JPH11237503A - 回折光学素子及びそれを有する光学系 - Google Patents

回折光学素子及びそれを有する光学系

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JPH11237503A
JPH11237503A JP10356941A JP35694198A JPH11237503A JP H11237503 A JPH11237503 A JP H11237503A JP 10356941 A JP10356941 A JP 10356941A JP 35694198 A JP35694198 A JP 35694198A JP H11237503 A JPH11237503 A JP H11237503A
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oxide
diffractive optical
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fluoride
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日出夫 加藤
Hiroshi Maehara
広 前原
Kenji Tamamori
研爾 玉森
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細加工が容易で強い光エネルギーの照射に
も耐久性の良い紫外領域で好適な回折光学素子及びそれ
を有した光学系を得ること。 【解決手段】 フッ素化合物より成る基板と、該基板上
に形成した酸化物を用いた回折格子とを有すること。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回折光学素子及びそ
れを有する光学系に関し、特に耐久性が優れ、形状の経
時的変化が少なく、常に、特定方向への回折光を高い回
折効率で形成できる回折光学素子に関し、特にＡｒＦエ
キシマレーザーやＫｒＦエキシマレーザーを光源として
用いるデバイス製造用の露光装置の光学系に好適なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来より、レンズ面やあるいは光学系の
１部に回折作用を有する回折光学素子を設けて、光学系
中の屈折面と回折面とで、ある基準波長の光線に対する
色収差の出方が逆方向に発現するという物理現象を利用
して、光学系の色収差を減じる方法が例えばSPIE Vol.1
354 International Lens Design Conference (1990) 等
の文献や特開平4-213421号公報、特開平6-324262号公
報、ＵＳＰ5,044,706 等により開示されている。
【０００３】これらで開示されている回折光学素子で
は、周期的構造の回折格子を光軸等ある軸を中心に回転
対称に構成し、回折格子の周期ピッチを徐々に変化させ
ることによりこの周期的構造を有する輪帯構造から生じ
る回折作用がレンズとして作用するのを利用している。
【０００４】この回折光学素子は、硝子の分散により屈
折面で発生する色収差に対して特にその補正する効果が
大きいが、その周期的構造の周期を変化させることで非
球面レンズ的な効果を持たせることもでき収差の低減に
も大きな効果がある。
【０００５】この回折作用を得るための回折光学素子の
具体的な構造は、キノフォームと呼ばれ、この位相差２
πを与える間が連続的になっているもの、連続的な位相
差分布を階段状に近似したバイナリー形状（階段形状）
に構成したものや、その微小な周期的構造を三角波形状
に近似し構成したもの等が知られている。
【０００６】このような回折光学素子は、リソグラフィ
ー等の半導体プロセスや切削等により製造されている。
【０００７】回折光学素子のうち階段形状（バイナリー
形状）の回折光学素子はバイナリーオプティクス（Ｂ
Ｏ）と呼ばれ、リソグラフィー等の半導体プロセスによ
り非常に細細なものが製造される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＢＯの基板に石英を用
い、露光（周期パターンの焼付）にはｉ線ステッパー、
ドライエッチングには平行平板型のＲＩＥ装置を使用し
て、フォトリソグラフィー技術により１つの帯が８段の
階段より成る輪帯状パターンをもつＢＯ素子を作成して
いた。石英基板を直接加工して作成したＢＯ素子は、石
英基板がそれに当たる強力な光エネルギー（ＡｒＦエキ
シマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー等からのレーザ
ー光線）の一部を吸収してコンパクション（収縮）を起
こし、ＢＯの形状が変化してしまう問題があった。
【０００９】本発明は強力な光エネルギーの照射によっ
てもコンパクションを起こさないか、起こしても問題が
生じない程度となる回折光学素子及びそれを有する光学
系の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の回折光学素子
は、フッ素化合物より成る基板上に酸化物（酸化化合
物）を用いて回折格子を形成していることを特徴として
いる。
【００１１】本発明のある回折光学素子は前記回折格子
が前記酸化物のみでできており、本発明の他の回折光学
素子は前記回折格子が、前記酸化物とフッ素化合物又は
前記酸化物と金属酸化物の多層構造を有する。
【００１２】本発明の回折光学素子の好ましい形態はＢ
