出される光束の中央に集中するように、区域72において修正される。従って、区域72の中の実線により図10に示すように、より多くの光エネルギがマスク平面18の中央に集中する。このような修正された角度分布は、第3のマイクロレンズ14Xの頂点帯を平坦化することにより生成することができる。
表面プロファイルを選択的に修正する更に別の誘因は、マスク平面の強度均一性を改善することである。これを節3.3で以下により詳細に説明する。
以下では、フライカット処理で生成されるマイクロレンズの湾曲した表面プロファイルを選択的に修正することを可能にする様々な方法を説明する。
節2.3で上述の研磨法は、例えば、マイクロレンズの縦軸に垂直な平面で又はアレイのある一定の区域内のみで非球面レンズの効果を達成するために、アレイの全てのマイクロレンズの湾曲した表面プロファイルを修正するのに用いることができる。例えば、研摩布でマイクロレンズの頂点領域を平坦化することができる。他の研磨法、例えば、磁気流動性流体でマイクロレンズの側面から材料を選択的に磨削することさえ可能である。
マイクロレンズが均質なイオンビームに露光された場合、複数のイオンが、マイクロレンズ又はその一部の表面に衝突する。イオンは、他の量の中でもとりわけ、マイクロレンズの材料、及びイオンのエネルギ及び電流密度にも依存する摩損又はエッチング速度Rでマイクロレンズの表面から原子を除去する。その上、エッチング速度Rは、局所入射角に強く依存する。
図11に示すグラフは、500eVのイオンエネルギの場合のCaF2(実線)、及び比較のためのレジスト(破線)の局所入射角φに対するエッチング速度Rの依存性を例示している。
イオンビームが1つ又は複数のマイクロレンズ上に導かれる場合、局所入射角φに対するエッチング速度Rの依存性、及び更に表面プロファイルf(x)に対するこの角度φの依存性により、エッチング速度Rがマイクロレンズの表面にわたって変化することが保証される。これは、次に、1回でマイクロレンズの表面プロファイルを修正することを可能にする。特に、単一のマイクロレンズの一部で非常に細いイオンビームを導くか、又はエッチング時間を制御することによってエッチング速度を変える必要がない。代替的に、表面プロファイル修正は、主として、イオンビームがマイクロレンズ14X上に導かれる角度α及びβで判断される。
しかし、多くの場合に、表面プロファイルにより矩形の形状を与えるために頂点領域を平坦化することが所望される。これらの場合、方位角β=90°である図16に示す第2の例示的な設定を用いる方がよい。イオンビーム方向78は、こうしてY方向に垂直な入射面にある。
イオンビームエッチング処理の上述の説明は、第3のマイクロレンズ14Xに例示的に関連することに注意すべきである。当然のことながら、他のマイクロレンズ及び特に第2のマイクロレンズ12Xは、上述のものと同じ方法でイオンビームを使用して再加工することができる。
以下では、マイクロレンズの幾何学的形状のある一定の変動を説明する。フライカット処理を使用して生成することができる変動は、第2及び第3のマイクロレンズ12X、14X間の厳密な幾何学的な相関関係を部分的に破壊する目的を有するものである。全ての第2のマイクロレンズ12Xが必ずしも同じ方法で対応する第3のマイクロレンズ14Xを照らすというわけではない場合、マスク平面18で第3のマイクロレンズにより生成される強度分布は、X方向に沿って僅かにずれる。それによって、以下でより詳細に説明するように、マスク平面で強度分布の均一性が改善する。
図19は、別の実施形態による第1で第2の結合器部材112、114の拡大断面を示している。この実施形態では、第1の結合器部材112の第2のマイクロレンズ112Xは、等しいピッチp1で規則正しく配置され、かつ全てが同じ表面プロファイルを有すると仮定されている。第2の結合器部材114上に配置された第3のマイクロレンズ114Xは、同じ曲率半径を有する円形の表面プロファイルを有する。しかし、第3のマイクロレンズ114Xのピッチp21、p22、...、p2nは変動する。この実施形態では、ピッチp21、p22、...、p2nの変動は、ある一定の範囲の全てのピッチp21、p22、...、p2nが同じ発生で発生するように、均等分配関数に従う。ピッチの平均値が第1の結合器部材12のp1と同じであるので、依然として対向した第2及び第3のマイクロレンズ112X、114X間に1対1の対応がある。ピッチ変動の結果として、第2のマイクロレンズ112Xの頂点線Vは、一般的に、もはや対応する第3のマイクロレンズ114Xの頂点線V1、V2、...、Vnと一致しない。代替的に、対応する頂点線間の距離も、均等分配関数に従って変動する。
しかし、マイクロレンズ114Xの残留表面粗度のような様々な理由から、強度分布は、図20で概略的に示すように、完全に平坦であるわけではなく、小さな振幅及び高い周波数を有する複数の波紋を示している。全ての第3のマイクロレンズが図20で示すように同じ強度分布を生成すると仮定した場合、重ね合わされた強度分布は、波紋が、絶対値の意味で、重ね合わせのために単一の第3のマイクロレンズに対してより強くなった全体強度分布をもたらすであろう。しかし、製作公差のために、第3のマイクロレンズは、決して完全に等しいわけではなく、従って、マスク平面18で第3のマイクロレンズにより生成される強度分布も若干変動する。このような若干異なる強度分布が重なり合うと、各単一の第3のマイクロレンズ114Xの強度分布で観察される波紋を部分的に排除する平均化又は不鮮明化効果が発生する。
以下では、異なるピッチを有する第3のマイクロレンズ114Xをフライカット処理を使用して生成することができる方法に対して説明する。図22aから図221は、第3のマイクロレンズ114X製造中の様々なその後の段階での基板30の断面を示している。これらの段階中に刃先24に垂直である方向に沿って基板30が移動されると仮定されている。
第1のマイクロレンズ114X1が完全に形成された後、マイクロレンズ114X1に並んで配置された次のマイクロレンズを形成することができるように、基板30が横へ変位される。
第2のマイクロレンズ114X2が形成された後、基板30は、再び変位されるが、今回は、距離は小さくなっている。その結果として、工具22は、部分的に第2のマイクロレンズ114X2に切り込み、それによってW字形の溝92が、第2のマイクロレンズ114X2と第3のマイクロレンズ114X3の間に形成される。
第3のマイクロレンズ114X3の製造が完了された後、基板30は、横へ再び変位されるが、今回は、従来の距離より大きい距離分である。その結果として、工具22により生成される第4のマイクロレンズ114X4は、ここでは、三角形のプロファイルを有する隆起部94により、第3のマイクロレンズ114X3から離間している。
図23及び図24は、それぞれ、上面図及び側面図で別の実施形態による第3のマイクロレンズ214Xのアレイを示している。この実施形態では、第3のマイクロレンズ214Xは、互いに平行して延びるが、縦軸は、第2のマイクロレンズ12Xの縦軸に対して傾斜される。第2のマイクロレンズ12Xの規則的なアレイは、図24では、隣接した第2のマイクロレンズ12Xが当接する点線による境界線96により示されている。
このようなマイクロレンズを製造するために、フライカット処理を同様に用いることができる。例えば、蛇行線縦軸を有するマイクロレンズを生成するためには、フライカット処理中に回転軸46周りにゆっくりと回転台44を回転させることが必要なだけである。
マスク平面18の強度分布の均一性を改善するためにも、節2.5で示したプロファイル形状修正を有利に用いることができることは上述した。個々のマイクロレンズ又はその一部を研磨又はイオンビームエッチングすることにより、製造公差のために存在する変動を増した表面プロファイル変動を選択的に生成することができる。これらの変動を慎重に設計することにより、殆ど完全に均一な強度分布が達成される程度まで、マスク平面18内の異なる強度分布の重ね合わせによって得られる平均化効果を増大させることができる。
以下では、非常に単純な手段で表面プロファイルを選択的に変えることができる代替方法を説明する。
マイクロレンズアレイ製造中、切削工具22には、通常、刃先24の幾何学的形状及び切削品質に影響を及ぼす摩耗が発生する。通常、新しいマイクロレンズが既存のものの直近に隣接して製造されるように、マイクロレンズは、次々と製造される。次に、隣接したマイクロレンズの表面プロファイルは、殆ど同一であるが、切削工具22摩耗の増加のために、アレイの表面にわたって若干異なっている。それによって他の手段により簡単には補正することができない均一性分布の系統的誤差が導入される。
第1のマイクロレンズ314X11が形成された(図25a)後、第2のマイクロレンズ314X12が形成される前に、基板30は、マイクロレンズピッチ(図25b)の倍数で横へ移動される。同じことが、第2のマイクロレンズ314X12の製造が完了された後(図25c)等々に第3のマイクロレンズ314X13に対しても適用される。
この交互配置製造シーケンスにより、節3.1及び節3.2で上述したことに類似した平均化効果を達成するのに隣接したマイクロレンズの表面プロファイル間の差異で実質的に十分であることが保証される。それにも関わらず、表面プロファイルの系統的な変化は、マイクロレンズの縦方向に垂直な方向にはない。
マイクロレンズの完全なアレイが基板30上に製造された後、同じか又は好ましくは若干異なる切削工具を使用して、何らかの、例えば、第2番目ごと又は第3番目ごとのマイクロレンズを再加工することができ、それによって表面プロファイルの変動が生成される。
図26は、第1の実行で第3のマイクロレンズ412Xを形成した工具と異なる工具122で、どのようにして第3のマイクロレンズ412Xの第2番目毎のマイクロレンズが再形成されるかに関して説明している。当然のことながら、マイクロレンズ412Xは、1つよりも多い付加的な工具122でも再加工することができる。
異なる表面プロファイル又はピッチを有するマイクロレンズを生成する非常に単純な方法は、望ましい表面プロファイル及び/又はピッチに特に適する異なる切削工具を使用することである。図29は、第3のマイクロレンズ614Xが、全て同じピッチを有するが、r1から:r4により示される異なる曲率半径を有するマイクロレンズアレイの断面を示している。異なる曲率は、簡潔さを期すために、図29ではかなり誇張されており、実際的なマイクロレンズアレイにおいては、曲率半径の変動は、僅か1パーセントであろう。マイクロレンズ614Xのこのようなアレイが、第2のマイクロレンズ12Xの規則的なアレイにより照らされた場合、異なる幅を有する4つの強度分布が、マスク平面18において重畳される。それによって全体強度分布内の不要な波紋がかなり低減される。
第3のマイクロレンズ614Xを製造するために、図25aから図25eを参照して節3.3.1で上述の交互配置製造シーケンスを適用することができ、平行かつ離間したマイクロレンズの各アレイは、異なる切削工具22で形成される。
単一の刃先だけを有する工具を使用する代わりに、いくつかの刃先が並んで配置された工具を使用することができる。多重刃先工具上に設けられる刃先が多いほど、マイクロレンズアレイを製造する総機械加工時間が短縮されることになる。
多重刃先工具を設置すると、単一のフライカットサイクルで異なる表面プロファイル及び/又はピッチを有する複数のマイクロレンズを生成することができる。例えば、図28に示す第3のマイクロレンズ614Xを製造するために、1つのフライカットサイクルで4つの隣接したマイクロレンズ614Xを形成する4枚刃切削工具を使用することができる。
図30は、3つの隣接した刃先324a、324b、324cを有する多重刃先工具322の正面図である。多重刃先工具322は、隣接したマイクロレンズの群の周期的なアレイを製造するために最適化されており、1つの群内のマイクロレンズは、異なる表面プロファイルを有する。工具322を用いると、製造工程中に工具交換は不要である。