Ｏである。
【００１３】本発明の前記酸化物の好ましい物は石英
（ＳｉＯ2 ）である。
【００１４】本発明の前記酸化物の他の物としては、ア
ルミナ，氷晶石，ＭｇＯ，ＴｉＯ2，ＨｆＯ2 等の金属
酸化物がある。
【００１５】本発明の前記基板の前記フッ素化合物の好
ましい物はフッ化カルシウム（ＣａＦ2）である。
【００１６】本発明の前記基板の前記フッ素化合物の他
の物としてはＡｌＦ3 ，ＢａＦ2 ，ＬｉＦ，ＭｇＦ2 等
がある。
【００１７】本発明の前記多層構成のうち酸化物の層が
主に階段形状の格子を形成し、フッ素化合物、又は金属
酸化物の層は酸化物の層をドライエッチングするときの
ストッパーとして作用していること。
【００１８】本発明の前記多層構造のエッチングストッ
パーとして働いたフッ素化合物には、フッ化マグネシウ
ム、フッ化鉛、フッ化ネオジウム、フッ化リチウム、フ
ッ化ランタン、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フ
ッ化アルミニウムのうちの少なくとも１つが用いられ
る。
【００１９】本発明の前記多層構造のエッチングストッ
パーとして働いた金属酸化物は、酸化アルミニウム、酸
化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ネオジウム、酸
化セリウムのうちの少なくとも１つが用いられる。
【００２０】本発明の回折光学素子の好ましい形態で
は、前記基板の前記回折格子が形成されている表面に反
射防止膜が形成され、前記基板の裏面にも反射防止膜が
形成されている。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の回折光学素子の実
施形態１の要部斜視図である。図中、１は回折光学素子
である。
【００２２】回折光学素子１は、レンズ作用を有する回
折格子より成る所謂ＢＯレンズ（Binary Optics より成
るレンズ）であるが、フレネル回折格子や、鋸歯状回折
格子等から成る回折光学素子にも、本発明は適用でき
る。
【００２３】回折格子の断面形状は、本実施形態１のよ
うな図２（Ａ）の断面図に示す階段形状（バイナリー形
状）や、図２（Ｂ）の断面図に示すキノフォーム形状が
代表的なものであるが、これらの形状に限定されるもの
ではない。
【００２４】図３は本実施形態１の回折光学素子を作製
する際に用いる基板の要部断面図で、回折格子を刻み込
む前の状態である。本実施形態１の回折光学素子１の基
板２は蛍石（ホタル石）等のフッ素化合物（フッ素化合
物）より成っている。基板２上に設けるべき回折格子１
ａの材質は、石英（ＳｉＯ2 ）４と蛍石（フッ化カルシ
ウム）等のフッ素化合物５より成り、これらの層を積層
した多層膜３にエッチングを行なうことにより図２
（Ａ）に示すような回折格子を得る。ここで、石英の層
４が主として、ドライエッチングにより階段を形作るも
のであり、フッ素化合物５の層は石英の層４をドライエ
ッチングするときのエッチング量をコントロールするた
めのストッパーとしての作用を有している。
【００２５】本実施形態では回折光学素子の基板として
従来の石英の代わりに蛍石（フッ素化合物）を用いてい
る。蛍石は、石英に比べると前述のコンパクション（収
縮）があまり無く、その上色消しの効果も期待できるの
で結像光学系の（ＢＯ）レンズに対して格好の材料とい
えるが、石英に比べて硬度が低いため、石英に比べる
と、ドライエッチング加工が難しい。
【００２６】そこで、本発明者は蛍石（フッ素化合物）
の基板の表面上へ、ドライエッチング加工が容易な石英
（酸化物）の薄膜を基板上に成膜した後、フォトリソグ
ラフィープロセスとドライエッチング技術を用いてこの
石英薄膜に回折格子を形成することとした。
【００２７】石英の薄膜はスパッター製膜法、ＥＢ製膜
法、ＣＶＤ製膜法等が適用可能であるが、本実施形態で
は比較的取扱の易しいスパッター製膜法を採用してＢＯ
を作成した。
【００２８】本実施形態１では、ＢＯの加工において、
深さ方向のエッチングコントロールが難しく、エッチン
グ面の表面性が悪くならないように、バイナリーの段差
に相当する膜厚の石英の層を７層あらかじめ成膜し、且
つ段差部分の境界（石英層と石英層の間）に予め、エッ
チングストッパーとなりうる薄膜の層を設けた。
【００２９】この薄膜の材料は石英をエッチングするエ
ッチングガスに対して耐性がある材料で、且つエッチン
グガスを変えれば反対に石英が耐性を持つようなもので
ある。一般に金属のフッ化物はハロゲン系のエッチング
ガスに対して耐性が有るので、本発明の石英膜のＲＩＥ
エッチングストッパーの材料として最適である。従っ
て、ここでは、エッチングストッパーとしてフッ素化合
物、特に遠紫外光線の透過性の良いフッ素化合物とし
て、フッ化マグネシウム、フッ化鉛、フッ化ネオジウ
ム、フッ化リチウム、フッ化ランタン、フッ化カルシウ
ム、フッ化バリウム等を用い、各層の石英の薄膜の表面
に１００Å程度、この種のフッ化金属膜を１００Å程度
成膜した。このことにより、エッチングの条件が緩くて
も形状精度と表面性の良い蛍石を基板としたＢＯレンズ
を作ることができる。
【００３０】次に本実施形態１の回折光学素子１の具体
的な構成について説明する。
【００３１】本実施形態１の回折光学素子（ＢＯレン
ズ）１は、外形が直径２０ｍｍΦの円形状より成ってい
る。この素子は、ＫｒＦエキシマレーザーからの波長２
４８ｎｍの光に対して用いられるものであり、所謂設計