上述のように、節2及び3で説明した異なる実施形態のフライカット処理は、他の種類の細長マイクロレンズの製造にも有利に用いることができる。例えば、開示内容全体が本明細書において引用により組み込まれている国際特許出願PCT/EP2007/001267では、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システムにおいてマイクロレンズの平行アレイを有する散乱板を使用することを提案している。
図31は、図1に類似した図での光結合器10の斜視図である。この実施形態では、2つの散乱板98及び100は、それぞれ、光結合器10の前と後に配置される。散乱板98、100も、上述のマイクロレンズに類似した異なる幾何学的形状を有するマイクロレンズのアレイを含む。
114X 第2のマイクロレンズの第2のアレイ
V 第1の頂点線
V1からV4 第2の頂点線
Claims (19)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システムにおいて複数の2次光源を生成するための光結合器であって、
a)第1の平面に並んで配置されて第1の頂点線(V)を有する細長い凸状に湾曲した第1のマイクロレンズ(112X)の第1のアレイ、
b)第2の平面に並んで配置されて第2の頂点線(V1〜V4)を有する細長い凸状に湾曲した第2のマイクロレンズ(114X、214X)の第2のアレイ、
を含み、
少なくとも1つの第2の頂点線又はその一部分は、光結合器の光軸に沿った投影において、前記第1の頂点線(V)又はその一部分のいずれの1つとも一致しない、
ことを特徴とする光結合器。 - 前記少なくとも1つの第2の頂点線(V1〜V4)又はその一部分は、ジグザク線を形成することを特徴とする請求項1に記載の光結合器。
- 前記少なくとも1つの第2の頂点線(V1〜V4)又はその一部分の、互いに隣接する直線部分は、基準方向に対して角度δだけ傾斜していることを特徴とする請求項2に記載の光結合器。
- 前記少なくとも1つの第2の頂点線又はその一部分は、蛇行線を形成することを特徴とする請求項1に記載の光結合器。
- 前記第1のマイクロレンズ(112X)は、前記第2のマイクロレンズ(114X、214X)の縦軸と少なくとも実質的に平行である第1の縦方向と平行に延びる縦軸を有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の光結合器。
- 前記第2のマイクロレンズ(114X)は、様々なピッチを有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光結合器。
- 前記第1の頂点線(V)及び前記第2の頂点線(V1〜V4)は、直線的であることを特徴とする請求項6に記載の光結合器。
- 前記第2のマイクロレンズ(114X)は、同一表面プロファイルを有することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の光結合器。
- 前記第1のマイクロレンズ(12X、112X)と前記第2のマイクロレンズ(14X、114、214)の間に1対1の対応が存在することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の光結合器。
- 前記第2のマイクロレンズ(14X、114、214)の焦点面が、前記第1の平面と少なくとも実質的に一致することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の光結合器。
- 前記第1のマイクロレンズ(12X、112X)及び前記第2のマイクロレンズ(14X、114、214)は、5mm未満のピッチを有することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の光結合器。
- 前記第1のマイクロレンズ(12X、112X)及び前記第2のマイクロレンズ(14X、114、214)は、2mm未満のピッチを有することを特徴とする請求項11に記載の光結合器。
- 請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の光結合器(10)を含む、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム。
- 2次光源の前又はその後に配置された複数のマイクロレンズを含む少なくとも1つの散乱構造体(98、100)を含むことを特徴とする請求項13に記載の照明システム。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システムにおいて複数の2次光源を生成するための光結合器であって、
a)第1の平面に並んで配置されて第1の頂点線を有する細長い第1のマイクロレンズの第1のアレイ、
b)第2の平面で並んで配置され、かつ少なくとも1つの頂点線がジグザク又は蛇行線を形成する第2の頂点線を有する細長い第2のマイクロレンズ(214X)の第2のアレイ、
を含むことを特徴とする光結合器。 - マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システムにおいて複数の2次光源を生成するための光結合器であって、
a)第1の平面に並んで配置された細長い第1のマイクロレンズの第1のアレイ、
b)第2の平面で並んで配置された細長い第2のマイクロレンズの第2のアレイ、
を含み、
少なくとも1つの第2のマイクロレンズは、該少なくとも1つの第2のマイクロレンズの縦軸に沿って変化する湾曲した表面プロファイルを有する、
ことを特徴とする光結合器。 - 複数の隣接する第2のマイクロレンズ(14X)は、該複数の第2のマイクロレンズの縦軸に沿って変化する湾曲した表面プロファイルを有することを特徴とする請求項16に記載の光結合器。
- 前記第2のマイクロレンズの第2のアレイは、
a)前記第2のマイクロレンズ(14X)が第1の湾曲した表面プロファイルを有する少なくとも1つの第1の区域、及び
b)材料が局所的に除去されている点で前記第1の湾曲した表面プロファイルとは異なる第2の湾曲した表面プロファイルを前記第2のマイクロレンズ(14X)が有する少なくとも1つの第2の区域(72、74)、
を含む、
ことを特徴とする請求項17に記載の光結合器。 - 少なくとも2つの第2の区域(72)が、第1の方向(Y)に沿って配置され、少なくとも2つの更に別の第2の区域(74)が、該第1の方向(Y)に少なくとも実質的に垂直である第2の方向(X)に沿って配置され、
前記第1の方向(Y)に沿って配置された前記少なくとも2つの第2の区域(72)における前記第2のマイクロレンズ(14X)は、前記第2の方向(X)に沿って配置された前記更に別の第2の区域(74)において該少なくとも2つの第2のマイクロレンズ(14X)の前記湾曲した表面プロファイルとは異なる湾曲した表面プロファイルを有する、
ことを特徴とする請求項18に記載の光結合器。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US77485006P | 2006-02-17 | 2006-02-17 | |
US60/774,850 | 2006-02-17 | ||
US80436906P | 2006-06-09 | 2006-06-09 | |
US60/804,369 | 2006-06-09 | ||
PCT/EP2007/001370 WO2007093436A1 (en) | 2006-02-17 | 2007-02-16 | Optical integrator for an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012106044A Division JP5640037B2 (ja) | 2006-02-17 | 2012-05-07 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009527114A JP2009527114A (ja) | 2009-07-23 |
JP5036732B2 true JP5036732B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=38017163
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008554689A Expired - Fee Related JP5036732B2 (ja) | 2006-02-17 | 2007-02-16 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器 |
JP2012106044A Expired - Fee Related JP5640037B2 (ja) | 2006-02-17 | 2012-05-07 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012106044A Expired - Fee Related JP5640037B2 (ja) | 2006-02-17 | 2012-05-07 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7880969B2 (ja) |
EP (1) | EP1984788B1 (ja) |
JP (2) | JP5036732B2 (ja) |
KR (2) | KR101306503B1 (ja) |
CN (1) | CN102314096B (ja) |
AT (1) | ATE525679T1 (ja) |
WO (1) | WO2007093436A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101170182B1 (ko) * | 2004-02-17 | 2012-08-01 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로 리소그래피 투영 노광 장치용 조명 시스템 |
JPWO2007072639A1 (ja) * | 2005-12-21 | 2009-05-28 | 株式会社ニコン | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
TWI456267B (zh) | 2006-02-17 | 2014-10-11 | Zeiss Carl Smt Gmbh | 用於微影投射曝光設備之照明系統 |
DE102008006637A1 (de) | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Optischer Integrator für ein Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US8587764B2 (en) * | 2007-03-13 | 2013-11-19 | Nikon Corporation | Optical integrator system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5035747B2 (ja) | 2007-03-16 | 2012-09-26 | 株式会社ニコン | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
DE102007051145A1 (de) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung einer Oberfläche eines Substrats |
US8164046B2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-04-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic projection exposure apparatus |