波長は２４８ｎｍである。この素子の回折格子の輪帯の
数は総計約１８００本である。各輪帯はそれぞれ図２
（Ａ）に示す８段の階段形状の要素（単位）より成って
いる。
【００３２】図２（Ａ）のＢＯレンズ１において最外側
の輪帯を構成する段階は、設計値で、各段の幅Ｗａ１が
０．３５μｍ、高さＨａ１が０．０６２μｍである。輪
帯、即ち階段全体の幅Ｗａと高さはＨａはそれぞれＷａ
＝２．８μｍ（０．３５μｍ×８）、Ｈａ＝０．４３４
μｍ（０．０６２μｍ×７）である。
【００３３】基板２には直径４インチ、厚さ４ｍｍの蛍
石の結晶基板を用いている。基板２上にマルチスパッタ
ー用のスパッター装置を用いて連続成膜法で、石英（Ｓ
ｉＯ2 ）４を約５２０Å、フッ化金属であるフッ化バリ
ウム５を約１００Å成膜した、膜厚は合計で約６２０Å
である。１層の石英と１層のフッ化バリウムの対で８段
のＢＯ素子の１段を構成している。この操作を７回繰り
返すことにより膜厚約０．４３４μｍの、対で１層の７
層の積層膜を成膜した。
【００３４】１単位あたり、８段の階段より成る回折格
子１ａは、このような７層積層膜付の蛍石基板に対し、
ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）ステッパーを使用し、図４の上
段に示すクロムマスク１１、１２、１３のパターンをＢ
Ｏの基板２上のフォトレジストに順次焼付け、１回の焼
付毎に、レジストを現像し、現像によるレジストパター
ンをマスクにドライエッチング（ＲＩＥ）法を用いて蛍
石基板２上の多層膜３をエッチング加工してパターニン
グを行なうことにより製造する。基板２の蛍石５はハロ
ゲン系のエッチングガスに対して耐性があるので、最下
段はエッチングストッパー膜を必要としていない。図４
の下段は、図４の上段が示す３枚のマスク１１、１２、
１３を順に用いて上記プロセスを３回繰り返すことによ
り基板２上に１要素（１輪帯）あたり８段の階段より成
る回折格子構造を製作したＢＯレンズの断面図を示して
いる。
【００３５】次に実施形態１の変形例について説明す
る。
【００３６】本変形例の回折光学素子１は、外形が図１
の実施形態１と同様に直径２０ｍｍの円形状より成って
おり、実施形態１のフッ化バリウムの代わりにフッ化カ
ルシウムを採用している。
【００３７】基板２には直径４インチ、厚さ４ｍｍ厚の
蛍石の結晶基板を用いている。基板２上にマルチスパッ
ター用のスパッター装置を用いて連続成膜法で、石英
（ＳｉＯ2 ）４を約５２０Å、フッ化金属であるフッ化
カルシウム５を約１００Å成膜した、膜厚は合計で約６
２０Åである。この操作を７回繰り返すことにより膜厚
約０．４３４μｍの、７層の積層膜を成膜した。
【００３８】ＢＯレンズ１の作成は、実施形態１と同様
に、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）ステッパーを使用し、この
ような７層積層膜付の蛍石基板に対し、図４の上段に示
すクロムマスク１１、１２、１３のパターンをＢＯの基
板２上のフォトレジストに順次焼付け、１回の焼付毎
に、レジストを現像し、現像されたレジストパターンを
マスクにドライエッチング（ＲＩＥ）法を用いて蛍石基
板２上の多層膜３をエッチング加工してパターニングを
行なった。エッチングガスとしてＣＣl2Ｆ2、ＣＦ4 、Ｂ
Ｃl3主体のガスを使用した。３枚のマスク１１、１２、
１３を順に用いて上記プロセスを３回繰り返すことによ
りＢＯレンズを製造する。
【００３９】次に実施形態１の第２の変形例について説
明する。
【００４０】本変形例の回折光学素子１は外形が図１の
実施形態１と同様に直径２０ｍｍの円形状より成ってお
り、実施形態１のフッ化バリウムの代わりにフッ化アル
ミニウム（ＡｌＦ3 ）を採用し、蛍石基板２上に石英
（ＳｉＯ2 ）とフッ化アルミニウムの７層の多層膜を成
膜し、実施形態１と同様のフォトリソ工程によってＢＯ
レンズを製造する。
【００４１】次に実施形態１の第３の変形例について説
明する。
【００４２】本変形例の回折光学素子１は、図１の実施
形態１と同様に、蛍石の基板２上に石英（ＳｉＯ2 ）３
とフッ素化合物（例えばフッ化マグネシウム、フッ化
鉛、フッ化ネオジウム、フッ化リチウム、フッ化ランタ
ン、水晶石等のうちの１つのフッ化金属）４の７層の多
層膜を成膜し、実施形態１と同様のフォトリソ工程によ
ってＢＯレンズを製造する。
【００４３】本発明の回折光学素子の実施形態２の要部
斜視図も図１に示す。図中１は回折光学素子である。
【００４４】本実施形態２の回折光学素子１もレンズ作
用を有する回折格子より成る、所謂ＢＯ（Binary Optic
s）であるが、フレネル回折格子や、鋸歯状回折格子等
から成る回折光学素子にも本発明は適用できる。
【００４５】回折格子の断面形状は、図２（Ａ）の断面
図が示す階段形状（バイナリー形状）や、図２（Ｂ）の
断面図が示すキノフォーム形状の格子が代表的なもので
あるが、これらの形状に限定されるものではない。
【００４６】図５は本実施形態２の回折光学素子を作製
する際に用いる基板の要部断面図である。本実施形態２
の回折光学素子１の基板２は蛍石等のフッ素化合物より
成っている。基板２上に設ける回折格子１ａの材質は、
石英（ＳｉＯ2 ）４と酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）
等の金属酸化物５より成り、これらの層を積層した多層
膜３にエッチングを行なうことにより図２（Ａ）に示す
ような回折格子を得る。ここで石英層４はドライエッチ
ングで階段を形作るものであり、金属酸化物５の層は石
英の層４をドライエッチングするときのエッチング量を
コントロールするためのストッパーとしての作用を有し
ている。
【００４７】本実施形態では回折光学素子の基板として
従来の石英の代わりに蛍石（フッ素化合物）を用いてい
る。蛍石は石英に比べると前述のコンパクション（収
縮）があまり無く、その上、色消しの効果も期待できる
ので結像光学系の（ＢＯ）レンズに対して格好の材料と
いえるが、石英に比べて硬度が低いため、石英に比べて
ドライエッチング加工が難しい。
【００４８】そこで、本発明者は蛍石（フッ素化合物）
の基板の表面上へ、ドライエッチング加工が容易な石英
（酸化シリコン）の薄膜を基板上に成膜した後、フォト
リソグラフィープロセスとドライエッチング技術を用い
て、この石英薄膜に回折格子を形成することとした。
【００４９】石英の薄膜はスパッター製膜法、ＥＢ製膜
法、ＣＶＤ製膜法等が適用可能であるが、本実施形態で
は比較的取扱の易しいスパッター製膜法を採用してＢＯ
素子を作成した。
【００５０】本実施形態２では、ＢＯ素子の加工におい
て、深さ方向のエッチングコントロールが難しく、エッ
チング面の表面性が悪くならないように、バイナリーの
段差に相当する膜厚の石英の層をあらかじめ成膜、且つ
段差部分の境界（石英層と石英層の間）に予め、エッチ
ングストッパーとなりうる薄膜の層を設けた。
【００５１】この薄膜の材料は、石英のエッチングガス
に対して耐性がある材料で、且つエッチングガスを変え
れば反対に酸化シリコンが耐性を持つようなものであ
る。従って、本実施形態２では金属の酸化物、特に遠紫
外光線の透過性の良い金属酸化物として酸化アルミニウ
ムを用い、各層の酸化シリコンの薄膜の表面に１００程
度の酸化アルミニウム膜を成膜した。このことにより、
エッチングの条件が緩くても形状精度と表面性の良い蛍
石を基板としたＢＯレンズを作ることができる。
【００５２】次に本実施形態２の回折光学素子１の具体
的な構成について説明する。
【００５３】本実施形態の回折光学素子（ＢＯレンズ）
１は、外形が直径２０ｍｍΦの円形状より成っている。
この素子もＫｒＦエキシマレーザーからの波長２４８ｎ
ｍの光に対して用いられるものであり、所謂設計波長は
２４８ｎｍである。使用波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザ
ー用を用いて構成している。この素子の回折格子の輪帯
の数は総計約１８００本である。各輪帯はそれぞれ図２
（Ａ）に示す８段の階段形状の要素（単位）より成って
いる。
【００５４】図２（Ａ）のＢＯレンズ１を構成する８段
ＢＯ素子単位１ａの模式図において最外側の輪帯を構成
する階段は、設計値で、各段の幅Ｗａ１が０．３５μ
ｍ、高さＨａ１が０．０６２μｍである。輪帯、即ち素
子単位の幅Ｗａと高さはＨａはそれぞれＷａ＝２．８μ
ｍ（０．３５μｍ×８）、Ｈａ＝０．４３４μｍ（０．
０６２μｍ×７）である。
【００５５】基板２には直径４インチ、厚さ４ｍｍの蛍
石の結晶基板を用いている。基板２上にマルチスパッタ
ー用のスパッター装置を用いて連続成膜法で、石英（Ｓ
ｉＯ2 ）４を約５２０Å、金属酸化物である酸化アルミ
ニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）を約１００Å成膜した、合計で約
６２０Åである。１層の酸化シリコンと１層の酸化アル
ミニウムの対で８段のＢＯ素子の１段を構成している。
この操作を７回繰り返すことにより膜厚約０．４３４μ
ｍの、７層の積層膜を成膜した。
【００５６】１単位あたり８段の階段形状より成る回折
格子１ａは、実施形態１と同様、このような７層積層膜
付の蛍石基板に対し、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）ステッパ
ーを使用し、図４に示すようにクロムマスク１１、１
２、１３のパターンをＢＯの基板２上のフォトレジスト
に順次焼付け、１回の焼付毎にレジストを現像して現像
によるレジストパターンをマスクにドライエッチング
（ＲＩＥ）法を用いて蛍石基板２上の多層膜３をエッチ
ング加工してパターニングを行なうことにより製造す
る。基板２の蛍石５はハロゲン系のエッチングガスに対
して耐性があるので、最下段はエッチングストッパー膜
を必要としていない。
【００５７】次に実施形態２の変形例について説明す
る。
【００５８】本変形例の回折光学素子１は外形が直径２
０ｍｍの円形状より成っており、実施形態２の酸化アル
ミニウム（Ａｌ2 Ｏ3)の代わりにＭｇＯを採用してい
る。
【００５９】基板２には直径４インチ、厚さ４ｍｍの蛍
石の結晶基板を用いている。基板２上にマルチスパッタ
ー用のスパッター装置を用いて連続成膜法で、石英（Ｓ
ｉＯ2 ）４を約５２０Å、金属酸化物である酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）５を約１００Å成膜した、合計で約６
２０Åである。この操作を７回繰り返すことにより膜厚
約０．４３４μｍの、７層の積層膜を成膜した。
【００６０】ＢＯレンズ１の作成は実施形態２と同様
に、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）ステッパーを使用し、図４
に示すように、クロムマスク１１、１２、１３のパター
ンをＢＯ基板２上のフォトレジストに順次縮小焼付け、
現像されたレジストパターンをマスクにドライエッチン
グ（ＲＩＥ）法を用いて蛍石基板２上の多層膜３をエッ
チング加工してパターニングすることにより製造してい
る。エッチングガスとしてＣＣｌ2 Ｆ2、ＣＦ4 主体のガ
スを使用した。３枚のマスク１１、１２、１３を順に用
いて上記プロセスを３回繰り返すことによりＢＯレンズ
を製造した。
【００６１】次に実施形態２の第２の変形例について説
明する。
【００６２】本変形例の回折光学素子１は外形が直径２
０ｍｍの円形状より成っており、実施形態２の多層膜を
構成する酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の代わりに酸
化ネオジウムを採用し、蛍石基板２上に７層の酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）と酸化ネオジウムの多層膜を成膜し、
実施形態２と同様のフォトリソ工程によってＢＯレンズ
を製造する。
【００６３】次に実施形態２の第３の変形例について説
明する。
【００６４】本変形例の回折光学素子１は、実施形態２
と同様に蛍石の基板２上に石英（ＳｉＯ2 ）と、酸化ハ
フニウム、酸化セリウム等のうちの１つの金属酸化物か
ら成る多層膜（７層）を成膜し、実施形態２と同様のフ
ォトリソ工程によってＢＯレンズを製造する。
【００６５】本発明の第３の実施形態を図６〜図１１を
用いて説明する。
【００６６】図６は輪帯状に回折要素（階段）が形成さ
れたＢＯレンズの斜視図、図７はＢＯレンズの断面図、
図８は図７の一部の拡大断面図を示している。設計上、
使用波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光用を想
定し、回折要素単位である輪帯の数を約１８００本と
し、各輪帯がそれぞれ図８に示すような８段の階段を有
し、全体として直径２０ｍｍの円形のＢＯレンズ１を構
成している。このＢＯレンズ１の最外側の輪帯は設計値
で各段の幅が０．３５μｍ、高さが０．０６２μｍで、
回折要素単位としての輪帯の幅は２．８μｍ、高さは
０．４３４μｍである。
【００６７】図９は第３の実施形態のＢＯレンズ１を製
造する前の基板の断面図を示している。本実施例では、
直径１００ｍｍ、厚さ４ｍｍの蛍石（ＣａＦ2 ）の結晶
板を使用し、この蛍石から成る基板２の表面にスパッタ
リング製造装置を使用して、ドライエッチング加工が容
易な石英（ＳｉＯ2 ）の薄膜７を、予めＢＯ段差に相当
する膜厚分の約０．４３４μｍ成膜する。尚、スパッタ
リング製膜法ではなくＥＢ製膜法やＣＶＤ製膜法を使用
しても良い。
【００６８】図１０はＢＯレンズの基板上の石英薄膜７
に微細な８段の階段を形成する際に用いるクロムマスク
と製造できるＢＯレンズ１の断面図を示し、フォトリソ
グラフィ法による縮小露光焼付装置である露光波長λ＝
３６５ｎｍのｉ線ステッパーを使用し、クロムマスク４
のパターンを石英薄膜付蛍石基板２上のフォトレジスト
に焼付けしてレジストパターンを形成する。このレジス
トパターンをマスクとしてドライエッチング法を使用し
て、基板２の薄膜７をエッチング加工し段差を形成す
る。更に、クロムマスク５，６を使用してそれぞれ上述
の工程を繰り返すことにより、薄膜７に階段部（７）が
形成されてＢＯレンズ１が得られる。
【００６９】蛍石に代表されるフッ素化合物は、一般に
ハロゲン等のドライエッチングガスに対して耐性があ
り、エッチングストッパとしての役目を果たすので、階
段の各段に垂直に近い段差が要求される高精度のＢＯレ
ンズ１を形成することができる。
【００７０】実施形態３の変形例として、蛍石基板２の
代りに直径１００ｎｍ、厚さ４ｍｍのフッ化バリウム
（ＢａＦ2 ）の結晶基板２を使用し、ＲＦスパッタ用の
スパッタ装置を用いてフッ化バリウム基板２上に石英薄
膜７を、厚さ約０．４３μｍに成膜して、直径２０ｍｍ
の円形のＢＯレンズ１の作成を行なえる。
【００７１】この場合も、前記のｉ線ステッパーを使用
し、クロムマスクのパターンを石英薄膜付フッ化バリウ
ムから成る基板２上のフォトレジストに焼付現像してレ
ジストパターン形成する。このレジストパターンをマス
クとしてドライエッチング法を用いて、フッ化バリウム
基板２上の薄膜３をエッチング加工してＢＯレンズ１を
作成する。エッチングガスとしてＣＦ4 ／Ｈ2 ，ＣＨ2
／Ｆ2 主体のガスを使用し、３枚のマスク４〜５を用い
て上述の工程を３回繰り返して、ＢＯレンズ１を作成す
る。
【００７２】以上説明した各種ＢＯレンズの基板２の形
状は、両面平面，片面平面，片面曲面のいずれでも良
い。
【００７３】尚、３回目のドライエッチングを多少オー
バー気味に行っても、フッ化バリウム基板２が有するエ
ッチングストッパとしての耐性によって、高精度の良好
な仕上がりとすることができる。
【００７４】更に、実施形態３の他の変形例として、基
板２に蛍石の代りにフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2 ）の
結晶を使用し、フッ化マグネシウムから成る基板２上に
石英膜から成る薄膜３を成膜し、実施形態３と同様に、
フォトリソグラフィ工程及びドライエッチング工程とに
よって直径２０ｍｍのＢＯレンズ１を得ることができ
る。
【００７５】図１１は第４の実施形態の断面図を示し、
実施形態３と同様に、蛍石基板２上に石英の薄膜７を成
膜し、同様のフォトリソグラフィ工程及びドライエッチ
ング工程を経て８段ＢＯレンズを加工した後に、このＢ
Ｏレンズの両面に反射防止膜８を成膜する。反射防止膜
８としてはフッ化リチウム（ＬｉＦ）をＲＦスパッタ法
を用いて６２ｎｍ積層したものがある。このＢＯレンズ
をＫｒＦレーザー光を用いてその回折効率を測定する
と、両面に反射防止膜８が無いものに比べて回折効率が
だいたい１２％向上する。
【００７６】又、第４の実施形態の変形例として、フッ
化マグネシウムとアルミナ（Ａｌ2Ｏ3 ）をＲＦスパッ
タリング法を用いて、厚さ各６２ｎｍに積層して反射防
止膜８とする。この反射防止膜８の場合は、両面に反射
防止膜が無いものに比べて回折効率がたいだい１６％向
上する。
【００７７】このような反射防止膜は、前述の実施形態
１と２及びそれらの変形例に対しても適用して効果が出
る。又、反射防止膜は必要に応じて、基板の片面のみに
形成してもいい。
【００７８】図１２は投影露光装置の模式図である。上
方からランプやレーザー等の光源２１、光源２１からの
光で均一に照明するための照明光学系２２、この照明光
学系２２により照明されるレチクルＲ、レチクルＲに形
成された投影パターンをウエハＷに投影するための投影
光学系２３、この投影光学系２３で投影されるウエハＷ
が順次に配列されている。
【００７９】この投影露光装置で使用されるＢＯレンズ
は、上述のいずれかの実施例で示したレンズであり、ス
テッパーの分割露光により直径２００ｍｍの大きさに作
成される。このＢＯレンズを照明光学系２２や投影光学
系２３に組み込んだＫｒＦレーザーステッパー（ステッ
プアンドスキャン又はステップアンドリピートタイプの
装置）を使用したシリコン基板上への縮小焼付と、一連
の半導体製造工程により、高性能の半導体デバイスを製
造することができる。すなわち、この投影露光装置を使
用して、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子、液晶素子、ＣＣ
Ｄ等の撮像素子、磁気ヘッド等の磁気素子、ＢＯＥ等の
光学素子を精度良く製造することができる。
【００８０】
【発明の効果】本発明によれば、強力な光エネルギーの
照射によってもコンパクションを起こさないか、起こし
ても問題が生じない程度となる回折光学素子及びそれを
有する光学系を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の回折光学素子の実施形態１の要部斜
視図
【図２】 図１の一部分の断面図
【図３】 本発明の回折光学素子の多層膜の説明図
【図４】 本発明の回折光学素子の回折格子の製造方法
を示す説明図
【図５】 本発明の回折光学素子の実施形態２の断面図
【図６】 本発明のＢＯレンズの実施形態３の要部斜視
図
【図７】 図６のＢＯレンズの断面図
【図８】 図７のＢＯ断面拡大図
【図９】 図６〜図８で示すＢＯレンズの回折格子を形
成する前の基板の様子を示す断面図
【図１０】 図６〜図８で示すＢＯの製造法におけるク
ロムマスクと８段ＢＯレンズの断面図
【図１１】 本発明の回折光学素子の実施形態４の要部
断面図
【図１２】 本発明の投影露光装置の模式図
【符号の説明】
１ 回折光学素子 ２ 基板 ３ 回折格子 ４ 石英 ５ フッ素化合物 １１，１２，１３ マスク ２１ 光源 ２２ 照明光学系 ２３ 投影光学系 Ｒ レチクル Ｗ ウエハ

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フッ素化合物より成る基板と、該基板上
    に形成した酸化物を用いた回折格子とを有することを特
    徴とする回折光学素子。
  2. 【請求項２】 前記回折格子は、前記酸化物と、あるフ
    ッ素化合物の多層構造を有することを特徴とする請求項
    １の回折光学素子。
  3. 【請求項３】 前記フッ素化合物は、前記酸化物をエッ
    チングする際のストッパーとして作用したものであるこ
    とを特徴とする請求項２の回折光学素子。
  4. 【請求項４】 前記フッ素化合物として、フッ化マグネ
    シウム、フッ化鉛、フッ化ネオジウム、フッ化リチウ
    ム、フッ化ランタン、フッ化カルシウム、フッ化バリウ
    ム、フッ化アルミニウムのうちの少なくとも１つが用い
    られることを特徴とする請求項３の回折光学素子。
  5. 【請求項５】 前記回折格子は、前記酸化物と、ある金
    属酸化物の多層構造を有することを特徴とする請求項１
    の回折光学素子。
  6. 【請求項６】 前記金属酸化物は、前記酸化物をエッチ
    ングする際のストッパーとして作用したものであること
    を特徴とする請求項５の回折光学素子。
  7. 【請求項７】 前記金属酸化物として、酸化アルミニウ
    ム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ネオジウ
    ム、酸化セリウムのうちの少なくとも１つが用いられる
    ことを特徴とする請求項６の回折光学素子。
  8. 【請求項８】 前記酸化物は、石英，アルミナ，氷晶
    石，ＭｇＯ，ＴｉＯ2，ＨｆＯ2 のいずれかであること
    を特徴とする請求項１の回折光学素子。
  9. 【請求項９】 前記基板は、ＣａＦ2 ，ＡｌＦ3 ，Ｂａ
    Ｆ2 ，ＬｉＦ，ＭｇＦ2 のいずれかより成ることを特徴
    とする請求項１の回折光学素子。
  10. 【請求項１０】 前記酸化物は、石英，アルミナ，氷晶
    石，ＭｇＯ，ＴｉＯ2，ＨｆＯ2 のいずれかであること
    を特徴とする請求項９の回折光学素子。
  11. 【請求項１１】 前記回折格子は、前記酸化物と、ある
    フッ素化合物の多層構造を有することを特徴とする請求
    項１０の回折光学素子。
  12. 【請求項１２】 前記フッ素化合物は、前記酸化物をエ
    ッチングする際のストッパーとして作用したものである
    ことを特徴とする請求項１１の回折光学素子。
  13. 【請求項１３】 前記フッ素化合物として、フッ化マグ
    ネシウム、フッ化鉛、フッ化ネオジウム、フッ化リチウ
    ム、フッ化ランタン、フッ化カルシウム、フッ化バリウ
    ム、フッ化アルミニウムのうちの少なくとも１つが用い
    られることを特徴とする請求項１２の回折光学素子。
  14. 【請求項１４】 前記回折格子は、前記酸化物と、ある
    金属酸化物の多層構造を有することを特徴とする請求項
    １０の回折光学素子。
  15. 【請求項１５】 前記金属酸化物は、前記酸化物をエッ
    チングする際のストッパーとして作用したものであるこ
    とを特徴とする請求項１４の回折光学素子。
  16. 【請求項１６】 前記金属酸化物として、酸化アルミニ
    ウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ネオジ
    ウム、酸化セリウムのうちの少なくとも１つが用いられ
    ることを特徴とする請求項１５の回折光学素子。
  17. 【請求項１７】 前記基板は蛍石（ＣａＦ2）、前記酸化
    物は石英であることを特徴とする請求項１０の回折光学
    素子。
  18. 【請求項１８】 前記基板の少なくとも１面に反射防止
    膜が形成されていることを特徴とする請求項１７の回折
    光学素子。
  19. 【請求項１９】 前記基板の両面に前記反射防止膜が形
    成されていることを特徴とする請求項１７の回折光学素
    子。
  20. 【請求項２０】 前記回折光学素子はＢＯであることを
    特徴とする請求項１の回折光学素子。
  21. 【請求項２１】 前記基板は平面を有することを特徴と
    する請求項１の回折光学素子。
  22. 【請求項２２】 前記基板は曲面を有することを特徴と
    する請求項１の回折光学素子。
  23. 【請求項２３】 請求項１〜２２のいずれか１項記載の
    回折光学素子を有することを特徴とする光学系。
  24. 【請求項２４】 請求項２３の光学系を有することを特
    徴とする露光装置。
  25. 【請求項２５】 請求項２４の露光装置によりウエハに
    デバイスパターンを転写する段階を有することを特徴と
    するデバイス製造方法。
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DE69824815T DE69824815D1 (de) 1997-12-03 1998-12-02 Beugungselement und damit ausgestattetes optisches System
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001100017A (ja) 1999-09-29 2001-04-13 Canon Inc 光学素子
US7129982B1 (en) * 1999-12-30 2006-10-31 Intel Corporation Color image sensor with integrated binary optical elements
US20030198260A1 (en) * 2002-04-18 2003-10-23 Hogan Josh N. Method and apparatus for generating multiple wavelength radiation
DE10220045A1 (de) * 2002-05-04 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Verfahren zur Herstellung eines optischen Elementes aus Quarzsubstrat
JP4305611B2 (ja) * 2002-07-18 2009-07-29 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
US20050018296A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 Asml Holding Nv Diffractive optical element and method of making same
TWI545352B (zh) * 2006-02-17 2016-08-11 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 用於微影投射曝光設備之照明系統
EP1984788B1 (en) 2006-02-17 2011-09-21 Carl Zeiss SMT GmbH Optical integrator for an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
GB0617945D0 (en) 2006-09-12 2006-10-18 Ucl Business Plc Imaging apparatus and methods
DE102007007907A1 (de) 2007-02-14 2008-08-21 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung eines diffraktiven optischen Elements, nach einem derartigen Verfahren hergestelltes diffraktives optisches Element, Beleuchtungsoptik mit einem derartigen diffratkiven optischen Element, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Verfahren zum Herstellen eines mikroelektronischen Bauelements unter Verwendung einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie mit einem solchen Verfahren hergestelltes Bauelement
GB201006679D0 (en) 2010-04-21 2010-06-09 Ucl Business Plc Methods and apparatus to control acousto-optic deflectors
GB201106787D0 (en) 2011-04-20 2011-06-01 Ucl Business Plc Methods and apparatus to control acousto-optic deflectors
JP2014092730A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Canon Inc 回折格子、それを用いた光学装置
JP2016018049A (ja) 2014-07-07 2016-02-01 キヤノン株式会社 可変形状ミラー及びその製造方法
US10274651B1 (en) 2018-01-19 2019-04-30 Facebook Technologies, Llc Manufacturing three-dimensional diffraction gratings by selective deposition or selective etching
KR102585150B1 (ko) * 2018-03-06 2023-10-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 3d 기능성 광학 물질 적층 구조를 구축하는 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2139781B (en) * 1983-05-13 1986-09-10 American Telephone & Telegraph Mask structure for vacuum ultraviolet lithography
JP2742683B2 (ja) * 1986-08-08 1998-04-22 東洋通信機株式会社 透過型回折格子の製造方法
US4780175A (en) * 1986-10-27 1988-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Method for the production of an optical phase-shifting board
JP2703930B2 (ja) * 1988-06-29 1998-01-26 日本電気株式会社 複屈折回折格子型偏光子
US5162841A (en) * 1989-10-11 1992-11-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure controlling apparatus
US5257132A (en) * 1990-09-25 1993-10-26 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Broadband diffractive lens or imaging element
FR2694131B1 (fr) * 1992-07-21 1996-09-27 Balzers Hochvakuum Procede et installation pour la fabrication d'un composant, notamment d'un composant optique, et composant optique ainsi obtenu.
JPH06324262A (ja) * 1993-05-11 1994-11-25 Olympus Optical Co Ltd 撮像光学系

Also Published As

Publication number Publication date
US20020030890A1 (en) 2002-03-14
EP0921418A2 (en) 1999-06-09
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DE69824815D1 (de) 2004-08-05
EP0921418B1 (en) 2004-06-30

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