EP2354853B1 (en) * | 2010-02-09 | 2013-01-02 | Carl Zeiss SMT GmbH | Optical raster element, optical integrator and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
TW201128227A (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-16 | Young Optics Inc | Optical projection system and method for reducing ghost image generated therein |
US20120002258A1 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Optical element |
JP5657598B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2015-01-21 | 株式会社東芝 | 画像表示装置 |
DE102012205790B4 (de) * | 2012-04-10 | 2015-02-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zur Homogenisierung von Laserstrahlung sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
KR20140047412A (ko) * | 2012-10-12 | 2014-04-22 | 에스케이씨하스디스플레이필름(유) | 탠덤 배열 렌즈 시트 |
JP5682692B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2015-03-11 | 株式会社リコー | 画像表示装置 |
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-
2007
- 2007-02-16 EP EP20070703501 patent/EP1984788B1/en not_active Not-in-force
- 2007-02-16 AT AT07703501T patent/ATE525679T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-02-16 KR KR1020117029289A patent/KR101306503B1/ko active IP Right Grant
- 2007-02-16 CN CN201110264583.5A patent/CN102314096B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-16 WO PCT/EP2007/001370 patent/WO2007093436A1/en active Application Filing
- 2007-02-16 KR KR1020087022633A patent/KR101254843B1/ko active IP Right Grant
- 2007-02-16 JP JP2008554689A patent/JP5036732B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-05 US US12/186,365 patent/US7880969B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-12-20 US US12/973,234 patent/US8520307B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-07 JP JP2012106044A patent/JP5640037B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110083542A1 (en) | 2011-04-14 |
KR101254843B1 (ko) | 2013-04-15 |
US20090021839A1 (en) | 2009-01-22 |
US8520307B2 (en) | 2013-08-27 |
ATE525679T1 (de) | 2011-10-15 |
JP2009527114A (ja) | 2009-07-23 |
CN102314096A (zh) | 2012-01-11 |
CN102314096B (zh) | 2014-05-21 |
JP2012156552A (ja) | 2012-08-16 |
JP5640037B2 (ja) | 2014-12-10 |
EP1984788B1 (en) | 2011-09-21 |
EP1984788A1 (en) | 2008-10-29 |
KR20120003016A (ko) | 2012-01-09 |
KR20090004877A (ko) | 2009-01-12 |
US7880969B2 (en) | 2011-02-01 |
KR101306503B1 (ko) | 2013-09-09 |
WO2007093436A1 (en) | 2007-08-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111107 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120207 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120604 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120703 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |